JP3948296B2 - プラズマエッチング処理方法及び装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体などの電子デバイスやマイクロマシンの製造に利用されるプラズマエッチング処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体などの電子デバイスやマイクロマシンの製造において、近年プラズマ処理による薄膜加工技術の重要性は益々高まりつつある。
【０００３】
以下、従来のプラズマ処理方法の一例として、パッチアンテナ方式プラズマ源を用いたプラズマ処理について、図３を参照して説明する。図３において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に突出して設けられたアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ処理を行うことができる。
【０００４】
また、基板電極６に高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。アンテナ５へ供給される高周波電力は、アンテナ用整合回路９を介して、給電棒１０により、アンテナ５の中心付近へ給電される。アンテナ５と真空容器１との間に誘電板１１が挟まれ、給電棒１０は誘電板１１に設けられた貫通穴を介してアンテナ５とアンテナ用高周波電源４とを接続している。また、アンテナ５の表面は、アンテナカバー１５により覆われている。
【０００５】
また、誘電板１１と誘電板１１の周辺部に設けられた誘電体リング１２との間の溝状の空間と、アンテナ５とアンテナ５の周辺部に設けられた導体リング１３との間の溝状の空間からなるスリット１４が設けられている。
【０００６】
ターボ分子ポンプ３及び排気口２３は、基板電極６の直下に配置されており、また、真空容器１を所定の圧力に制御するための調圧弁２４は、基板電極６の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ３の直上に位置する昇降弁である。基板電極６は、４本の支柱２５により真空容器１に固定されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来例で述べたプラズマ処理においては、基板７上に形成された高融点金属膜をエッチングする場合、導電性の堆積膜がアンテナカバー１５に付着し、導電性の堆積膜の密着性の悪さやアンテナカバー１５表面での異常放電の発生が原因となり、導電性の堆積膜の膜剥がれが生じやすく、基板７上にダストとなって降り落ちることがある。本発明者らの実験結果によると、厚さ２００ｎｍのイリジューム膜付きの基板７を７枚エッチングしたところ、０．２３μｍ以上の粒径をもつダストが、基板７上に１０００個以上発生する結果であった。
【０００８】
また、従来例で述べたプラズマ処理において、アンテナカバー１５の温度がプラズマ照射により上昇するという問題がある。アンテナカバー１５とアンテナ５との間が真空断熱されているため、プラズマ処理を重ねるうちに、アンテナカバー１５の温度が徐々に上昇してしまう。本発明者らの実験結果によると、５分間のプラズマ処理と１分間の真空保持を６回繰り返すと、アンテナカバー１５の温度が１７０℃まで上昇してしまうことが判明した。このように、アンテナカバー１５の温度が急変すると、ダストの発生原因となるのは勿論、アンテナカバー１５の割れを引き起こすこともある。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、ダストの発生やアンテナカバーの割れが生じにくいプラズマエッチング処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願の発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して前記真空容器内に設けられ、絶縁体性のアンテナカバーに覆われたアンテナに周波数３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給することにより、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板上に形成されたイリジューム、ロジューム、ルテニウム、プラチナ、金、銅、レニウム、ビスマス、ストロンチューム、バリウム、ジルコニウム、鉛、ニオブのうち少なくとも１つの元素を含む膜をエッチング処理するプラズマエッチング処理方法であって、前記アンテナと前記アンテナカバーとの間に配置され、前記基板に平行する面の表面積がアンテナよりも大きい導電性シートにより、前記アンテナと前記アンテナカバーの間の熱伝導を確保しつつ、前記アンテナに冷媒を流すことにより前記アンテナの温度を制御しながら前記基板を処理するとともに、前記アンテナカバーによって前記導電性シートを全て覆った状態で、前記アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、前記アンテナカバーの端部にまで自己バイアス電圧を発生させつつ前記基板を処理することを特徴とする。
【００１５】
本願の第２発明のプラズマエッチング処理方法において、好適には、アンテナカバーが石英ガラス製であることが望ましい。或いは、アンテナカバーは絶縁性シリコンであってもよい。
【００１６】
また、好適には、アンテナカバーの厚さは１ｍｍ乃至１０ｍｍであることが望ましい。
【００１７】
また、好適には、導電性シートが、抵抗率が１０Ω・ｍ以下の材質で構成されていることが望ましい。
【００１８】
また、好適には、導電性シートの厚さが０．０３ｍｍ乃至３ｍｍであることが望ましい。
【００１９】
本願の発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空容器内を所定の圧力に制御する調圧弁と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極と、前記基板電極と対向して設けられ、かつ、絶縁体性のアンテナカバーに覆われたアンテナと、前記アンテナに周波数３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記アンテナに冷媒を流す冷媒供給装置とを備えたプラズマエッチング処理装置であって、基板に平行な面の大きさがアンテナよりも大きい導電性シートが前記アンテナと前記アンテナカバーとの間に設けられ、かつ、前記アンテナカバーによって前記導電性シートが全て覆われていることを特徴とする。
【００２０】
本願の発明のプラズマエッチング処理装置において、好適には、アンテナカバーが石英ガラス製であることが望ましい。或いは、アンテナカバーは絶縁性シリコンであってもよい。
【００２１】
また、好適には、アンテナカバーの厚さは１ｍｍ乃至１０ｍｍであることが望ましい。
【００２２】
また、好適には、導電性シートが、抵抗率が１０Ω・ｍ以下の材質で構成されていることが望ましい。
【００２３】
また、好適には、導電性シートの厚さが０．０３ｍｍ乃至３ｍｍであることが望ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施形態について、図１を参照して説明する。
【００２５】
図１に、本発明の第１実施形態において用いたパッチアンテナ方式プラズマ源を搭載したプラズマ処理装置の断面図を示す。図１において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源４により周波数１００ＭＨｚの高周波電力をアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ処理を行うことができる。
【００２６】
また、基板電極６に４００ｋＨｚの高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。アンテナ５へ供給される高周波電力は、アンテナ用整合回路９を介して、給電棒１０により、アンテナ５の中心付近へ給電される。アンテナ５と真空容器１との間に誘電板１１が挟まれ、給電棒１０は、誘電板１１に設けられた貫通穴を貫いている。また、誘電板１１と誘電板１１の周辺部に設けられた誘電体リング１２との間の溝状の空間と、アンテナ５とアンテナ５の周辺部に設けられた導体リング１３との間の溝状の空間からなるスリット１４が設けられている。スリット１４の内側面とアンテナ５が厚さ５ｍｍの石英ガラス製アンテナカバー１５により覆われている。アンテナ５とアンテナカバー１５の間には、基板７に平行な面の大きさがアンテナ５よりも大きい導電性シート１６が設けられている。導電性シート１６の厚さは１ｍｍである。また、アンテナ５に冷媒を流すための冷媒供給装置１７が設けられており、アンテナ５の内部に、冷媒流路１８が形成され、冷媒の入出路は、給電棒１０内に設けられている。
【００２７】
アンテナ５には、自己バイアス発生用高周波電源１９より、自己バイアス用整合回路２０を介して、周波数５００ｋＨｚの高周波電力が供給される。プラズマ発生用の周波数１００ＭＨｚの高周波電力が自己バイアス用整合回路２０へ混入するのを防止するため、１００ＭＨｚトラップ２１が設けられ、また、５００ｋＨｚの高周波電力が、プラズマ発生用のアンテナ用整合回路９へ混入するのを防止するため、ハイパスフィルタ２２が設けられている。
【００２８】
ターボ分子ポンプ３及び排気口２３は、基板電極６の直下に配置されており、また、真空容器１を所定の圧力に制御するための調圧弁２４は、基板電極６の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ３の直上に位置する昇降弁である。基板電極６は、４本の支柱２５により真空容器１に固定されている。
【００２９】
以上述べた構成のプラズマ処理装置において、真空容器１内にアルゴンガスを１４５ｓｃｃｍ、塩素ガスを１５ｓｃｃｍ供給し、真空容器１内の圧力を０．５Ｐａに保ちながら、アンテナ５に、プラズマ発生用１００ＭＨｚの高周波電力を１５００Ｗ、自己バイアス発生用５００ｋＨｚの高周波電力を５００Ｗ供給しつつ、基板電極６に４００ｋＨｚの高周波電力を４００Ｗ供給する条件で、厚さ２００ｎｍのイリジューム膜付きの基板７を１００枚エッチングしたところ、０．２３μｍ以上の粒径をもつダストは、基板７上に５０個以下しか発生せず、真空容器１のウエットメンテナンスを行わずに連続処理できる基板枚数が、従来例に比べて飛躍的に向上する結果となった。
【００３０】
これは、アンテナカバー１５に自己バイアス電圧を発生させたことにより、導電性の堆積膜がアンテナカバー１５に付着するのを効果的に防止できたためである。実際、イリジューム膜付きの基板７を１００枚エッチング処理した後、アンテナカバー１５の表面状態を調べたが、導電性の堆積膜は全く形成されていなかった。また、アンテナ５の基板７に平行な面の大きさは、アンテナカバー１５の基板７に平行な面の大きさよりもかなり小さいため、アンテナカバー１５の端部にまで自己バイアス電圧を発生させるのは困難であると思われるが、本実施形態においては、基板７に平行な面の大きさがアンテナ５よりも大きい導電性シート１６が設けられているため、アンテナカバー１５の端部にまで自己バイアス電圧を発生させることができた。
【００３１】
また、冷媒温度を２５℃に保ちつつ、５分間のプラズマ処理と１分間の真空保持を１００回繰り返したところ、アンテナカバー１５の温度は１００℃以下に保たれた。これは、アンテナカバー１５とアンテナ５との間に薄い導電性シート１６を挟み込んだことと、アンテナ５を冷媒により冷却したことによるものと考えられる。本実験では、導電性シート１６として、カーボンシート（日本カーボン製ニカフィルム）を使用したが、導電性シート１６は柔らかく、アンテナ５とアンテナカバー１５に密着し、また、薄いため、アンテナカバー１５とアンテナ５との熱交換を盛んにするという効果が高い。このように、アンテナカバー１５の温度を制御しながらプラズマ処理を行った結果、アンテナカバー１５の割れは起きなかった。
【００３２】
以上述べた本発明の実施形態においては、本発明の適用範囲のうち、真空容器の形状、プラズマ源の構造及び配置等に関して様々なバリエーションのうちの一部を例示したに過ぎない。本発明の適用にあたり、ここで例示した以外にも様々なバリエーションが考えられることは言うまでもない。
【００３３】
また、プラズマ処理としてイリジューム膜付き基板をエッチングする場合を例示したが、本発明は、他の様々なエッチング処理、プラズマＣＶＤ処理に適用可能である。しかし、本発明は、高融点金属膜をエッチングするに際して特に効果的である。このような膜をエッチング処理する場合、アンテナカバーに導電性堆積膜が付着しやすいからである。高融点金属膜はイリジュームに限定されるものではなく、ロジューム、ルテニウム、プラチナ、金、銅、レニウム、ビスマス、ストロンチューム、バリウム、ジルコニウム、鉛、ニオブのうち少なくとも１つの元素を含む膜をエッチング処理する場合に、本発明はとくに効果的である。
【００３４】
また、アンテナカバーが厚さ５ｍｍの石英ガラスである場合を例示したが、他のセラミック系材料や、絶縁性シリコンであってもよいと考えられる。しかし、セラミック系材料は不純物を多く含むため、ダストや汚染の原因となる場合があるため、あまり好ましくない。一方、絶縁性シリコンを用いると、シリコン酸化膜などの絶縁膜のエッチング処理においてエッチング選択比を向上させる効果がある。また、アンテナカバーの厚さが薄すぎると機械的強度が不足し、また、厚すぎると蓄熱効果により冷却効率が低下するため、概ね１ｍｍ乃至１０ｍｍであることが好ましい。
【００３５】
また、導電性シートが厚さ１ｍｍのカーボンシートである場合を例示したが、導電性シートの厚さや材質はこれに限定されるものではない。アンテナとアンテナカバーとの熱交換を図るには、導電性シートは柔らかく密着性に優れていることが望ましいが、薄すぎるとアンテナやアンテナカバーの平面度の不十分さを吸収しきれないと考えられ、また、厚すぎると導電性シート自体の熱容量が大きくなってしまうため、概ね０．０３ｍｍ乃至３ｍｍであることが好ましい。また、導電性シートの抵抗率が大きいと、アンテナに供給している高周波電力の影響で損失が発生し、シートの発熱・溶解を引き起こす場合があるため、抵抗率は概ね１０Ω・ｍ以下であることが望ましい。
【００３６】
また、アンテナに印加するプラズマ発生用高周波電力の周波数が、１００ＭＨｚである場合について説明したが、本発明で用いたパッチアンテナにおいては、３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの周波数を用いることができる。
【００３７】
また、アンテナに印加する自己バイアス用高周波電力の周波数が、５００ｋＨｚである場合について説明したが、他の周波数、たとえば、１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を用いることができる。しかし、アンテナカバーに効果的に自己バイアス電圧を発生させるには、１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚ程度の高周波電力を用いることが好ましい。
【００３８】
また、基板電極に供給する高周波電力の周波数が、４００ｋＨｚである場合について説明したが、基板へ到達するイオンエネルギーを制御するにあたり、他の周波数、例えば、１００ｋＨｚ乃至１００ＭＨｚの高周波電力を用いることができることは言うまでもない。或いは、基板電極に高周波電力を供給しなくとも、プラズマ電位と基板電位との僅かな差を利用して、弱いイオンエネルギーによるプラズマ処理を行うこともできる。また、アンテナに供給する自己バイアス用高周波電力の周波数とは異なる周波数を用いる方が、高周波の干渉を避けることができるという利点がある。
【００３９】
また、アンテナカバーを用いない図２のような構成のプラズマ処理装置を用いる場合も、本発明の適用範囲である。図２において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源４により周波数１００ＭＨｚの高周波電力をアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してプラズマ処理を行うことができる。また、基板電極６に４００ｋＨｚの高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源８が設けられており、基板７に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。アンテナ５へ供給される高周波電力は、アンテナ用整合回路９を介して、給電棒１０により、アンテナ５の中心付近へ給電される。アンテナ５と真空容器１との間に誘電板１１が挟まれ、給電棒１０は、誘電板１１に設けられた貫通穴を貫いている。
【００４０】
アンテナ５には、自己バイアス発生用高周波電源１９より、自己バイアス用整合回路２０を介して、周波数５００ｋＨｚの高周波電力が供給される。プラズマ発生用の周波数１００ＭＨｚの高周波電力が自己バイアス用整合回路２０へ混入するのを防止するため、１００ＭＨｚトラップ２１が設けられ、また、５００ｋＨｚの高周波電力が、プラズマ発生用のアンテナ用整合回路９へ混入するのを防止するため、ハイパスフィルタ２２が設けられている。
【００４１】
ターボ分子ポンプ３及び排気口２３は、基板電極６の直下に配置されており、また、真空容器１を所定の圧力に制御するための調圧弁２４は、基板電極６の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ３の直上に位置する昇降弁である。基板電極６は、４本の支柱２５により、真空容器１に固定されている。
【００４２】
図２に示すプラズマ処理装置を用いた場合も、高融点金属のエッチング処理を行う際に、アンテナへの導電性堆積膜の付着を効果的に防止できる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して前記真空容器内に設けられ、絶縁体性のアンテナカバーに覆われたアンテナに周波数３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給することにより、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板上に形成されたイリジューム、ロジューム、ルテニウム、プラチナ、金、銅、レニウム、ビスマス、ストロンチューム、バリウム、ジルコニウム、鉛、ニオブのうち少なくとも１つの元素を含む膜をエッチング処理するプラズマエッチング処理方法であって、前記アンテナと前記アンテナカバーとの間に配置され、前記基板に平行する面の表面積がアンテナよりも大きい導電性シートにより、前記アンテナと前記アンテナカバーの間の熱伝導を確保しつつ、前記アンテナに冷媒を流すことにより前記アンテナの温度を制御しながら前記基板を処理するとともに、前記アンテナカバーによって前記導電性シートを全て覆った状態で、前記アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、前記アンテナカバーの端部にまで自己バイアス電圧を発生させつつ前記基板を処理するため、ダストが発生しにくいプラズマエッチング処理方法を提供することができる。
【００４５】
また、本願の発明のプラズマ処理装置によれば、真空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空容器内を所定の圧力に制御する調圧弁と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極と、前記基板電極と対向して設けられ、かつ、絶縁体性のアンテナカバーに覆われたアンテナと、前記アンテナに周波数３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記アンテナに冷媒を流す冷媒供給装置とを備えたプラズマエッチング処理装置であって、基板に平行な面の大きさがアンテナよりも大きい導電性シートが前記アンテナと前記アンテナカバーとの間に設けられ、かつ、前記アンテナカバーによって前記導電性シートが全て覆われているため、ダストの発生やアンテナカバーの割れが生じにくいプラズマエッチング処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
【図２】本発明の他の形態で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
【図３】従来例で用いたプラズマ処理装置の構成を示す断面図
【符号の説明】
１ 真空容器
２ ガス供給装置
３ ターボ分子ポンプ
４ アンテナ用高周波電源
５ アンテナ
６ 基板電極
７ 基板
８ 基板電極用高周波電源
９ アンテナ用整合回路
１０ 給電棒１１ 誘電板
１２ 誘電体リング
１３ 導体リング
１４ スリット
１５ アンテナカバー
１６ 導電性シート
１７ 冷媒供給装置
１８ 冷媒流路
１９ 自己バイアス発生用高周波電源
２０ 自己バイアス用整合回路
２１ １００ＭＨｚトラップ
２２ ハイパスフィルタ
２３ 排気口
２４ 調圧弁
２５ 支柱

Claims (12)

1. 真空容器内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して前記真空容器内に設けられ、絶縁体性のアンテナカバーに覆われたアンテナに周波数３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給することにより、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記基板上に形成されたイリジューム、ロジューム、ルテニウム、プラチナ、金、銅、レニウム、ビスマス、ストロンチューム、バリウム、ジルコニウム、鉛、ニオブのうち少なくとも１つの元素を含む膜をエッチング処理するプラズマエッチング処理方法であって、
   前記アンテナと前記アンテナカバーとの間に配置され、前記基板に平行する面の表面積がアンテナよりも大きい導電性シートにより、前記アンテナと前記アンテナカバーの間の熱伝導を確保しつつ、前記アンテナに冷媒を流すことにより前記アンテナの温度を制御しながら前記基板を処理するとともに、前記アンテナカバーによって前記導電性シートを全て覆った状態で、前記アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、前記アンテナカバーの端部にまで自己バイアス電圧を発生させつつ前記基板を処理すること
   を特徴とするプラズマエッチング処理方法。
2. 前記アンテナカバーが石英ガラス製であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング処理方法。
3. 前記アンテナカバーが絶縁性シリコンであることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング処理方法。
4. 前記アンテナカバーの厚さが１ｍｍ乃至１０ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング処理方法。
5. 前記導電性シートが、抵抗率が１０Ω・ｍ以下の材質で構成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング処理方法。
6. 前記導電性シートの厚さが０．０３ｍｍ乃至３ｍｍであることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング処理方法。
7. 真空容器と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を排気する排気装置と、前記真空容器内を所定の圧力に制御する調圧弁と、前記真空容器内に基板を載置する基板電極と、前記基板電極と対向して設けられ、かつ、絶縁体性のアンテナカバーに覆われたアンテナと、前記アンテナに周波数３０ＭＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記アンテナに周波数１００ｋＨｚ乃至２０ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源と、前記アンテナに冷媒を流す冷媒供給装置とを備えたプラズマエッチング処理装置であって、基板に平行な面の大きさがアンテナよりも大きい導電性シートが前記アンテナと前記アンテナカバーとの間に設けられ、かつ、前記アンテナカバーによって前記導電性シートが全て覆われていること
   を特徴とするプラズマエッチング処理装置。
8. 前記アンテナカバーが石英ガラス製であることを特徴とする請求項７記載のプラズマエッチング処理装置。
9. 前記アンテナカバーが絶縁性シリコンであることを特徴とする請求項７記載のプラズマエッチング処理装置。
10. 前記アンテナカバーの厚さが１ｍｍ乃至１０ｍｍであることを特徴とする請求項７記載のプラズマエッチング処理装置。
11. 前記導電性シートが、抵抗率が１０Ω・ｍ以下の材質で構成されていることを特徴とする請求項７記載のプラズマエッチング処理装置。
12. 前記導電性シートの厚さが０．０３ｍｍ乃至３ｍｍであることを特徴とする請求項１１記載のプラズマエッチング処理装置。

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