JP4357397B2 - プラズマ処理による試料処理方法 - Google Patents
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- 半導体基板上に形成された上部電極層、強誘電体層、下部電極層の積層構造からなるFeRAMデバイスの試料を一括若しく数回に分けてエッチング加工を行なうプラズマ処理による試料処理方法において、
上部電極層および下部電極層のパターンを形成する被エッチング材料がイリジウム(Ir)、酸化イリジウム(IrOx)、プラチナ(Pt)、酸化プラチナ(PtOx)、イリジウムプラチナ合金(IrPt)、ルテニウム(Ru)、酸化ルテニウム(RuOx)、金(Au)、酸化金(AuOx)、銀(Ag)、酸化銀(AgOx)、パラジウム(Pd)、酸化パラジウム(PdOx)、ロジウム(Rh)、酸化ロジウム(RhOx)であり、
試料若しくは試料保持する電極温度を20〜500℃に温調し、
下部電極層のパターンを形成するエッチング加工に酸素ガス68〜95%、塩素ガス3〜30%、フッ素ガス2〜15%の範囲内でありかつ水素(H)を含まない混合ガスを用いたプラズマ処理を行ない、
下部電極層のパターンを形成するエッチング加工でジャストエッチングをエッチング終点波長をIr系λ=352nm、Pt系λ=341nm、Ru系λ=373nmとして発光モニタリング方式により判定したのち、200%の範囲内のオーバーエッチングを実施する
ことを特徴とするプラズマ処理による試料処理方法。
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