JP2009021492A - プラズマ反応容器 - Google Patents
プラズマ反応容器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009021492A JP2009021492A JP2007184418A JP2007184418A JP2009021492A JP 2009021492 A JP2009021492 A JP 2009021492A JP 2007184418 A JP2007184418 A JP 2007184418A JP 2007184418 A JP2007184418 A JP 2007184418A JP 2009021492 A JP2009021492 A JP 2009021492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- faraday shield
- plasma
- reaction vessel
- plasma reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器において、ファラデーシールドを誘電体と一体的に形成する。これによってファラデーシールドと誘電体との間に隙間が無くなり、冷却用の風を送ることによってファラデーシールドを介して誘電体の冷却を行うことができるようになるため、誘電体の過熱による誘電体等の損傷を防止することができる。
【選択図】図1
Description
誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器であって、該ファラデーシールドが該誘電体と一体的に形成されていることを特徴としている。
ファラデーシールドはメッキによって誘電体表面に形成することもできるが、メッキに比べて厚みを上げることができるという点からすると、溶射によって形成することが好ましい。
ファラデーシールドの厚みは、5〜200μmとすることができ、好ましくは25〜100μmの範囲とするのがよい。厚みが25μm以下になると、電気抵抗が大きくなる傾向がある。
図1は、本発明の一実施例に係るプラズマ反応容器10の(A)概略図、(B)概略断面図である。図1に示すプラズマ反応容器10は、誘電体12によって内部が中空である円筒形状を有しており、誘電体12の外表面にはファラデーシールド13が一体的に形成されている。ファラデーシールド13の外周には誘導コイル14が巻回(本実施例では一周回)されている。
なお、ファラデーシールド13には、ファラデーシールドが誘電体12の外周を一周回することがないように、切れ目132が設けられている。これによって誘導コイル14に流れる電流とは逆向きの電流がファラデーシールド13に流れることがない。
図2は本発明の他の実施例に係るプラズマ反応容器20の概略断面図である。
反応壁29によって形成される反応室の内部に下部電極28が設けられおり、その下部電極28上に基板27が載置されている。基板27の上部には平板状の誘電体22が基板27と平行に配置されている。そして、誘電体22の上部表面にはファラデーシールド23が一体的に形成されている。このファラデーシールド23は、平面図である図3に示すように、放射形状を有している。誘電体22及びファラデーシールド23の上部には誘導コイル24が配置されており、この誘導コイル24に高周波電力が印加されることによって反応室内にプラズマ5が形成され、基板27の処理が行われる。
12、22…誘電体
13、23…ファラデーシールド
131…スリット
132…切れ目
14、24…誘導コイル
16…ガス入力部
27…基板
28…下部電極
29…反応壁
5…プラズマ
Claims (3)
- 誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器であって、該ファラデーシールドが該誘電体と一体的に形成されていることを特徴とするプラズマ反応容器。
- 前記誘電体が円筒形状、半球状、円錐台形状、板状のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ反応容器。
- 請求項1又は2に記載のプラズマ反応容器を備えたプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007184418A JP2009021492A (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | プラズマ反応容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007184418A JP2009021492A (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | プラズマ反応容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009021492A true JP2009021492A (ja) | 2009-01-29 |
Family
ID=40360855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007184418A Pending JP2009021492A (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | プラズマ反応容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009021492A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103503579A (zh) * | 2011-02-03 | 2014-01-08 | 泰克纳等离子系统公司 | 高性能感应等离子体焰炬 |
KR20140051250A (ko) * | 2011-06-15 | 2014-04-30 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에 대한 전력 그리드 |
CN104302084A (zh) * | 2013-07-17 | 2015-01-21 | 朗姆研究公司 | 空气冷却的法拉第屏蔽罩和使用该屏蔽罩的方法 |
CN104576278A (zh) * | 2013-10-10 | 2015-04-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统 |
JP2016082190A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2016081863A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2018117137A (ja) * | 2013-08-07 | 2018-07-26 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | プレクリーニングチャンバおよび半導体処理装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085195A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 高周波放電装置およびプラズマ処理方法 |
-
2007
- 2007-07-13 JP JP2007184418A patent/JP2009021492A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085195A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 高周波放電装置およびプラズマ処理方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103503579A (zh) * | 2011-02-03 | 2014-01-08 | 泰克纳等离子系统公司 | 高性能感应等离子体焰炬 |
US9380693B2 (en) | 2011-02-03 | 2016-06-28 | Tekna Plasma Systems Inc. | High performance induction plasma torch |
US10893600B2 (en) | 2011-02-03 | 2021-01-12 | Tekna Plasma Systems Inc. | High performance induction plasma torch |
KR20140051250A (ko) * | 2011-06-15 | 2014-04-30 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에 대한 전력 그리드 |
JP2014519717A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-08-14 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマチャンバのための通電グリッド |
US9966236B2 (en) | 2011-06-15 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Powered grid for plasma chamber |
KR101902607B1 (ko) * | 2011-06-15 | 2018-09-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에 대한 전력 그리드 |
CN104302084A (zh) * | 2013-07-17 | 2015-01-21 | 朗姆研究公司 | 空气冷却的法拉第屏蔽罩和使用该屏蔽罩的方法 |
JP2018117137A (ja) * | 2013-08-07 | 2018-07-26 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | プレクリーニングチャンバおよび半導体処理装置 |
CN104576278A (zh) * | 2013-10-10 | 2015-04-29 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统 |
JP2016082190A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2016081863A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009021492A (ja) | プラズマ反応容器 | |
TWI778005B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR102374521B1 (ko) | 재치대 및 플라즈마 처리 장치 | |
TWI667730B (zh) | Electrostatic chuck, mounting table, plasma processing device, and manufacturing method of electrostatic chuck | |
KR20130077880A (ko) | 플라즈마 가공 설비 | |
TW201448032A (zh) | 等離子體處理裝置 | |
JP6173936B2 (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
TW201436034A (zh) | 用於電漿蝕刻操作的基材支撐件 | |
JP2022179495A (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWM459518U (zh) | 一種具有降溫功能的法拉第遮罩裝置及等離子體處理設備 | |
US20160155614A1 (en) | Support unit and substrate treating apparatus including the same | |
JP7154105B2 (ja) | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 | |
US20150129134A1 (en) | Placement table and plasma processing apparatus | |
JP2020043328A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6454488B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101909473B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US6864640B2 (en) | Plasma processing method and apparatus thereof | |
JP2011129515A (ja) | 放電灯用の電極 | |
JP6406631B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101927937B1 (ko) | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
JP6304550B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102015381B1 (ko) | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR20150062907A (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR101375539B1 (ko) | 플라즈마 점화장치 | |
KR101408790B1 (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100331 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20100331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120403 |