TWI717631B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供使處理的良率提升的電漿處理裝置。 　　[解決手段]一種電漿處理裝置，載於配置在真空容器內部的處理室內的樣品台上而保持的作為處理對象的樣品，被利用形成於該處理室內的電漿而處理，配置於前述樣品台上部並構成載置前述樣品的上表面的第1介電體製的板狀的構材在其上表面具備：外周凸部，沿著外周緣將該上表面之中央側部分包圍，配置為環狀；複數個柱狀的突起部，配置於此外周凸部之中央側的前述板狀構材之上表面，在其頂部上表面上載置前述樣品；第2介電體製的膜，覆蓋前述外周凸部之中央側的前述板狀構材之上表面，亦即覆蓋除前述突起部的前述頂部上表面及與其頂部上表面的外周緣相連的側壁面以外的板狀構材之上表面。

Description

電漿處理裝置
本發明涉及一種電漿處理裝置，就配置於真空容器內部的處理室內的半導體晶圓等的基板狀的樣品，利用形成於該處理室內的電漿進行處理，尤其涉及一種電漿處理裝置，在使樣品吸附保持於配置在處理室內的樣品台上表面的介電體膜上的狀態下進行蝕刻處理。
乾式蝕刻為代表的電漿處理係如下的技術：一面對連結排氣裝置的真空容器內部的處理室內導入處理用的氣體，一面透過供應至處理室內的電場或磁場將處理用的氣體的原子或分子激發而予以電離或解離，形成電漿，利用該電漿中的粒子，就預先配置於樣品表面的遮罩層與包含作為處理對象的膜層的膜構造的未以遮罩層覆蓋的作為處理對象的膜層進行處理，從而從膜構造獲得具有期望的形狀的電路。生成如此的電漿的方法方面，主要使用感應耦合方式、電子迴旋共振式及平行平板方式(包含磁控方式)。
感應耦合方式的電漿生成方面主要採用13.56MHz的高頻電力，電子迴旋共振式方面主要採用2.45GHz的微波波段的電場。在此等感應耦合方式及電子迴旋共振式，在與電漿生成個別地控制往被加工樣品表面入射的離子等的帶電粒子的能量的目的下，供應高頻(Radio Frequency，RF)帶的電場至樣品或支撐其之樣品台的內部的電極，透過與因形成於樣品表面上方的偏壓電位與電漿的電位的電位差而被誘導至樣品表面的方向的帶電粒子的衝撞，從而促進對於作為處理對象的膜的電漿中的反應性粒子的反應，藉以進行處理。
另一方面，在平行平板方式，自歷來，採用對於予以相向而配置的平板狀的電極中的任一者供應13.56MHz的高頻電力者，惟近年來趨於亦使用VHF帶(30MHz～300MHz)的頻率的電場。此外，如同感應耦合方式、電子迴旋共振式，亦與電漿生成個別地使用獨立就往樣品的表面入射的離子等帶電粒子的能量進行控制的高頻(RF)的電力。
此外，為了與用於電漿生成的電場個別地調整予以入射於樣品表面的帶電粒子的能量而使用的高頻電力的電場，歷來採用數百KHz至數MHz的頻率者，惟為了提升能量的控制性傾向於使用MHz帶以上的頻率者。
另一方面，在被加工樣品(以下簡記為樣品)被配置於真空容器的內部的電漿處理裝置，使樣品載於其上表面上方而保持的樣品台方面，溫度被透過配置於真空容器的外部的溫度調節裝置而調節的冷媒被供應至樣品台內部的流路而循環。或者，加熱器等的加熱裝置配置於樣品台內部。透過此等構成使得樣品台的溫度被調節為使用者的期望的既定的範圍內的值。
於如此的樣品台的構成方面，自歷來，為了就溫度被預先調節的樣品台的溫度，精度佳地使在利用電漿下的處理中的樣品的溫度成為適於處理的範圍內的值，具備如下的構成：利用靜電力將載於其上表面的樣品吸附於樣品台之上表面而保持，對該上表面的表面與樣品的背面之間的間隙供應具有傳熱性的He等的氣體，促進樣品與樣品台之間的傳熱。
產生供於使樣品在樣品台上表面上吸附於其用的靜電力的構成方面，自歷來，已知如下者：對配置在將氧化鋁(氧化鋁)等的陶瓷的材料熱噴塗於樣品台的基材上表面而形成的膜內，或對配置在以陶瓷的材料進行燒成而形成為板狀的構材的內部，亦即對配置在黏合於基材之上表面上的燒結體的內部的膜狀的吸附用的電極，供應直流電力。再者，實現如此的利用靜電力之下的吸附(靜電吸附)的構成方面已知：利用電阻率非常高的氧化鋁等的陶瓷的庫侖方式、相對電阻率低且一面使數百微安培至1毫安培程度的直流電流流通一面予以吸附的JR(Johnson-Rahbek)式。
再者，在陶瓷等介電體材料製的膜或燒結板的內部配置複數個靜電吸附用的電極，包含以對此等電極賦予個別不同的極性的方式供應直流電力而將樣品予以吸附的偶極型、對電極賦予正負中任一個極性而吸附樣品的單極型。利用庫倫型的情況下，可構成為在介電體製的膜的表面配置微小的尺寸的複數個突起(點)，樣品係其背面與突起上表面接觸而被保持，從而可抑制樣品與樣品台上表面接觸的面積，抑制伴隨接觸而發生的異物附著或生成於樣品背面的情形。
一般情況下，在電漿處理裝置，從精密地控制樣品的溫度及其面內分布的必要性而言，將樣品與樣品台上表面予以靜電吸附的靜電力需要設為充分大於導入至樣品與樣品台上表面之間的間隙的He等的氣體的壓力所致的力而使樣品強力吸附於樣品台上表面。
另一方面，具有產生如下問題之虞：樣品的背面與樣品台上表面接觸使得兩者的表面的構材損傷，或附著於一方的顆粒再附著於另一方而成為異物。此異物不僅該樣品，亦附著於利用電漿處理該樣品後的樣品所返回的樣品用盒，或在下個程序再度附著於形成微細電路的其他樣品的表面，恐使異物所致的污染擴大，使在電漿處理裝置方面的處理的良率降低。
為了解決如此的問題，在使樣品靜電吸附的樣品台之上表面，預先形成複數個具有既定的高度如數μm程度的高度的突起部(點)，載於樣品台上表面上的樣品係其背面與此等突起部上表面接觸而被保持，使得可一面保持靜電吸附力，一面減低樣品與樣品台上表面接觸的面積，抑制上述異物所致的問題的發生。
如此的歷來的技術之例方面，已知揭露於日本特開2015-162490號公報(專利文獻1)者。此先前技術揭露一種電漿處理裝置之例，在供於保持作為被處理體的晶圓W用的載台被配置於內部的真空容器內的處理容器內，在配置於真空容器上部的上部電極與處理容器內的載台的內部的下部電極之間形成電漿，從而處理晶圓W。在構成該電漿處理裝置的載台的基底部之上表面配置靜電吸盤，具備構成靜電吸盤的上下的介電體層及配置於其等間的電極、配置於上部的介電體層的平坦的上表面的複數個突出部。
再者，在此先前技術，具備覆蓋介電體層之上表面與突出部而配置的由包含氧化釔的材料而構成的保護膜。於如此之構成，保護膜覆蓋介電體層的平坦的上表面與突出於其上方的複數個突出部之側壁面，從而謀求抑制顆粒的產生。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-162490號公報
然而，在上述的先前技術，在以下方面考慮不充分，故產生問題。
亦即，在突起部上表面，靜電吸附樣品之際 的力集中，故為了防止吸附時的損傷而抑制顆粒、異物的發生，突起部方面亦要求機械強度。再者，近年來，為了提高電漿處理裝置的量產性，為了防止伴隨利用電漿下的樣品的處理而生成的生成物堆積於真空容器內部的表面而形成的堆積物在樣品的更換、其他樣品處理之際發生附著因而擴大污染，運用如下的清潔程序：在任意的樣品的處理後、下個樣品的處理前，利用電漿消除真空容器內的樣品被處理的室內表面的堆積物、附著物。
於如此的清潔的程序，於樣品台上表面未載置樣品的所謂無晶圓(waferless)的情況下，亦具有以下問題之虞：該上表面的材料因清潔用的電漿而消耗，至靜電吸附的性能降低為止的期間縮短，或產生在真空容器內消耗的氧化鋁所致的金屬污染。
對於如此的課題，如示於專利文獻1，將供於靜電吸附樣品用的介電體製的構材的表面或其特定部分以氧化釔或其化合物如氧化釔(Y2O3)進行遮蓋或構成，從而可抑制消耗、污染。已知氧化釔電漿抗性(尤其具有氟系自由基的電漿)高，幾乎不消耗，由以如此的材料而構成的膜所覆蓋的靜電吸附用的介電體製的構材係性能的降低應會被抑制，同時含於氧化鋁等介電體構材的金屬元素所致的對於真空容器內部或樣品的污染應會被抑制。
然而，在上述先前技術中並未考量有關以下問題：氧化釔相對於歷來使用的氧化鋁，機械強度弱，故即使由於覆蓋載置樣品台的樣品的上表面的突起部之側壁 面或突起彼此之間之上表面的平坦的面上而可抑制往樣品的背面的附著物，仍由於在將突起部之上表面與樣品背面發生接觸而使樣品吸附的靜電力施加於突起部的狀態下發生的突起部的變形，氧化釔的遮蓋膜發生損傷或破損，予以產生來自從本來作為抑制的目的之樣品台上表面的顆粒，予以產生使顆粒、碎片的往樣品背面的附著與因此所致的異物，損及處理的良率。
本發明之目的在於提供使處理的良率提升的電漿處理裝置。
上述目的透過以下而達成：一種電漿處理裝置，其為被載於配置在真空容器內部的處理室內的樣品台上而保持的作為處理對象的樣品被利用形成於該處理室內的電漿而處理者，配置於前述樣品台上部並構成載置前述樣品的上表面的第1介電體製的板狀的構材在其上表面具備：外周凸部，其沿著外周緣將該上表面之中央側部分包圍，配置為環狀；複數個柱狀的突起部，其配置於此外周凸部之中央側的前述板狀構材之上表面，在其頂部上表面上載置前述樣品；第2介電體製的膜，其覆蓋前述外周凸部之中央側的前述板狀構材之上表面，亦即覆蓋除前述突起部的前述頂部上表面及與其頂部上表面的外周緣相連的側壁面以外的板狀構材之上表面；在前述樣品載於前述突起部的前述頂部上表面的狀態下，在包圍前述突起部的周圍的前述第2介電體製的膜的最接近樣品的上端部與前述樣品之間的間隙，前述突起部的側壁面露出。
本發明涉及在記載於前述「先前技術」的電漿處理裝置中的使樣品吸附於樣品台的靜電吸附機構部。
在本發明係作成如下的構造：以氧化鋁形成利用於靜電吸附的絕緣體的主材料，為了在氧化鋁表面以總面積的3%以下形成供於抑制接觸面積用的突起部，再者在該氧化鋁表面的突起區域或包含突起區域的一部分區域以外塗佈4~10μm的氧化釔，以氧化釔覆蓋靜電吸附部表面的90%以上。
依本發明，使得可透過以氧化釔覆蓋靜電吸附表面的大部分從而抑制電漿照射所致的消耗、伴隨消耗的氧化鋁所致的金屬污染。再者在與樣品的接觸使得機械應力集中的突起部或在突起部與其周邊一部分不配置機械強度低的氧化釔使得可迴避氧化釔的機械破損、磨耗。
以下，利用圖式說明本發明的實施方式。 [實施例]
就本發明的實施例利用圖1至4在以下進行說明。圖1係就本發明的實施例相關的電漿處理裝置的構成的概略進行說明的圖。
圖1相關的電漿處理裝置係利用屬螺線管線圈的電磁線圈1之下的有磁場平行平板型的電漿處理裝置。本實施例的電漿處理裝置具備：真空容器10；處理室，配置於真空內器上方，為真空容器10內部的空間，載置作為處理對象的樣品，被供應處理用的氣體，在內部形成電漿；電漿形成部，配置於真空容器10之上方，作為生成供於在處理室的內部形成電漿用的電場或磁場的裝置；包含渦輪分子泵浦等的真空泵浦的排氣裝置，與真空容器10的下部連結，將處理室內部進行排氣而減壓。
在真空容器10的內部的處理室內配置：具有圓筒形的樣品台2，配置於該處理室下方；圓板形狀的上部電極4，在構成該樣品台上表面的載置面之上方與其相向而配置，被供應供於形成電漿用的高頻電力；圓板狀的噴灑板5，在此上部電極4的樣品3側與樣品台2的載置面相向而配置，同時構成處理室的頂面，具備複數個使氣體分散而供應於該處理室內的貫通孔。此外，在樣品台2的載置面上係載置半導體晶圓等的基板狀的樣品3而進行保持。
噴灑板5與配置於其上方的作為天線的上部電極4係配置為在此等被安裝於真空容器10的狀態下在此等之間形成間隙。 　　該間隙係與真空容器10外部的氣體導入線路6及使用於上部電極4內的氣體流路連結，此等作為往處理室內的氣體的供應路徑而連通。 　　於本實施例中，供應於處理室內的使用於樣品3的處理的處理用的氣體、或不直接使用於處理但將處理用的氣體進行稀釋或在未供應處理用的氣體的期間對處理室內部供應而與處理用的氣體進行更換的惰性氣體，係從氣體導入線路6經由使用於上部電極4內的氣體流路而供應至該間隙，在其內部被分散後，通過配置於包含噴灑板5之中央部的區域的複數個貫通孔，供應至處理室內部。
上部電極4係由屬導電性材料的鋁或不銹鋼等的金屬材料而構成的圓板狀的構材，被傳達電漿形成用的高頻電力的同軸電纜電性連接於其上表面之中央部。再者，上部電極4與將冷媒的溫度調節為既定的範圍的冷卻器等的溫度控制裝置連結，在內部具有被供應該冷媒的上部電極用冷媒流路7。 　　冷媒在上部電極用冷媒流路7的內部一面循環一面熱交換，使得上部電極4的溫度被調節為適於處理的值的範圍內。
於本實施例之上部電極4，從經由同軸電纜與其電性連接的放電用高頻電源8經由放電用高頻電力整合器9供應電漿形成用的高頻電力。 　　噴灑板5係俯視下具有圓板的形狀的石英等的介電體或矽等的半導體製的構材。高頻電力施加於上部電極4的結果，從上部電極4的表面放出的電場，在噴灑板5的表面形成電場，或電場穿透噴灑板5而放出至處理室內。再者，在本實施例，在真空容器10的外部配置為包圍處理室之上部之上方與側方的電磁線圈1所形成的磁場被供應至處理室內部。
該磁場與上述高頻的電場的相互作用，使得供應於處理室內部的處理用的氣體或惰性氣體的原子或分子被激發，電離或解離而在處理室內形成電漿11。在本實施例，作為供於形成電漿用的高頻電力，使用屬超高頻帶(VHF帶)域的頻率的200MHz的電力。
此外，在構成真空容器10之上部而將真空容器10開閉的蓋體構材與配置於其內側的上部電極4之間，配置如下的環狀之上部電極絕緣體12：配置於上部電極4之上方、側方，以石英、聚四氟乙烯(註冊商標)等的介電體而構成。由於上部電極絕緣體12，使得上部電極4與構成真空容器10之上部而將真空容器10開閉的蓋體構材電性絕緣。
此外，同樣地，在噴灑板5周邊配置以石英等的介電體而構成的絕緣環13，與蓋體構材絕緣。此等上部電極絕緣體12、絕緣環13、上部電極4、噴灑板5係在蓋體構材的開閉的動作之際與蓋體構材作為一體而轉動。
具有圓筒形的真空容器10係其側壁與搬送容器連結，該搬送容器係未圖示的真空容器，且樣品3在作為被減壓的內部的空間的搬送室內被搬送。在此等之間配置樣品3進出入的通路，於搬送室的內側，配置作為通路的開口的閘門及與該閘門的周圍的搬送室內側壁抵接而將閘門閉塞的閘閥。閘閥係構成為可相對於閘門移動於上下方向，在與搬送室內側壁抵接的面上具備O環體等的密封構材，在搬送至真空容器10內部的樣品3被處理的情況下，移動於上下方向而使O環體抵接於包圍該閘門的搬送室內側壁而將此閉塞，從而將真空容器10及通路內部相對於搬送室氣密地密封。
於處理室內的樣品台2的下方的真空容器10的下部，配置與將處理室內部進行排氣的真空泵浦連通的排氣用的開口。在該排氣用的開口與真空泵浦之間將此等連結的排氣用的管路上，配置屬板狀的閥的壓力調整閥26，繞橫切其內部的排氣用的流路而配置的軸進行旋轉，使流路的排氣的方向上的截面積增減。
壓力調整閥26的板狀的構材進行旋轉而調整角度，該剖面積增減，使得來自處理室的排氣的流量或速度被增減。在本實施例，處理室內部的壓力係透過從噴灑板5的貫通孔供應的氣體的流量或速度與從排氣用的開口排出的氣體、粒子的流量或速度的平衡，以成為期望的值的範圍內的方式，透過未圖示的控制裝置進行調節。
接著，說明樣品台2周邊的構造。本實施例的樣品台2係配置於處理室的下方之中央部的具有圓筒形的載台，在其內部具備圓筒形或圓板形的金屬製的基材2a。本實施例的基材2a係透過包含同軸電纜的供電路徑從而與偏壓用高頻電源20經由配置於該供電路徑上的偏壓用高頻電力整合器21而電性連接。
依此構成，對基材2a供應與電漿生成用高頻電力個別不同的頻率(本例係4MHz)的高頻電力。由於供應至基材2a的高頻電力，使得供於將電漿中的離子等帶電粒子誘導至樣品3之上表面或樣品載置面用的偏壓電位形成於其等之上方。亦即，於上部電極4的下方，基材2a作用為被施加偏壓用高頻電力的下部電極。
此外，於基材2a的內部係多重的同心狀或螺旋狀地配置冷媒流路19。於冷媒流路19，為了將基材2a或樣品載置面的溫度調節為適於樣品3的處理的溫度而供應的既定的溫度的冷媒在內部循環而流通。
於基材2a之上表面，配置氧化鋁或氧化釔等的介電體製的靜電吸附膜14。於靜電吸附膜14的內部，配置鎢等的金屬製的膜狀的電極15，被供應供於使樣品3靜電吸附用的直流電力。電極15係其背面經由配置於貫穿基材2a的貫通孔的內部的供電路徑27而與直流電源17電性連接。
此外，在基材2a的下方，在樣品台2的內部的供電路徑27上配置電阻或線圈等的元件32，該元件32係與接地的偏壓用高頻電力整合器21及經由此與偏壓用高頻電源20透過相同地具備同軸電纜的供電路徑而連接。再者，在貫通孔的下方，在樣品台2的內部的供電路徑27上配置電阻或線圈等的元件32，該元件32經由接地的低通濾波器16而與直流電源17連接。 　　本實施例的直流電源17及偏壓用高頻電源20係其一端側的端子接地或電性連接於接地端。
低通濾波器16及偏壓用高頻電力整合器21係為了抑制來自放電用高頻電源8的電漿形成用的高頻電力流入直流電源17及偏壓用高頻電源20而配置。透過就更高的頻率的電流的流動進行阻礙而進行濾波(過濾)的低通濾波器16，使得來自直流電源17的直流電力或來自偏壓用高頻電源20的高頻電力在無損耗之下分別供應至靜電吸附膜14及樣品台2，而從樣品台2側流入至直流電源17及偏壓用高頻電源20的電漿形成用的高頻電力經由低通濾波器16或偏壓用高頻電力整合器21而流至接地端。另外，在圖1中的從偏壓用高頻電源20的供電的路徑上雖未圖示低通濾波器16，惟具有同樣的功效的電路內置於圖示的偏壓用高頻電力整合器21內。
示於圖1的實施例具備複數個配置於靜電吸附膜14的內部的膜狀的電極15。 　　對於此等中之一者與另一者，以分別具有不同的極性的方式供應直流電壓，成為進行兩極性的靜電吸附者。為此，將靜電吸附膜14與樣品3的接觸面的面積進行2等分，或以近似於視為此之程度的範圍內的值將電極15分為2個區域而配置，供應個別獨立之值的直流電力，維持為不同的值的電壓。
樣品台2被配置傳熱氣體用的如下的貫通孔：被貫穿構成此之基材2a及靜電吸附膜14而配置，He等具有傳熱性的氣體在內部流通。在配置於靜電吸附膜14上表面上方而被其靜電吸附的樣品3的背面與靜電吸附膜14上表面之間的間隙，透過上述貫通孔的內部，從靜電吸附膜14上表面的開口，透過氦供應手段18供應氦氣。透過所供應的具有傳熱性的氦氣使得樣品3與靜電吸附膜14之間的傳熱提升，與基材2a內部的冷媒流路19的熱的交換量增大而提高調節樣品3的溫度的效率。
在基材2a的下方，配置以聚四氟乙烯等而形成的圓板狀的絕緣板22。配置絕緣板22，使得接地或與接地端電性連接而設為接地電位的基材2a與下方的構材產生絕緣。
再者，於基材2a之側面的周圍，配置被配置為將此包圍而連接的氧化鋁等的介電體製的環狀的絕緣層23。於在基材2a的下方於與其連接而配置的絕緣板22的下方與周圍及其上方的絕緣層23的周圍，配置由接地或與接地端電性連接而設為接地電位的導電性材料所構成的導電板29。
導電板29係從上方視看時具有圓形或近似於視為其之程度的形狀的板構材，於其中央部具備配置為如下的凹部：基材2a夾著絕緣板22、絕緣層23被配置於內側，基材2a的下表面與側面被包圍。此外，在凹部的外周側的位置具有遮蔽板24，其係從中央側朝外周側水平方向延伸的板狀的凸緣部。遮蔽板24係為了使形成於處理室內的樣品台2之上方的電漿偏(可謂封住)於處理室內部之上部而配置者，在板狀的凸緣部，為了供於使氣體、粒子於上下方向通過，具備複數個孔。
再者，在樣品台2之上部的靜電吸附膜14的具有略圓形的樣品載置面的外周側之處，以石英等的具有抗電漿性的介電體而構成的環狀的基座環25載於基材2a的外周部之上表面上方，配置為包圍樣品載置面。基座環25係配置為其外周緣部載於絕緣層23之上表面而將其覆蓋。
此外，具備：接地電位的導電板29，在中央部的凹部的內側具有基材2a及環狀的絕緣層23、與此等之下表面相接而配置於下方的圓板狀的絕緣板22，凹部之側壁包圍絕緣板22與絕緣層23之側面而配置；遮蔽板24，屬在該導電板的外周側的部位，從中央側朝外周側延伸，其前端與真空容器10的處理室內壁面接近或接觸。此外，本實施例的導體板29，雖未圖示，接地或與接地端電性連接而設為接地電位。
導電板29係由導電性的材料構成，惟在面向電漿的遮蔽板24係至少具有由鋁等的導電性的材料而構成的構材、於其表面被陽極氧化處理而形成的防蝕鋁皮膜或熱噴塗陶瓷等的介電體的材料而形成的皮膜。此外，如上所述，構成為，於遮蔽板24，形成複數個氣體通過孔30，從噴灑板5供應的處理氣體、處理室內的電漿或生成物的粒子通過氣體通過孔30的內側，朝樣品台2下方的排氣用的開口流於樣品台2的外周側的處理室內空間。
再者，在將靜電吸附用的直流電源17與鎢製的電極15之間電性連接的供電路徑27及在偏壓用高頻電源20與基材20a之間將此等電性連接的包含同軸電纜的供電路徑上，配置包含電阻或線圈的元件32。在本實施例，以1000Ω的電阻而構成在供電路徑27上配置於低通濾波器16與鎢電極15之間的元件32，使配置於偏壓用電源20與基材2a之間的供電路徑上，亦即使配置於偏壓用高頻電力整合器21與基材2a之間的元件32為具有0.5μH(對於用於電漿形成用高頻電力的200MHz的電力具有628Ω的阻抗者)的電感者，例如採用包含線圈的元件。
利用圖2及圖3說明本實施例的樣品台的構成。圖2係示意性就示於圖1的實施例相關之電漿處理裝置的樣品台的構成的概略進行繪示的縱剖面圖。圖3係示意性就示於圖2的本實施例的樣品台的構成的概略進行繪示的圖。圖2(b)係從上方視看樣品台2之上表面時的俯視圖，圖3係示出沿著圖2(b)的A-A線時的縱剖面圖。
在示於圖2之例，放大顯示樣品台2的主要部分，亦即放大顯示基材2a及配置於其上表面上方的靜電吸盤201的構成；在示於圖1的實施例中亦配置其他構材作為構成樣品台2的構材，在圖2省略此等。
於示於圖2之例，配置於樣品台2的內部的具有圓筒形或圓板形且以金屬而形成的基材2a，係與未圖示的偏壓用高頻電源20經由偏壓用高頻電力整合器21透過以同軸電纜等而構成的供電路徑進行連接。再者，於基材2的內部，溫度被透過未圖示的溫度調節器而調節的冷媒在內部流通的冷媒流路19繞基材2a之中心而同心狀地配置為多重或螺旋狀。本例係就基材2a或樣品台2的溫度，使溫度被調節的冷媒循環於樣品台2內部的冷媒流路19而進行，惟亦可在基材2a的內部，在冷媒流路19與載於基材2a上方的靜電吸盤201之間配置加熱器等的加熱或溫度調節的手段。
於基材2a上表面之上方，具有圓形或近似於視為此之程度的形狀的包含板狀的構材而構成的靜電吸盤201被配置為在與基材2a上表面之間夾著樹脂製的黏合層204而相互連接。再者，樣品台2具備貫穿基材2a、黏合層204、靜電吸盤201而配置的複數個貫通孔。本例的樣品台2的貫通孔分別包含複數個頂起銷孔205及傳熱氣體供應孔207，該頂起銷孔205係在使樣品載於前端的狀態下移動於上下而將樣品3在樣品台2上方予以上下動的頂起銷被配置於內部者，該傳熱氣體供應孔207係在使樣品3載於靜電吸盤201上表面上的狀態下對樣品3背面與靜電吸盤201上表面之間的間隙所供應的He等的具有傳熱性的氣體在內部流通者。
大致區分時靜電吸盤201具備：吸附板202，由氧化鋁(Al2O3)或包含其之陶瓷材料被燒成為既定的形狀而形成的燒結板所構成；表面膜206，配置為遮蓋吸附板202之上表面，構成靜電吸盤201之上表面。於吸附板202的內部，配置與未圖示的17經由低通濾波器16連接的複數個膜狀的電極15。本例的吸附板202係在內部配置鎢等的金屬的電極15用的材料的陶瓷材料在模具的內部被燒成而形成者。另外，上述的溫度調節的手段方面，亦可在黏合層204與基材2a上表面之間，配置陶瓷等介電體製的膜，該膜係在其內部配置加熱器用的膜狀的電極，透過熱噴塗法而形成。
從連結於真空容器10的搬送室，朝真空容器11內部的處理室，樣品3被載於配置在搬送室內部且具備複數個腕被連結而構成為可伸縮的臂件的搬送用機器人的臂件前端部而搬送，運至樣品台2上方時，收納於樣品台2內部的複數個頂起銷孔205內部的複數個(本例係3個)頂起銷透過未圖示的驅動裝置的驅動，朝上方移動，頂起銷的前端突出於靜電吸盤201上表面上方，與保持於臂件上的樣品3的背面相接。再者，頂起銷朝上方移動，使得樣品3 進一步抬起於上方，從而使樣品3從臂件傳遞至頂起銷。臂件收縮使得從真空容器11內部退出至搬送室時，真空容器11的閘門透過閘閥被關閉而密封。樣品3係頂起銷朝下方移動而收納於樣品台3的頂起銷孔205內部，從而載置於靜電吸盤201上表面。
在此狀態下，對電極15從直流電源供應電力，複數個電極15具有不同的極性，使得由於在電極15與樣品3之間的靜電吸盤201內部產生的正負的電荷，而使樣品3吸附於靜電吸盤201上表面。在此狀態下，通過傳熱氣體孔207對樣品3背面與靜電吸盤201上表面之間供應He等的具有傳熱性的氣體，促進與調為既定的溫度的冷媒供應於冷媒流路19而循環使得溫度被調節的基材2a之間的熱的傳達。
再者，與配置於樣品台2下方的處理室底面的排氣用的開口連結的排氣裝置被驅動，使得真空容器11內部的處理室被排氣，同時通過噴灑板5的貫通孔而供應處理用的氣體，透過供應至處理室內的處理用的氣體的流量或速度、從排氣用的開口的排氣的流量或速度的平衡，從而使處理室內的壓力被調節為適於處理的開始的範圍內的值。於處理室內，來自放電用高頻電源8的電漿形成用的高頻電力被供應於上部電極4，通過石英等的介電體製的噴灑板5而供應電漿形成用的電場，同時供應透過電磁線圈1而形成的磁場，處理用的氣體的原子或分子被激發而電離或解離，在處理室內的樣品台2上方形成電漿11。
頻率比電漿形成用的高頻電力小的來自偏壓形成用高頻電源20的偏壓形成用的高頻電力被供應至基材2a，在樣品3上表面上方形成偏壓電位，依與電漿11的電位差，電漿11內的離子等帶電粒子被誘導而衝撞於樣品3表面，開始預先配置於該表面的作為處理對象的膜的處理。一面熱在與透過冷媒調節為既定的範圍內的溫度的基材2a之間傳達一面進行樣品3的處理，透過未圖示的判定器而檢測出處理的終點時，往偏壓形成用的高頻電力的基材2a的供應停止，處理停止而電漿11熄滅。之後，電極15被賦予與處理中不同的極性而使吸附樣品3的靜電力被減低後，頂起銷被朝上方驅動，樣品3被抬起至靜電吸盤201上方。
之後，通過閘閥被驅動而開放的閘門，搬送室內的搬送用機器人的臂件進入處理室內，使前端部位於樣品3與靜電吸盤201之間的狀態下，頂起銷再度下降而收納於頂起銷孔205內，從而將樣品3從頂起銷傳遞至臂件前端部。臂件由於該收縮而從閘門退出至搬送室內時，樣品3載於臂件而從真空容器11內部被搬出，存在接下來被處理的預定的樣品3的情況下，透過與上述同樣的動作，下個樣品3在處理室內被處理，判斷為無接下來應被處理的樣品3時，停止本例的電漿處理裝置的半導體裝置製造用的運轉。
如示於圖2(b)及圖3，本實施例的靜電吸盤201於其上表面具備複數個突起或凸狀部分，在其上表面 上方載置樣品3。凸狀的部分具備：外周凸部305，沿著吸附板202的外周緣而包圍吸附板202上表面之中央側部分，配置為環狀；及複數個(本例係3個)內側凸部306，在頂起銷孔205之上端開口的周圍將此包圍而配置為環狀；以及複數個柱狀的突起部304，配置於外周凸部305、內側凸部306之間的吸附板202上表面，為具備圓筒或截錐狀的突起部分，上端面具有比內側凸部306的內徑小的徑。本例的3個頂起銷孔205係其上端的開口之中心在從上方視看靜電吸盤201時具有圓形的吸附板202之中心的周圍形成相同或近似於視為同等的程度的角度，配置於距離中心相同的或同等的半徑位置。
複數個突起部304係在外周凸部305的內側的吸附板202上表面的整體全部，各個的距離非必相同，每單位面積的突起部304之上端面的面積以成為均等或近似於視為此之程度的值且高度H1亦成為相同或同等的方式預先形成1300個。再者，本實施例的吸附板202之上表面，除突起部304之上端部，包含外周凸部305、內側凸部306上端面被由介電體製的材料而構成的表面膜206遮蓋。在此狀態下，各突起部304彼此之間的吸附板202之上表面亦由表面膜206遮蓋，此突起部304彼此之間的表面膜206之上表面係設為比不具有表面膜206的突起部304上端面低。
在圖3，突起部304的大小及個數係模式化而顯示，圖示的突起部304的個數係與實際不同。外周凸部305係在樣品3載於靜電吸盤201上表面而被靜電吸附之 際，樣品3背面的外周緣部與外周凸部305之上端面抵接，吸附力施加於兩者。將樣品3背面、靜電吸盤201上表面之間的間隙、外周凸部305外周側的處理室內的空間之間大致上氣密地區劃，將供應至該間隙的氦等的具有傳熱性的氣體關入間隙內而抑制洩漏至處理室內。
如示於圖2(b)及圖3，本例的吸附板202係將包含Al2O3的陶瓷材料予以燒成而形成的燒結板，具備：外周凸部305，環狀地配置於外周緣部，作成具有半徑方向上的寬度W的平坦的上端面的高度比吸附板202之中央側的部分之上表面高；具有圓筒狀的突起部304，配置於外周凸部305內側，作成具有徑D的平坦的圓形之上端面的高度比周圍高。包含外周凸部305之上表面的吸附板202之上表面，除突起部304之上表面、側壁面及突起部304之側壁下端部的周圍的吸附板202之上表面的環狀的區域以外，被包含包括氧化釔(Y2O3)的陶瓷製的材料而構成的表面膜206覆蓋。
表面膜206配置為亦覆蓋外周凸部305之上表面與內周側之側壁面，將突起部304與外周凸部305之間的吸附板202之上表面在不空出之下進行覆蓋。如此般覆蓋外周凸部305之中央側的吸附板202上表面的表面膜206之上表面係作成高度比突起部304之上端面的高度低，樣品3被載於靜電吸盤201上而靜電吸附的狀態下構成非接觸面301。本實施例中，如示於圖3，此等間的距離以H2表示，作成比從突起部304的附近的吸附板202之上表面起算的高 度H1小。
另外，如示於圖3，在本例係在吸附板202內部的外周凸部305及突起部304的下方的投影區域配置電極15，透過供應至電極15的直流電力而形成的電荷通過外周凸部305以及突起部304而形成。藉此，被構成為因靜電而產生的壓住力作用於此等上表面與載於其上方的樣品3的背面之間。
包含本實施例的突起部304的下端部將此的周圍包圍的環狀的吸附板202上表面的區域成為未配置吸附膜22的非遮蓋部303。亦即，配置於具有圓筒形的突起部304的周圍的表面膜206配置為與圓筒形的突起部304之側壁的下端部空格距離。藉此，突起部304的圓形之上端面及圓筒或截錐狀之側壁以及下端的周圍的吸附板202上表面，係在樣品3載於靜電吸盤201的狀態下不與樣品3背面接觸而曝露於構成樣品3與靜電吸盤201之間的間隙的空間，在未載置樣品3的狀態下曝露於處理室內的空間。
另外，在本實施例，具有圓板形狀的靜電吸盤201係直徑
Figure 107130240-A0305-02-0026-1
為295mm，上表面的面積為683.1cm2。此外，未由表面膜206遮蓋的區域207的總面積係約22.9cm2(突起部4及突起周邊的未塗佈氧化釔的部分的面積×突起數)，相對於靜電吸附面的總面積的氧化釔的遮蓋率係約96.7%。
本例的吸附膜206係透過PVD(Physical Vapor Deposition)法而形成厚度為5μm的Y2O3(氧化釔)。此外， 突起部304的高度H1作成15μm，直徑D作成1mm。再者，作為覆蓋外周凸部305上表面的表面膜206上表面的外周密封部32表面與外周凸部305之中央側的表面膜206的非接觸面301之間的高度的差H2係等於外周密封部32的階差的高度，為10μm。然後，突起部304上端面與密封部32上表面之上下方向的高度位置作為相等或近似於視為此之程度者，換言之構成為位於相同面上，突起部304上端面與密封部32上表面係在樣品3靜電吸附於靜電吸盤201上的狀態下，同樣地與樣品3背面抵接。
再者，突起部304的周圍的未被表面膜206遮蓋的非遮蓋部303係其外周端的位置，亦即，在突起部304的外周將其包圍的表面膜206的內周端的徑係作成突起部304直徑的1.5倍以內的範圍。在本實施例，作成圓筒形的突起部304係直徑為1mm，故非遮蓋部303的徑為
Figure 107130240-A0305-02-0027-2
1.5mm。此外，外周凸部305的寬度W作成3mm。
如上述的實施例，以90%以上的遮蓋率透過氧化釔製的表面膜206遮蓋氧化鋁製的吸附板202之上表面，使得曝露於電漿11的部分比先前技術顯著減低，抑制因與電漿11內的粒子的相互作用而消耗的吸附板202的氧化鋁的總量。藉此，抑制氧化鋁與電漿11內的粒子發生作用使得鋁(Al)、鎂(Mg)等的金屬種類擴散至真空容器11內部的處理室內，抑制對於處理對象的樣品3之金屬所致的污染。
電漿11所致的消耗係氧化釔比氧化鋁顯著 少，可大幅減低伴隨氧化釔的消耗之成為發生對於處理室內的污染的原因之物質的擴散。雖吸附板202上表面的表面膜206的遮蓋率越高時抑制污染的功效越大，惟將90%以上以使氧化釔作為主成分的表面膜206遮蓋，使得可充分抑制金屬所致的污染。
從金屬污染防止的觀點而言，優選上表面膜206將包含突起部304的所有的表面的吸附板202上表面的全部整個遮蓋。然而，自歷來已知氧化釔的機械強度比氧化鋁顯著低，配置於與樣品3伴隨靜電吸附而抵接之處的情況下，由於因兩者的接觸或壓住力而局部產生的過度的應力使得氧化釔損傷、破損，其碎片脫離至處理室內，附著於樣品3、其他處理室的內表面而產生異物。
專利文獻1已揭露在相當於本實施例的突起部304的突出部的頂部上表面未配置氧化釔的構成。依此構成時，迴避推定為形成最大的應力的突出部的頂部上表面的皮膜破損。然而，本實施例的突起部304的高度H1設定數μm至數十μm的範圍內者，且實質上無法迴避在吸附板202之上表面整體上在各突起部304的高度H1方面產生變異性。作為此結果，不僅突起部304的頂部，取決於突起部304，亦於構成頂部上端面附近之側壁面的構材施加應力，具有在覆蓋此附近之側壁面的包含氧化釔的表面膜206發生破損之虞。
在本實施例，為了抑制伴隨與此樣品3的接觸之下的局部的應力使得發生表面膜的破損而發生處理室或樣品3的污染，在突起部304的頂部上表面及側壁面以及將突起部304下端的外周環狀地包圍的吸附板202的表面未配置包含氧化釔而構成的表面膜206。為此，由於因樣品3接觸或吸附而在突起部304的頂部上表面與包圍其外周緣的附近之側壁面產生的應力，發生表面膜206損傷或缺損，產生成為異物的原因的碎片、粒子。
在上述的實施例中，在突起部304的表面及其周圍的吸附板202上表面形成未施加氧化釔的表面膜206的非遮蓋部303的程序方面，考慮示於以下的2個順序。
在第1順序，首先就靜電吸盤201的吸附板202上表面的整體，利用PVD、熱噴塗法等遮蓋氧化釔或包含此之陶瓷材料。接著，在突起部204及其周邊的既定的區域的吸附板202之上表面設置遮罩，在樣品3面向的靜電吸附面遮蓋表面膜206。之後除去遮罩，將僅突起部304及其周邊部具有開口的遮罩施加於已施加表面膜206的上表面的整體，利用噴沙或研磨劑進行研磨，僅除去遮罩的開口部的表面膜206。
第2順序，係將遮罩僅施加於突起部304及其周邊的吸附板202上表面的部分，在吸附板202上表面的整體將包含氧化釔的陶瓷材料利用PVD、熱噴塗法等形成皮膜，配置表面膜206。接著，除去配置為覆蓋突起部304及其周邊的部分的遮罩，形成未施加表面膜206的非遮蓋部303。
第1及第2順序皆需要配合預先形成於氧化鋁製的吸附板202上表面的突起部304各者的位置而配置遮罩。為此，與突起部304的頂部的直徑相同的徑的遮罩在對於突起部304的位置對準方面需要高的精度，製造成本變高。遮罩的開口部的徑方面，具有突起部304的直徑的1.5倍程度的似然度時，可抑制伴隨遮罩的製作及遮罩的配置的成本，進而製作的良率亦提升。
另一方面，知悉未被表面膜206覆蓋的非遮蓋部303的面積低於相對於面向樣品3的背面的靜電吸盤201或吸附板202之上表面的整體的面積的10%的(被表面膜206遮蓋的區域為90%以上)情況下，充分抑制上述實施例的污染、異物。由此，使遮蓋部33的外周緣(包圍突起部304周圍的表面膜206的內周緣)的徑為突起部304的下端部的徑的1.5倍以內，從而抑制遮蓋表面膜206而製造靜電吸盤201的成本。
利用圖4及5說明上述實施例的變形例的構成。圖4係將示於圖1的本發明的實施例的變形例相關的電漿處理裝置的樣品台的靜電吸盤的構成的一部分進行放大而示意性繪示的縱剖面圖。圖5係將示於圖1的本發明的實施例的別的變形例相關的電漿處理裝置的樣品台的靜電吸盤的構成的一部分進行放大而示意性繪示的縱剖面圖。
在圖4之例，於突起部304的頂部上表面與該上表面的外周緣附近的突起部304之側壁面401，未施加表面膜206。本例的突起部304係成為如下的構成：其頂部上表面與側壁面401在樣品3未載於靜電吸盤201的狀態下曝露於處理室內，在載置的狀態下側壁面401曝露於樣品3與靜電吸盤201上表面之間的間隙的空間。
亦即，於突起部304之側壁表面具備表面膜206之側壁遮蓋部402，從其下端覆蓋至比頂部上表面外周低的既定的高度為止。側壁遮蓋部402之上端係其高度作成比突起部304周圍的非接觸面301的高度高，且被構成為該上端與突起部304頂部上表面的外周緣之間具有的距離，即使在樣品3被載於靜電吸盤201上而吸附的狀態下兩者仍不接觸。
再者，示於圖5的變形例示出如下之例：突起部304之側壁亦包含下端部被表面膜206遮蓋表面膜206的非接觸部301與突起部304側壁相接之處的表面膜206的厚度設為與非接觸部301同等。
此等變形例皆至比突起部304的構成為平坦的頂部上表面的外周緣低之處為止，突起部304之側壁面被表面膜206遮蓋。藉此，由於在靜電吸盤201之上表面整體上的突起部304的頂部上表面具有高度的變異性，使得發揮與上述實施例同樣的減低如下情形的功效：在吸附樣品3之際的突起部304的頂部的變形及伴隨此之遮蓋突起部304之側壁面進而其下方的該側壁面的表面膜206與樣品3背面發生接觸而發生接觸膜206的缺損、破割，發生污染、異物。在此等變形例，表面膜206的吸附板202上表面的遮蓋率比實施例高，故進一步提高抑制污染、異物的發生的功效。然而，於突起部304之側壁面需要精密地形成表面膜206，為了此達成，需要於遮蓋表面膜206的程序以高的精度形成及配置遮罩，製造成本變高。
在上述之例係使突起部304的高度H1為15μm。此係透過突起部304抑制樣品3與靜電吸盤201的非接觸面301上表面發生接觸，對於樣品3抑制產生靜電吸盤201起因的異物。
然而，突起部304的高度H1高至所需以上時，樣品3與靜電吸盤201進而樣品台2之間的傳熱的量、效率恐降低，調節樣品3的溫度的性能恐降低。由此，於本實施例，優選上使突起部304的高度為20μm以下。
此外同樣地，在上述之例，使具有圓筒形或截錐形的突起部304的頂部上表面的直徑為1mm。突起部304的直徑大時，為了使表面膜206的遮蓋率為90%以上而需要減少突起部304的個數。突起部304數變少、突起部304彼此之間的距離增加時，在靜電吸附樣品3的狀態下樣品3與表面膜206的非接觸面301發生接觸的可能性變高，對於樣品3抑制污染、異物的功效恐減低。
依發明人的檢討獲得以下的發現：為了減低如此的樣品3與非接觸面301的接觸，突起部304在密封部302以外的區域盡可能配置為均等，且在直徑為約300mm的吸附板202上表面上需要300個程度。要此條件與使非遮蓋部303的面積低於吸附板202之上表面的面積的10%，需要使突起部304的頂部上表面的徑為2mm以下。
再者，在上述之例，表面膜206的密封部302及非接觸面301的厚度係作成5μm。此厚度需要可使供於形成表面膜206用的成本與表面膜206的壽命同時成立，優選上從2μm～10μm的厚度的範圍內選擇。此外，表面膜206雖採用PVD，惟利用CVD(Chemical Vapor Deposition)、熱噴塗如此的其他方法亦獲得同樣的功效不言而喻。
在上述之例，作為吸附板202運用利用以氧化鋁為主材料的材料而燒成的燒結板。配置於其內部的電極15至樣品3相接的上表面為止的厚度作成約200μm～300μm。
因此，表面膜206配置為靜電吸盤201的表面的微小的厚度的層。依如此之構成，在透過電極15進行庫侖方式的靜電吸附的情況下，以耐電壓特性高、體積電阻率亦高的氧化鋁作為主材料而構成吸附板202，使得可實現利用高電壓施加之下的高的吸附特性，可有效抑制伴隨低漏電流之下的殘留吸附。
依以上的實施例時，在使樣品3靜電吸附於靜電吸盤201之際即使突起部304頂部與樣品3的背面抵接而該頂部變形，仍抑制遮蓋突起部304的表面膜206損傷或缺失而附著於樣品3成為異物，損及樣品3的處理的良率。再者，減低靜電吸盤201上表面的表面膜206的損傷，修補、保養靜電吸盤201或基材2a所需的時間之間隔變長，處理的效率提升。
1‧‧‧電磁線圈2‧‧‧樣品台3‧‧‧樣品4‧‧‧上部電極5‧‧‧噴灑板6‧‧‧氣體導入線路7‧‧‧上部電極用冷媒流路8‧‧‧放電用高頻電源9‧‧‧放電用高頻電力整合器10‧‧‧真空容器11‧‧‧電漿12‧‧‧上部電極絕緣體13‧‧‧絕緣環14‧‧‧靜電吸附膜15‧‧‧電極16‧‧‧低通濾波器17‧‧‧直流電源18‧‧‧氦供應手段19‧‧‧冷媒流路20‧‧‧偏壓用高頻電源21‧‧‧偏壓用高頻電力整合器22‧‧‧絕緣板23‧‧‧絕緣層24‧‧‧遮蔽板25‧‧‧基座環26‧‧‧壓力調整閥27‧‧‧供電路徑29‧‧‧導體板30‧‧‧氣體通過孔31‧‧‧電容器32‧‧‧元件201‧‧‧靜電吸盤202‧‧‧吸附板204‧‧‧黏合層205‧‧‧頂起銷孔206‧‧‧表面膜207‧‧‧傳熱氣體孔301‧‧‧非接觸面302‧‧‧密封部303‧‧‧非遮蓋部304‧‧‧突起部305‧‧‧外周凸部306‧‧‧內側凸部
[圖1]就本發明的實施例相關的電漿處理裝置的構成的概略進行說明的圖。
[圖2]示意性就示於圖1的實施例相關之電漿處理裝置的樣品台的構成的概略進行繪示的縱剖面圖。
[圖3]示意性就示於圖2的本實施例的樣品台的構成的概略進行繪示的圖。
[圖4]將示於圖1的本發明的實施例的變形例相關的電漿處理裝置的樣品台的靜電吸盤的構成的一部分進行放大而示意性繪示的縱剖面圖。
[圖5]將示於圖1的本發明的實施例的別的變形例相關的電漿處理裝置的樣品台的靜電吸盤的構成的一部分進行放大而示意性繪示的縱剖面圖。
2‧‧‧樣品台
2a‧‧‧基材
15‧‧‧電極
19‧‧‧冷媒流路
201‧‧‧靜電吸盤
202‧‧‧吸附板
204‧‧‧黏合層
205‧‧‧頂起銷孔
206‧‧‧表面膜
207‧‧‧傳熱氣體孔
301‧‧‧非接觸面
302‧‧‧密封部
304‧‧‧突起部

Claims (8)

  1. 一種電漿處理裝置，其為被載於配置在真空容器內部的處理室內的樣品台上而保持的作為處理對象的樣品被利用形成於該處理室內的電漿而處理者，配置於前述樣品台上部並構成載置前述樣品的上表面的第1介電體製的板狀的構材在其上表面具備：外周凸部，其沿著外周緣將該上表面之中央側部分包圍，配置為環狀；複數個柱狀的突起部，其配置於此外周凸部之中央側的前述板狀構材之上表面，在其頂部上表面上載置前述樣品；第2介電體製的膜，其覆蓋前述外周凸部之中央側的前述板狀構材之上表面，亦即覆蓋除前述突起部的前述頂部上表面及與其頂部上表面的外周緣相連的該突起部的側壁面以外的板狀構材之上表面；在前述樣品載於前述突起部的前述頂部上表面的狀態下，在包圍前述突起部的周圍的前述第2介電體製的膜的最接近樣品的上端部與前述樣品之間的間隙，前述突起部的側壁面露出。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中，覆蓋前述外周凸部之上表面而配置前述第2介電體製的膜，前述樣品在配置於該外周側凸部上的第2介電體製的膜上表面與複數個前述突起部的頂部上表面之上被載置而保持。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，在配置於前述外周凸部之中央側的前述第2介電體製的膜之上表面與該樣品之間空出間隙而使前述樣品載於前述突起部上而保持於前述樣品台上。
  4. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，前述第2介電體製的膜被配置為將除包含前述突起部的下端的周圍的前述板狀構材之上表面以外的前述板狀構材之上表面覆蓋。
  5. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，前述突起部的高度為20μm以下、頂部上表面的徑為2mm以下。
  6. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，前述第2介電體膜的厚度為2μm以上、10μm以下。
  7. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，前述板狀構材之上表面的被前述第2介電體製的膜覆蓋的部分的面積相對於該上表面整體的面積的比例為90%以上。
  8. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，前述第1介電體包含氧化鋁，第2介電體包含氧化釔。
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