JP2007012734A - プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被加工体7と対向する誘電体壁2を備えたチャンバ1と、誘電体壁2の外部に配設され、プラズマを生成するための誘導磁場を生成する平面状コイル3と、ファラデーシールドとして機能可能な板状電極13を平面状コイル3と誘電体壁2との間に備え、さらに、誘電体壁2の周縁部を加熱する加熱手段51が設けられている。
そして、エッチング処理中に、誘電体壁の周縁部の温度を高めることにより、誘電体壁2の周縁部においても反応生成物が付着することが防止され、パーティクルの発生を抑制することができる。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略構成図である。また、図2は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略上面図である。なお、図2に示すA−A線における断面が図1に対応している。また、図2において、平面状コイル3は、その外形のみを破線で示している。
以下、本発明の第2の実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略構成図である。また、図5は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略上面図である。なお、図5に示すA−A線における断面が図4に対応している。また、図5において、平面状コイル3は、その外形のみを破線で示している。
以下、本発明の第3の実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。図7は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略構成図である。また、図8は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す概略上面図である。なお、図8に示すA−A線における断面が図7に対応している。また、図8において、平面状コイル3は、その外形のみを破線で示している。
2 誘電体壁
3 平面状コイル
7 ウエハ(被加工体)
10 プラズマエッチング装置
13 ファラデーシールド電極
21 下地膜
22 Ir膜
23 IrO2膜
24 Pt膜
25 マスクパターン
51 ランプ
52 保温膜
53 ヒータ
54 吸収材
Claims (9)
- 誘導磁場によりプラズマを励起し、当該プラズマによりチャンバ内部に収容された被加工体のエッチング処理を行うプラズマエッチング装置において、
被加工体と対向する位置に電磁波を透過する誘電体壁を備えた前記チャンバと、
前記誘電体壁に対応して前記チャンバの外部に配設され、前記誘導磁場を生成する平面状コイルと、
前記平面状コイルと前記誘電体壁との間に介在し、ファラデーシールドとして機能する板状電極と、
前記誘電体壁の周縁部を加熱する加熱手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 前記加熱手段が、ランプである請求項1に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記ランプが、前記誘電体壁の周縁部に沿って移動可能に配設された請求項2に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記加熱手段が、ヒータである請求項1に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記加熱手段が、高周波電力の吸収材である請求項1に記載のプラズマエッチング装置。
- 前記誘電体壁のチャンバ内面側に、誘電体壁からの放熱を抑制する保温膜を備えた請求項1から5のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
- 前記板状電極が、前記誘電体壁に埋設された請求項1から5のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
- 前記被加工体と対向する位置に設けられた電磁波を透過する誘電体壁に対応してチャンバの外部に配設された平面状コイルが形成する誘導磁場によりプラズマを励起し、当該プラズマによりチャンバ内部に収容された被加工体のエッチング処理を行うプラズマエッチング方法であって、
被加工体のエッチング処理が、前記誘電体壁と前記平面状コイルとの間に介在された板状電極に電位を付与することにより、チャンバ内に生成されたプラズマから前記誘電体壁に入射するイオンが誘電体壁をエッチングすることのない状態で行われるとともに、当該エッチング処理中に、前記誘電体壁の周縁部が加熱されること特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記被加工体が、白金、イリジウム、銅、または、アルミニウムから選択された少なくとも1の材料を含有する請求項8に記載のプラズマエッチング方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130651A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
JP2009076798A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | プラズマ処理方法 |
JP2011187902A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2014500576A (ja) * | 2010-10-19 | 2014-01-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバー蓋ヒーターリングアセンブリ |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI453816B (zh) * | 2007-05-31 | 2014-09-21 | Ulvac Inc | 電漿處理裝置之乾洗方法 |
US20120160806A1 (en) * | 2009-08-21 | 2012-06-28 | Godyak Valery A | Inductive plasma source |
JP5913829B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2016-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US9966236B2 (en) * | 2011-06-15 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Powered grid for plasma chamber |
US20130160949A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus |
US10510511B2 (en) * | 2013-10-31 | 2019-12-17 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
KR101559024B1 (ko) * | 2014-03-27 | 2015-10-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP6406631B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2018-10-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20160118284A1 (en) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
KR102481432B1 (ko) | 2015-08-10 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 커버 플레이트 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
US20210375586A1 (en) * | 2018-04-10 | 2021-12-02 | Applied Materials, Inc. | An advanced ceramic lid with embedded heater elements and embedded rf coil for hdp cvd and inductively coupled plasma treatment chambers |
KR102189337B1 (ko) * | 2019-07-17 | 2020-12-09 | 주식회사 유진테크 | 플라즈마 처리 장치 |
JP7236954B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2023-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20230162947A1 (en) * | 2021-11-23 | 2023-05-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma enhanced process chamber |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164565A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
JP2001053069A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法とプラズマ処理装置 |
JP2001284333A (ja) * | 1996-11-27 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001345311A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Lam Res Corp | 誘導結合型プラズマエッチング装置のrfピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法 |
JP2005057182A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4811684A (en) * | 1984-11-26 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photo CVD apparatus, with deposition prevention in light source chamber |
US5436172A (en) * | 1991-05-20 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system |
US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US6143081A (en) * | 1996-07-12 | 2000-11-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method |
US6780464B2 (en) * | 1997-08-11 | 2004-08-24 | Torrex Equipment | Thermal gradient enhanced CVD deposition at low pressure |
US7515264B2 (en) * | 1999-06-15 | 2009-04-07 | Tokyo Electron Limited | Particle-measuring system and particle-measuring method |
JP4057198B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2008-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
JP4418193B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 |
US20050217799A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Wafer heater assembly |
US7262392B1 (en) * | 2004-09-18 | 2007-08-28 | Nanosolar, Inc. | Uniform thermal processing by internal impedance heating of elongated substrates |
US20070148367A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Lewis Daniel J | Chemical vapor deposition apparatus and methods of using the apparatus |
-
2005
- 2005-06-29 JP JP2005189261A patent/JP2007012734A/ja active Pending
-
2006
- 2006-06-29 US US11/476,571 patent/US20070004208A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284333A (ja) * | 1996-11-27 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2000164565A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Sony Corp | 半導体製造装置 |
JP2001053069A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法とプラズマ処理装置 |
JP2001345311A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Lam Res Corp | 誘導結合型プラズマエッチング装置のrfピークトゥピーク電圧を能動的に制御する装置および方法 |
JP2005057182A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130651A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
JP2009076798A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | プラズマ処理方法 |
JP2011187902A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2014500576A (ja) * | 2010-10-19 | 2014-01-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバー蓋ヒーターリングアセンブリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070004208A1 (en) | 2007-01-04 |
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