CN113964010A - 等离子体处理方法以及等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，能够减少反应生成物向载置台的载置面的附着。等离子体处理方法包括以下工序：将基板搬入处理容器内并载置于处理容器内的载置台的载置面上；在处理容器内将第一气体等离子体化，由此对基板执行等离子体处理；在处理容器内将第二气体等离子体化，由此形成对在执行等离子体处理时附着于处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖的膜；以及在处理容器内的构件的表面形成有膜的状态下，将载置台的载置面上的基板从处理容器内搬出。

Description

等离子体处理方法以及等离子体处理装置
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置。
背景技术
以往，已知一种使用等离子体在半导体晶圆等基板上进行等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内具有用于载置基板的载置台。在载置台的内部收容有升降销。在等离子体处理装置中，在将被实施了等离子体处理的基板从处理容器内搬出的情况下，利用驱动机构使升降销从载置台突出，使用升降销使基板从载置台的载置面上升。另外，在等离子体处理装置中，有时在将载置台冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-207840号公报
专利文献2：日本特开2017-103388号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够减少反应生成物向载置台的载置面的附着的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的等离子体处理方法包括以下工序：将基板搬入处理容器内并载置于所述处理容器内的载置台的载置面上；在所述处理容器内将第一气体等离子体化，由此对所述基板执行等离子体处理；在所述处理容器内将第二气体等离子体化，由此形成对在执行所述等离子体处理时附着于所述处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖的膜；以及在所述处理容器内的构件的表面形成有所述膜的状态下，将所述载置台的载置面上的基板从所述处理容器内搬出。
发明的效果
根据本公开，起到能够减少反应生成物向载置台的载置面的附着这样的效果。
附图说明
图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程的一例的流程图。
图2A是用于说明在执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的情况下的处理容器内的状态的一例的图。
图2B是用于说明在执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的情况下的处理容器内的状态的一例的图。
图2C是用于说明在执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的情况下的处理容器内的状态的一例的图。
图2D是用于说明在执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的情况下的处理容器内的状态的一例的图。
图3是示出针对每种气体，将在暴露于等离子体的基板上露出的膜的状态进行比较而得到的结果的一例的图。
图4是示出将在进行比较例1的处理后在基板上露出的膜的状态与在进行实施例1的处理后在基板上露出的膜的状态进行比较而得到的结果的一例的图。
图5是示出调查保护膜的厚度与在进行处理容器内的清洁时有无故障之间的关系而得到的实验结果的一例的图。
图6是示出用于执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的等离子体处理装置10的一例的图。
附图标记说明
1：处理容器；2：载置台；6：静电吸盘；6e：载置面；10：等离子体处理装置；W：基板。
具体实施方式
下面，参照附图来对各种实施方式进行详细说明。此外，设为在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。
另外，在等离子体处理装置中，在对基板进行等离子体处理时，生成反应生成物，该反应生成物附着并堆积于处理容器的内壁等。有时堆积在处理容器的内壁等的反应生成物的一部分从反应生成物中挥发(脱离)并作为气体漂浮在处理容器内，并再次附着于载置台的载置面。例如，在等离子体处理装置中，当将被实施了等离子体处理的基板从处理容器内搬出时，在处理容器内载置台的载置面露出，因此有时反应生成物附着于载置台的露出的载置面。特别地，在将载置台冷却至0℃以下的温度的状态下进行等离子体处理的情况下，由于以挥发性气体的形式漂浮的反应生成物容易发生冷凝，因此反应生成物变得容易附着于载置台的载置面。反应生成物向载置台的载置面的附着成为引起基板相对于载置台的载置面的吸附不良等异常的主要原因，这不是优选的。
[一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程的一例]
图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程的一例的流程图。
首先，将基板搬入处理容器内(步骤S101)。例如，将基板搬入处理容器内并载置于处理容器内的载置台的载置面上。
接着，在处理容器内将第一气体等离子体化，由此对基板执行等离子体处理(步骤S102)。例如在将载置台的温度维持在0℃以下的状态下对基板执行等离子体处理。对基板执行的等离子体处理例如是蚀刻处理。通过对基板执行等离子体处理，反应生成物附着于处理容器内的构件的表面。处理容器内的构件例如是包括处理容器的内壁等的构件。
接着，在处理容器内将第二气体等离子体化，由此在处理容器内的构件的表面形成保护膜(步骤S103)。保护膜对在执行等离子体处理时附着于处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖。此时，载置台的载置面上的基板的表面与反应生成物的表面均被保护膜覆盖。
接着，在处理容器内的构件的表面形成有保护膜的状态下，将载置台的载置面上的基板从处理容器内搬出(步骤S104)。
当将基板从处理容器内搬出后，对处理容器内进行清洁(步骤S105)。在清洁中，例如将仿真基板搬入处理容器内并载置于载置台的载置面上，在处理容器内将第三气体等离子体化，由此将附着于处理容器内的构件的表面的反应生成物与保护膜一起去除。
将从处理容器内搬出的基板向能够执行灰化处理、湿蚀刻处理的其它装置的处理容器内搬入。然后，在其它装置的处理容器内执行灰化处理、湿蚀刻处理，由此去除对基板表面进行覆盖的保护膜(步骤S106)。此时，在将抗蚀膜、非晶碳膜等含碳掩模用作基板上的掩模的情况下，将基板上的掩模与对基板表面进行覆盖的保护膜一起去除。
之后，判定是否结束处理(步骤S107)。在判定为不结束处理的情况下(步骤S107：“否”)，回到步骤S101，将下一个基板搬入处理容器内，重复到步骤S106为止的处理。另一方面，在判定为结束处理的情况下(步骤S107：“是”)，结束处理。
此外，例如基于被实施了等离子体处理的基板的张数是否达到了规定的张数来进行步骤S107中的判定。
[在执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的情况下的处理容器内的状态]
图2A～图2D是用于说明在执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的情况下的处理容器内的状态的一例的图。参照图2A～图2D，进一步说明一个实施方式所涉及的等离子体处理方法。
图2A示出通过执行步骤S102的等离子体处理而在处理容器1内的构件的表面附着有反应生成物201的状态。在图2A中，在作为处理容器1内的构件的处理容器1的内壁及处理容器1内的载置台2的侧壁的表面附着有反应生成物201。另外，附着于处理容器1内的构件上的反应生成物201的一部分挥发(脱离)并以挥发性气体201a的形式漂浮在处理容器1内。若在图2A的状态下直接将被实施了等离子体处理的基板W从处理容器1内搬出，则在处理容器1内载置台2的载置面6e露出，挥发性气体201a被朝向露出的载置台2的载置面6e吸引。因此，基于挥发性气体201a的反应生成物可能会附着于露出的载置台2的载置面6e。特别地，在将载置台2冷却至0℃以下的温度的状态下进行步骤S102的等离子体处理的情况下，由于以挥发性气体201a的形式漂浮的反应生成物容易发生冷凝，因此基于挥发性气体201a的反应生成物变得容易附着于载置台2的载置面6e。反应生成物向载置台2的载置面6e的附着成为引起基板W相对于载置台2的载置面6e的吸附不良等异常的主要原因，这不是优选的。
因此，在一个实施方式中，在执行了步骤S102的等离子体处理之后，在处理容器1内的构件的表面形成对反应生成物201的表面进行覆盖的保护膜211(步骤S103，图2B)。即，在处理容器1内将第二气体等离子体化，由此在处理容器1内的构件的表面形成保护膜211。保护膜211将载置台2的载置面6e上的基板W的表面与反应生成物201的表面一起进行覆盖。然后，在处理容器1内的构件的表面形成有保护膜211的状态下，将载置台2的载置面6e上的基板W从处理容器1内搬出(步骤S104)。
这样，在执行了步骤S102的等离子体处理之后，在处理容器1内的构件的表面形成对反应生成物201的表面进行覆盖的保护膜211，由此能够减少反应生成物向在搬出基板W时露出的载置台2的载置面6e的附着。例如如图2C所示，当将载置台2的载置面6e上的基板W从处理容器1内搬出时，在处理容器1内载置台2的载置面6e露出。然而，在图2C中，由于形成有对反应生成物201的表面进行覆盖的保护膜211，因此从反应生成物201中挥发(脱离)的挥发性气体201a(参照图2A)被保护膜211遮挡。由此，能够抑制挥发性气体201a在处理容器1内的漂浮，作为结果，能够减少反应生成物向载置台2的载置面6e的附着。
在将基板W从处理容器1内搬出之后，对处理容器1内进行清洁(步骤S105，图2D)。在清洁中，例如将仿真基板W′搬入处理容器1内并载置于载置台2的载置面6e上，在处理容器1内将第三气体等离子体化，由此将附着于处理容器1内的构件的表面的反应生成物201与保护膜211一起去除。此外，也可以是，不向处理容器1内搬入仿真基板W′，在处理容器1内将第三气体等离子体化，由此进行清洁。另一方面，在将基板W从处理容器1内搬出之后，去除对基板W表面进行覆盖的保护膜211(步骤S106)。此时，在将抗蚀膜或非晶碳膜等含碳掩模用作基板W上的掩模的情况下，将基板W上的掩模也与对基板W表面进行覆盖的保护膜211一起去除。
[用于形成保护膜的第二气体的选定]
优选的是，用于形成保护膜的第二气体是针对通过步骤S102对基板执行等离子体处理而露出的基板上的膜的表面(上表面、侧面)而言不作为蚀刻剂发挥功能的气体。因此，本发明的发明人们关于各种气体调查了针对基板上露出的膜的表面而言有无作为蚀刻剂的功能。在实验中，将具有层叠在硅基板上的氧化硅膜(下面称为“SiO2膜”)来作为基板上露出的膜的基板分别暴露于CF4、CH4以及C4F8的各等离子体中。在SiO2膜上形成有图案。图3是示出针对每种气体，将暴露于等离子体的基板上的蚀刻对象膜的状态进行比较而得到的结果的一例的图。在图3中，“初始(Initial)”表示通过掩模对SiO2膜进行蚀刻而在SiO2膜上加工出孔状的图案之后的基板，该掩模具有通过执行步骤S102的等离子体处理而形成于SiO2膜上的开口部。此外，为了使实验的效果易于理解，使用在蚀刻加工后去除了掩模的基板，露出SiO2膜的上表面和侧面。
如图3所示，在使用CF4或C4F8的情况下，在基板上露出的膜即SiO2膜被削减，其膜厚减少。与此相对地，在使用CH4的情况下，在基板上的SiO2膜的上表面及SiO2膜的图案底部堆积有沉积物。这样，根据图3的结果可知的是，通过使用不含卤的含碳气体，能够维持在基板上露出的膜的图案形状。即，用于形成保护膜的第二气体优选为不含卤的含碳气体，更优选为烃气。
此外，在上述实施方式中，将通过步骤S102对基板进行的等离子体处理设为蚀刻处理，将蚀刻对象膜及在蚀刻处理后在基板上露出的膜设为SiO2膜，但是公开技术可用于任意的蚀刻对象膜。例如，蚀刻对象膜也可以是氮化硅膜(SiN膜)、碳化硅膜(SiC膜)等单层膜、氧化硅膜与氮化硅膜交替地层叠而成的层叠膜(ON层叠膜)。另外，既可以是单晶硅(Si)、多晶硅(Poly-Si)、非晶硅(αSi)等的硅膜，也可以是氧化硅膜与多晶硅交替地层叠而成的层叠膜(OP层叠膜)。另外，也可以是具有SiOCH结构的低介电常数膜。将它们统称为“含硅膜”。另外，在对蚀刻对象膜进行蚀刻并到达基底膜时，基底膜露出。作为基底膜，使用钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)等金属膜、硅膜。作为蚀刻的掩模，使用氮化钛(TiN)、钨(W)等金属膜、硅膜，在蚀刻处理后成为在基板上露出的状态。
与SiO2膜的情况同样地，用于形成保护膜的第二气体优选为针对这些含硅膜和金属膜而言不作为蚀刻剂发挥功能的气体。此外，由于已知含硅膜和金属膜在含卤的环境下容易被削减，因此在基板上露出的膜是含硅膜和金属膜的情况下也与SiO2膜的情况同样地，用于形成保护膜的第二气体优选为不含卤的含碳气体，更优选为烃气。
[保护膜的去除]
如上所述，在将基板从处理容器内搬出之后，去除对基板表面进行覆盖的保护膜(步骤S106)。另外，在将含碳掩模用作基板上的掩模的情况下，在去除对基板表面进行覆盖的保护膜的同时也去除基板上的掩模。本发明的发明人们使用一个实施方式所涉及的等离子体处理方法对基板进行蚀刻处理，并调查了去除掩模后的蚀刻对象膜的图案形状、即在基板上露出的膜的图案形状。图4是示出将进行比较例1的处理后的基板上的蚀刻对象膜的状态与进行实施例1的处理后的基板上的蚀刻对象膜的状态进行比较而得到的结果的一例的图。在图4中，“蚀刻(Etch)→沉积(Depo)→灰化(Ash)”是实施例1的结果，是使用一个实施方式所涉及的等离子体处理方法对基板进行蚀刻处理并去除了掩模的情况。另外，“蚀刻→灰化”是比较例1的结果，是在不形成保护膜的情况下对基板进行蚀刻处理并去除了掩模的情况。此外，在实验中，使用了在硅基板上具有SiO2膜来作为蚀刻对象膜的基板。另外，基板上的掩模是含碳掩模，在步骤S106中使用氧的等离子体来去除了该掩模。
如图4所示，进行实施例1的处理后的蚀刻对象膜的图案形状、即在基板上露出的膜的图案形状与进行比较例1的处理后的蚀刻对象膜的图案形状大致相同。这样，根据图4的结果可确认出，对基板表面进行覆盖的保护膜与基板上的掩模(也就是含碳掩模)同时被适当地去除。
[保护膜的最小膜厚]
在虽然在处理容器内的构件的表面形成有保护膜但保护膜薄的情况下，从反应生成物脱离的挥发性气体透过保护膜并漂浮在处理容器内，因此基于挥发性气体的反应生成物也可能附着于露出的载置台的载置面。因此，对保护膜的厚度与在对处理容器进行清洁内时有无故障之间的关系进行了调查。
图5是示出调查保护膜的厚度与在对处理容器内进行清洁时有无故障之间的关系而得到的实验结果的一例的图。在图5所示的实验中，将在步骤S103中形成的保护膜的厚度设定为5种厚度，在执行步骤S105的清洁期间，通过测定向载置台的载置面与仿真基板之间供给的传热气体(He气体)的泄漏量，来调查有无故障。将保护膜的厚度设定为0(nm)、25(nm)、50(nm)、100(nm)、150(nm)这5种厚度。此外，从通过步骤S104将载置台的载置面上的基板从处理容器内搬出到通过步骤S105将仿真基板搬入处理容器内并载置于载置台的载置面上为止的期间为600秒的间隔。这与通常进行的基板的搬出和仿真基板的搬入所花费的时间相比足够长。而且，在向载置台的载置面与仿真基板之间供给的传热气体的泄漏量超过预先决定的允许规格的情况下，判断为有故障发生。另一方面，在传热气体的泄漏量为允许规格以下的情况下，判断为没有故障发生。此外，考虑到由于反应生成物附着于载置台的载置面，将仿真基板吸附于载置台的载置面的吸附力下降，作为结果，传热气体的泄漏量增大。
如图5所示，在保护膜的厚度为100(nm)以上的情况下，对处理容器进行清洁内时没有发生故障。即，根据图5的结果可确认出，在保护膜的厚度为100(nm)以上的情况下，挥发性气体难以透过保护膜，从而抑制了基于挥发性气体的反应生成物附着于载置台的载置面。因而，优选的是，以100nm以上的厚度形成保护膜。
[一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例]
图6是示出用于执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的等离子体处理装置10的一例的图。等离子体处理装置10具有处理容器1，该处理容器1气密地构成，电气上被设为接地电位。该处理容器1设为圆筒状，例如由铝等构成。处理容器1划分出生成等离子体的处理空间。在处理容器1内设置有将半导体晶圆等基板W水平地支承的载置台2。载置台2构成为包括基材(base)2a和静电吸盘(ESC：Electrostatic chuck)6。基材2a由导电性的金属、例如铝等构成，具有作为下部电极的功能。静电吸盘6具有用于对基板W进行静电吸附的功能。载置台2被支承台4支承。支承台4被例如由石英等构成的支承构件3支承。另外，载置台2的上方的外周设置有例如由单晶硅形成的聚焦环5。并且，在处理容器1内以包围载置台2和支承台4的周围的方式设置有例如由石英等构成的圆筒状的内壁构件3a。
基材2a经由第一匹配器11a来与第一RF电源10a连接，另外，该基材2a经由第二匹配器11b来与第二RF电源10b连接。第一RF电源10a用于产生等离子体，构成为从该第一RF电源10a向载置台2的基材2a供给规定频率的高频电力。另外，第二RF电源10b用于吸引离子(偏置用)，构成为从该第二RF电源10b向载置台2的基材2a供给频率比第一RF电源10a的规定频率低的高频电力。这样，载置台2构成为能够施加电压。另一方面，在载置台2的上方，以与载置台2平行且相向的方式设置有具有作为上部电极的功能的喷淋头16。喷淋头16和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥功能。
静电吸盘6的上表面形成为平坦的圆盘状，该上表面被设为用于载置基板W的载置面6e。静电吸盘6构成为在其绝缘体6b间夹设有电极6a，电极6a与直流电源12连接。而且，构成为通过从直流电源12向电极6a施加直流电压，来利用库伦力吸附基板W。
载置台2的内部形成有制冷剂流路2d，制冷剂流路2d与制冷剂入口配管2b、制冷剂出口配管2c连接。而且，构成为能够通过使合适的制冷剂、例如冷却水等在制冷剂流路2d之中循环，来将载置台2控制为规定的温度。另外，以贯通载置台2的方式设置有用于向基板W的背面供给氦气等用于传递冷热的气体(背侧气体)的气体供给管30，气体供给管30与未图示的气体供给源连接。通过这些结构，将通过静电吸盘6进行吸附而被保持于载置台2的上表面的基板W控制为规定的温度。
在载置台2设置有多个、例如3个销用贯通孔200(图6中仅示出1个。)，在这些销用贯通孔200的内部分别配设有升降销61。升降销61与升降机构62连接。升降机构62使升降销61进行升降，来使升降销61以相对于载置台2的载置面6e自由地突出和没入的方式进行动作。在使升降销61上升了的状态下，升降销61的前端从载置台2的载置面6e突出，成为将基板W保持在载置台2的载置面6e的上方的状态。另一方面，在使升降销61下降了的状态下，升降销61的前端被收容到销用贯通孔200内，基板W被载置于载置台2的载置面6e。这样，升降机构62利用升降销61来使基板W相对于载置台2的载置面6e进行升降。另外，升降机构62在使升降销61上升了的状态下，通过升降销61将基板W保持在载置台2的载置面6e的上方。
上述的喷淋头16设置于处理容器1的顶壁部分。喷淋头16具备主体部16a以及构成电极板的上部顶板16b，喷淋头16经由绝缘性构件95被支承于处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料、例如表面被进行了阳极氧化处理的铝构成，构成为在主体部16a的下部能够将上部顶板16b以自由装卸的方式支承。
在主体部16a的内部设置有气体扩散室16c。另外，在主体部16a的底部，以位于气体扩散室16c的下部的方式形成有大量的气体通流孔16d。另外，在上部顶板16b中，以与上述的气体流通孔16d重合的方式且将该上部顶板16b沿厚度方向贯通的方式设置有气体导入孔16e。通过这样的结构，被供给至气体扩散室16c的处理气体经由气体通流孔16d及气体导入孔16e喷淋状地分散并供给至处理容器1内。
在主体部16a形成有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。气体导入口16g与气体供给配管15a的一端连接。该气体供给配管15a的另一端与供给处理气体的处理气体供给源(气体供给部)15连接。在气体供给配管15a上从上游侧起按顺序设置有质量流量控制器(MFC：mass flow controller)15b以及开闭阀V2。从处理气体供给源15经由气体供给配管15a向气体扩散室16c供给各种处理气体。处理气体供给源15具有多个气体源。多个气体源可以包括烃气的气体源、具有氧原子的气体(氧气等)的气体源以及非活性气体的气体源等各种气体源。作为非活性气体，可以使用氮气、Ar气体、He气体这样的任意的气体。因而，等离子体处理装置10能够将来自从处理气体供给源15的多个气体源中选择出的1个以上的气体源的气体以单独被调整后的流量供给到处理容器1内。
上述的作为上部电极的喷淋头16经由低通滤波器(LPF)71来与可变直流电源72电连接。该可变直流电源72构成为能够利用通断开关73来进行供电的接通/断开。可变直流电源72的电流/电压以及通断开关73的接通/断开由后述的控制部100控制。此外，如后述那样，在从第一RF电源10a、第二RF电源10b向载置台2施加高频来在处理空间中生成等离子体时，根据需要通过控制部100来使通断开关73接通，向作为上部电极的喷淋头16施加规定的直流电压。
以从处理容器1的侧壁延伸至比喷淋头16的高度位置靠上方的位置的方式设置有圆筒状的接地导体1a。该圆筒状的接地导体1a在上部具有顶壁。
在处理容器1的底部形成有排气口81。排气口81经由排气管82来与排气装置83连接。排气装置83具有真空泵，构成为能够通过使该真空泵进行作动来使处理容器1内减压至规定的真空度。另一方面，在处理容器1内的侧壁设置有基板W的搬入搬出口84，在该搬入搬出口84处设置有用于将该搬入搬出口84进行开闭的闸阀85。
处理容器1的侧部内侧，沿着内壁面设置有沉积物屏蔽件86。沉积物屏蔽件86用于防止蚀刻副产物(沉积物)附着于处理容器1上。在该沉积物屏蔽件86的与基板W大致相同的高度位置处设置有以能够控制相对于地的电位的方式连接的导电性构件(GND块)89，由此防止异常放电。另外，在沉积物屏蔽件86的下端部设置有沿着内壁构件3a延伸的沉积物屏蔽件87。沉积物屏蔽件86、87设为能够自由装卸。
另外，例如图6所示，等离子体处理装置10具备包括处理器及存储器等的控制部100。控制部100控制等离子体处理装置10的各部。具体而言，控制部100使用控制信号来控制对来自处理气体供给源15的气体的选择及该气体的流量、排气装置83的排气、来自第一RF电源10a及第二RF电源10b的电力供给、来自可变直流电源72的电压施加、升降销61的升降等。此外，可以通过利用控制部100进行控制来使等离子体处理装置10的各部进行动作，由此执行本说明书中公开的等离子体处理方法的各工序。在控制部100的存储器中以能够自由读取的方式保存有用于执行一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的计算机程序以及用于执行该方法的各种数据。
[实施方式的效果]
实施方式所涉及的等离子体处理方法包括以下工序：将基板搬入处理容器内并载置于处理容器内的载置台的载置面上；在处理容器内将第一气体等离子体化，由此对基板执行等离子体处理；在处理容器内将第二气体等离子体化，由此形成对在执行等离子体处理时附着于处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖的膜；以及在处理容器内的构件的表面形成有膜的状态下，将载置台的载置面上的基板从处理容器内搬出。由此，能够减少反应生成物向载置台的载置面的附着。
另外，在实施方式中，也可以是，在进行搬出的工序之后还包括以下工序：在处理容器内将第三气体等离子体化，由此将反应生成物与膜一起去除。由此，能够将对反应生成物的表面进行覆盖的保护膜与反应生成物同时去除。
另外，在实施方式中，也可以是，在形成膜的工序中，利用膜将基板的表面与反应生成物的表面一起进行覆盖。并且，在实施方式中，也可以是，在进行搬出的工序之后还包括以下工序：将基板上的掩模与对被搬出的基板表面进行覆盖的膜一起去除。由此，能够适当地将基板上的掩模与对基板表面进行覆盖的保护膜一起去除，作为结果，能够维持掩模下的图案形状。
另外，在实施方式中，也可以是，第二气体是针在对基板上露出的膜而言不作为蚀刻剂发挥功能的气体。由此，能够维持在形成保护膜时在基板上露出的膜的图案形状。
另外，在实施方式中，也可以是，在基板上露出的膜是氧化硅膜(SiO2膜)，第二气体是不含卤的含碳气体。另外，在实施方式中，也可以是，第二气体是烃气。由此，能够维持在形成保护膜时在基板上露出的膜即SiO2膜的图案形状。
另外，也可以是，在实施方式中的形成膜的工序中，在处理容器内的构件的表面以100nm以上的厚度形成膜。由此，从反应生成物脱离的挥发性气体难以透过保护膜，作为结果，能够抑制基于挥发性气体的反应生成物附着于载置台的载置面。
另外，在实施方式中，也可以是，处理容器内的构件的表面温度为执行等离子体处理时的载置台的温度以下，从膜脱离的气体具有不附着于处理容器内的构件的表面的性质。由此，即使在处理容器内的构件的表面温度低的情况下，也能够抑制从膜脱离的气体附着于处理容器内的构件的表面。
此外，应该认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。所述的实施方式在不脱离所附权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式进行省略、置换、变更。
例如，在上述的实施方式中，等离子体处理装置10是电容耦合型的等离子体处理装置10，但是也可以采用任意的等离子体处理装置10。例如，等离子体处理装置10也可以是电感耦合型的等离子体处理装置10、如利用微波之类的表面波来激励气体的等离子体处理装置10这样的任意类型的等离子体处理装置10。

Claims (9)

1.一种等离子体处理方法，包括以下工序：
将基板搬入处理容器内并载置于所述处理容器内的载置台的载置面上；
在所述处理容器内将第一气体等离子体化，由此对所述基板执行等离子体处理；
在所述处理容器内将第二气体等离子体化，由此形成对在执行所述等离子体处理时附着于所述处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖的膜；以及
在所述处理容器内的构件的表面形成有所述膜的状态下，将所述载置台的载置面上的基板从所述处理容器内搬出。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，
在进行所述搬出的工序之后还包括以下工序：在所述处理容器内将第三气体等离子体化，由此将所述反应生成物与所述膜一起去除。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其中，
在形成所述膜的工序中，利用所述膜将所述基板的表面与所述反应生成物的表面一起进行覆盖，
所述等离子体处理方法在进行所述搬出的工序之后还包括以下工序：去除对被搬出后的所述基板的表面进行覆盖的所述膜。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，
所述第二气体是针对通过执行等离子体处理的工序而在所述基板上露出的膜的表面而言不作为蚀刻剂发挥功能的气体。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，
在所述基板上露出的膜是含硅膜或金属膜，
所述第二气体是不含卤的含碳气体。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，
所述第二气体是烃气。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，
在形成所述膜的工序中，在所述处理容器内的构件的表面以100nm以上的厚度形成所述膜。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，
从所述膜脱离的气体具有以下性质：在所述载置台的温度为执行所述等离子体处理时的温度时不附着于所述载置台的表面。
9.一种等离子体处理装置，具有：
处理容器，其提供处理空间；
载置台，其设置于所述处理容器内，具有能够载置基板的载置面；
气体供给部，其用于向所述处理容器内供给处理气体；以及
控制部，
其中，所述控制部使各部执行等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括以下工序：
将基板搬入处理容器内并载置于所述处理容器内的载置台的载置面上；
在所述处理容器内将第一气体等离子体化，由此对所述基板执行等离子体处理；
在所述处理容器内将第二气体等离子体化，由此形成对在执行所述等离子体处理时附着于所述处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖的膜；以及
在所述处理容器内的构件的表面形成有所述膜的状态下，将所述载置台的载置面上的基板从所述处理容器内搬出。
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