JPH10150099A - 静電チャックの離脱方法 - Google Patents

静電チャックの離脱方法

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JPH10150099A
JPH10150099A JP32455896A JP32455896A JPH10150099A JP H10150099 A JPH10150099 A JP H10150099A JP 32455896 A JP32455896 A JP 32455896A JP 32455896 A JP32455896 A JP 32455896A JP H10150099 A JPH10150099 A JP H10150099A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハなどの被処理体を静電チャック
から離脱させるときに、残留吸着により被処理体に無理
な力が加わって破損することを未然に防止すること。 【解決手段】 静電チャック３の吸着用電圧の印加を解
除した後、リフトピン５により微小突出量だけウエハＷ
を突き上げる。ウエハＷはプロセス終了直後は静電チャ
ック３よりも数十度温度が高いので、ウエハＷが離脱す
れば静電チャック３の表面部の温度は本来の静電チャッ
ク３の温度まで降下し、ウエハＷが離脱しなければ温度
は降下しない。そこで静電チャック３に組み込んだウエ
ハＷの温度センサを用いてウエハＷの微小量突き上げの
後の温度データに基づいてウエハＷが離脱しているか残
留吸着しているかを判断し、残留吸着していれば受け渡
しを中止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の被処理体を吸着保持するための静電チャックにお
いて、被処理体を静電チャックから離脱する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハに対して成膜処理やエッチ
ングなどの処理を行う場合、載置台からウエハへの熱伝
達を確実に行うためなどの理由から、ウエハを載置台へ
押し付けた状態で保持させることが必要である。ところ
でウエハを真空中で処理する場合には真空チャックを使
用できないのでリング体などによって機械的に押し付け
る手段や静電気力でウエハを載置台上へ吸着保持する静
電チャック型の載置台構造が採用されているが、構造が
簡易なことから静電チャックが広く採用されている。
【０００３】静電チャック型の載置台は、図９に示すよ
うに、例えばアルミニウムからなる載置台本体１１の上
面に、静電チャック１２を設けて構成されている。静電
チャック１２は、誘電体１３の中に例えばタングステン
箔からなる一対の電極１４を設けて構成され、電極１４
はリード線１５及びスイッチ１６を介して直流電源１７
に接続されている。ところで静電チャック１２に用いら
れる誘電体１３としては、従来からポリイミドシートな
どが用いられていたが、ＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃ
ｙｃｌｏｔｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ処理
ではプラズマによる損傷が大きいため、本発明者等は、
Ａｌ2 Ｏ3 やＡｌＮなどのセラミックスを用いることを
検討している。
【０００４】例えばＥＣＲプラズマ処理装置では、真空
チャンバ内に搬入されたウエハは静電チャック１２上に
載置され、スイッチ１６をオンにして電極１４、１４間
に直流電圧を印加することにより電気力線を形成し、こ
れによってウエハＷと静電チャック１２との間に静電引
力が発生し、静電チャック１２上にウエハＷが吸着保持
される。そしてプラズマ処理後にウエハＷを離脱させる
ときにはスイッチ１６をオフにして直流電圧の印加を解
除するのであるが、残留電荷が大きいため例えばプラズ
マをウエハＷに照射して除電し、その後リフトピン１８
を静電チャック１２の上面から突出させてウエハＷを浮
上させ、図示しない搬送アームによりウエハを搬出する
ようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで誘電体１３と
してＡｌ2 Ｏ3 やＡｌＮなどのセラミックスを用いた場
合、熱酸化処理を経たウエハについては残留吸着力が相
当大きいということが分かった。これは、ウエハが加熱
炉内で熱酸化処理されるときにウエハの裏面にも熱酸化
膜が形成され、この熱酸化膜は絶縁性が高い上、前記セ
ラミックスも誘電率が相当大きい（絶縁性が高い）こと
に起因していると推察される。
【０００６】しかしながらこのように残留吸着力が大き
いと、リフトピン１８を突き上げたときにウエハＷに弾
性破壊限界を越えた力が加わりウエハＷが割れてしまう
おそれがあった。ウエハＷが割れると真空チャンバ内に
破片が飛散するので片付けなければならず、その場合真
空チャンバを分解して掃除を行った後所定の真空雰囲気
にしなければならない。真空チャンバの分解、組立作業
は手間がかかる上、飛び散った微細片を拾い集める作業
も非常に面倒であり、しかも真空排気には長い時間を要
することから、実際のプロセス中はもとより、メンテナ
ンス時においても作業者に大きな負担がかかり、時間的
ロスも大きいという課題があった。
【０００７】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、ウエハなどの被処理体を静電
チャックから離脱させて搬送工程に移る前に被処理体に
対する残留吸着の強弱を把握して被処理体の破損事故を
防止することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、静電
チャック上に被処理体を静電吸着する工程と、次いで前
記静電チャックの吸着用電圧の印加を解除する工程と、
その後被処理体が静電チャックに残留吸着しているとし
ても被処理体が破壊されない程度の力を被処理体に対し
て静電チャックから離れる方向に加え、このときの被処
理体の載置状態に基づいて被処理体が静電チャックに残
留吸着しているか離脱しているかを判断する判断工程
と、この判断工程で被処理体が離脱していると判断され
た後、被処理体を静電チャックから受け渡し手段に受け
渡す工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】受け渡し手段は、ア−ムや被処理体の周縁
をクランプする機構などが相当する。また静電チャック
が垂直あるいは下向きに設けられている場合にも本発明
を適用することができる。被処理体が静電チャックに残
留吸着しているとしても被処理体が破壊されない程度の
力を被処理体に対して静電チャックから離れる方向に加
えるとは、受け渡し手段が行ってもよいし、別の手段で
行ってもよい。
【００１０】請求項２の発明は、静電チャック上に被処
理体を静電吸着する工程と、次いで前記静電チャックの
吸着用電圧の印加を解除する工程と、その後被処理体が
静電チャックに残留吸着しているとしても被処理体が破
壊されない程度の微小突出量だけ突き上げ部材を被処理
体の下面に対して相対的に突き上げる工程と、微小突出
量だけ突き上げられた被処理体の載置状態に基づいて被
処理体が静電チャックに残留吸着しているか離脱してい
るかを判断する判断工程と、この判断工程で被処理体が
離脱していると判断された後、被処理体を突き上げ部材
により受け渡し位置まで相対的に突き上げて受け渡し手
段に受け渡す工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】被処理体の載置状態に基づいて被処理体が
静電チャックに残留吸着しているか離脱しているかを判
断するとは、例えば請求項３記載のように、静電チャッ
クの表面部温度を検出し、被処理体が残留吸着している
ときの温度デ−タと離脱しているときの温度デ−タとを
予め求めておいて、これら温度デ−タと静電チャックの
表面部の温度検出結果とに基づいて被処理体が静電チャ
ックから離脱したか否かを判断することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の静電チャックの離
脱方法を実施するためのウエハ載置台を示す図である。
載置台２は例えばアルミニウム製の載置台本体２１の上
に静電チャック３を設けて構成され、真空チャンバの底
壁Ｔを貫通する円柱状の支持部材４の上部に設けられて
いる。この支持部材４は、後述するが真空チャンバに対
して気密性を保持しつつモータ４１により昇降できるよ
うに構成されている。
【００１３】静電チャック３は例えば厚さ１５ｍｍの円
形状の誘電体３１の中に例えばタングステン箔よりなる
一対の電極３２、３３を埋設して構成される。誘電体３
１としては窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やアルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）などを用いることができる。この電極３２、
３３は例えば平面形状が半円状であって夫々誘電体３１
の左右半分の領域に配置されるようにしてもよいし、あ
るいは平面形状が誘電体３１の中心に対して円心円状の
リング状に形成するなど種々のパターンをとることがで
きる。また電極３２、３３は載置台２及び支持部材４に
上下方向に貫通された貫通孔３４内に通された給電線３
５、３６の一端側に電気的に接続され、この給電線３
５、３６の他端側の間には、真空チャンバの下方側にお
いてスイッチ３７を介して直流電源３８が接続されてい
る。
【００１４】前記載置台２には、例えば３本のリフトピ
ン５が昇降自在に設けられている。これらリフトピン５
は、図２に示すように支持部材４を囲むように馬蹄形に
作られたリフト台５１の上に、例えば二等辺三角形の各
頂点となる平面位置に植設されている。リフト台５１は
エアシリンダ５２によって、載置台２とは独立して昇降
できる構成となっている。前記支持部材４の昇降用のモ
ータ４１及びリフトピン５の昇降用のエアシリンダ５２
は、制御部４０からの制御信号によって制御される。ま
た載置台本体２１の中には冷媒流路２２が形成されてお
り、外部の冷媒循環供給源から冷媒が循環供給され、図
示しない載置台２内のヒータと共に温度調整手段を構成
している。
【００１５】前記載置台２には、被処理体であるウエハ
Ｗの温度を検出して載置台２の温度コントロールを行う
ための温度検出部６が設けられている。この温度検出部
６は、載置台２及び支持部材４を上下に貫通する貫通孔
に光ファイバ６１を通して、その先端部の位置を載置台
２の載置面とほぼ同レベルとし、当該先端部に温度に応
じて発光強度の減衰カーブが変わる蛍光物質を塗布する
と共に基端部に光信号処理部６２を設けて構成される。
温度検出の原理については、光信号処理部６２から光フ
ァイバ６１を通じて蛍光物質に光を当て、例えばその発
光強度の半減期に基づいてウエハＷの温度を検出する。
【００１６】本例における静電チャックの離脱方法で
は、この温度検出を利用してウエハＷが静電チャック３
から離脱しているか否かを判断するようにしている。即
ちウエハＷが静電チャック３から離脱しているときの温
度データと離脱していないときの温度データとを取得し
て、例えばその判断基準データをメモリ６３内に格納
し、この判断基準データと温度検出部６の一部である光
信号処理部６２からの温度データとに基づいて判断部６
４で離脱の判断をするようにしている。
【００１７】ここで前記載置台２を用いた真空処理装置
例えばＥＣＲプラズマ装置の全体構成について図３を参
照しながら簡単に説明する。このＥＣＲプラズマ装置
は、真空チャンバ７の上部側のプラズマ室７１内に、高
周波電源部Ｅ１よりの例えば２．４５ＧＨＺマイクロ波
Ｍを導波管７２から透過窓７３を介して導くと共に、プ
ラズマガス用ノズル７４からプラズマ室７１内にＡｒガ
スやＯ2 ガス等のプラズマガスを供給し、更にプラズマ
室７１の外側に設けた電磁コイル７５により磁界Ｂを印
加して電子サイクトロン共鳴を発生させるように構成さ
れている。また真空チャンバ７の下部側の反応室７６に
おいては、反応性ガスノズル７７が突入されると共に、
底部に既述の載置台２が設けられている。
【００１８】前記載置台２の支持部材４の下部にはフラ
ンジ部４２が設けられ、このフランジ部４２と真空チャ
ンバ７の底壁Ｔとの間には、気密性を保持するためにベ
ローズ体４３が支持部材４を囲むように設けられてい
る。一方真空チャンバ７の下方側には固定基台４４が配
置され、この固定基台４４と前記底壁Ｔとの間にはモー
タ４１によって回動するネジ軸４５が設けられている。
このネジ軸４５は前記フランジ部４２と螺合しており、
このネジ軸４５が回動することにより支持部材４が昇降
することになる。４６は前記フランジ部４２をガイドす
るガイド棒である。
【００１９】また前記リフト台５１は、真空チャンバ７
の下方側から貫通し、ベローズ体５３により気密性を保
持された昇降体５４の上に固定され、この昇降体５４は
エアシリンダ５２により駆動される。
【００２０】次に上述のＥＣＲプラズマ装置を例にとっ
て本方法の実施の形態について説明する。先ず図示しな
いロードロック室から図示しない受け渡し手段である搬
送アームにより、図３の実線で示す受け渡し位置にある
載置台２上に被処理体であるウエハＷを受け渡す。この
受け渡しは、リフトピン５を載置台２上から突出させ、
搬送アームからリフトピン５にウエハＷを受け渡すこと
によって行われる。このときスイッチ３７をオンにして
静電チャック３の電極３２、３３間に吸着用電圧例えば
１５００Ｖの直流電圧を印加し、これによりウエハＷは
静電チャック３上に静電吸着される。
【００２１】その後載置台２を図３の鎖線で示すプロセ
ス位置まで例えば１５０ｍｍ上昇させる。そして冷媒流
路２２の冷媒及び図示しないヒータの組み合わせにより
ウエハＷを所定の温度例えば１５０℃に加熱すると共
に、ノズル７４から例えばＡｒガス及びＯ2 ガスを、ま
たノズル７７から例えばＳｉＨ4 ガスを夫々真空チャン
バ７内に導入し、反応室７６内に流れ込んだプラズマイ
オンによりＳｉＨ4 を活性化させてウエハＷ上にＳｉＯ
2 膜を生成する。
【００２２】プラズマ処理が終了した後、スイッチ３７
をオフにして吸着用電圧の印加を解除する。続いてリフ
トピン５を上限位置にセットしておき、モータ４１を制
御して載置台２を図３の鎖線のプロセス位置から、リフ
トピン５が微小突出量例えば０．２５ｍｍだけ突出する
位置まで降下させる。図４（ａ）、（ｂ）はこの様子を
説明する図である。リフトピン５が微小突出量だけ突出
するつまりウエハＷを相対的に突き上げると、残留電荷
による静電吸着力（残留吸着力）が弱いときにはウエハ
Ｗは全面が静電チャック３の載置面から離脱するが、残
留吸着力が大きいときには図４（ｂ）に示すようにウエ
ハＷは静電チャック３の載置面に吸着されたままであ
り、リフトピン５で突き上げられた（相対的に突き上げ
られた）部位のみが載置面から強制的に引き剥されて湾
曲する。
【００２３】ここで本実施の形態では、ウエハＷの全面
が離脱したときと図（４）ｂに示すように残留吸着した
ままのときとでは、静電チャック３の表面部の温度に差
異があり、このため温度検出部６で検出される温度デー
タに差異があることに着目している。図５はプロセス中
及びプロセス後の温度検出部６の温度データであって、
時刻ｔ１にリフトピン５を微小突出量だけ突き上げるこ
とによりウエハＷが離脱し、時刻ｔ２にウエハＷを再び
静電チャック３上に置いたときの温度データである。
【００２４】ウエハＷはこの例ではプロセスが行われる
ことによって静電チャック３よりも温度が高い状態にあ
り、プロセス終了後しばらくはウエハＷの温度は静電チ
ャック３の温度よりも高い。このため時刻ｔ１でウエハ
Ｗが離脱すると、静電チャック３の表面部の温度は静電
チャック３の本来の温度まで降下し、温度検出部６の検
出端は、ウエハＷが離れるため静電チャック３の表面部
の温度と同じになり、温度検出値が降下する。この温度
降下パターンは例えばウエハＷを１０秒ぐらい離脱させ
たままにしておくと捉えることができ、温度検出値は例
えば３０℃程度降下する。
【００２５】一方図６は、時刻ｔ１にリフトピン５を突
き上げてもウエハＷが静電チャック３から離脱しないと
きの温度データであり、温度検出部６はウエハＷの温度
を検出しているので、ウエハＷが離脱する場合のような
温度検出値の降下はない。従ってこれらの温度データの
差に基づいて両者を区別するための判断基準値を設定
し、この基準値をメモリ６３内に格納しておいて、リフ
トピン５を突き上げた後例えば１０秒間温度検出値と基
準値とを判断部６４で比較し、温度検出値が基準値より
も下がればウエハＷが離脱していると判断し、温度検出
値が基準値よりも下がらなければ離脱していないと判断
することができる。この判断基準値については、例えば
プロセス時のウエハＷの温度が２６０℃のとき、例えば
２５５℃として設定することができる。
【００２６】リフトピン５を突き上げるときの微小突出
量は、ウエハＷが局所的に突き上げられて湾曲しても破
壊しない程度、つまり弾性破壊限界を越えない程度の量
であり、例えば８インチサイズのウエハであれば１ｍｍ
以下とすることができる。
【００２７】このようにしてウエハＷの離脱の判断を行
う具体的手法の一例を図７に基づいて説明すると、プロ
セス終了後（ステップＳ１）、リフトピン５を載置台２
から（静電チャック３の表面から）０．２５ｍｍだけ相
対的に突き上げ（ステップＳ２）、ウエハＷが離脱して
いるか否か判断する（ステップＳ３）。ウエハＷが離脱
していれば図４（ｃ）に示すように載置台２を降下させ
てリフトピン５を例えば載置台２から１２ｍｍ突出させ
てウエハＷを受け渡し位置まで突き上げる（ステップＳ
４）。次いで受け渡し手段である搬送アーム５０がリフ
トピン５の間に進入し、ウエハＷを下から掬い上げて受
け取り、図示しないロードロック室に搬出する。
【００２８】一方ウエハＷが離脱していないと判断され
た場合には、更に載置台２を降下させてリフトピン５を
０．５ｍｍ相対的に突出させて（ステップＳ６）、ウエ
ハＷが離脱しているか否か判断し（ステップＳ７）、こ
のようにウエハＷが離脱しないときには載置台２を０．
２５ｍｍずつ降下させてリフトピン５を１ｍｍまで段階
的に突出させ（ステップＳ８〜Ｓ１１）、これでも離脱
しないときには離脱不能と判断する。その後は例えば残
留電荷が弱くなってウエハＷが離脱できるようになるま
で待機する。
【００２９】このように本実施の形態では、静電チャッ
ク３の吸着電圧の印加を解除した後リフトピン５を一気
にウエハＷの受け渡し位置に応じた突出量だけ突き上げ
るのではなく、ウエハＷが残留吸着しているとしても破
壊されない程度の力を、リフトピン５を微小突出量だけ
突出させてウエハＷに加えることにより、予め残留吸着
の強弱を知るようにしているため、ウエハＷの破壊を未
然に防ぐことができる。従ってウエハＷが破壊して真空
チャンバ７内に飛散した場合に行っていた面倒な作業を
回避することができ、トータル的なスループットの向上
を図ることができる。
【００３０】またリフトピン５を微小突出量だけ突き上
げるにあたって、例えば０．２５ｍｍずつ段階的に突き
上げていき、また突き上げた後温度データの取得のため
に例えば１０秒程度そのままにしているので、残留吸着
が強くても、その間に徐々に残留吸着が弱まっていくこ
とがあり、スムーズにウエハＷを離脱させることができ
る。なお段階的なリフトピン５の突出量は０．２５ｍｍ
に限られるものではないし、段階的にリフトピン５を突
出させる代りに例えばはじめから１ｍｍ突出させるよう
にしてもよい。
【００３１】更にリフトピン５を微小量突出させ、ウエ
ハＷが離脱していないと判断されたときに、例えば載置
台２を上昇させてリフトピン５を一旦載置台２の中に埋
設させ、再びリフトピン５を微小量突出させてその位置
で停止させ、このような操作を複数回繰り返し、こうし
てリフトピン５によりウエハＷを何度も突き上げること
にウエハＷの残留吸着を弱めるようにしてもよい。この
場合図７のフローチャートでいえばステップＳ３、Ｓ
７、Ｓ９、Ｓ１１にて複数回の突き上げが行われる。
【００３２】以上においてリフトピン５でウエハＷを微
小突出量突き上げたときにウエハＷが静電チャック３に
残留吸着しているか否かの判断は、図８に示すような手
法でもよい。リフトピン５を突き上げたときにリフトピ
ン５の近傍のウエハＷの表面状態が離脱しているか否か
によって異なるので、図８（ａ）に示すようにウエハＷ
に対して斜めから入射した光Ｌ０が離脱していなければ
Ｌ１のように反射し、離脱していればＬ２のように反射
し、従って受光部の位置を設定することによって例えば
Ｌ２の反射光だけ受光できるように設定することによっ
て離脱しているか否かを判断することができる。
【００３３】また図８（ｂ）に示すようにウエハＷの周
縁部に光を当てればウエハＷが離脱しているか否かで反
射光量が変わるため、その受光量を検出することにより
ウエハＷの離脱を判断することができる。
【００３４】また本発明では、リフトピンを用いずに例
えばウエハの周縁部をクランプするクランプ手段により
ウエハの受け渡しを行うものにも適用することができ、
この場合例えばクランプ手段により載置台上のウエハに
対して、ウエハが破壊されない程度の力を静電チャック
から離れる方向に力を加え、既述の手法でウエハが離脱
しているか否かを判断するようにしてもよい。更にまた
載置台２は横向きであっても下向きであってもよい。本
発明が適用される装置はＥＣＲプラズマ装置に限らずプ
ラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置あるいはド
ライエッチング装置などであってもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ウエハな
どの被処理体を静電チャックから離脱させて搬送工程に
移る前に被処理体に対する残留吸着の強弱を把握してい
るため、被処理体の破損事故を未然に防止することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に用いられる載置台を示す
断面図である。
【図２】リフトピンを示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るＥＣＲプラズマ装置
を示す断面図である。
【図４】載置台上のウエハを搬送アームに受け渡すまで
の動作を示す説明図である。
【図５】ウエハＷを微小量だけリフトピンにより突き上
げたときにウエハが離脱した場合の温度データを示す特
性図である。
【図６】ウエハＷを微小量だけリフトピンにより突き上
げたときにウエハが離脱しなかった場合の温度データを
示す特性図である。
【図７】本発明の実施の形態における作用を示すフロー
チャートである。
【図８】ウエハの載置状態に基づいてウエハが離脱して
いるか否かを判断する工程の他の例を示す説明図であ
る。
【図９】従来の静電チャックを示す断面図である。
【符号の説明】
２ 載置台 ３ 静電チャック Ｗ 半導体ウエハ ３２、３３ 電極 ４ 支持部材 ４０ 制御部 ４１ モータ ４５ ネジ軸 ５ リフトピン ５１ リフト台 ５２ エアシリンダ ６２ 光信号処理部 ６３ メモリ ６４ 判断部 ７ 真空チャンバ ７１ プラズマ室 ７６ 反応室

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 静電チャック上に被処理体を静電吸着す
    る工程と、 次いで前記静電チャックの吸着用電圧の印加を解除する
    工程と、 その後被処理体が静電チャックに残留吸着しているとし
    ても被処理体が破壊されない程度の力を被処理体に対し
    て静電チャックから離れる方向に加え、このときの被処
    理体の載置状態に基づいて被処理体が静電チャックに残
    留吸着しているか離脱しているかを判断する判断工程
    と、 この判断工程で被処理体が離脱していると判断された
    後、被処理体を静電チャックから受け渡し手段に受け渡
    す工程と、を含むことを特徴とする静電チャックの離脱
    方法。
  2. 【請求項２】 静電チャック上に被処理体を静電吸着す
    る工程と、 次いで前記静電チャックの吸着用電圧の印加を解除する
    工程と、 その後被処理体が静電チャックに残留吸着しているとし
    ても被処理体が破壊されない程度の微小突出量だけ突き
    上げ部材を被処理体の下面に対して相対的に突き上げる
    工程と、 微小突出量だけ突き上げられた被処理体の載置状態に基
    づいて被処理体が静電チャックに残留吸着しているか離
    脱しているかを判断する判断工程と、 この判断工程で被処理体が離脱していると判断された
    後、被処理体を突き上げ部材により受け渡し位置まで相
    対的に突き上げて、受け渡し手段に受け渡す工程と、を
    含むことを特徴とする静電チャックの離脱方法。
  3. 【請求項３】 前記判断工程は、静電チャックの表面部
    の温度を検出し、被処理体が残留吸着しているときの温
    度デ−タと離脱しているときの温度デ−タとを予め求め
    ておいて、これら温度デ−タと静電チャックの表面部の
    温度検出結果とに基づいて被処理体が静電チャックから
    離脱したか否かを判断する工程であることを特徴とする
    請求項１または２記載の静電チャックの離脱方法。
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