TWI667730B - Electrostatic chuck, mounting table, plasma processing device, and manufacturing method of electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於抑制自靜電夾頭發生粒子、且抑制靜電夾頭對被處理體之吸附力的變化。
用以保持被處理體之靜電夾頭18b具備有介電質製基材21以及保護膜23。基材21具有由底面Sa以及複數突出部Sb所構成之表面S。複數突出部Sb係以從底面Sa突出的方式設置。此等突出部Sb分別包含頂面Sb1以及側面Sb2。頂面Sb1為被處理體接觸之面，側面Sb2係從底面Sa延伸至頂面Sb1。保護膜23係由氧化釔所構成。此保護膜23係以頂面Sb1露出的方式設置於複數突出部Sb之側面Sb2上以及底面Sa上。

Description

靜電夾頭、載置台、電漿處理裝置、以及靜電夾頭之製造方法
本發明之實施形態係關於一種靜電夾頭、載置台、電漿處理裝置、以及靜電夾頭之製造方法。
於半導體元件等電子元件之製造中，有時對於被處理體施以電漿處理。 此電漿處理中係使用電漿處理裝置。電漿處理裝置一般在處理容器內具備有用以載置被處理體之載置台。此外，載置台有時具有將被處理體以靜電力加以吸附之靜電夾頭。
靜電夾頭有時於其表面具有點(dot)構造。亦即，此種靜電夾頭之表面係由底面以及從該底面突出之複數突出部所構成。如此之點構造係藉由例如噴砂處理來形成。從而，點構造之側面以及該側面之周圍底面成為容易發生粒子之破碎面，可能為粒子之發生原因。
為了抑制起因於如此點構造之粒子等發生，已知例如使用耐電漿性高的氧化釔(以下也以氧化釔(Y2O3)表現)之多結晶體來形成靜電夾頭之表面(例如參見專利文獻1或是2)。
先前技術文獻
專利文獻1 日本特開2008-160093號公報
專利文獻2 日本特開2007-173596號公報
如上述般氧化釔在耐電漿性上優異。但是，氧化釔之電阻相對於溫度有很大的變化率。從而，若靜電夾頭之表面係以氧化釔所構成，則靜電夾頭之吸附力會隨著溫度變化而變化。是以，表面由氧化釔所構成之靜電夾 頭於電漿處理中其吸附力有時會變動。
此外，若被處理體以含氟之氣體的電漿來處理，會由於靜電夾頭之表面所含氧化釔與氟之活性種的反應導致形成氟化釔。伴隨此氟化釔之形成，靜電夾頭之吸附力會經時性變化。
從而，必須抑制從靜電夾頭發生粒子且抑制靜電夾頭對於被處理體之吸附力的變化。
本發明之一觀點係提供一種用以保持被處理體之靜電夾頭。此靜電夾頭具備有介電質製基材以及保護膜。基材具有底面以及由複數突出部所構成之表面。複數突出部係以從底面突出的方式設置。此等突出部分別包含頂面以及側面。頂面為被處理體接觸之面，側面從底面延伸至頂面。保護膜係由氧化釔所構成。此保護膜係以頂面露出的方式設置於複數突出部之側面上以及底面上。
此靜電夾頭由於構成靜電夾頭表面之底面以及複數突出部之側面係以氧化釔製保護膜所覆蓋，而可抑制粒子之發生。此外，由於主要擔任被處理體吸附之突出部頂面並未形成保護膜，而可抑制溫度變化所致吸附力之變動以及吸附力伴隨氟化釔之形成而變化。
一形態中，靜電夾頭可進而具備設置於基材內之電極。此外，一形態中，基材也可包含氧化鋁或是氮化鋁。
一形態中，保護膜之膜厚可為0.5μm以上10μm以下之膜厚。相關膜厚之保護膜能以例如CVD法來形成，可更為抑制粒子之發生。
一形態中，複數突出部之頂面面積在底面面積與複數突出部之頂面面積的合計面積中所占比例可為5%以上40%以下。依據此形態，可更為抑制粒子之發生。
於其他一觀點中係提供一種載置台。此載置台具備有基座部以及上述觀點以及各種形態之靜電夾頭當中其中一者。
於又一其他觀點中係提供一種，用以對被處理體進行電漿處理之電漿處理裝置。此電漿處理裝置具備有處理容器以及上述載置台。此外，一形態中，電漿處理裝置可進而具備直流電源，係電性連接於載置台之靜電夾頭所含電極處。
於又一觀點中係提供一種靜電夾頭之製造方法。此製造方法包含下述製程：(a)準備介電質製基材之製程，該基材具有底面以及從該底面突出之複數突出部所構成之表面，該複數突出部分別包含被處理體所接觸之頂面、以及從該底面延伸至該頂面之側面(以下稱為「製程(a)」)；以及(b)以頂面露出的方式在複數突出部之側面上以及底面上形成氧化釔製保護膜之製程。依據此製造方法，可製作上述靜電夾頭。
一形態之製程(a)可包含下述製程：(a1)準備第1未燒成介電質層之製程；(a2)於第1未燒成介電質層之主面上配置導電性糊之製程；(a3)於導電性糊以及第1未燒成介電質層上設置第2未燒成介電質層之製程；(a4)對第1未燒成介電質層、第2未燒成介電質層以及導電性糊進行燒成以製作燒結體之製程；以及(a5)於燒結體形成底面以及複數突出部之製程。
一形態之製造方法中，基材可含有氧化鋁或是氮化鋁。此外，一形態中，保護膜之膜厚可為0.5μm以上10μm以下。此外，一形態之製造方法中，複數突出部之頂面面積於底面面積與複數突出部之頂面面積之合計面積中所占比例可為5%以上40%以下。
一形態之製造方法中，保護膜亦可藉由CVD法、氣膠法(aerosol)、或是離子佈植法來形成。依據此形態，由於形成具有緻密膜質之保護膜，可更為抑制從該保護膜發生粒子。
如以上說明，可抑制從靜電夾頭發生粒子，且可抑制靜電夾頭對被處理體之吸附力的變化。
10‧‧‧電漿處理裝置
18,18A,18B‧‧‧載置台
18a‧‧‧基座部
18b‧‧‧靜電夾頭
18u1‧‧‧第1上面
18u2‧‧‧第2上面
20‧‧‧電極
20a‧‧‧導電性糊
21‧‧‧基材
21a,21b,21c‧‧‧介電質層
23,123,123a‧‧‧保護膜
121a,121b‧‧‧未燒成介電質層
C‧‧‧燒結體
M‧‧‧阻劑遮罩
S‧‧‧基材(介電質層)之表面
Sa‧‧‧底面
Sb‧‧‧突出部
Sb1‧‧‧突出部之頂面
Sb2‧‧‧突出部之側面
W‧‧‧晶圓(被處理體)
圖1係示意顯示一實施形態之電漿處理裝置之圖。
圖2係放大顯示圖1所示電漿處理裝置之載置台及其周圍構成之截面圖。
圖3係將圖2之一部分放大之截面圖。
圖4係顯示圖1以及圖2所示靜電夾頭表面之俯視圖。
圖5係說明一實施形態之靜電夾頭之製造方法之圖。
圖6係說明一實施形態之靜電夾頭之製造方法之圖。
圖7係說明一實施形態之靜電夾頭之製造方法之圖。
圖8係顯示第1參考例之載置台之一部分構成之截面圖。
圖9係顯示第2參考例之載置台之一部分構成之截面圖。
以下，參見所附圖式，針對本發明之較佳實施形態詳細說明。此外，以下之說明中，同一要素或是具有同一機能之要素係使用同一符號而省略重複說明。
圖1係顯示一實施形態之電漿處理裝置之構成之概略截面圖。圖1所示電漿處理裝置10為電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置，具備大致圓筒狀之處理容器12。處理容器12之內壁面係由經陽極氧化處理之鋁所構成。此處理容器12被安全接地著。
處理容器12內設有一實施形態之載置台18。此載置台18在一實施形態中係被支撐部14所支撐著。支撐部14為由絕緣材料所構成之大致圓筒狀構件，從處理容器12之底部往鉛直方向延伸著。支撐部14在圖1所示例中可於該支撐部14之內壁面支撐載置台18。
載置台18為支撐作為被處理體之晶圓W的台，具備基座部18a以及靜電夾頭18b。基座部18a係由例如鋁等金屬所構成，成為大致圓盤形狀。基座部18a係構成為下部電極。靜電夾頭18b設置於基座部18a上而保持晶圓W。 靜電夾頭18b之更詳細內容將於後述，具有介電質製基材以及設置於該基材內之電極。靜電夾頭18b之電極係電性連接著直流電源22。此靜電夾頭18b可藉由因來自直流電源22之直流電壓所生庫倫力等靜電力而吸附保持晶圓W。
於載置台18之基座部18a周緣部上設有由絕緣體所構成之分隔件部16。 於分隔件部16之上係以包圍晶圓W之邊緣以及靜電夾頭18b的方式配置有聚焦環FR。聚焦環FR乃用以提升蝕刻均一性而設置者。聚焦環FR係因應於蝕刻對象之膜材料所適宜選擇的材料所構成，例如可由石英構成。
於基座部18a之內部設有冷媒用流路24。流路24從設置於外部之冷凝器單元經由配管26a、26b而被循環供給既定溫度之冷媒。冷媒為絕緣性溶液， 例如可為加爾登(GALDEN，註冊商標)溶液。藉由控制以此方式循環之冷媒溫度，可控制被支撐在載置台18上之晶圓W的溫度。
此外，電漿處理裝置10設有氣體供給管線28。氣體供給管線28係將來自熱傳氣體供給機構之熱傳氣體(例如He氣體)供給於靜電夾頭18b上面與晶圓W內面之間。
此外，載置台18設有複數(例如3個升降銷用孔200(圖中僅顯示1個)，此等升降銷用孔200之內部分別配置有升降銷(lifter pin)61。升降銷61係連接於驅動機構62，可藉由驅動機構62而上下動。
此外，電漿處理裝置10更具備有上部電極30。上部電極30在載置台18之上方係和該載置台18成為對向配置。上部電極30與基座部18a彼此大致平行設置。於此等上部電極30與基座部18a之間係區劃出用以對晶圓W進行電漿處理之處理空間SP。
上部電極30經由絕緣性遮蔽構件32而被支撐於處理容器12之上部。上部電極30可包含電極板34以及電極支撐體36。電極板34面向於處理空間SP，區劃出複數氣體噴出孔34a。此電極板34可由焦耳熱低的低電阻導電體或是半導體所構成。
電極支撐體36將電極板34以裝卸自如方式加以支撐，可由例如鋁等導電性材料所構成。此電極支撐體36可具有水冷構造。於電極支撐體36之內部設有氣體擴散室36a。從此氣體擴散室36a有連通於氣體噴出孔34a之複數氣體通流孔36b往下方延伸著。此外，電極支撐體36形成有將處理氣體引導至氣體擴散室36a之氣體導入口36c，此氣體導入口36c連接著氣體供給管38。 氣體供給管38經由閥群42以及流量控制器群44而連接著氣體源群40。
電漿處理裝置10可進而具備接地導體12a。接地導體12a呈現大致圓筒狀，係以從處理容器12之側壁延伸至比上部電極30之高度位置更上方處的方式來設置。
此外，電漿處理裝置10沿著處理容器12之內壁以裝卸自如方式設有沉積屏蔽件46。沉積屏蔽件46也設置於支撐部14之外周。沉積屏蔽件46乃防止於處理容器12附著蝕刻副產物(沉積物)，可於鋁材被覆氧化釔等陶瓷而構成。
於處理容器12之底部側，在支撐部14與處理容器12之內壁之間設有排氣板48。排氣板48例如可於鋁材被覆氧化釔等陶瓷而構成。於此排氣板48之下方在處理容器12設有排氣口12e。排氣口12e經由排氣管52而連接著排氣裝置50。排氣裝置50具有渦輪分子泵等真空泵，可將處理容器12內減壓至所希望之真空度。此外，於處理容器12之側壁設有晶圓W之搬入出口12g，此搬入出口12g可藉由閘閥54而做開閉。
於處理容器12之內壁設有導電性構件(GND塊體)56。導電性構件56係以在高度方向上和晶圓W位於大致相同高度的方式安裝於處理容器12之內壁。 此導電性構件56係DC連接於地面，可發揮防止異常放電之效果。此外，導電性構件56只要設置於電漿生成區域即可，其設置位置不限於圖1所示位置。
此外，電漿處理裝置10更具備有對基座部18a供給高頻電力之供電棒58。 供電棒58具有同軸雙重管構造，包含棒狀導電構件58a以及筒狀導電構件58b。棒狀導電構件58a從處理容器12外通過處理容器12之底部往大致鉛直方向延伸至處理容器12內，該棒狀導電構件58a之上端連接於基座部18a。此外，筒狀導電構件58b係以包圍棒狀導電構件58a周圍的方式和該棒狀導電構件58a以同軸設置，支撐於處理容器12之底部。於此等棒狀導電構件58a以及筒狀導電構件58b之間介設有大致環狀的2片絕緣構件58c，使得棒狀導電構件58a與筒狀導電構件58b成為電絕緣。
此外，電漿處理裝置10更具備有匹配器MU。匹配器MU連接著棒狀導電構件58a以及筒狀導電構件58b之下端。此匹配器MU連接著電源系統PS。 此外，電源系統PS也連接著上部電極30。電源系統PS係對於基座部18a供給二種不同的高頻電力，可對上部電極30施加直流電壓。
此外，電漿處理裝置10可進而具備控制部Cnt。此控制部Cnt為具備處理器、記憶部、輸入裝置、顯示裝置等之電腦，對於電漿處理裝置10之各部例如電源系統或氣體供給系統、驅動系統、以及電源系統PS等進行控制。 此控制部Cnt可使用輸入裝置由操作者進行用以管理電漿處理裝置10之指令輸入操作等，此外，可藉由顯示裝置對於電漿處理裝置10之運轉狀況進行視覺化顯示。再者，控制部Cnt之記憶部中儲存有用以藉由處理器來控制 在電漿處理裝置10所實行之各種處理的控制程式或是用以因應於處理條件而於電漿處理裝置10之各構成部實行處理之程式(亦即處理配方)。
以下，連同圖1參見圖2~圖4，針對電漿處理裝置10之載置台、該載置台之靜電夾頭、以及其等周圍構成來詳細說明。圖2係將圖1所示電漿處理裝置之載置台及其周圍構成加以放大顯示之圖。此外，圖3係圖2之部分放大圖。圖4係圖1以及圖2所示靜電夾頭之俯視圖。
於一實施形態中，基座部18a具有下面18d以及上面18u。下面18d為大致平坦的面，上面18u包含第1上面18u1以及第2上面18u2。第1上面18u1為圓形之面，位於第2上面18u2之內側。第2上面18u2係於第1上面之外方以環狀延伸著。此第2上面18u2相對於第1上面18u1係設置在較低位置。亦即，第2上面18u2與下面18d之間的距離較第1上面18u1與下面18d之間來得小。 相關構成之基座部18a更包含環狀側面18s，係以將第1上面18u1與第2上面18u2之間加以連接的方式朝大致鉛直方向延伸。此外，相對於第1上面18u1設置在較低位置之第2上面18u2上係經由分隔件部16而設有聚焦環FR。
基座部18a具有中央部18c以及周緣部18e。將第1上面18u1區分為中心區域與周緣區域的情況，中央部18c之上面成為第1上面18u1之中心區域。另一方面，周緣部18e之上面成為第1上面18u1之周緣區域以及第2上面18u2。 於基座部18a形成有冷媒用流路24。流路24包含中央流路24c以及周緣流路24p。中央流路24c設置於中央部18c內。周緣流路24p設置於周緣部18e內。
於載置台18之第1上面18u1上設有靜電夾頭18b。第1上面18u1與靜電夾頭18b係經由接著劑層A而相互接著。靜電夾頭18b具備有基材21與保護膜23。
基材21包含介電質層21a、介電質層21b、以及設置於介電質層21a與介電質層21b之間的電極20。介電質層21a以及介電質層21b含有例如氧化鋁、氮化鋁、石英(或是氧化矽)、氮化矽、或是碳化矽之至少一者。本實施形態中，基於電阻相對於溫度之變化率的觀點以及硬度的觀點，介電質層21a以及介電質層21b係由氧化鋁所構成，但也可由氮化鋁所構成。
如圖3以及圖4所示般，基材21具有表面S。此表面S係和基座部18a側的面相對向之面。此外，電漿處理裝置10中，表面S為和處理空間SP(亦即電 漿發生空間)相接之面。表面S係由底面Sa以及從底面Sa突出之複數突出部Sb所構成。亦即，基材21之表面S形成為由底面Sa與複數突出部Sb所構成之點構造。底面Sa為實質平坦面。複數突出部Sb係以從該底面Sa突出的方式所形成。複數突出部Sb分別包含晶圓W所接觸之頂面Sb1、以及從底面Sa延伸至頂面Sb1之側面Sb2。頂面Sb1為實質平坦面。頂面Sb1之形狀並無特別限定，可為大致圓形狀，也可為大致矩形狀，也可為大致多角形狀。
在和底面Sa為正交之方向上之底面Sa與頂面Sb1的距離D為例如10μm以上50μm以下。底面Sa之面積在底面Sa之面積與複數突出部Sb之頂面Sb1之面積的合計面積中所占比例為例如60%~95%。此外，頂面Sb1之面積在底面Sa之面積與複數突出部Sb之頂面Sb1之面積的合計面積中所占比例為例如5%~40%。頂面Sb1與側面Sb2可相互直角交叉、或是互相未直角交叉亦可。例如，能藉由頂面Sb1與側面Sb2來構成截面錐體形狀，也可構成為曲面。
保護膜23設置於基材21之底面Sa上以及複數突出部Sb中之側面Sb2。亦即，保護膜23係以複數突出部Sb中之頂面Sb1露出的方式設置於底面Sa上以及側面Sb2上。保護膜23基於耐電漿性之觀點以氧化釔構成。由於藉由相關保護膜23來將構成靜電夾頭18b之表面S的底面Sa以及複數突出部Sb之側面Sb2加以覆蓋著，而可抑制自基材21發生粒子。此外，由於主要擔負晶圓W之吸附的突出部Sb之頂面Sb1並未形成保護膜23，而可抑制吸附力因溫度變化所致變動、以及吸附力伴隨於氟化釔之形成而出現的變化。
一實施形態中，保護膜23可藉由例如CVD法、氣膠法、或是離子佈植法來形成。以此等形成方法所形成之保護膜23可具有緻密的膜質。從而，可抑制從保護膜23發生粒子。此外，保護膜23之膜厚可為0.5μm以上10μm以下之膜厚。
一實施形態中，複數突出部Sb之頂面Sb1之面積於底面Sa之面積與複數突出部Sb之頂面Sb1之面積的合計面積中所占比例為5%以上40%以下。若以如此之面積比例來構成底面Sa與頂面Sb1，可進一步抑制從基材21發生粒子。此外，可更為抑制吸附力相對於溫度變化之變動、以及構成保護膜23之氧化釔因變質所致吸附力之變化。
以下，參見圖5~圖7，針對於載置台上所設靜電夾頭之製造方法之一例來詳細說明。圖5(a)~(d)、圖6(a)~(c)以及圖7為分別顯示本實施形態之靜電夾頭之製造方法之圖。
首先，如圖5(a)所示般，準備未燒成介電質層121a。未燒成介電質層121a係例如包含氧化鋁或是氮化鋁等之絕緣性介電質層。未燒成介電質層121a也可於任意之台上準備。
其次，如圖5(b)所示般，於未燒成介電質層121a之主面121a1上配置層狀導電性糊20a。藉由各種塗布法或是印刷法等來於未燒成介電質層121a上配置導電性糊20a。導電性糊20a係由例如包含金屬粒子(金(Au)或是銀(Ag)等)之樹脂所構成。
其次，如圖5(c)所示般，於未燒成介電質層121a之主面121a1上以及導電性糊20a上設置未燒成介電質層121b。亦即，以藉由未燒成介電質層121a以及未燒成介電質層121b來夾持導電性糊20a的方式設置未燒成介電質層121b。未燒成介電質層121b和未燒成介電質層121a為同一介電質層。
其次，如圖5(d)所示般，對未燒成介電質層121a、未燒成介電質層121b、以及導電性糊20a進行燒成。藉此，形成具備介電質層21a、電極20、以及介電質層21c之燒結體C。例如，將未燒成介電質層121a、未燒成介電質層121b、以及導電性糊20a之積層體在電爐中加熱以製作燒結體C。
其次，如圖6(a)所示般，於基座部18a之第1上面18u1經由接著劑層A來接合燒結體C。此外，於介電質層21c上製作經過圖案化之阻劑遮罩M。例如以光微影來形成阻劑遮罩M。
其次，如圖6(b)所示般，以製作具有點構造之基材21的方式對燒結體C進行噴砂處理。具體而言，將燒結體C中形成有阻劑遮罩M之表面加以噴砂處理。藉由該噴砂處理來製作具有表面S(由底面Sa以及從底面Sa突出之複數突出部Sb所構成)之基材21(介電質層21b)。此外，噴砂處理方面可使用眾知技術。
其次，如圖6(c)所示般，於基材21之表面S上以及阻劑遮罩M上形成保護膜123。例如藉由CVD法、氣膠法、或是離子佈植法來形成氧化釔製保護膜123。本實施形態中，基於形成具有緻密膜質之膜的觀點係使用CVD法。
其次，如圖7所示般，從基材21上去除阻劑遮罩M。藉此，將形成於阻劑遮罩M上之保護膜123去除。亦即，基材21之表面S係以頂面Sb1露出的方式在複數突出部Sb之側面Sb2上以及底面Sa上形成保護膜23。經以上過程，製造具備有基材21以及保護膜23之靜電夾頭18b。
可藉由如此之製造方法來製造靜電夾頭18b。此外，一實施形態中，可藉由CVD法、氣膠法、或是離子佈植法來形成保護膜23。藉由此等形成方法所形成之保護膜23可具有緻密膜質。從而，可抑制從保護膜23發生粒子。
以下，參見圖3、圖8以及圖9，針對具備有本實施形態之靜電夾頭的載置台與具備有參考例之靜電夾頭的載置台經過比較之結果來說明。圖8係顯示第1參考例之載置台之一部分構成之截面圖。圖9係顯示第2參考例之載置台之一部分構成之截面圖。
如圖8所示般，第1參考例之載置台18A有別於圖3所示本實施形態之載置台18，不具備保護膜23。亦即，第1參考例之基材21中由底面Sa以及複數突出部Sb所構成之表面S全體為露出狀態。於此情況，底面Sa與複數突出部Sb之頂面Sb1以及側面Sb2會成為容易發生粒子之破碎面。亦即，表面S會成為粒子發生要因。此外，當基材21係以例如氧化鋁或是氮化鋁所形成之情況，容易發生晶圓W之Al(鋁)污染。
相對於此，本實施形態之載置台18，基材21之底面Sa與複數突出部Sb之側面Sb2係被保護膜23所覆蓋著。亦即，破碎面之一部分被保護膜23所覆蓋著。因此，本實施形態之載置台18，從基材21所發生之粒子較第1參考例之載置台18A來得降低。此外，表面S中複數突出部Sb之頂面Sb1之面積於底面Sa之面積與複數突出部Sb之頂面Sb1之面積的合計面積中所占比例愈小，則愈可降低從基材21發生粒子。
此外，如圖9所示般，第2參考例之載置台18B有別於圖3所示本實施形態之載置台18，在介電質層21c上形成具有點構造之保護膜123a。保護膜123a係氧化釔經熱噴塗所形成。保護膜123a和載置台18B之晶圓W接觸。因此，不會發生晶圓W之Al(鋁)污染。但是，以熱噴塗所形成之保護膜123a有時相較於燒結體C有硬度變低之情況。於此情況，恐因與晶圓W之摩擦等造成從保護膜123a大量發生粒子。此外，氧化釔之電阻相對於溫度具有大的變化 率。進而，若晶圓W以含氟氣體之電漿來處理，會因為氧化釔與氟之活性種的反應而於保護膜123a表面形成氟化釔。藉此，電漿處理中有時候載置台18B之吸附力會變動，且有時吸附力會伴隨氟化釔之形成而變化。
對此，本實施形態之載置台18，接觸於晶圓W之複數突出部Sb之頂面Sb1係從保護膜23露出。亦即，由於在主要擔負晶圓W吸附之突出部Sb之頂面Sb1未形成保護膜23，而可抑制吸附力之變動以及吸附力伴隨形成氟化釔之變化。此外，由於突出部Sb之頂面Sb1成為和晶圓W接觸之面，而可抑制粒子之發生。
以上，針對各種實施形態做了說明，但不限定於上述實施形態可構成各種變形態樣。例如，靜電夾頭18b以及載置台18可用於電漿處理裝置10以外之處理裝置(例如真空蒸鍍裝置等)。
此外，電漿處理裝置10雖為電容耦合型電漿處理裝置，但上述實施形態之靜電夾頭以及載置台可利用於具有任意類型電漿源之電漿處理裝置。
例如，上述實施形態之靜電夾頭以及載置台可用於感應耦合型電漿處理裝置、以微波等表面波作為電漿源使用之電漿處理裝置等上。
此外，保護膜23可為具有耐電漿性之材料，以不含相對於被處理體成為污染原因之元素的材料所構成。進而，於準備燒結體C之製程中，燒成製程之順序以及次數並未限定。例如，也可對未燒成介電質層121a進行燒成來形成介電質層21a之後再設置導電性糊20a。
此外，上述實施形態雖使用阻劑遮罩M而形成了從複數突出部Sb之保護膜23露出之頂面Sb1，但形成從複數突出部Sb以及保護膜23露出之頂面Sb1的方法不限定於此。

Claims (7)

  1. 一種靜電夾頭之製造方法，包含下述製程：準備介電質製基材之製程，該基材具有底面以及從該底面突出之複數突出部所構成之表面，該複數突出部分別包含被處理體所接觸之頂面、以及從該底面延伸至該頂面之側面；以及以該頂面露出的方式在該複數突出部之該側面上以及該底面上形成氧化釔製保護膜之製程；在該底面及形成有該複數突出部前狀態的該基材表面上形成有對應於該複數突出部般被圖案化之遮罩；在形成該保護膜之該製程中，係於該複數突出部的該側面上、該底面上、以及該遮罩上形成有該保護膜；在形成該保護膜之該製程後，將該遮罩及形成於該遮罩上的該保護膜加以去除。
  2. 如申請專利範圍第1項之靜電夾頭之製造方法，其中準備該基材之製程進而包含下述製程：準備第1未燒成介電質層之製程；於該第1未燒成介電質層或藉由該第1未燒成介電質層的燒成所生成之第1介電質層之主面上配置導電性糊之製程；於該導電性糊、以及該第1未燒成介電質層或該第1介電質層上設置第2未燒成介電質層之製程；對該第1未燒成介電質層或該第1介電質層、該第2未燒成介電質層以及該導電性糊進行燒成以製作燒結體之製程；以及於該燒結體形成該底面以及該複數突出部之製程。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭之製造方法，其中準備該基材之該製程係在進行燒成之該製程與形成該底面及該複數突出部之該製程之間，另包含有在該燒成體上形成經圖案化後的阻劑遮罩來作為該遮罩之製程；在形成該底面及該複數突出部之該製程中，會對該燒成體之形成有該 阻劑遮罩的表面進行噴砂處理。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭之製造方法，其中該基材包含氧化鋁或是氮化鋁。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭之製造方法，其中該保護膜之膜厚為0.5μm以上10μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭之製造方法，其中該複數突出部之該頂面面積於該底面面積與該複數突出部之該頂面面積之合計面積中所占比例為5%以上40%以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭之製造方法，其中該保護膜係由CVD法、氣膠法、或是離子佈植法所形成。
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