JP2000195935A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2000195935A JP2000195935A JP37072198A JP37072198A JP2000195935A JP 2000195935 A JP2000195935 A JP 2000195935A JP 37072198 A JP37072198 A JP 37072198A JP 37072198 A JP37072198 A JP 37072198A JP 2000195935 A JP2000195935 A JP 2000195935A
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- Japan
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- lift pin
- wafer
- manufacturing apparatus
- lift
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異常放電を膜種，エッチング条件に係らず防
止できる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ウェハー固定に静電吸着方式を採用し、
リフトピンによりウェハーをウェハーステージから離脱
させる半導体製造装置において、リフトピンの上部３を
絶縁物より形成し、リフトピンの下部４を導電材料より
形成し、ドライエッチングの際にリフトピンの下部４ま
でプラズマが回り込まない形状、例えば、逆山形または
波形にすることでリフトピンの導電部がプラズマにさら
されることがなくなり、異常放電を防止する。
止できる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ウェハー固定に静電吸着方式を採用し、
リフトピンによりウェハーをウェハーステージから離脱
させる半導体製造装置において、リフトピンの上部３を
絶縁物より形成し、リフトピンの下部４を導電材料より
形成し、ドライエッチングの際にリフトピンの下部４ま
でプラズマが回り込まない形状、例えば、逆山形または
波形にすることでリフトピンの導電部がプラズマにさら
されることがなくなり、異常放電を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、異常放電を防止できる半導体製造装置に関
する。
関し、特に、異常放電を防止できる半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハー固定に静電吸着方式を採用して
いる従来の半導体装置は、ウェハーステージに絶縁物
を、ウェハーをステージから離脱させるリフトピンは、
耐久性を考慮し導電物を使用していた。しかし、このリ
フトピンがプラズマにさらされることで異常放電が発生
していた。この異常放電を防止する方法として、特開平
５−１７５３１８号公報に記載の静電チェックの基板脱
着方法がある。この方法は、リフトピンをウェハーと同
電位に強制帯電させる手法があるが、ウェハーに成膜さ
れている膜種、または、エッチング条件によりウェハー
帯電量が異なるため、膜種，エッチング条件毎に最適条
件を設定する必要があった。
いる従来の半導体装置は、ウェハーステージに絶縁物
を、ウェハーをステージから離脱させるリフトピンは、
耐久性を考慮し導電物を使用していた。しかし、このリ
フトピンがプラズマにさらされることで異常放電が発生
していた。この異常放電を防止する方法として、特開平
５−１７５３１８号公報に記載の静電チェックの基板脱
着方法がある。この方法は、リフトピンをウェハーと同
電位に強制帯電させる手法があるが、ウェハーに成膜さ
れている膜種、または、エッチング条件によりウェハー
帯電量が異なるため、膜種，エッチング条件毎に最適条
件を設定する必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
例の半導体製造装置では、異常放電が発生するという問
題があった。
例の半導体製造装置では、異常放電が発生するという問
題があった。
【０００４】また、特開平５−１７５３１８号公報記載
の方法のように、異常放電を防止するために、リフトピ
ンをウェハーと同電位に帯電させても、ウェハーに成膜
されている膜種，エッチング条件毎に最適条件を設定す
る必要があった。
の方法のように、異常放電を防止するために、リフトピ
ンをウェハーと同電位に帯電させても、ウェハーに成膜
されている膜種，エッチング条件毎に最適条件を設定す
る必要があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するために、異常放電を膜種，エッチング条件に係らず
防止できる半導体製造装置を提供することにある。
するために、異常放電を膜種，エッチング条件に係らず
防止できる半導体製造装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体製造装置は、ウェハー固定に静電吸
着方式を採用し、リフトピンによりウェハーをウェハー
ステージから離脱させる半導体製造装置において、リフ
トピンの上部を絶縁物より形成し、リフトピンの下部を
導電材料より形成し、ドライエッチングの際にリフトピ
ンの下部までプラズマが回り込まない形状にすることで
リフトピンの導電部がプラズマにさらされることがなく
なり、異常放電を防止できることを特徴とする。
に、本発明の半導体製造装置は、ウェハー固定に静電吸
着方式を採用し、リフトピンによりウェハーをウェハー
ステージから離脱させる半導体製造装置において、リフ
トピンの上部を絶縁物より形成し、リフトピンの下部を
導電材料より形成し、ドライエッチングの際にリフトピ
ンの下部までプラズマが回り込まない形状にすることで
リフトピンの導電部がプラズマにさらされることがなく
なり、異常放電を防止できることを特徴とする。
【０００７】また、リフトピンの上部の径を、リフトピ
ンの下部の径よりも大きくしたのが好ましい。
ンの下部の径よりも大きくしたのが好ましい。
【０００８】また、リフトピン上部底面に凹凸を付ける
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【０００９】さらに、リフトピンの上部の底面を、波形
に形成したのが好ましい。
に形成したのが好ましい。
【００１０】またさらに、リフトピンの上部を、逆山形
に形成したのが好ましい。
に形成したのが好ましい。
【００１１】また、リフトピンの上部とウェハーステー
ジとの間に所定の空間の貫通孔を設けたのが好ましい。
ジとの間に所定の空間の貫通孔を設けたのが好ましい。
【００１２】さらに、リフトピンの上部とリフトピンの
下部とを別個に形成した後、接合したのが好ましい。
下部とを別個に形成した後、接合したのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の半導体製造装置の実施の
形態の構成を示す概略図である。この装置は、上部電極
１，チャンバー２，リフトピン上部３，リフトピン下部
４，ウェハーステージ５，下部電極６，ＲＦ電源７，Ｄ
Ｃ電源８，ガス導入口９，排気口１０を備える。ここ
で、リフトピン上部３は、絶縁物であり、リフトピン下
部４の導電部分へのプラズマの回り込みを防ぎ、かつ、
プラズマと導電部分との距離を長くとる構造になってい
る。この構造が本発明の特徴であり、リフトピン上部３
の絶縁物は、所望の性能を満たす絶縁物であればどんな
物質でも良い。また、リフトピン上部３の形状も、所望
の性能を満たす形状であれば、どんな形状でも良い。
形態の構成を示す概略図である。この装置は、上部電極
１，チャンバー２，リフトピン上部３，リフトピン下部
４，ウェハーステージ５，下部電極６，ＲＦ電源７，Ｄ
Ｃ電源８，ガス導入口９，排気口１０を備える。ここ
で、リフトピン上部３は、絶縁物であり、リフトピン下
部４の導電部分へのプラズマの回り込みを防ぎ、かつ、
プラズマと導電部分との距離を長くとる構造になってい
る。この構造が本発明の特徴であり、リフトピン上部３
の絶縁物は、所望の性能を満たす絶縁物であればどんな
物質でも良い。また、リフトピン上部３の形状も、所望
の性能を満たす形状であれば、どんな形状でも良い。
【００１５】
【実施例】次に、図２を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１６】図２は、本発明の実施例の構成を示す概略
図であり、図２（ａ）は、リフトピンを逆山形にした
例、図２（ｂ）は、波形にした例を示す。まず、放電を
開始し、上部電極１とウェハーステージ５との間でプラ
ズマが発生するが、リフトピン上部３が絶縁物なので、
プラズマは、リフトピンへ集中しない。また、図２
（ａ），（ｂ）共に、リフトピン上部３がプラズマの回
り込みを防ぎ、かつ、プラズマと導電部分との距離を長
くとる構造となっており、プラズマが、貫通孔１１を通
り、導電部のリフトピン下部４へ到達することもない。
上記理由で、異常放電発生を防ぐことができる。
図であり、図２（ａ）は、リフトピンを逆山形にした
例、図２（ｂ）は、波形にした例を示す。まず、放電を
開始し、上部電極１とウェハーステージ５との間でプラ
ズマが発生するが、リフトピン上部３が絶縁物なので、
プラズマは、リフトピンへ集中しない。また、図２
（ａ），（ｂ）共に、リフトピン上部３がプラズマの回
り込みを防ぎ、かつ、プラズマと導電部分との距離を長
くとる構造となっており、プラズマが、貫通孔１１を通
り、導電部のリフトピン下部４へ到達することもない。
上記理由で、異常放電発生を防ぐことができる。
【００１７】上記構成により、本発明では、プラズマに
さらされるリフトピン上部を絶縁物にし、その形状を、
リフトピン下部の導電部までプラズマが回り込まない形
状にすることで、電子のパスを絶つことができる。従っ
て、静電吸着を採用している半導体装置における異常放
電を防止できる。また、この効果は、ウェハーに成膜さ
れている膜種、エッチング条件に寄らず全ての膜種、条
件に対して、期待できる。
さらされるリフトピン上部を絶縁物にし、その形状を、
リフトピン下部の導電部までプラズマが回り込まない形
状にすることで、電子のパスを絶つことができる。従っ
て、静電吸着を採用している半導体装置における異常放
電を防止できる。また、この効果は、ウェハーに成膜さ
れている膜種、エッチング条件に寄らず全ての膜種、条
件に対して、期待できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、電子のパスを絶つことが
でき、これにより異常放電を防止することができるとい
う効果を奏する。
でき、これにより異常放電を防止することができるとい
う効果を奏する。
【００１９】また、異常放電による絶縁破壊や、パーテ
ィクル発生を防止できるため、半導体デバイスの品質向
上，歩留まり向上に寄与できるという効果を奏する。
ィクル発生を防止できるため、半導体デバイスの品質向
上，歩留まり向上に寄与できるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例の構成を示す概略図である。
（ａ）はリフトピンを逆山形、（ｂ）はリフトピンを波
形に形成した例を示す。
（ａ）はリフトピンを逆山形、（ｂ）はリフトピンを波
形に形成した例を示す。
【図３】従来例の構成を示す概略図である。
１ 上部電極 ２ チャンバー ３ リフトピン上部 ４ リフトピン下部 ５ ウェハーステージ ６ 下部電極 ７ ＲＦ電源 ８ ＤＣ電源 ９ ガス導入口 １０ 排気口 １１ 貫通孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月１９日（１９９９．１１．
１９）
１９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体製造装置は、ウェハー固定に静電吸
着方式を採用し、リフトピンによりウェハーをウェハー
ステージから離脱させる半導体製造装置において、リフ
トピンの上部を絶縁物より形成し、リフトピンの上部の
底面の形状は曲面または凹凸面を有し、リフトピンの下
部を導電材料より形成し、異常放電を防止することを特
徴とする。
に、本発明の半導体製造装置は、ウェハー固定に静電吸
着方式を採用し、リフトピンによりウェハーをウェハー
ステージから離脱させる半導体製造装置において、リフ
トピンの上部を絶縁物より形成し、リフトピンの上部の
底面の形状は曲面または凹凸面を有し、リフトピンの下
部を導電材料より形成し、異常放電を防止することを特
徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】またさらに、リフトピンの上部の底面を、
逆山の字形に形成したのが好ましい。
逆山の字形に形成したのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】図２は、本発明の実施例の構成を示す概略
図であり、図２（ａ）は、リフトピンを逆山の字形にし
た例、図２（ｂ）は、波形にした例を示す。まず、放電
を開始し、上部電極１とウェハーステージ５との間でプ
ラズマが発生するが、リフトピン上部３が絶縁物なの
で、プラズマは、リフトピンへ集中しない。また、図２
（ａ），（ｂ）共に、リフトピン上部３がプラズマの回
り込みを防ぎ、かつ、プラズマと導電部分との距離を長
くとる構造となっており、プラズマが、貫通孔１１を通
り、導電部のリフトピン下部４へ到達することもない。
上記理由で、異常放電発生を防ぐことができる。
図であり、図２（ａ）は、リフトピンを逆山の字形にし
た例、図２（ｂ）は、波形にした例を示す。まず、放電
を開始し、上部電極１とウェハーステージ５との間でプ
ラズマが発生するが、リフトピン上部３が絶縁物なの
で、プラズマは、リフトピンへ集中しない。また、図２
（ａ），（ｂ）共に、リフトピン上部３がプラズマの回
り込みを防ぎ、かつ、プラズマと導電部分との距離を長
くとる構造となっており、プラズマが、貫通孔１１を通
り、導電部のリフトピン下部４へ到達することもない。
上記理由で、異常放電発生を防ぐことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例の構成を示す概略図である。
（ａ）はリフトピンを逆山の字形、（ｂ）はリフトピン
を波形に形成した例を示す。
（ａ）はリフトピンを逆山の字形、（ｂ）はリフトピン
を波形に形成した例を示す。
【図３】従来例の構成を示す概略図である。
【符号の説明】 １ 上部電極 ２ チャンバー ３ リフトピン上部 ４ リフトピン下部 ５ ウェハーステージ ６ 下部電極 ７ ＲＦ電源 ８ ＤＣ電源 ９ ガス導入口 １０ 排気口 １１ 貫通孔
Claims (6)
- 【請求項１】ウェハー固定に静電吸着方式を採用し、リ
フトピンによりウェハーをウェハーステージから離脱さ
せる半導体製造装置において、 前記リフトピンの上部を絶縁物より形成し、前記リフト
ピンの下部を導電材料より形成し、ドライエッチングの
際に前記リフトピンの下部までプラズマが回り込まない
形状にすることで前記リフトピンの導電部がプラズマに
さらされることがなくなり、異常放電を防止できること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記リフトピンの上部の径を、前記リフト
ピンの下部の径よりも大きくしたことを特徴とする、請
求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】前記リフトピンの上部の底面を、波形に形
成したことを特徴とする、請求項２に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項４】前記リフトピンの上部を、逆山形に形成し
たことを特徴とする、請求項３に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項５】前記リフトピンの上部と前記ウェハーステ
ージとの間に所定の空間の貫通孔を設けたことを特徴と
する、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装
置。 - 【請求項６】前記リフトピンの上部と前記リフトピンの
下部とを別個に形成した後、接合したことを特徴とす
る、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37072198A JP2000195935A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37072198A JP2000195935A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195935A true JP2000195935A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18497484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37072198A Pending JP2000195935A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000195935A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373932A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Anelva Corp | 基板保持機構及び基板処理装置 |
| KR20040040681A (ko) * | 2002-11-07 | 2004-05-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치의 웨이퍼 지지대 |
| JP2007073827A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
| KR100714200B1 (ko) * | 2000-11-04 | 2007-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 건식식각 장치 |
| KR100780366B1 (ko) | 2005-10-12 | 2007-11-29 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
| JP2010021405A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| KR20140094475A (ko) | 2013-01-22 | 2014-07-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 |
| US10388558B2 (en) | 2016-12-05 | 2019-08-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| KR20190103025A (ko) | 2018-02-26 | 2019-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 탑재대의 제조 방법 |
| JP2020017590A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | キオクシア株式会社 | 基板支持装置およびプラズマ処理装置 |
| KR20210021439A (ko) | 2018-06-19 | 2021-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 적재대 및 기판 처리 장치 |
| KR20210147020A (ko) * | 2019-07-02 | 2021-12-06 | 가부시키가이샤 아루박 | 흡착장치 및 진공처리장치 |
| KR20220085030A (ko) | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP37072198A patent/JP2000195935A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100714200B1 (ko) * | 2000-11-04 | 2007-05-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 건식식각 장치 |
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| US12033886B2 (en) | 2018-02-26 | 2024-07-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method for manufacturing mounting stage |
| US11538715B2 (en) | 2018-06-19 | 2022-12-27 | Tokyo Electron Limited | Stage and substrate processing apparatus |
| KR20210021439A (ko) | 2018-06-19 | 2021-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 적재대 및 기판 처리 장치 |
| JP2020017590A (ja) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | キオクシア株式会社 | 基板支持装置およびプラズマ処理装置 |
| JP7110020B2 (ja) | 2018-07-24 | 2022-08-01 | キオクシア株式会社 | 基板支持装置およびプラズマ処理装置 |
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| KR102638389B1 (ko) | 2019-07-02 | 2024-02-21 | 가부시키가이샤 아루박 | 흡착장치 및 진공처리장치 |
| KR20220085030A (ko) | 2020-12-14 | 2022-06-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
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