KR102655995B1 - 적재대 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

피처리체가 적재되는 적재면 및 상기 적재면에 대한 이면을 갖고, 상기 적재면과 상기 이면을 관통하는 통과 구멍이 형성된 판형 부재와, 상기 통과 구멍의 내부에 배치된 매립 부재를 갖고, 상기 매립 부재의 표면에 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것을 마련하는, 적재대가 제공된다.

Description

적재대 및 기판 처리 장치
본 개시는, 적재대 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 플라스마를 사용하여 웨이퍼 등의 피처리체에 에칭 처리 등을 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1을 참조). 이러한 기판 처리 장치는, 예를 들어 진공 공간을 구성 가능한 처리 용기 내에, 전극을 겸한 피처리체를 보유 지지하는 적재대를 갖는다. 적재대에는, 적재대에 놓인 피처리체의 이면과 적재대의 적재면의 사이에 전열 가스를 공급하기 위한 통과 구멍(관통 구멍)이 형성되어 있다.
일본 특허 공개 제2000-195935호 공보
본 개시는, 적재대에 있어서 이상 방전을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의하면, 관통하는 통과 구멍이 형성된 판형 부재와, 상기 통과 구멍의 내부에 배치된 매립 부재를 갖고, 상기 매립 부재의 표면에 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것을 마련하는,적재대가 제공된다.
일 측면에 의하면, 적재대에 있어서 이상 방전을 억제할 수 있다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 적재대의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 파셴의 법칙에 의한 방전 개시 전압의 곡선을 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 매립 부재의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 일 실시 형태에 따른 매립 부재를 평면으로 본 도면 및 매립 부재의 단면의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 일 실시 형태에 따른 매립 부재의 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다.
[기판 처리 장치의 구성]
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 기판 처리 장치(100)는, 기밀하게 구성되고, 전기적으로 접지 전위가 된 처리 용기(1)를 갖고 있다. 이 처리 용기(1)는 원통형이며, 예를 들어 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 처리 용기(1)는, 플라스마가 생성되는 처리 공간을 구획 형성한다. 처리 용기(1) 내에는, 피처리체(work-piece)의 일례인 웨이퍼(W)를 지지하는 적재대(2)가 마련되어 있다. 적재대(2)는 베이스(2a) 및 정전 척(ESC: Electrostatic chuck)(6)을 갖는다. 베이스(2a)는, 도전성의 금속, 예를 들어 알루미늄 등으로 구성되어 있고, 하부 전극으로서의 기능을 갖는다. 정전 척(6)은 세라믹스, 예를 들어 알루미나 등으로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 기능을 갖는다. 적재대(2)는 지지대(4)에 지지되어 있다. 지지대(4)는, 예를 들어 석영 등으로 이루어지는 지지 부재(3)에 지지되어 있다. 적재대(2)의 상방의 외주에는, 예를 들어 실리콘으로 형성된 에지 링(5)이 마련되어 있다. 처리 용기(1) 내에는, 에지 링(5), 적재대(2) 및 지지대(4)의 주위를 둘러싸도록, 예를 들어 석영 등으로 이루어지는 원통형의 내벽 부재(3a)가 마련되어 있다.
베이스(2a)에는, 정합기(11a)를 거쳐서 제1 RF 전원(10a)이 접속되고, 정합기(11b)를 거쳐서 제2 RF 전원(10b)이 접속되어 있다. 제1 RF 전원(10a)은, 소정의 주파수의 플라스마 발생용 고주파 전력을 베이스(2a)에 공급한다. 또한, 제2 RF 전원(10b)은, 제1 RF 전원(10a)의 주파수보다도 낮은 소정의 주파수의 이온 인입용(바이어스용) 고주파 전력을 베이스(2a)에 공급한다.
적재대(2)의 상방에는, 적재대(2)와 평행하게 대향하고, 상부 전극으로서의 기능을 갖는 샤워 헤드(16)가 마련되어 있다. 이러한 구성에 의해, 샤워 헤드(16) 및 적재대(2)는, 한 쌍의 전극으로서 기능한다.
정전 척(6)은, 절연체(6b)의 사이에 전극(6a)을 개재시켜 구성되어 있고, 전극(6a)에는 직류 전원(12)이 접속되어 있다. 전극(6a)에 직류 전원(12)으로부터 직류 전압이 인가됨으로써, 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)가 흡착된다. 또한, 적재대(2)는 정전 척(6)을 갖고 있지 않아도 된다.
적재대(2)의 내부에는, 냉매 유로(2d)가 형성되어 있고, 냉매 유로(2d)에는, 냉매 입구 배관(2b), 냉매 출구 배관(2c)이 접속되어 있다. 그리고, 냉매 유로(2d) 내에 적절한 냉매, 예를 들어 냉각수 등을 순환시킴으로써, 적재대(2)를 소정의 온도로 제어한다.
또한, 적재대(2) 등을 관통하도록, 웨이퍼(W)의 이면에 헬륨 가스 등의 냉열 전달용 가스(이하, 「전열 가스」라고도 함)를 공급하기 위한 가스 공급관(210)이 마련되어 있고, 가스 공급관(210)은 전열 가스 공급부(31)에 접속되어 있다. 가스 공급관(210)은, 적재대(2)를 관통하고, 이에 의해, 적재대(2)의 내부에 통과 구멍(210a)이 형성된다. 이러한 구성에 의해, 적재대(2) 상의 웨이퍼(W)가, 소정의 온도로 제어된다.
통과 구멍(210a)의 내부에는 매립 부재(220)가 배치되어, 적재대(2)에 있어서 이상 방전을 억제한다. 또한, 가스 공급관(210)의 내부 구조의 상세에 대해서는 후술된다. 적재대(2)에는, 복수, 예를 들어 3개의 핀용 관통 구멍(200)이 마련되어 있고(도 1에는 1개만 도시함), 이들 핀용 관통 구멍(200)의 내부에는, 각각 리프터 핀(61)이 배치되어 있다. 리프터 핀(61)은, 구동 기구(62)에 접속되어 있어, 구동 기구(62)에 의해 상하 이동된다.
샤워 헤드(16)는 처리 용기(1)의 천장벽 부분에 마련되어 있다. 샤워 헤드(16)는, 본체부(16a)와 전극판을 이루는 상부 천장판(16b)을 구비하고 있고, 절연성 부재(95)를 통하여 처리 용기(1)의 상부에 지지된다. 본체부(16a)는, 도전성 재료, 예를 들어 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지고, 그 하부의 상부 천장판(16b)을 착탈 가능하게 지지한다.
본체부(16a)에는, 내부에 가스 확산실(16c)이 마련되어 있다. 본체부(16a)에는, 가스 확산실(16c)의 하부에 위치하도록, 저부에, 다수의 가스 통류 구멍(16d)이 형성되어 있다. 상부 천장판(16b)에는, 두께 방향으로 가스 도입 구멍(16e)이 관통하고, 가스 도입 구멍(16e)은 상기한 가스 통류 구멍(16d)과 연통하도록 마련되어 있다.
본체부(16a)에는, 가스 확산실(16c)에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(16g)가 형성되어 있다. 가스 도입구(16g)에는, 가스 공급 배관(15a)의 일단이 접속되어 있다. 가스 공급 배관(15a)의 타단에는, 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(15)가 접속된다. 가스 공급 배관(15a)에는, 상류측부터 순서대로 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(15b) 및 개폐 밸브(V2)가 마련되어 있다. 가스 확산실(16c)에는, 가스 공급 배관(15a)을 통해서, 가스 공급부(15)로부터 플라스마 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 이러한 구성에 의해, 가스 확산실(16c)에 공급된 처리 가스는, 가스 통류 구멍(16d) 및 가스 도입 구멍(16e)을 통해서 처리 용기(1) 내에 샤워 형상으로 분산되어 공급된다.
샤워 헤드(16)에는, 저역 통과 필터(LPF)(71)를 거쳐서 가변 직류 전원(72)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 가변 직류 전원(72)은 온·오프 스위치(73)에 의해 급전의 온·오프가 가능하게 되어 있다. 가변 직류 전원(72)의 전류·전압, 및 온·오프 스위치(73)의 온·오프는, 제어부(90)에 의해 제어된다. 또한, 제1 RF 전원(10a), 제2 RF 전원(10b)으로부터 고주파(RF)가 적재대(2)에 인가되어 처리 공간에 플라스마가 발생할 때는, 필요에 따라 제어부(90)에 의해 온·오프 스위치(73)가 온으로 되어, 샤워 헤드(16)에 소정의 직류 전압이 인가된다.
처리 용기(1)의 측벽으로부터 샤워 헤드(16)의 높이 위치보다도 상방으로 연장되도록 원통형의 접지 도체(1a)가 마련되어 있다. 이 원통형의 접지 도체(1a)는, 그 상부에 천장벽을 갖고 있다.
처리 용기(1)의 저부에는, 배기구(81)가 형성되어 있다. 배기구(81)에는, 배기관(82)을 통하여 배기 장치(83)가 접속되어 있다. 배기 장치(83)는, 진공 펌프를 갖고 있으며, 이 진공 펌프를 작동시킴으로써 처리 용기(1) 내를 소정의 진공도까지 감압한다. 처리 용기(1) 내의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입출구(84)가 마련되어 있고, 반입출구(84)에는, 당해 반입출구(84)를 개폐하는 게이트 밸브(85)가 마련되어 있다.
처리 용기(1)의 측부 내측에는, 내벽면을 따라 데포지션 실드(86)가 마련되어 있다. 데포지션 실드(86)는, 처리 용기(1)에 에칭 부생성물(데포지션)이 부착되는 것을 방지한다. 이 데포지션 실드(86)의 웨이퍼(W)와 대략 동일한 높이 위치에는, 접지에 대한 전위가 제어 가능하게 접속된 도전성 부재(GND 블록)(89)가 마련되어 있고, 이에 의해 이상 방전이 방지된다. 또한, 내벽 부재(3a)를 따라 연장되는 데포지션 실드(87)가 마련되어 있다. 데포지션 실드(86, 87)는, 착탈 가능하게 되어 있다.
상기 구성의 기판 처리 장치(100)는, 제어부(90)에 의해, 그 동작이 통괄적으로 제어된다. 이 제어부(90)에는, 기판 처리 장치(100)의 각 부를 제어하는 CPU(91)와, 인터페이스(92)와, 메모리(93)를 갖는다.
인터페이스(92)는, 공정 관리자가 기판 처리 장치(100)를 관리하기 위하여 커맨드의 입력 조작을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성되어 있다.
메모리(93)에는, 기판 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 CPU(91)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기억된 레시피가 저장되어 있다. 그리고, 필요에 따라, 인터페이스(92)로부터의 입력 조작에 따른 지시 등으로 임의의 레시피를 메모리(93)로부터 호출하여 CPU(91)에 실행시킴으로써, 기판 처리 장치(100)에서 소정의 처리가 행하여진다. 또한, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체(예를 들어, 하드 디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태의 것을 이용할 수 있다. 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 통해서 수시로 전송시켜 온라인으로 사용하는 것도 가능하다.
[적재대의 구성]
이어서, 도 2를 참조하여, 적재대(2)의 구성의 일례에 대하여 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 적재대(2)를 도시하는 개략 단면도이다. 상술한 바와 같이, 적재대(2)는, 베이스(2a)와, 정전 척(6)을 갖는다. 정전 척(6)은, 원판 형상이며, 동일하게 원판 형상의 웨이퍼(W)를 적재하기 위한 적재면(21)과, 당해 적재면(21)에 대향하는 이면(22)을 갖고 있다. 베이스(2a)는, 정전 척(6)의 이면(22)에 접합되어 있다. 적재대(2)가 정전 척(6)을 갖지 않을 경우, 베이스(2a)의 상면이 적재대(2)의 적재면(21)이 되고, 베이스(2a)의 하면이 적재대(2)의 이면(22)이 되어도 된다.
적재면(21)에는, 가스 공급관(210)의 단부가 형성되고, 통과 구멍(210a)으로 되어 있다. 통과 구멍(210a)으로부터는, 헬륨 가스 등의 전열 가스가 웨이퍼(W)의 이면에 공급된다. 통과 구멍(210a)은, 적재대(2)를 관통하도록 마련되어 있다.
또한, 정전 척(6)은, 웨이퍼(W)가 적재되는 적재면(21) 및 적재면(21)에 대한 이면(22)을 갖고, 적재면(21)과 이면(22)을 관통하는 통과 구멍(210a)이 형성된 판형 부재의 일례이다. 적재대(2)가 정전 척(6)을 갖지 않을 경우에는, 베이스(2a) 또는 베이스(2a) 상의 정전 척을 대신하는 부재가, 적재면(21) 및 적재면(21)에 대한 이면(22)을 갖고, 적재면(21)과 이면(22)을 관통하는 통과 구멍(210a)이 형성된 판형 부재의 일례가 된다.
통과 구멍(210a)은 단차부를 갖고, 단차부보다도 상측의 통과 구멍(210a)의 직경은, 단차부보다도 하측의 통과 구멍(210a)의 직경보다도 작게 되어 있다. 가스 공급관(210)에는, 알루미나로 형성된 가스용 슬리브(203)가 배치되어 있다. 가스 공급관(210)의 내벽에는, 스페이서가 마련되어도 된다.
[매립 부재]
통과 구멍(210a)의 내부에는, 매립 부재(220)가 배치되어 있다. 매립 부재(220)에는 단차부(220a)가 형성되어 있다. 매립 부재(220)의 단차부(220a)보다도 상측의 직경은 단차부(220a)보다도 하측의 직경보다도 작아, 매립 부재(220)의 종단면은 볼록형으로 되어 있다. 또한, 매립 부재(220)의 단차부(220a)보다도 상측을 「선단부」라고도 하고, 매립 부재(220)의 단차부(220a)보다도 하측을 「기단부」라고도 한다.
매립 부재(220)는, 플라스마 내성이 있는 세라믹스 등의 재질에 의해 형성되어 있다. 예를 들어, 매립 부재(220)는, 석영, 실리콘 카바이트, 실리콘 나이트라이드, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 이트리아, 산화티타늄, 텅스텐 카바이트의 어느 것에 의해 형성되어도 된다. 또한, 매립 부재(220)는, 상기 재질보다도 플라스마 내성이 낮은 재질, 예를 들어 실리콘, 텅스텐, 티타늄, 규소 수지, 테플론(등록 상표), 엘라스토머, 불소 수지의 어느 것에 의해 형성되어도 된다.
매립 부재(220)의 직경은, 통과 구멍(210a)의 구멍 직경보다도 작다. 이에 의해, 매립 부재(220)는, 가스 공급관(210)의 내벽과 소정의 간격을 두고 배치되어, 통과 구멍(210a)의 내부에 전열 가스 경로가 형성된다.
단차부(220a)에는, 충분히 전열 가스가 흐르는 전열 가스 경로를 확보하기 위하여 오목부가 있어도 된다. 단, 단차부(220a)에서의 전열 가스 경로의 폭을 불필요하게 크게 하면 이상 방전이 발생할 우려가 있기 때문에, 단차부(220a)에 마련하는 오목부의 폭은, 매립 부재(220)가 가로 방향으로 어긋났을 경우에도 전열 가스 경로를 확보할 수 있을 정도의 폭이면 된다.
기판 처리 장치(100)는, 적재대(2)에 인가되는 고주파(RF) 전력이 고전압화되어 있다. 적재대(2)에 인가되는 고주파 전력이 고전압화되었을 경우, 통과 구멍(210a) 부근에서 이상 방전이 발생하는 경우가 있다.
즉, 기판 처리 장치(100)에서는, 적재대(2)에 고주파 전력이 인가되면, 정전 척(6)의 정전 용량에 기인하여, 웨이퍼(W)와 정전 척(6)의 이면(22)의 사이에서 전위차가 발생한다. 이에 의해, 통과 구멍(210a) 내에 발생하는 RF 전위의 전위차가, 방전이 발생하는 한계치를 초과하면, 이상 방전이 발생한다.
도 3의 파셴의 법칙에 의한 방전 개시 전압의 곡선에 의하면, 극소값(P1)이 가장 방전하기 쉬운 압력(P)×전극간 거리(T)이다. 따라서, 극소값(P1)을 피함으로써 방전 개시 전압이 올라가 방전하기 어렵게 할 수 있다.
예를 들어, 극소값(P1)보다도 좌측의 곡선에서는, 압력을 일정하게 했을 때, 전극간 거리(T)가 짧을수록 방전 개시 전압이 올라가 방전하기 어려워진다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 통과 구멍(210a)의 내부에 매립 부재(220)를 배치함으로써, 도 3에 도시하는 전극간 거리를 짧게 하여, 압력×전극간 거리의 값을 극소값(P1)으로부터 멀리 함으로써, 이상 방전을 방지한다. 단, 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이에는, 전열 가스를 흘리기 위한 유로(간극)를 형성할 필요가 있기 때문에, 그 간극에 의해 전극간 거리가 길어져, 도 3의 횡축에 나타내는 압력×전극간 거리의 값이, 극소값(P1)×전극간 거리의 값에 가까워지면 방전하기 쉬워진다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 통과 구멍(210a)에 매립 부재(220)를 마련하는 것에 더하여, 매립 부재(220)의 선단부(220b)에 복수의 돌기(300, 302, 310) 등을 갖는 래비린스 구조를 갖는다. 이에 의해, 통과 구멍(210a) 내에서 전자의 직선 거리를 짧게 하여, 이상 방전의 발생을 확실하게 방지한다.
[복수의 돌기]
예를 들어, 도 4의 (a)의 비교예와 도 4의 (b)의 본 실시 형태의 매립 부재(220)를 비교하여 설명한다. 비교예에서는, 매립 부재(220)의 선단부(220b)와 통과 구멍(210a)의 내벽의 사이는, 직경 방향으로 약 0.15mm의 환형의 간극을 갖는다. 또한, 선단부(220b)와 통과 구멍(210a)의 내벽의 사이의 세로 방향 간극은, 정전 척(6)의 두께와 동일하여, 약 1.2mm이다. 따라서, 비교예에서는, 선단부(220b)에서의 전자의 직선 거리의 최장은, 약 1.2mm가 된다.
이에 반해, 도 4의 (b)의 본 실시 형태에서는, 매립 부재(220)의 선단부(220b)와 통과 구멍(210a)의 내벽의 사이는, 직경 방향으로 약 0.05mm의 간극을 갖는다. 이상 방전의 방지 관점에서 매립 부재(220)와 통과 구멍(210a)의 사이의 직경 방향의 간극은, 약 0.05mm 이하이면 된다.
본 실시 형태에서는, 복수의 돌기(300, 302, 310) 등이 상층과 하층의 2층으로 배치되어 있다. 도 4의 (b)는 복수의 돌기가 2층 이상으로 엇갈리게 형성되어 있는 매립 부재(220)의 일례이다. 본 실시 형태에서는, 복수의 돌기가 2층으로 마련되어 있지만, 이에 한하지 않고, 복수의 돌기는 3층 또는 그 이상의 복수층으로 엇갈리게 배치되어도 된다.
이와 같이, 본 실시 형태에서는, 매립 부재(220)의 선단부(220b)에 엇갈리게 2층의 복수의 돌기(300, 302, 310) 등이 직경 방향으로 돌출되어 있다. 이러한 구성에서는, 본 실시 형태에서는, 평면으로 보아 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이에 약 0.05mm보다도 큰 개구를 갖지 않는다. 또한, 복수의 돌기는, 엇갈리게 2층 이상으로 형성되어도 된다.
도 5의 (a)는 도 4의 (b)에 도시하는 A-A면측에서 통과 구멍(210a) 및 적재면(21)을 평면으로 본 도면의 일례이다. 도 5의 (b)는 도 4의 (b)에 도시하는 B-B 단면, 즉, 선단부(220b)에 형성된 상층의 돌기를 절단한 면의 일례를 도시하는 도면이다. 도 5의 (c)는 도 4의 (b)에 도시하는 C-C 단면, 즉, 선단부(220b)에 형성된 하층의 돌기를 절단한 면의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5의 (b)의 B-B 단면에서는, 선단부(220b)로부터 등간격으로 직경 방향으로 토출되는 3개의 돌기(300, 301, 302)가 형성되고, 그 사이에 직경 방향으로 약 0.05mm의 폭을 갖는 간극(400, 401, 402)이 형성되어 있다. 간극(400, 401, 402)의 둘레 방향의 간격은, 약 1.2mm 이하이다.
도 5의 (c)의 C-C 단면에서는, 선단부(220b)로부터 등간격으로 직경 방향으로 토출되는 3개의 돌기(310, 311, 312)가 형성되고, 그 사이에 직경 방향으로 약 0.05mm의 폭을 갖는 간극(410, 411, 412)이 형성되어 있다. 간극(410, 411, 412)의 둘레 방향의 간격은, 약 1.2mm 이하이다.
복수의 돌기(300, 301, 302) 및 복수의 돌기(310, 311, 312)는, 서로 다른 층에 있어서 엇갈리게 배치되어 있다. 3개의 돌기(300, 301, 302)는, 3개의 간극(410, 411, 412)의 상방에 각각 위치 부여되고, 3개의 돌기(310, 311, 312)는, 3개의 간극(402, 400, 401)의 하방에 각각 위치 부여되어 있다.
돌기(300, 301, 302) 각각을 시계 방향으로 60° 회전시킨 위치의 하방에 돌기(310, 311, 312)가 배치된다. 이에 의해, 도 5의 (a)의 통과 구멍(210a)을 평면으로 본 도면에 도시하는 바와 같이, 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이의 간극이 모두 메워지도록 복수의 돌기가 배치되어, 복수의 돌기의 하측이 보이지 않게 되어 있다. 즉, 본 실시 형태에 따른 적재대(2)에서는, 통과 구멍(210a)을 상면에서 평면으로 보았을 때, 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이에 개구를 갖지 않는다.
이에 의해, 본 실시 형태에서는, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이에서 가속하는 전자의 직선 거리의 최장은, 하층의 돌기(310)의 상면부터 적재면(21)까지의 길이, 즉, 약 0.6mm로 단축할 수 있다. 단, 전자의 직선 거리의 최장은, 약 0.6mm에 한하지 않고, 돌기의 형상, 크기, 배치에 따라 더욱 짧게 할 수 있다.
이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 적재대(2)에 형성된 통과 구멍(210a)에서는, 복수의 돌기(300, 301, 302, 310, 311, 312)를 마련함으로써 통과 구멍(210a) 내에서의 전자의 가속 거리를 짧게 할 수 있다. 이에 의해, 통과 구멍(210a) 내의 전자의 가속을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)의 이면에서의 이상 방전을 방지할 수 있다.
또한, 복수의 돌기(300, 301, 302, 310, 311, 312)의 간격은, 평면으로 보아 둘레 방향으로 약 1.2mm 미만으로 배치되어 있으면 되고, 등간격으로 배치되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이에는, 약 0.05mm보다도 큰 개구를 갖지 않는 범위에서 복수의 돌기를 엇갈리게 자유롭게 배치할 수 있다. 복수의 돌기의 개수, 복수의 돌기가 배치되는 층수에 대해서도, 본 실시 형태의 개수 및 층수에 한정되지 않는다.
[스파이럴 형상의 돌기]
이어서, 도 6을 참조하면서, 일 실시 형태에 따른 매립 부재(220)의 다른 예에 대하여 설명한다. 도 6의 (a)에 도시하는 예에서는, 매립 부재(220)의 선단부(220b)는 복수의 돌기를 갖지 않고, 단차부(220a)보다도 앞쪽, 즉, 단차부(220a)에 대하여 선단부(220b)의 반대측에 위치하는 기단부(220c)에 스파이럴 형상의 돌기(313)를 갖는다. 기단부(220c)와 통과 구멍(210a)의 사이는, 직경 방향으로 약 0.05mm 이하의 간극을 갖는다.
스파이럴 형상의 돌기(313)의 사이는, 스파이럴 형상의 간극(413)으로 되어 있다. 스파이럴 형상의 돌기(313)는 직경 방향으로 약 0.05mm 이하로 돌출된다. 또한, 스파이럴 형상의 돌기(313)의 간격은, 약 0.6mm 이하여도 된다.
이러한 구성에 의해서도, 본 실시 형태에 따른 적재대(2)에 형성된 통과 구멍(210a)에 있어서, 스파이럴 형상의 돌기(313)를 마련함으로써 전자의 가속 거리를 짧게 할 수 있다. 이에 의해, 통과 구멍(210a) 내의 전자의 가속을 억제함으로써, 웨이퍼(W)의 이면에서의 이상 방전을 방지할 수 있다.
또한, 매립 부재(220)의 선단부(220b)에 복수의 돌기(300, 302, 310) 등 및 스파이럴 형상의 돌기(313)의 한쪽을 갖고, 매립 부재(220)의 기단부(220c)에 복수의 돌기(300, 302, 310) 등 및 스파이럴 형상의 돌기(313)의 다른 쪽을 가져도 된다. 예를 들어, 도 6의 (b)에서는, 선단부(220b)에 복수의 돌기(300, 302, 310) 등을 갖고, 기단부(220c)에 스파이럴 형상의 돌기(313)를 갖는 예를 나타낸다. 단, 돌기의 구성은, 이에 한하지 않고, 선단부(220b)에 스파이럴 형상의 돌기(313)를 갖고, 기단부(220c)에 복수의 돌기(300, 302, 310) 등을 가져도 된다. 이러한 구성에 의하면, 통과 구멍(210a)에 있어서 보다 확실하게 이상 방전을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 도 4의 복수의 돌기 및 도 6의 스파이럴 형상의 돌기의 어느 것을 매립 부재(220)에 설치한 경우든, 매립 부재(220)를 수평 방향으로 절단했을 때의 임의의 일 단면에서 돌기의 사이에 존재하는 개구가, 다른 일 단면에서는 상이한 위치에 존재한다. 또한, 복수의 돌기(300, 302, 310) 등 및 스파이럴 형상의 돌기(313)는 직경 방향으로 약 0.05mm 이하로 돌출된다. 이에 의해, 평면으로 보아 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이는 소정의 거리 이하로 이격된다. 예를 들어, 평면으로 보아 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이는 약 0.05mm 이하로 이격되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 통과 구멍(210a) 내에서 전자의 가속 거리를 짧게 할 수 있어, 적재대(2)의 적재면(21) 등에서의 이상 방전을 방지하면서 전열 가스를 공급할 수 있다.
이상으로부터, 본 실시 형태에 따른 적재대(2)에 의하면, 적재대(2)에 놓여진 웨이퍼(W)의 이면과 적재대(2)의 적재면(21)의 사이에 전열 가스를 공급하기 위한 통과 구멍(210a)에 있어서의 이상 방전을 억제할 수 있다.
[변형예]
적재대(2)에 마련된 매립 부재(220)는, 이상에서 설명한 웨이퍼(W)의 이면(22)에 공급하는 전열 가스용 유로인 통과 구멍(210a)에 적용하는 경우에 한하지 않는다. 예를 들어, 도 1에 도시하는 리프터 핀(61)을 삽입 관통시키는 핀용 관통 구멍(200)에도 적용할 수 있다. 이 경우, 리프터 핀(61)의 표면에 엇갈리게 복수의 돌기를 마련하거나, 스파이럴 형상의 돌기를 마련해도 된다. 단, 리프터 핀(61)의 상하 이동을 방해하지 않도록, 복수의 돌기는, 핀용 관통 구멍(200)의 내벽에 접촉하지 않도록 마련된다.
매립 부재(220)의 표면에는, 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것이 형성되어 있으면 된다. 매립 부재(220)의 표면은, 복수의 돌기를 마련하는 것에 한하지 않고, 복수의 오목부를 마련해도 된다. 또한, 매립 부재(220)의 표면은, 스파이럴 형상의 돌기를 마련하는 것에 한하지 않고, 스파이럴 형상의 오목부를 마련해도 된다.
예를 들어, 복수의 돌기(300, 301, 302, 310, 311, 312)는, 매립 부재(220)의 표면에 형성된 볼록부의 일례이다. 간극(400, 401, 402, 410, 411, 412)은, 매립 부재(220)의 표면에 형성된 오목부의 일례이다.
또한, 예를 들어 스파이럴 형상의 돌기(313)는, 매립 부재(220)의 표면에 형성된 볼록부의 일례이다. 간극(413)은 매립 부재(220)의 표면에 형성된 오목부의 일례이다.
또한, 매립 부재(220)의 표면에 마련되는 볼록부 또는 오목부는, 스파이럴 형상의 돌기나 대략 직사각 형상의 돌기에 한정하지 않고, 다양한 형상이어도 된다. 단, 이 경우에도, 평면으로 보아 통과 구멍(210a)과 매립 부재(220)의 사이는 소정의 거리 이하, 예를 들어 약 0.05mm 이하로 이격되도록, 돌기의 형상 및 배치가 결정된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 적재대(2) 및 해당 적재대(2)를 구비하는 기판 처리 장치(100)에 의하면, 적재대(2)에 있어서 이상 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
금회 개시된 일 실시 형태에 따른 적재대 및 기판 처리 장치는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있으며, 또한 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
본 개시의 기판 처리 장치는, Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna(RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP)의 어느 타입에도 적용 가능하다.
본 명세서에서는, 피처리체의 일례로서 웨이퍼(W)를 들어 설명하였다. 그러나, 기판은, 이에 한하지 않고, FPD(Flat Panel Display)에 사용되는 각종 기판, 프린트 기판 등이어도 된다.
본 국제 출원은, 2018년 6월 19일에 출원된 일본 특허 출원 2018-116230호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 본 국제 출원에 원용한다.
2: 적재대
2a: 베이스
5: 에지 링
6: 정전 척
15: 가스 공급부
16: 샤워 헤드
21: 적재면
22: 이면
31: 전열 가스 공급부
61: 리프터 핀
100: 기판 처리 장치
200: 핀용 관통 구멍
203: 가스용 슬리브
210: 가스 공급관
220: 매립 부재
210a: 통과 구멍
220a: 단차부
220b: 선단부
220c: 기단부
300, 301, 302, 310, 311, 312: 돌기
313: 스파이럴 형상의 돌기
400, 401, 402, 410, 411, 412: 간극
413: 스파이럴 형상의 간극

Claims (11)

  1. 피처리체가 적재되는 적재면 및 상기 적재면에 대한 이면을 갖고, 상기 적재면과 상기 이면을 관통하는 통과 구멍이 형성된 판형 부재와,
    상기 통과 구멍의 내부에 배치된 매립 부재를 갖고,
    상기 매립 부재의 표면에 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것을 마련하고,
    상기 매립 부재의 표면의 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것은, 복수의 돌기이고,
    상기 복수의 돌기는, 엇갈리게 2층 이상으로 형성되는, 적재대.
  2. 제1항에 있어서, 평면으로 보아 상기 통과 구멍과 상기 매립 부재는, 소정의 거리 이하로 이격되는, 적재대.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 돌기는, 둘레 방향으로 1.2mm 이하의 간격으로 배치되어 있는, 적재대.
  4. 피처리체가 적재되는 적재면 및 상기 적재면에 대한 이면을 갖고, 상기 적재면과 상기 이면을 관통하는 통과 구멍이 형성된 판형 부재와,
    상기 통과 구멍의 내부에 배치된 매립 부재를 갖고,
    상기 매립 부재의 표면에 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것을 마련하고,
    상기 매립 부재의 표면의 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것은, 복수의 돌기 및 스파이럴 형상의 돌기이며,
    상기 매립 부재의 선단부에 상기 복수의 돌기 및 상기 스파이럴 형상의 돌기의 한쪽을 갖고, 상기 매립 부재의 기단부에 상기 복수의 돌기 및 상기 스파이럴 형상의 돌기의 다른 쪽을 갖는, 적재대.
  5. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매립 부재의 표면에 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것은, 직경 방향으로 0.05mm 이하의 오목부 또는 돌출부인, 적재대.
  6. 제2항에 있어서, 상기 소정의 거리는, 0.05mm 이하인, 적재대.
  7. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 통과 구멍은, 전열 가스용 유로 또는 피처리체를 보유 지지하는 리프터 핀을 삽입 관통시키는 구멍인, 적재대.
  8. 내부에서 피처리체를 처리하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 배치되어, 피처리체를 적재하는 적재대를 갖고,
    상기 적재대는, 피처리체가 적재되는 적재면 및 상기 적재면에 대한 이면을 갖고, 상기 적재면과 상기 이면을 관통하는 통과 구멍이 형성된 판형 부재와, 상기 통과 구멍의 내부에 배치된 매립 부재를 갖고,
    상기 매립 부재의 표면에 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것을 마련하고,
    상기 매립 부재의 표면의 오목부 또는 볼록부의 적어도 어느 것은, 복수의 돌기이고,
    상기 복수의 돌기는, 엇갈리게 2층 이상으로 형성되는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6994981B2 (ja) * 2018-02-26 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
US20200411355A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for reduction or prevention of arcing in a substrate support
US11551960B2 (en) 2020-01-30 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Helical plug for reduction or prevention of arcing in a substrate support
JP2023003957A (ja) 2021-06-25 2023-01-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び基板支持部
JP7483121B2 (ja) * 2022-02-09 2024-05-14 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224526A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置用試料載置電極
JP2015023160A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3050716B2 (ja) * 1993-02-20 2000-06-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3417259B2 (ja) * 1997-07-10 2003-06-16 松下電器産業株式会社 基板のドライエッチング装置
JP2000195935A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置
JP4697833B2 (ja) * 2000-06-14 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着機構及び表面処理装置
TW561515B (en) 2001-11-30 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Processing device, and gas discharge suppressing member
JP5004436B2 (ja) 2005-05-23 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 静電吸着電極および処理装置
WO2007088894A1 (ja) * 2006-01-31 2007-08-09 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、ならびにそれに用いられる基板載置台およびプラズマに曝される部材
JP5188696B2 (ja) 2006-11-01 2013-04-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ ウエハ載置用電極
WO2010032750A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板載置台
JP2010182763A (ja) 2009-02-04 2010-08-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5323628B2 (ja) * 2009-09-17 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2013140918A (ja) * 2012-01-06 2013-07-18 Sharp Corp プラズマ処理装置
JP6277015B2 (ja) * 2014-02-28 2018-02-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP6688715B2 (ja) * 2016-09-29 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP7130359B2 (ja) * 2016-12-05 2022-09-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224526A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置用試料載置電極
JP2015023160A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置

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