JP6406631B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置である誘導結合プラズマ(ICP)型のドライエッチング装置10の構成を示す。ドライエッチング装置10は、減圧可能な反応室1aを有する容器1と、反応室1a内で被処理物である基板15を支持する下部電極2と、容器1の開口を塞ぐとともに被処理物15と対向する誘電体部材3と、誘電体部材3の反応室1aに対して外側に設置され、反応室1a内にプラズマを発生させるコイル4とを備える。
まず、一方の表面(第一表面)に溝3aが形成された円盤状の誘電体部材3を準備する。誘電体部材3は、溝3aが形成されていない状態であれば平坦な両面を有し、溝3aの無い部分の厚みは例えば10〜40mmである。電極層19は、誘電体部材3の他方の表面(第二表面)に以下の要領で形成される。
まず、反応室1a内が排気される。反応室1a内は減圧雰囲気であり、誘電体部材3には大気圧とほぼ同じ圧力が付与される。また、誘電体部材3は溝3aを有し、溝3aに対応する部分は薄肉である。ただし、機械的強度が十分に維持されるように溝3aは環状に形成されているため、誘電体部材3が破損することはない。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、誘電体部材の溝の形状と、誘電体部材とコイルの位置関係が異なること以外、第1実施形態と同様である。図6(a)は、本実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図である。図6(b)は、本実施形態に係る誘電体部材の平面図である。第1実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、コイルの形状、誘電体部材の溝の形状、並びに誘電体部材とコイルの位置関係が異なること以外、第1実施形態と同様である。図7(a)は、本実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図である。図7(b)は、本実施形態に係る誘電体部材の平面図であり、コイル4の位置が破線で示されている。第1実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。
Claims (3)
- 減圧可能な反応室を有する容器と、
前記反応室内で被処理物を支持する下部電極と、
前記容器の開口を塞ぐとともに前記被処理物と対向する誘電体部材と、
前記誘電体部材の前記反応室に対して外側に設置され、前記反応室内にプラズマを発生させるコイルと、を備え、
前記誘電体部材の前記反応室に対して外側の面に溝が形成されており、
前記コイルの少なくとも一部が、前記溝の中に配置されており、
前記溝が、前記コイルの中心と同じ中心を有する環状であり、
前記溝が、前記中心から外側に向かって連続的または段階的に深くなっている底面を備える、プラズマ処理装置。 - 前記コイルを形成する長さLの導体を、中心から0.5Lまでの中心側部分と、残りの外周側部分とに区分するとき、中心側部分が前記溝の中に配置される割合よりも、外周側部分が前記溝の中に配置される割合が大きい、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記中心側部分のコイル密度よりも、前記外周側部分のコイル密度が大きい、請求項2に記載のプラズマ処理装置。
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