JP2021141141A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

【課題】放電のリスクが低減され、絶縁性基板を高い吸着力で精度よく吸着できる絶縁性基板用の静電チャックを提供する。【解決手段】少なくとも被吸着面が絶縁体で形成された絶縁性基板を吸着する絶縁性基板吸着用静電チャック１００であって、セラミックス基台１０と、前記セラミックス基台１０の一方の主面に形成され、前記絶縁性基板を吸着する吸着面２２を有する絶縁層２０と、前記セラミックス基台１０と前記絶縁層２０との間に形成される一対の電極３０ａ、３０ｂと、を備え、前記絶縁層２０は、前記セラミックス基台１０と同一のセラミックス焼結体であり、前記絶縁層２０の厚みＤは、０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、前記一対の電極３０ａ、３０ｂの電極間の距離Ｇは、０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、絶縁性基板を吸着保持する静電チャックに関する。

従来から、半導体製造装置等において、ガラス基板などの絶縁性基板を保持する双極型静電チャックが用いられている。絶縁性基板を静電吸着するには、隣り合う電極に異なる電圧を印加することで不均一電界を発生させ、グレーディエント力（gradient力）を発揮させることが有効である。

特許文献１は、電極のすぐ上に被吸着基板を設置できるようにすることで、静電チャックの吸着力を高め、更に、電極には耐摩耗性のすぐれたチタン、チタンを含む化合物、酸化チタン、または窒化チタン若しくは炭化チタンなどの導電性のセラミックを用いることで被吸着基板との接触による耐久性と、パーティクルなどの異物に対しての強固さを維持できるようにする双極型静電チャックが開示されている。

また、特許文献２は、電極間の距離は０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下とし、前記電極の幅Ｗは１．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下とし、誘電体層の厚みは０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下とし、更に異常放電防止のため誘電体層の体積抵抗率を１０^１５Ω・ｃｍ以上とする静電チャックが開示されている。

また、特許文献３は、２極以上の電極と、それを覆う誘電層とを備え、真空中で誘電層をガラス基板に接触させて吸着保持する真空貼り合わせ装置用静電チャックにおいて、前記誘電層の厚さ寸法を５０〜２００μｍ、前記電極が２極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極の幅寸法を０．５〜１．５ｍｍ、この櫛歯型電極同士の間隔を０．５〜１．５ｍｍにしたことを特徴とする静電チャックが開示されている。

また、特許文献４は、製膜粒子と製膜補助粒子を混在させてガス中に分散させたエアロゾルを、電極の幅が３００μｍより小さな、２極以上の電極を形成させた絶縁性支持プレートに吹き付けて形成させて誘電体層を形成させることで、耐電圧の高い１０〜５０μｍ層厚の誘電体層とした静電チャックとし、電極間に電位差を与えて不均一電界を発生させ、この不均一電界によって被吸着物である絶縁性の基板をグラジエント力によって強固に吸着することを可能とした静電チャックが開示されている。

特開２００６−０６６８５７号公報 特開２００６−０４９８５２号公報 特開２００８−０２７９２７号公報 特開２００７−１０９８２７号公報

特許文献１では、電極が絶縁層から突出（露出）して配置され、かつ吸着される基板と直に接しているため、周囲の環境の影響を受けやすく吸着時の高電圧印加により、電極間で放電（沿面放電）を起こす危険性がある。特許文献２では、電極を覆う絶縁層の厚みが厚く、ガラス基板の吸着能力が十分ではない。特許文献３は、絶縁層として、有機材料を用いており、クッション性があるため吸着されるガラス基板等を精密な位置に重ねあわせる用途など精密な位置合わせや吸着時のガラス基板の平坦性が必要となる用途には不向きである。

特許文献４では、電極を覆う絶縁層が、電極の下部に位置する基台とは別の非晶質のセラミック材料で形成されている。緻密な膜で形成するとあるが、一般に非晶質は、結晶体に比べると、高電圧印加時の耐電圧に劣り、絶縁破壊の危険が高くなる。電極間隔が０．２ｍｍ以下とあり、特にガラス基板を静電吸着するような電極間に高電圧を必要とする用途では、絶縁破壊のリスクが大きい。また、シリコンウエハ等の導体基板を静電吸着する場合と異なり、ガラス基板など絶縁性基板を静電吸着するにはグレーディエント力を発揮させるため、ガラス基板の厚み全体に不平等電界を生じさせる必要がある。しかし、一般的なガラス基板の厚みが、開示されている電極間隔よりかなり大きいため、ガラス基板の厚み領域（例えば厚みの中間点）では電極間に形成された不平等電界の効果が大きくならず、吸着力が小さくなってしまう。

特許文献１から４には上記のような課題があり、そのため、放電のリスクが低減され、絶縁性基板を高い吸着力で精度よく吸着できる絶縁性基板用の静電チャックが求められていた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、放電のリスクが低減され、絶縁性基板を高い吸着力で精度よく吸着できる絶縁性基板用の静電チャックを提供することを目的とする。

（１）上記の目的を達成するため、本発明の絶縁性基板吸着用静電チャックは、少なくとも被吸着面が絶縁体で形成された絶縁性基板を吸着する絶縁性基板吸着用静電チャックであって、セラミックス基台と、前記セラミックス基台の一方の主面に形成され、前記絶縁性基板を吸着する吸着面を有する絶縁層と、前記セラミックス基台と前記絶縁層との間に形成される一対の電極と、を備え、前記絶縁層は、前記セラミックス基台と同一のセラミックス焼結体であり、前記絶縁層の厚みＤは、０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、前記一対の電極の電極間の距離Ｇは、０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることを特徴としている。

このように、セラミックス基台と同一のセラミックス焼結体とした絶縁層を所定の厚みとし、かつ、電極間の距離Ｇを所定の範囲にすることで、ガラス基板などの絶縁性基板に対する十分な吸着力を発揮させると共に、絶縁性基板を静電吸着するグレーディエント力を発揮させるための高電圧に対しての絶縁破壊の虞を低減することができる。これにより、絶縁性基板を高い吸着力で精度よく吸着できるため、絶縁性基板の平坦性精度を向上させることができる。

（２）また、本発明の絶縁性基板吸着用静電チャックにおいて、前記一対の電極の電極幅Ｗは、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることを特徴としている。電極幅Ｗをこのような範囲にすることで、静電チャック全面に配置される電極数を十分多くすることができ、グレーディエント力の発生する領域の密度を増やすことで小さな印加電圧で十分な吸着力を得ることができる。

（３）また、本発明の絶縁性基板吸着用静電チャックにおいて、前記絶縁層の吸着面の最大寸法が２９０ｍｍ以上であることを特徴としている。静電チャックの寸法を大きくすると、絶縁層を均一に薄く制御して形成することが困難であったが、本発明のように、絶縁層をセラミックス基台と同一のセラミックス焼結体とし、絶縁層の厚みＤ、電極間の距離Ｇを所定の範囲に制御することで、静電チャックの寸法を大きくしても、絶縁層を均一に薄く制御して形成できる。これにより、近年大型化している絶縁性基板に対しても対応できる。

本発明の実施形態に係る静電チャックの一例を示した部分断面図である。 本発明の実施形態に係る静電チャックの電極パターンの一例を示した模式図である。 （ａ）〜（ｄ）、それぞれ本発明の静電チャックの製造方法の一例を示した模式的な断面図である。 実施例および比較例の条件、および評価を示した表である。

次に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。なお、構成図において、各構成要素の大きさは概念的に表したものであり、必ずしも実際の寸法比率を表すものではない。

［実施形態］
本発明の実施形態に係る静電チャックについて図１および図２を参照して、説明する。図１は、本発明の実施形態に係る静電チャックの一例を示した部分断面図である。また、図２は、本発明の静電チャックの電極パターンの一例を示した模式図である。静電チャック１００は、セラミックス基台１０と、絶縁層２０と、電極３０と、を備えている。セラミックス基台１０は、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス焼結体により略平板状に形成されている。セラミックス基台１０は略円板状のほか、多角形板状又は楕円板状などのさまざまな形状であってもよい。

絶縁層２０は、セラミックス基台１０の一方の主面に形成され、絶縁性基板を吸着する吸着面２２を有する。絶縁性基板とは、少なくとも被吸着面が絶縁体で形成された基板をいう。絶縁性基板は、例えば、ガラス基板や、ガラス基板の被吸着面と対向する面に導電体層が形成された基板である。絶縁層２０は、セラミックス基台１０と同一のセラミックス焼結体である。また、絶縁層２０は、セラミックス基台１０と一体的に焼成され、形成されることが好ましい。絶縁層２０は、焼成後に所定の厚みや平面度にするために研削、研磨加工等がされることが好ましい。

絶縁層２０の厚みＤは、電極間の（沿面）放電、絶縁破壊等が回避される厚みであれば十分であり、電極間に電位差が維持され、グレーディエント力により静電吸着が可能となる。絶縁層２０を備えることで、環境に影響を受けやすい雰囲気、例えば大気中や特定の真空度の真空中などで効果がある。そのため、放電を回避するために１μｍ以上の絶縁層（絶縁性薄膜）を形成しておけば一定の耐電圧向上効果が認められる。しかし、更に高い耐電圧を得るにはセラミックス基台の上に新たな絶縁層を形成するより、セラミックス基台と同じ焼成体で絶縁層を形成することが好ましい。セラミックス基台と絶縁層が強固に一体化し絶縁破壊のリスクが低減するためである。その結果、より高い静電力を発揮させることができる。同時に絶縁層はセラミックス基台と同一の焼成体からなり一体化するため、外形が精密に加工できるとともに絶縁性基板を吸着する際に絶縁層が変形することなく高い精度で絶縁性基板を静電吸着することができる。

絶縁層２０の厚みＤは、０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。また、０．０５ｍｍ以上０．１０ｍｍ以下であることが好ましい。０．００１ｍｍ未満である場合、十分な耐電圧が得られない虞がある。また、０．０１ｍｍより小さいと絶縁層を均一に機械加工することが難しくなり手加工による調整加工が必要となり製造コストが増大する。０．０５ｍｍ以上であれば絶縁層の均質な研削加工が可能になり実用性が向上する。また、０．１ｍｍより大きい場合、ガラス基板に働く不平等電界の効果が大きくならず吸着力が小さくなる。

なお、絶縁層２０の厚みＤは、吸着面２２上の所定の複数の点において、渦電流式膜厚計、または超音波探傷装置により測定した値の平均値である。測定する点の数は、吸着面２２全面の平均値となるように、吸着面２２全面に分散する８点以上であることが好ましい。なお、測定する点は、測定の仕様により例外的に電極の幅が広くなっている場合がある。また、静電チャック１００を吸着面２２に垂直な複数の面で切断し、切断面をＳＥＭや顕微鏡によって観察し、吸着面２２から垂直に引いた等間隔の複数の直線で、吸着面２２上の点から電極３０が配置された電極層３２の上層までの距離を測定した値の平均値を絶縁層２０の厚みＤとしてもよい。十分な数の所定の複数の点において、渦電流式膜厚計、または超音波探傷装置により測定した値の平均値は、切断面において十分な数測定した値の平均値と精度よく一致する。

絶縁層２０の吸着面２２の最大寸法は、２９０ｍｍ以上であることが好ましい。静電チャックの寸法を大きくすると、絶縁層２０を均一に薄く制御して形成することが困難であったが、本発明のように、絶縁層２０をセラミックス基台１０と同一のセラミックス焼結体とし、絶縁層２０の厚みＤ、電極３０間の距離Ｇを所定の範囲に制御することで、静電チャック１００の寸法を大きくしても、絶縁層２０を均一に薄く制御して形成できる。これにより、近年大型化している絶縁性基板に対しても対応できる。なお、絶縁層２０の吸着面２２の最大寸法とは、吸着面２２の外周上の２点間の最大距離をいう。例えば、吸着面が円形の場合は直径（外径）であり、吸着面が矩形の場合は対角線の長さである。

電極３０は、セラミックス基台１０と絶縁層２０との間に形成される。電極３０は、例えば、図２に示されるように、異なる電圧が印加される一対の電極３０ａ、３０ｂにより構成され、電極３０ａと電極３０ｂとが交互に配置される。なお、図２の電極パターンは一例であり、電極３０ａと電極３０ｂとが交互に配置されていれば、これとは異なる様々なパターンにすることができる。例えば、セラミックス基台１０に形成された切り欠きや貫通孔などの構造を避けるように配置することもできる。

一対の電極３０ａ、３０ｂの電極間の距離Ｇは、０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。また、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが好ましい。一対の電極３０ａ、３０ｂの電極間の距離Ｇとは、端子取り出し位置や測定点などの例外的な個所を除き、隣接し異なる電圧が印加される電極３０ａと電極３０ｂとの間隙の距離である。

一対の電極３０ａ、３０ｂの電極幅Ｗは、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましく、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることがより好ましい。電極幅Ｗをこのような範囲にすることで、静電チャック全面に配置される電極数を十分多くすることができ、グレーディエント力の発生する隣り合う電極間の領域の密度を増やすことで小さな印加電圧で十分な吸着力を得ることができる。電極幅Ｗが２．０ｍｍより大きくなると静電チャック全面に配置される電極数が少なく、吸着力が発現する領域が減少し吸着力が小さくなる。一対の電極３０ａ、３０ｂの電極幅Ｗとは、電極が延在する方向に垂直な方向の幅を指す。

このように、本発明の静電チャック１００は、セラミックス基台１０と同一のセラミックス焼結体とした絶縁層２０を所定の厚みとし、かつ、電極３０間の距離Ｇを所定の範囲にすることで、ガラス基板などの絶縁性基板に対する十分な吸着力を発揮させると共に、絶縁性基板を静電吸着するグレーディエント力を発揮させるための高電圧に対しての絶縁破壊の虞を低減することができる。これにより、絶縁性基板を高い吸着力で精度よく吸着できるため、絶縁性基板の平坦性精度を向上させることができる。

［静電チャックの製造方法］
本発明の静電チャックは、従前に知られたセラミック静電チャックの製法（グリーンシート積層法、粉末ホットプレス焼成法等）が適用できるが、とりわけグリーンシート積層法が好適である。以下では、グリーンシート積層法による製造方法を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の静電チャックの製造方法の一例を示した模式的な断面図である。なお、図３（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ下面が静電チャックの吸着面である。

まず、図３（ａ）に示すグリーンシート積層体を作製する。最初に、純度９２％以上、平均粒子径０．５μｍ〜４μｍのアルミナ粉末に有機バインダー、可塑剤、分散剤、溶剤を混合してスラリーを調製する。次に、ドクターブレード法により厚み０．３ｍｍ〜２ｍｍのグリーンシートを成形する。次に、所定のシートに導電性ペーストを印刷する。導電性ペーストは、焼成後に一対の電極となる印刷パターンで、焼成後の電極間の距離および電極幅が所定の範囲内になるように印刷する。導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷法、インクジェット法等により行うことができる。導電性ペーストは、例えば、タングステンペースト、モリブデンペースト等を使用することができる。次に、所定の厚みになるまで、グリーンシートの積層を繰り返す。導電性ペーストを印刷した後に積層する所定のグリーンシートには、ビアホールを形成する。このとき、ビアホールは、導電性ペーストが塗布され電極と連通している。

次に、図３（ｂ）に示す凹部が形成されたグリーンシート積層体を作製する。図３（ａ）に示すグリーンシート積層体に端子を接続する凹部を形成する。このとき、凹部は、導電性ペーストが塗布されビアホールと連通している。

次に、図３（ｃ）に示す焼成体を作製する。図３（ｂ）に示す凹部が形成されたグリーンシート積層体を還元雰囲気で焼成することで一対の電極からなる電極層が埋設されたセラミックス焼結体を作製する。焼成時間は０．５時間以上１０時間以下であることが好ましい。また、焼成温度は、１５００℃以上１７００℃以下であることが好ましい。次に、凹部に端子をロウ付けするための金属層をメッキする。金属層は、例えば、ニッケルにより形成することができる。

次に、図３（ｄ）に示す静電チャックを作製する。図３（ｃ）に示す焼成体の絶縁層の厚みおよび平面度が所定の範囲内になるように調整する。厚みおよび平面度の調整は、研削、研磨等により行うことができる。そして、凹部に端子をロウ付けする。このようにして、本発明の静電チャックを製造することができる。

［実施例および比較例］
純度９２．０％、平均粒子径０．５μｍのアルミナ粉末に有機バインダー、可塑剤、分散剤、溶剤を混合してスラリーを調製した。次に、ドクターブレード法により厚み０．６５ｍｍのグリーンシートを成形した。グリーンシートは適宜裁断後、所定のシートにタングステンペーストを印刷し、その後積層および必要な加工を施した後、還元雰囲気で焼成した。焼成後、絶縁層の厚みを調整し、端子を設けて、実施例および比較例の静電チャックを完成させた。電極パターンは特定のシートに所定のパターンをスクリーン印刷により形成した。電極パターンは図２を参照して、電極幅、電極間隔を各々設定したものを実施例、比較例とした。したがって、実施例および比較例の電極パターンの電極幅、電極間隔、および電極の本数は、図２とは異なる場合がある。

（評価方法）
（１）耐電圧評価
真空チャンバ（真空度１Ｐａ以下）内で、実施例および比較例の静電チャックの電極間に５．０ｋＶ印加し、放電または絶縁破壊の有無を調べた。
（２）静電吸着力評価
大気中で無アルカリガラス基板（φ３００ｍｍ、厚み０．７ｍｍ）を、実施例または比較例の静電チャックの表面に載置し、電極間に±２．０ｋＶを印加した。２０秒経過後にガラス基板側面にプッシュプルゲージを押し当て、ガラス基板が動き出したときのゲージの値を吸着力とした。評価は、１．０ｋｇｆ以上で良好とし、３．０ｋｇｆでも動き出さなかったものを特に良好とした。

図４は、実施例および比較例の各種条件、およびその評価結果を示した表である。絶縁層の厚みＤが０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、一対の電極の電極間の距離Ｇが０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であり、一対の電極の電極幅Ｗが０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下である実施例１〜９、および１２は、耐電圧評価において、いずれも放電または絶縁破壊されなかった。また、静電吸着力評価において、特に良好であった。

また、絶縁層の厚みＤが０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、一対の電極の電極間の距離Ｇが０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であり、一対の電極の電極幅Ｗが２．０ｍｍより大きい実施例１０および１１は、耐電圧評価において、いずれも放電または絶縁破壊されなかった。また、静電吸着力評価において、いずれも良好となった。実施例１０または１１のように、電極幅Ｗが２．０ｍｍより大きくなると、チャック全面に配置される電極数が少なく、吸着力が発現する領域が減少し吸着力が小さくなったと考えられる。しかし、±２．０ｋＶ程度の比較的高い印加電圧を印加する場合、十分吸着可能であることが示された。

比較例１は、絶縁層の厚みＤが０．０５ｍｍ、一対の電極の電極間の距離Ｇが０．１ｍｍ、一対の電極の電極幅Ｗが０．３ｍｍの試料である。比較例１は、電極間隔Ｇが小さすぎたため、耐電圧不良が生じた。

比較例２は、絶縁層の厚みＤが０．０５ｍｍ、一対の電極の電極間の距離Ｇが０．２ｍｍ、一対の電極の電極幅Ｗが０．３ｍｍの試料である。比較例２は、耐電圧評価において、放電または絶縁破壊されなかったが、静電吸着力評価において、良好とはならなかった。比較例２は、電極間隔Ｇが、吸着する基板の厚みに比べ小さすぎて電界が有効に働かなかったため、吸着力が小さくなったと考えられる。

比較例３〜５は、絶縁層の厚みＤが０．１７ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下、一対の電極の電極間の距離Ｇが０．５ｍｍ、一対の電極の電極幅Ｗが０．９ｍｍの試料である。また、比較例６は、絶縁層の厚みＤが０．１５ｍｍ、一対の電極の電極間の距離Ｇが１．５ｍｍ、一対の電極の電極幅Ｗが０．９ｍｍの試料である。また、比較例７は、絶縁層の厚みＤが０．１５ｍｍ、一対の電極の電極間の距離Ｇが２．５ｍｍ、一対の電極の電極幅Ｗが２．０ｍｍの試料である。比較例３〜７は、耐電圧評価において、放電または絶縁破壊されなかったが、静電吸着力評価において、いずれも非常に小さな値となった。比較例３〜７は、絶縁層が厚すぎて基板に電界が有効に働かないため、吸着力が小さくなったと考えられる。

比較例８は、絶縁層の厚みＤが０．１０ｍｍ、一対の電極の電極間の距離Ｇが３．０ｍｍ、一対の電極の電極幅Ｗが２．０ｍｍの試料である。比較例８は、耐電圧評価において、放電または絶縁破壊されなかったが、静電吸着力評価において、良好とはならなかった。比較例８は、電極間隔Ｇが大きすぎてチャック全面に配置される電極数が少なくなり、吸着力が発現する領域が減少したため、吸着力が小さくなったと考えられる。

以上の実施例および比較例により、電極間隔Ｇは０．３ｍｍ以上であれば、耐電圧は十分であることが分かった。また、絶縁層厚みＤは０．０１ｍｍ以上０．１０ｍｍ以下で吸着力が十分高くなり、０．１０ｍｍを超えると吸着力が急激に減少することが分かった。これは絶縁性基板の厚み領域（例えば厚みの中間点）までの距離が大きくなり、電極間で形成される不平等電界の効果が絶縁性基板に有効に働かないことと、絶縁層厚みＤが小さいほど電圧印加と同時に絶縁性基板が静電チャックの基板載置面にすばやくなじんで平面矯正されるのに対して、絶縁層厚みＤの値が大きくなると絶縁性基板が吸着面になじむまでの時間がかかり局所的に接触し全面で吸着されないためと推定される。

電極幅Ｗは０．１ｍｍ以上、４．０ｍｍまで評価した。０．１ｍｍ未満は印刷でのパターンが不可能で電極が形成できなかったため実施していない。Ｗが２．０ｍｍより大きくなるとチャック全面に配置される電極数が少なく、吸着力が発現する領域が減少し吸着力が小さくなった。しかし、印加電圧が高い場合は、十分吸着可能であることが分かった。

以上の結果により、本発明の静電チャックは、放電のリスクが低減され、絶縁性基板を高い吸着力で精度よく吸着できることが分かった。

本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形および均等物に及ぶことはいうまでもない。また、各図面に示された構成要素の構造、形状、数、位置、大きさ等は説明の便宜上のものであり、適宜変更しうる。

１０ セラミックス基台
２０ 絶縁層
２２ 吸着面
３０、３０ａ、３０ｂ 電極
３２ 電極層
１００ 静電チャック

Claims (3)

1. 少なくとも被吸着面が絶縁体で形成された絶縁性基板を吸着する絶縁性基板吸着用静電チャックであって、
   セラミックス基台と、
   前記セラミックス基台の一方の主面に形成され、前記絶縁性基板を吸着する吸着面を有する絶縁層と、
   前記セラミックス基台と前記絶縁層との間に形成される一対の電極と、を備え、
   前記絶縁層は、前記セラミックス基台と同一のセラミックス焼結体であり、
   前記絶縁層の厚みＤは、０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり、
   前記一対の電極の電極間の距離Ｇは、０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることを特徴とする絶縁性基板吸着用静電チャック。
2. 前記一対の電極の電極幅Ｗは、０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁性基板吸着用静電チャック。
3. 前記絶縁層の吸着面の最大寸法が２９０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の絶縁性基板吸着用静電チャック。
   

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