JPH0729814A - マスク基板保持機構 - Google Patents
マスク基板保持機構Info
- Publication number
- JPH0729814A JPH0729814A JP19184693A JP19184693A JPH0729814A JP H0729814 A JPH0729814 A JP H0729814A JP 19184693 A JP19184693 A JP 19184693A JP 19184693 A JP19184693 A JP 19184693A JP H0729814 A JPH0729814 A JP H0729814A
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- Japan
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- mask substrate
- electrostatic chuck
- holding mechanism
- mask
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小変形保持、短い熱時定数、リジッド
固定の３条件を同時に満足することが可能で、描画精度
およびスループットの向上を図る。 【構成】 高さの等しい３つの静電チャック４によって
マスク基板２を吸着保持する。静電チャック４は、マス
ク基板２の自重による変形量が最小となる位置に配置さ
れている。具体的にはマスク基板２の中心０を中心とす
る同一円周上に等分に配置されている。
固定の３条件を同時に満足することが可能で、描画精度
およびスループットの向上を図る。 【構成】 高さの等しい３つの静電チャック４によって
マスク基板２を吸着保持する。静電チャック４は、マス
ク基板２の自重による変形量が最小となる位置に配置さ
れている。具体的にはマスク基板２の中心０を中心とす
る同一円周上に等分に配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスク用電子ビーム
描画装置に用いられるマスク基板保持機構に関するもの
である。
描画装置に用いられるマスク基板保持機構に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線マスク用電子描画装置に用いられる
マスク基板保持機構としては以下に示す３つの条件が要
求される。 保持によってマスク基板を変形させない（小変形保
持）。 マスク基板温度を短時間で設定値にする（短い熱時定
数）。 マスク基板をリジッドに固定する（リジッド固定）。 条件はＸ線マスクを使って実際にパタンをウエハに焼
き付けるアナライザで、マスク基板が保持によって変形
しない小変形機構が真空チャックを使用して実現されて
いるためであり、電子ビーム描画装置でマスク基板を描
画したときのマスク基板形状とアナライザで露光する時
のマスク基板形状とが異なると露光精度（位置、形状）
が低下する。条件は電子ビーム描画装置内でマスク基
板が置かれた雰囲気が大気から真空になる時の断熱膨張
によって熱が奪われてマスク基板の温度が低下するため
である。マスク基板温度が低下した状態で描画すると、
アナライザで実際に露光するときには温度が上昇するた
めマスク基板が伸びて露光精度が低下する。そのためマ
スク基板描画においてはマスク基板温度が設定値になっ
てから描画を開始しなければならず、マスク基板温度が
短時間で設定値にならないとマスク描画のスループット
が低下する。条件はマスク基板保持機構として必然的
な条件であるが、電子ビーム描画装置のＸＹステージの
最大加速度は約０．３Ｇと他の装置のステージと比較し
て大きな値であるので、よりリジッドな固定が必要であ
る。
マスク基板保持機構としては以下に示す３つの条件が要
求される。 保持によってマスク基板を変形させない（小変形保
持）。 マスク基板温度を短時間で設定値にする（短い熱時定
数）。 マスク基板をリジッドに固定する（リジッド固定）。 条件はＸ線マスクを使って実際にパタンをウエハに焼
き付けるアナライザで、マスク基板が保持によって変形
しない小変形機構が真空チャックを使用して実現されて
いるためであり、電子ビーム描画装置でマスク基板を描
画したときのマスク基板形状とアナライザで露光する時
のマスク基板形状とが異なると露光精度（位置、形状）
が低下する。条件は電子ビーム描画装置内でマスク基
板が置かれた雰囲気が大気から真空になる時の断熱膨張
によって熱が奪われてマスク基板の温度が低下するため
である。マスク基板温度が低下した状態で描画すると、
アナライザで実際に露光するときには温度が上昇するた
めマスク基板が伸びて露光精度が低下する。そのためマ
スク基板描画においてはマスク基板温度が設定値になっ
てから描画を開始しなければならず、マスク基板温度が
短時間で設定値にならないとマスク描画のスループット
が低下する。条件はマスク基板保持機構として必然的
な条件であるが、電子ビーム描画装置のＸＹステージの
最大加速度は約０．３Ｇと他の装置のステージと比較し
て大きな値であるので、よりリジッドな固定が必要であ
る。
【０００３】以上より条件〜がＸ線マスク用電子ビ
ーム描画装置に用いるマスク基板保持機構において非常
に重要であることは明らかであるが、従来はウエハ直接
描画用電子ビーム描画装置のウエハ保持機構をそのまま
流用していた。すなわち、雰囲気が真空のため真空チャ
ックは使用できないので、機械式にクランプするメカニ
カルチャックまたは静電力によって吸着する静電チャッ
クが使用されてきた。
ーム描画装置に用いるマスク基板保持機構において非常
に重要であることは明らかであるが、従来はウエハ直接
描画用電子ビーム描画装置のウエハ保持機構をそのまま
流用していた。すなわち、雰囲気が真空のため真空チャ
ックは使用できないので、機械式にクランプするメカニ
カルチャックまたは静電力によって吸着する静電チャッ
クが使用されてきた。
【０００４】図４（ａ），（ｂ）は従来のメカニカルチ
ャックによる保持機構を示すもので、ステージ１上に載
置されたマスク基板２の外周部を複数個のクランプ３に
よってクランプするようにしたものである。
ャックによる保持機構を示すもので、ステージ１上に載
置されたマスク基板２の外周部を複数個のクランプ３に
よってクランプするようにしたものである。
【０００５】図５（ａ），（ｂ）は静電チャックを用い
た従来の保持機構を示すもので、１つの静電チャック４
の上にマスク基板２を載置して裏面全体を密着させ、静
電チャック用電極５に電圧を印加して吸着保持するよう
に構成したものである。なお、６は高圧直流電源であ
る。
た従来の保持機構を示すもので、１つの静電チャック４
の上にマスク基板２を載置して裏面全体を密着させ、静
電チャック用電極５に電圧を印加して吸着保持するよう
に構成したものである。なお、６は高圧直流電源であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のメカニカルチャ
ックによる保持機構では図４に示したように一般にマス
ク基板２をクランプ３によってクランプする構造のた
め、マスク基板２の外周部しか保持することができず、
マスク基板２の中央部が自重で下がるため条件の小変
形保持を満足することは難しい。また、条件のリジッ
ド固定を満足するためにクランプする力を強くすると力
の作用点の小さなバラツキでもマスク基板２内に応力が
発生して変形が生じてしまう。さらに熱的には、真空中
では輻射熱がほとんど無視でき接触による熱伝達が主で
あるが、メカニカルチャックの場合、マスク基板２と保
持機構（ステージ１、クランプ３、）との接触面積が小
さいためマスク基板２と保持機構間の熱抵抗が大きくな
りマスク基板２が保持機構の温度（設定温度）と一致す
るのに時間を要する。そのため条件の短い熱時定数を
満足することも難しい。
ックによる保持機構では図４に示したように一般にマス
ク基板２をクランプ３によってクランプする構造のた
め、マスク基板２の外周部しか保持することができず、
マスク基板２の中央部が自重で下がるため条件の小変
形保持を満足することは難しい。また、条件のリジッ
ド固定を満足するためにクランプする力を強くすると力
の作用点の小さなバラツキでもマスク基板２内に応力が
発生して変形が生じてしまう。さらに熱的には、真空中
では輻射熱がほとんど無視でき接触による熱伝達が主で
あるが、メカニカルチャックの場合、マスク基板２と保
持機構（ステージ１、クランプ３、）との接触面積が小
さいためマスク基板２と保持機構間の熱抵抗が大きくな
りマスク基板２が保持機構の温度（設定温度）と一致す
るのに時間を要する。そのため条件の短い熱時定数を
満足することも難しい。
【０００７】図５に示した静電チャック４による保持で
は大きな吸着力によってマスク基板２の裏面が静電チャ
ック４の表面に習うため、マスク基板２と静電チャック
４の表面間の摩擦力が大きくなり、かつ接触面積が大き
くなるので条件の短い熱時定数、条件のリジッド固
定は満足する。しかし、マスク基板２の裏面全体が静電
チャック４の表面に習うということはマスク基板２が静
電チャック４の表面の平坦度に矯正されることになるの
で条件の小変形保持は満足されないという問題があっ
た。
は大きな吸着力によってマスク基板２の裏面が静電チャ
ック４の表面に習うため、マスク基板２と静電チャック
４の表面間の摩擦力が大きくなり、かつ接触面積が大き
くなるので条件の短い熱時定数、条件のリジッド固
定は満足する。しかし、マスク基板２の裏面全体が静電
チャック４の表面に習うということはマスク基板２が静
電チャック４の表面の平坦度に矯正されることになるの
で条件の小変形保持は満足されないという問題があっ
た。
【０００８】そこで、本発明は上記したような従来の問
題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、上記した条件，，の全てを同時に満足するこ
とができ、描画精度およびスループットの向上を図るよ
うにしたマスク基板保持機構を提供することにある。
題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、上記した条件，，の全てを同時に満足するこ
とができ、描画精度およびスループットの向上を図るよ
うにしたマスク基板保持機構を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、マスク基板裏面を同一高さからなる
３つの静電チャックによって吸着保持したものである。
第２の発明は、第１の発明において、静電チャックはマ
スク基板の自重による変形が最小となる位置に配置され
ているものである。
め、第１の発明は、マスク基板裏面を同一高さからなる
３つの静電チャックによって吸着保持したものである。
第２の発明は、第１の発明において、静電チャックはマ
スク基板の自重による変形が最小となる位置に配置され
ているものである。
【００１０】
【作用】図６に示すようにマスク基板２を先端が先鋭な
３本の支持突起７の上に静置する三点支持方式の場合、
マスク基板２の自重による変形が最小になるように支持
突起７の位置を最適化すれば小変形保持方法としては最
適である。しかし、マスク基板２をマスク基板と同一面
内に固定する力は３本の支持突起７がマスク基板２の裏
面に接触する時の摩擦力のみであり、非常に小さい。そ
のため、三点支持方式を比較的加速度の大きな電子ビー
ム描画装置のステージに採用することはできない。
３本の支持突起７の上に静置する三点支持方式の場合、
マスク基板２の自重による変形が最小になるように支持
突起７の位置を最適化すれば小変形保持方法としては最
適である。しかし、マスク基板２をマスク基板と同一面
内に固定する力は３本の支持突起７がマスク基板２の裏
面に接触する時の摩擦力のみであり、非常に小さい。そ
のため、三点支持方式を比較的加速度の大きな電子ビー
ム描画装置のステージに採用することはできない。
【００１１】しかし、前記支持突起７の代わりに図１に
示すように３つの小面積の静電チャック４を用いてマス
ク基板２を支持すると、マスク基板２を固定する摩擦力
は静電チャック４への印加電圧と静電チャック面積によ
って可変できるので、電子ビーム描画装置のステージに
搭載するのに必要な固定力（摩擦力）を得ることが可能
である（以下疑似三点支持方式という）。但し、この場
合は点支持ではなく局所的な面支持になるので、各静電
チャック４においてマスク基板２を静電チャック４の表
面に習わそうとする力が働くため、図６の純粋な三点支
持に比べてマスク基板２の変形量は当然大きくなる。し
たがって、マスク基板２のリジッド固定の観点からは静
電チャック４はなるべく大面積で吸着力は強い方が好ま
しく、マスク基板２の小変形保持の観点からは逆になる
べく小面積で吸着力は弱い方が好ましい。さらに、マス
ク基板温度の熱時定数の観点からは、マスク基板２と静
電チャック４との熱抵抗が小さい方が、すなわち静電チ
ャック４が大面積で吸着力は大きい方が好ましい。
示すように３つの小面積の静電チャック４を用いてマス
ク基板２を支持すると、マスク基板２を固定する摩擦力
は静電チャック４への印加電圧と静電チャック面積によ
って可変できるので、電子ビーム描画装置のステージに
搭載するのに必要な固定力（摩擦力）を得ることが可能
である（以下疑似三点支持方式という）。但し、この場
合は点支持ではなく局所的な面支持になるので、各静電
チャック４においてマスク基板２を静電チャック４の表
面に習わそうとする力が働くため、図６の純粋な三点支
持に比べてマスク基板２の変形量は当然大きくなる。し
たがって、マスク基板２のリジッド固定の観点からは静
電チャック４はなるべく大面積で吸着力は強い方が好ま
しく、マスク基板２の小変形保持の観点からは逆になる
べく小面積で吸着力は弱い方が好ましい。さらに、マス
ク基板温度の熱時定数の観点からは、マスク基板２と静
電チャック４との熱抵抗が小さい方が、すなわち静電チ
ャック４が大面積で吸着力は大きい方が好ましい。
【００１２】以上のように、マスク基板２のリジッド固
定と小変形保持・熱時定数とでは静電チャック４に対す
る要求が相反するので全てを最適化する静電チャック４
の面積・吸着力は存在しないが、これらをパラメータと
してマスク基板２の変形量および熱流量のシミュレーシ
ョンを行なうことによって現実的にマスク基板２のリジ
ッド固定と小変形保持・熱時定数を許容範囲内にする静
電チャック４の面積・吸着力を得ることができる。
定と小変形保持・熱時定数とでは静電チャック４に対す
る要求が相反するので全てを最適化する静電チャック４
の面積・吸着力は存在しないが、これらをパラメータと
してマスク基板２の変形量および熱流量のシミュレーシ
ョンを行なうことによって現実的にマスク基板２のリジ
ッド固定と小変形保持・熱時定数を許容範囲内にする静
電チャック４の面積・吸着力を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
は双極型静電チャックを使用した場合のマスク基板保持
機構の一実施例を示す平面図、Ｂ−Ｂ線断面図、Ｃ部拡
大平面図、Ｄ部拡大断面図である。なお、図中、図１お
よび図５と同一構成部材のものに対しては同一符号をも
って示す。同図において、静電チャック４は、それぞれ
２枚の半円型の静電チャック用電極５を内蔵した小さな
丸型の双極型静電チャックであり、マスク基板２の自重
による変形量が最小となる位置に配置されている。具体
的にはマスク基板２の中心０を中心とする同一円周上に
等分に配置されている。また、３つの静電チャック４は
同一高さで、表面が研磨によって仕上げ加工されてお
り、高い平坦度を有している。静電チャック用電極５の
面積および吸着力はシミュレーションを元に予め決定す
る。前記マスク基板２を静電チャック４の上に載置した
後、シミュレーションから決定された吸着力が発生する
ような電圧を静電チャック用電極５に高圧直流電源６か
ら供給すればマスク基板２は静電チャック４によって吸
着保持される。
詳細に説明する。図２（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）
は双極型静電チャックを使用した場合のマスク基板保持
機構の一実施例を示す平面図、Ｂ−Ｂ線断面図、Ｃ部拡
大平面図、Ｄ部拡大断面図である。なお、図中、図１お
よび図５と同一構成部材のものに対しては同一符号をも
って示す。同図において、静電チャック４は、それぞれ
２枚の半円型の静電チャック用電極５を内蔵した小さな
丸型の双極型静電チャックであり、マスク基板２の自重
による変形量が最小となる位置に配置されている。具体
的にはマスク基板２の中心０を中心とする同一円周上に
等分に配置されている。また、３つの静電チャック４は
同一高さで、表面が研磨によって仕上げ加工されてお
り、高い平坦度を有している。静電チャック用電極５の
面積および吸着力はシミュレーションを元に予め決定す
る。前記マスク基板２を静電チャック４の上に載置した
後、シミュレーションから決定された吸着力が発生する
ような電圧を静電チャック用電極５に高圧直流電源６か
ら供給すればマスク基板２は静電チャック４によって吸
着保持される。
【００１４】図３はシミュレーションの結果であり、本
実施例の構成で３つの面積２．５ｃｍ2 の静電チャック
４をマスク基板２の自重による変形が最小となる位置に
配置して直径３インチのマスク基板２（自由状態での反
り：５μｍ凹状）を吸着保持した時の自由状態からの反
りの変化量を有限要素法によって求めた結果である。図
中、縦軸はマスク基板２の反りの自由状態からの変化量
［μｍ］、横軸はマスク基板２の中心からの距離［ｃ
ｍ］、パラメータは静電チャック４の単位面積当たりの
吸着力［ｇ／ｃｍ2 ］である。図より１００ｇ／ｃｍ2
の吸着力でもマスク基板２の中心部２５ｍｍ角の描画領
域の変形量が実用上無視できる０．５μｍ以下になって
いる。また、この時の摩擦力（総吸着力×０．１）は吸
着力５０ｇ／ｃｍ2 ，１００ｇ／ｃｍ2 に対してそれぞ
れ３７．５ｇｆ，７５．０ｇｆであり、加速度によって
固定力としては十分である。さらに、本条件での熱流量
のシミュレーション結果は、マスク基板２が設定温度±
０．１°Ｃの範囲に入るまで約１０分で実用上問題のな
い値となった。
実施例の構成で３つの面積２．５ｃｍ2 の静電チャック
４をマスク基板２の自重による変形が最小となる位置に
配置して直径３インチのマスク基板２（自由状態での反
り：５μｍ凹状）を吸着保持した時の自由状態からの反
りの変化量を有限要素法によって求めた結果である。図
中、縦軸はマスク基板２の反りの自由状態からの変化量
［μｍ］、横軸はマスク基板２の中心からの距離［ｃ
ｍ］、パラメータは静電チャック４の単位面積当たりの
吸着力［ｇ／ｃｍ2 ］である。図より１００ｇ／ｃｍ2
の吸着力でもマスク基板２の中心部２５ｍｍ角の描画領
域の変形量が実用上無視できる０．５μｍ以下になって
いる。また、この時の摩擦力（総吸着力×０．１）は吸
着力５０ｇ／ｃｍ2 ，１００ｇ／ｃｍ2 に対してそれぞ
れ３７．５ｇｆ，７５．０ｇｆであり、加速度によって
固定力としては十分である。さらに、本条件での熱流量
のシミュレーション結果は、マスク基板２が設定温度±
０．１°Ｃの範囲に入るまで約１０分で実用上問題のな
い値となった。
【００１５】上記実施例を実測した結果、吸着力９０
〜１００ｇ／ｃｍ2 の時マスク基板２の変形量が１μｍ
以下（２５ｍｍ角）、マスク基板２が設定温度±０．
１°Ｃの範囲に入るまで約１５分、１Ｇ以上の加速度
までリジッドに固定されるというほぼシミュレーション
に一致する結果が得られた。
〜１００ｇ／ｃｍ2 の時マスク基板２の変形量が１μｍ
以下（２５ｍｍ角）、マスク基板２が設定温度±０．
１°Ｃの範囲に入るまで約１５分、１Ｇ以上の加速度
までリジッドに固定されるというほぼシミュレーション
に一致する結果が得られた。
【００１６】以上より、疑似三点支持によって小変形
保持、短い熱時定数、リジッド固定の三条件を同時
に満足することが可能である。
保持、短い熱時定数、リジッド固定の三条件を同時
に満足することが可能である。
【００１７】なお、本実施例では静電チャック４として
双極型の静電チャックを用いたが単極型の静電チャック
を用いても同様な効果が得られる。また、静電チャック
４および静電チャック用電極５の形状が本実施例以外の
形状であっても同様な結果が得られることは言うまでも
ない。
双極型の静電チャックを用いたが単極型の静電チャック
を用いても同様な効果が得られる。また、静電チャック
４および静電チャック用電極５の形状が本実施例以外の
形状であっても同様な結果が得られることは言うまでも
ない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るマスク
基板保持機構は高さが等しい３つの静電チャックによっ
てマスク基板を吸着保持するように構成したので、マス
ク基板を変形させないで保持すること、マスク基板を短
時間で設定温度にすることおよびマスク基板をリジッド
に固定することを同時に満足させることができる。した
がって、Ｘ線マスク用電子ビーム装置の描画精度および
スループットの向上に寄与することができるなど優れた
効果が得られる。
基板保持機構は高さが等しい３つの静電チャックによっ
てマスク基板を吸着保持するように構成したので、マス
ク基板を変形させないで保持すること、マスク基板を短
時間で設定温度にすることおよびマスク基板をリジッド
に固定することを同時に満足させることができる。した
がって、Ｘ線マスク用電子ビーム装置の描画精度および
スループットの向上に寄与することができるなど優れた
効果が得られる。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の動作原理を説明する
ための平面図およびＡ−Ａ線断面図である。
ための平面図およびＡ−Ａ線断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は双極型静電
チャックを使用した場合のマスク基板保持機構の一実施
例を示す平面図、Ｂ−Ｂ線断面図、Ｃ部拡大平面図、Ｄ
部拡大断面図である。
チャックを使用した場合のマスク基板保持機構の一実施
例を示す平面図、Ｂ−Ｂ線断面図、Ｃ部拡大平面図、Ｄ
部拡大断面図である。
【図３】実施例におけるマスク基板の反りの変化量のシ
ミュレーション結果を示す図である。
ミュレーション結果を示す図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は従来のメカニカルチャックに
よる保持機構を示す平面図およびＥ−Ｅ線断面図であ
る。
よる保持機構を示す平面図およびＥ−Ｅ線断面図であ
る。
【図５】（ａ），（ｂ）は従来の静電チャックによる保
持機構を示す平面図およびＦ−Ｆ線断面図である。
持機構を示す平面図およびＦ−Ｆ線断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は三点支持方式の原理を説明す
るための平面図およびＧ−Ｇ線断面図である。
るための平面図およびＧ−Ｇ線断面図である。
１ ステージ ２ マスク基板 ３ クランプ ４ 静電チャック ５ 静電チャック用電極 ６ 高圧直流電源 ７ 支持突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｒ 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１ Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク基板裏面を同一高さからなる３つ
の静電チャックによって吸着保持したことを特徴とする
マスク基板保持機構。 - 【請求項２】 請求項１記載のマスク基板保持機構にお
いて、静電チャックはマスク基板の自重による変形が最
小となる位置に配置されていることを特徴とするマスク
基板保持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19184693A JPH0729814A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | マスク基板保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19184693A JPH0729814A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | マスク基板保持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729814A true JPH0729814A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16281489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19184693A Pending JPH0729814A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | マスク基板保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729814A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992604A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Nikon Corp | レチクル保持装置および保持方法 |
| JP2001297971A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Ulvac Japan Ltd | 露光装置 |
| JP2009253119A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法 |
| JP2012151371A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2015185528A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社アドバンテスト | ステージ装置および電子線装置 |
| JP2015185529A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社アドバンテスト | ステージ装置および電子線装置 |
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| US11275315B2 (en) | 2016-05-24 | 2022-03-15 | Emagin Corporation | High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor |
-
1993
- 1993-07-07 JP JP19184693A patent/JPH0729814A/ja active Pending
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