KR100853575B1 - 기판 처리 장치, 기판 흡착 방법 및 기억 매체 - Google Patents
기판 처리 장치, 기판 흡착 방법 및 기억 매체 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배치되고 또한 상기 기판을 탑재하는 탑재대를 구비하되, 상기 탑재대는, 전극판을 내부에 갖는 절연성 부재로 이루어지는 정전 척을 상부에 갖고, 상기 전극판에는 직류 전원이 접속되는 기판 처리 장치에 있어서,상기 정전 척이 상기 기판을 흡착할 때에, 상기 직류 전원은 상기 전극판에 부전압을 인가하고,상기 탑재대에는 고주파 전원이 접속되며,상기 고주파 전원은, 상기 직류 전원이 상기 전극판에 상기 부전압을 인가하기 전에, 상기 탑재대에 고주파 전력을 인가하는것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 정전 척이 상기 기판을 이탈시킬 때에, 상기 직류 전원은 상기 전극판에 정전압을 인가하고,상기 정전압의 값은 1500V 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판의 표면에는 폴리실리콘층이 형성되고, 상기 처리는 에칭 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배치되고 또한 상기 기판을 탑재하는 탑재대를 구비하되, 상기 탑재대는, 전극판을 내부에 갖는 절연성 부재로 이루어지는 정전 척을 상부에 갖고, 상기 전극판에는 직류 전원이 접속되는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 흡착 방법으로서,상기 정전 척이 상기 기판을 흡착할 때에 상기 직류 전원은 상기 전극판에 부전압을 인가하는 부전압 인가 단계와,상기 탑재대에 접속된 고주파 전원은, 상기 직류 전원이 상기 전극판에 상기 부전압을 인가하기 전에, 상기 탑재대에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전력 인가 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 흡착 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 정전 척이 상기 기판을 이탈시킬 때에, 상기 직류 전원은 상기 전극판에 정전압을 인가하는 정전압 인가 단계를 갖고,상기 정전압의 값은 1500V 이하인 것을 특징으로 하는 기판 흡착 방법.
- 삭제
- 삭제
- 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배치되고 또한 상기 기판을 탑재하는 탑재대를 구비하되, 상기 탑재대는, 전극판을 내부에 갖는 절연성 부재로 이루어지는 정전 척을 상부에 갖고, 상기 전극판에는 직류 전원이 접속되는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 흡착 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,상기 프로그램은,상기 정전 척이 상기 기판을 흡착할 때에, 상기 직류 전원이 상기 전극판에 부전압을 인가하는 부전압 인가 모듈과,상기 탑재대에 접속된 고주파 전원은, 상기 직류 전원이 상기 전극판에 상기 부전압을 인가하기 전에, 상기 탑재대에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전력 인가 모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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---|---|---|---|---|
KR20030068569A (ko) * | 2000-12-29 | 2003-08-21 | 램 리서치 코포레이션 | 반도체 공정 설비내의 질코니아 강화된 세라믹 부품 및코팅과, 그 제조방법 |
KR20050018063A (ko) * | 2003-08-13 | 2005-02-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법 |
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---|---|---|---|---|
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JP2002100614A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Nec Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2002164328A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030068569A (ko) * | 2000-12-29 | 2003-08-21 | 램 리서치 코포레이션 | 반도체 공정 설비내의 질코니아 강화된 세라믹 부품 및코팅과, 그 제조방법 |
KR20050018063A (ko) * | 2003-08-13 | 2005-02-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치의 기판 척킹/디척킹 장치 및 그의 방법 |
KR100544897B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-01-24 | (주)아이씨디 | 플라즈마 쳄버용 정전기 척 |
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