JPH06170670A - 静電チャック装置およびその運転方法 - Google Patents
静電チャック装置およびその運転方法Info
- Publication number
- JPH06170670A JPH06170670A JP32707592A JP32707592A JPH06170670A JP H06170670 A JPH06170670 A JP H06170670A JP 32707592 A JP32707592 A JP 32707592A JP 32707592 A JP32707592 A JP 32707592A JP H06170670 A JPH06170670 A JP H06170670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- force
- electrostatic chuck
- change
- adsorbed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁物中の吸着面近傍に吸着用電極とヒータと
を埋め込んでなる温度センサ内蔵型静電チャック装置に
おいて、吸着面に吸着・保持されている被吸着物に作用
している吸着力が変化した場合にも、吸着力変化による
被吸着物の温度変化が生じないようにする装置構成と、
この構成による静電チャック装置の運転方法とを提供す
る。 【構成】温度センサ４に加え、吸着力の測定可能な圧力
センサ１０を内蔵させた装置構成とする。運転に際して
は、運転の初期状態における吸着力を標準吸着力として
メモリー１２に保存し、被吸着物１５の処理開始から終
了までの間、逐次吸着力を測定して標準吸着力からの変
化分による温度変化分で温度センサ４の出力信号を補正
してヒータ電源８を制御するか、標準吸着力からの変化
分で吸着用電源９を制御して吸着力を元に戻すようにす
る。
を埋め込んでなる温度センサ内蔵型静電チャック装置に
おいて、吸着面に吸着・保持されている被吸着物に作用
している吸着力が変化した場合にも、吸着力変化による
被吸着物の温度変化が生じないようにする装置構成と、
この構成による静電チャック装置の運転方法とを提供す
る。 【構成】温度センサ４に加え、吸着力の測定可能な圧力
センサ１０を内蔵させた装置構成とする。運転に際して
は、運転の初期状態における吸着力を標準吸着力として
メモリー１２に保存し、被吸着物１５の処理開始から終
了までの間、逐次吸着力を測定して標準吸着力からの変
化分による温度変化分で温度センサ４の出力信号を補正
してヒータ電源８を制御するか、標準吸着力からの変化
分で吸着用電源９を制御して吸着力を元に戻すようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、吸着面近傍に電極と
ヒータとを埋め込まれた絶縁物の前記吸着面上に被吸着
物を置き、被吸着物と電極間に働く静電力により被吸着
物を吸着面に吸着・保持し、ヒータによって被吸着物の
加熱を行う静電チャック装置であって、かつ被吸着物の
温度を計測する温度センサを内蔵したものの構成と、こ
の構成による静電チャック装置の運転方法とに関する。
ヒータとを埋め込まれた絶縁物の前記吸着面上に被吸着
物を置き、被吸着物と電極間に働く静電力により被吸着
物を吸着面に吸着・保持し、ヒータによって被吸着物の
加熱を行う静電チャック装置であって、かつ被吸着物の
温度を計測する温度センサを内蔵したものの構成と、こ
の構成による静電チャック装置の運転方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来のこの種の静電チャック装置
の構造例を示す。静電チャック本体１は、絶縁物１Ａ内
に１対の板状もしくは箔状の吸着用電極２と抵抗加熱材
からなる板状もしくは箔状のヒータ３とを吸着面１Ｂ近
傍に埋め込んでなり、吸着用電極２は電圧可調整の吸着
用電源９に、また、ヒータ３は、外部からの制御信号に
よる出力電圧の調整可能なヒータ電源８に接続されてい
る。また、ヒータ３により加熱される被吸着物，ここで
は半導体基板１５の温度を計測する温度センサ４は、静
電チャック本体１が取り付けられるチャックホールダ１
８の孔と、チャック本体の絶縁物１Ａの孔とを挿通する
細管４Ｂと、この細管４Ｂの先端に固定されるセンサ素
子，例えば熱電対４Ａとからなり、熱電対４Ａが基板１
５の背面に圧着ばね５の弾性力で押圧される。図の符号
１６はこの弾性力を加減するための調整ねじであり、１
７は調整ねじ１６のねじ込み位置を不動に維持するため
のナットである。
の構造例を示す。静電チャック本体１は、絶縁物１Ａ内
に１対の板状もしくは箔状の吸着用電極２と抵抗加熱材
からなる板状もしくは箔状のヒータ３とを吸着面１Ｂ近
傍に埋め込んでなり、吸着用電極２は電圧可調整の吸着
用電源９に、また、ヒータ３は、外部からの制御信号に
よる出力電圧の調整可能なヒータ電源８に接続されてい
る。また、ヒータ３により加熱される被吸着物，ここで
は半導体基板１５の温度を計測する温度センサ４は、静
電チャック本体１が取り付けられるチャックホールダ１
８の孔と、チャック本体の絶縁物１Ａの孔とを挿通する
細管４Ｂと、この細管４Ｂの先端に固定されるセンサ素
子，例えば熱電対４Ａとからなり、熱電対４Ａが基板１
５の背面に圧着ばね５の弾性力で押圧される。図の符号
１６はこの弾性力を加減するための調整ねじであり、１
７は調整ねじ１６のねじ込み位置を不動に維持するため
のナットである。
【０００３】このような構成において、温度センサ４が
検出した基板温度は温度制御演算部６に送られ、ここで
温度制御演算部６内に予め設定されている基板の所望温
度と比較され、両者の差または比に応じたヒータの電力
制御信号７がヒータ電源８に送られ、ヒータ電源８の出
力電圧が基板２０の温度が設定値になるような電圧に調
整される。このように、熱電対４Ａは圧着ばね５により
基板背面に押圧されるので、誤差の少ない基板温度計測
を行うことができる。
検出した基板温度は温度制御演算部６に送られ、ここで
温度制御演算部６内に予め設定されている基板の所望温
度と比較され、両者の差または比に応じたヒータの電力
制御信号７がヒータ電源８に送られ、ヒータ電源８の出
力電圧が基板２０の温度が設定値になるような電圧に調
整される。このように、熱電対４Ａは圧着ばね５により
基板背面に押圧されるので、誤差の少ない基板温度計測
を行うことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように構
成される従来の静電チャック装置では、被吸着物（以下
基板とする）の検出温度に誤差を与える静電チャック吸
着面と基板との間の接触熱抵抗が圧着ばねの弾性力でき
まるため、検出温度誤差を小さくするためには、基板が
吸着面から離脱しない範囲内でできるだけ弾性力を大き
くする必要があり、一方、弾性力を大きくすると基板に
局所的な応力を与え、プロセスに影響を与える懸念が生
じる。また、基板の処理過程では、静電チャック本体の
絶縁物の，微少ではあるが、熱変形等に基づく吸着力の
変化を考慮しなければならず、吸着力の変化により吸着
面表面の微小凹凸を介した吸着面と基板との接触面積が
変化すると接触熱抵抗が変化し、基板の温度が変化する
ので、この温度変化も検出してヒータ電源の出力電圧を
変化させなければならないが、静電チャック本体の絶縁
物には熱容量があるので、吸着力変化による温度変化が
はじまってから温度センサが検出可能な温度変化に達す
るまでには時間がかかり、また，この温度変化を検出し
てヒータ電源を制御しても、静電チャック本体の絶縁物
の熱容量により、基板温度が所定値に復帰するのに時間
がかかり、この時間中、基板は所定の温度を外れた温度
で処理されるという問題点があった。この温度変化の発
生を防止するためには、吸着力の変化を小さくするのが
１つの方法であり、このために圧着ばねの弾性力を大き
くすると、前述のように基板に局所的な応力が生じる問
題が生じる。要するに、基板の温度変動を小さくするた
めには圧着ばねの弾性力を大きくすればよいが、基板の
局所的応力の問題が生じ、また、基板保持の確実性にも
問題が生じる。
成される従来の静電チャック装置では、被吸着物（以下
基板とする）の検出温度に誤差を与える静電チャック吸
着面と基板との間の接触熱抵抗が圧着ばねの弾性力でき
まるため、検出温度誤差を小さくするためには、基板が
吸着面から離脱しない範囲内でできるだけ弾性力を大き
くする必要があり、一方、弾性力を大きくすると基板に
局所的な応力を与え、プロセスに影響を与える懸念が生
じる。また、基板の処理過程では、静電チャック本体の
絶縁物の，微少ではあるが、熱変形等に基づく吸着力の
変化を考慮しなければならず、吸着力の変化により吸着
面表面の微小凹凸を介した吸着面と基板との接触面積が
変化すると接触熱抵抗が変化し、基板の温度が変化する
ので、この温度変化も検出してヒータ電源の出力電圧を
変化させなければならないが、静電チャック本体の絶縁
物には熱容量があるので、吸着力変化による温度変化が
はじまってから温度センサが検出可能な温度変化に達す
るまでには時間がかかり、また，この温度変化を検出し
てヒータ電源を制御しても、静電チャック本体の絶縁物
の熱容量により、基板温度が所定値に復帰するのに時間
がかかり、この時間中、基板は所定の温度を外れた温度
で処理されるという問題点があった。この温度変化の発
生を防止するためには、吸着力の変化を小さくするのが
１つの方法であり、このために圧着ばねの弾性力を大き
くすると、前述のように基板に局所的な応力が生じる問
題が生じる。要するに、基板の温度変動を小さくするた
めには圧着ばねの弾性力を大きくすればよいが、基板の
局所的応力の問題が生じ、また、基板保持の確実性にも
問題が生じる。
【０００５】この発明の目的は、基板処理中に吸着力の
変化があっても、基板に局所的な応力を生じさせること
なく、従ってまた基板保持の確実性にも問題が生じるこ
となく、基板に温度変化を生じさせないようにすること
のできる静電チャック装置の構成と、この構成による静
電チャック装置の運転方法とを提供することである。
変化があっても、基板に局所的な応力を生じさせること
なく、従ってまた基板保持の確実性にも問題が生じるこ
となく、基板に温度変化を生じさせないようにすること
のできる静電チャック装置の構成と、この構成による静
電チャック装置の運転方法とを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては、冒頭記載の構成による静電チャ
ック装置を、その内蔵する温度センサに加え、吸着面に
吸着・保持された被吸着物に作用している吸着力を、吸
着面表面の微視的凹凸に基づく吸着面と被吸着物との間
隔の，両者の接触開始からの変化から捉える圧力センサ
を内蔵した装置とする。
め、本発明においては、冒頭記載の構成による静電チャ
ック装置を、その内蔵する温度センサに加え、吸着面に
吸着・保持された被吸着物に作用している吸着力を、吸
着面表面の微視的凹凸に基づく吸着面と被吸着物との間
隔の，両者の接触開始からの変化から捉える圧力センサ
を内蔵した装置とする。
【０００７】そして、この装置を運転するに際し、運転
の初期状態において、被吸着物の吸着前後の圧力センサ
からの圧力信号変化を吸着力基準値として記憶し、以
後、基板処理開始から終了までの間、前記圧力センサか
らの圧力信号で逐次吸着力測定を行い、吸着力基準値と
比較し、温度センサによる温度計測値と実際の温度との
計測誤差に対し、吸着力変化分に見合った補正を行って
ヒータ電源を制御する運転方法をとるか、運転の初期状
態において、被吸着物の吸着前後の圧力センサからの圧
力信号変化を吸着力基準値として記憶し、以後、基板処
理開始から終了までの間、前記圧力センサからの圧力信
号で逐次吸着力測定を行い、吸着力基準値と比較し、吸
着力変化分に見合った吸着電圧補正を行う運転方法をと
るものとする。
の初期状態において、被吸着物の吸着前後の圧力センサ
からの圧力信号変化を吸着力基準値として記憶し、以
後、基板処理開始から終了までの間、前記圧力センサか
らの圧力信号で逐次吸着力測定を行い、吸着力基準値と
比較し、温度センサによる温度計測値と実際の温度との
計測誤差に対し、吸着力変化分に見合った補正を行って
ヒータ電源を制御する運転方法をとるか、運転の初期状
態において、被吸着物の吸着前後の圧力センサからの圧
力信号変化を吸着力基準値として記憶し、以後、基板処
理開始から終了までの間、前記圧力センサからの圧力信
号で逐次吸着力測定を行い、吸着力基準値と比較し、吸
着力変化分に見合った吸着電圧補正を行う運転方法をと
るものとする。
【０００８】
【作用】このように、基板処理中に吸着力の変化があっ
た場合、この変化と同時に変化の大きさに見合った温度
補正を通常の温度センサによる温度補正に加えて温度セ
ンサにより行うことにより、吸着力の変化分に見合った
温度変化が生じないようにヒータ電源が制御され、基板
は吸着力変化前の温度で処理をつづけられることにな
る。
た場合、この変化と同時に変化の大きさに見合った温度
補正を通常の温度センサによる温度補正に加えて温度セ
ンサにより行うことにより、吸着力の変化分に見合った
温度変化が生じないようにヒータ電源が制御され、基板
は吸着力変化前の温度で処理をつづけられることにな
る。
【０００９】なお、吸着力の変化があった時点でヒータ
電源を制御する代わりに、吸着力変化を検出した圧力セ
ンサの信号により吸着用電源を制御して吸着力を元に戻
すことにより温度変化を阻止することができる。なお、
上記圧力センサは、吸着面表面の微視的凹凸の変形量程
度の変形量に応動可能なものであれば種類は問わない
が、例えば、半導体結晶のキャリア移動度が応力を受け
ることによって非常に大きく変化し、かつその変化率
（具体的には抵抗値の変化率／結晶の厚みの変化率）が
広範囲で一定であることを利用して半導体（例えばSiあ
るいはGe）を0.1 〜１mm程度のサイズに仕上げた半導体
ストレンゲージをセンサ素子として用いることができ
る。
電源を制御する代わりに、吸着力変化を検出した圧力セ
ンサの信号により吸着用電源を制御して吸着力を元に戻
すことにより温度変化を阻止することができる。なお、
上記圧力センサは、吸着面表面の微視的凹凸の変形量程
度の変形量に応動可能なものであれば種類は問わない
が、例えば、半導体結晶のキャリア移動度が応力を受け
ることによって非常に大きく変化し、かつその変化率
（具体的には抵抗値の変化率／結晶の厚みの変化率）が
広範囲で一定であることを利用して半導体（例えばSiあ
るいはGe）を0.1 〜１mm程度のサイズに仕上げた半導体
ストレンゲージをセンサ素子として用いることができ
る。
【００１０】
【実施例】図１に本発明の一実施例を示す。静電チャッ
ク本体１の吸着面１Ｂに吸着された基板１５に作用して
いる吸着力を検出する圧力センサ１０は半導体ストレン
ゲージを細い支持棒の下端に固定してなるもので、吸着
用電極２に吸着用電源９を接続していない状態で基板１
５を吸着面１Ｂに接触させ、この状態で圧力センサ１０
の支持棒上部のねじを支持棒下端のセンサ素子が基板１
５の背面に軽く接触するまでねじ込み、この位置にナッ
ト１９を用いて固定する。この状態で吸着用電極２に吸
着用電源９から電圧を供給すると、吸着用電極２と基板
１５との間に静電力が働き、圧力センサ１０から吸着力
に応じた圧力信号が吸着力制御演算部１１に送られる。
吸着力制御演算部１１には、圧力信号の変化量と基板温
度の変化量との関係が、想定される各種基板処理条件
（例えばＥＣＲ型プラズマＣＶＤ装置に用いられる静電
チャック装置の場合には所望基板温度，マイクロ波電
力，ガス圧力等）の下で予め行った実験結果を用いてプ
ログラム化されており、圧力信号変化量すなわち吸着力
変化に見合った温度変化を吸着力変動信号１４として温
度制御演算部２０へ、また、圧力信号変化量をそのま
ま、あるいは増幅等の加工を行い、吸着電圧制御信号１
３として吸着用電源９へ出力する。図の符号１２はメモ
リーであり、静電チャック装置運転の初期、すなわち基
板処理開始のために各種処理条件が整った状態での吸着
力を圧力センサからの圧力信号で計測し、この圧力信号
を吸着力標準値としてメモリー１２に保存する。なお、
温度センサ４は図２と同じくセンサ素子に熱電対を使用
し、圧着ばね５の弾性力は接触熱抵抗を必要最小限とす
る値に設定されている。
ク本体１の吸着面１Ｂに吸着された基板１５に作用して
いる吸着力を検出する圧力センサ１０は半導体ストレン
ゲージを細い支持棒の下端に固定してなるもので、吸着
用電極２に吸着用電源９を接続していない状態で基板１
５を吸着面１Ｂに接触させ、この状態で圧力センサ１０
の支持棒上部のねじを支持棒下端のセンサ素子が基板１
５の背面に軽く接触するまでねじ込み、この位置にナッ
ト１９を用いて固定する。この状態で吸着用電極２に吸
着用電源９から電圧を供給すると、吸着用電極２と基板
１５との間に静電力が働き、圧力センサ１０から吸着力
に応じた圧力信号が吸着力制御演算部１１に送られる。
吸着力制御演算部１１には、圧力信号の変化量と基板温
度の変化量との関係が、想定される各種基板処理条件
（例えばＥＣＲ型プラズマＣＶＤ装置に用いられる静電
チャック装置の場合には所望基板温度，マイクロ波電
力，ガス圧力等）の下で予め行った実験結果を用いてプ
ログラム化されており、圧力信号変化量すなわち吸着力
変化に見合った温度変化を吸着力変動信号１４として温
度制御演算部２０へ、また、圧力信号変化量をそのま
ま、あるいは増幅等の加工を行い、吸着電圧制御信号１
３として吸着用電源９へ出力する。図の符号１２はメモ
リーであり、静電チャック装置運転の初期、すなわち基
板処理開始のために各種処理条件が整った状態での吸着
力を圧力センサからの圧力信号で計測し、この圧力信号
を吸着力標準値としてメモリー１２に保存する。なお、
温度センサ４は図２と同じくセンサ素子に熱電対を使用
し、圧着ばね５の弾性力は接触熱抵抗を必要最小限とす
る値に設定されている。
【００１１】制御系がこのように構成された静電チャッ
ク装置の運転は以下のように行われる。まず、静電チャ
ック本体の運転初期に吸着力を圧力センサを用いて計測
し、このときの圧力信号を吸着力の標準値としてメモリ
ー１２に保存する。以後、プロセスの開始から終了まで
吸着力を逐次測定し、吸着力変化に見合った吸着力変動
信号１３と吸着電圧制御信号１４とをそれぞれ吸着用電
源９と温度制御演算部２０とへ出力する。吸着用電源９
は外部からの制御信号により出力電圧を変化させる電圧
調整器を備えており、入力された吸着電圧制御信号１４
に従って吸着力を元に戻す電圧を出力する。また、温度
制御演算部２０は温度センサ４が検出した検出信号を、
入力した吸着力変動信号１３により補正して吸着力変化
に見合った温度補正まで同時に行い、吸着力の変化が温
度変化として現われないようにする。ヒータ電源８は電
圧調整器を備えており、入力された補正信号により、吸
着力の変化が温度変化として現われないような電圧をヒ
ータ３に供給する。
ク装置の運転は以下のように行われる。まず、静電チャ
ック本体の運転初期に吸着力を圧力センサを用いて計測
し、このときの圧力信号を吸着力の標準値としてメモリ
ー１２に保存する。以後、プロセスの開始から終了まで
吸着力を逐次測定し、吸着力変化に見合った吸着力変動
信号１３と吸着電圧制御信号１４とをそれぞれ吸着用電
源９と温度制御演算部２０とへ出力する。吸着用電源９
は外部からの制御信号により出力電圧を変化させる電圧
調整器を備えており、入力された吸着電圧制御信号１４
に従って吸着力を元に戻す電圧を出力する。また、温度
制御演算部２０は温度センサ４が検出した検出信号を、
入力した吸着力変動信号１３により補正して吸着力変化
に見合った温度補正まで同時に行い、吸着力の変化が温
度変化として現われないようにする。ヒータ電源８は電
圧調整器を備えており、入力された補正信号により、吸
着力の変化が温度変化として現われないような電圧をヒ
ータ３に供給する。
【００１２】なお、本実施例では温度センサに熱電対を
用いたが、基板背面の測温部に蛍光塗料を塗布し、この
蛍光塗料に光を当てると、温度により入射光と異なる波
長の光が出ることが知られており、光導入用および光導
出用の２本の光ファイバを用いて温度センサを構成する
ようにすれば、基板に局所的応力を与えることなく吸着
力変化時の基板の温度変化を阻止することができる。
用いたが、基板背面の測温部に蛍光塗料を塗布し、この
蛍光塗料に光を当てると、温度により入射光と異なる波
長の光が出ることが知られており、光導入用および光導
出用の２本の光ファイバを用いて温度センサを構成する
ようにすれば、基板に局所的応力を与えることなく吸着
力変化時の基板の温度変化を阻止することができる。
【００１３】
【発明の効果】このように、本発明によれば、温度セン
サ内蔵型静電チャックに圧力センサを付加し、静電チャ
ックの吸着力変化を測定することにより、従来のように
局所的応力を基板に与えることなく、基板と温度センサ
間、および基板と静電チャック間の接触熱抵抗を常に一
定に保つことができ、安定な基板加熱が保証される。ま
た、基板を一定温度に保つためのフィードバック信号と
して吸着力変化信号を加えることにより、従来の温度測
定のみのフィードバックよりも追従性に優れた温度制御
を行うことができる。
サ内蔵型静電チャックに圧力センサを付加し、静電チャ
ックの吸着力変化を測定することにより、従来のように
局所的応力を基板に与えることなく、基板と温度センサ
間、および基板と静電チャック間の接触熱抵抗を常に一
定に保つことができ、安定な基板加熱が保証される。ま
た、基板を一定温度に保つためのフィードバック信号と
して吸着力変化信号を加えることにより、従来の温度測
定のみのフィードバックよりも追従性に優れた温度制御
を行うことができる。
【図１】本発明による静電チャック装置構成の一実施例
を示す装置構成図
を示す装置構成図
【図２】従来の温度センサ内蔵型静電チャック装置構成
の一例を示す装置構成図
の一例を示す装置構成図
【符号の説明】 １ 静電チャック本体 １Ａ 絶縁物 １Ｂ 吸着面 ２ 吸着用電極（電極） ３ ヒータ ４ 温度センサ ６ 温度制御演算部 ８ ヒータ電源 ９ 吸着用電源 １０ 圧力センサ １１ 吸着力制御演算部 １２ メモリー １３ 吸着電圧制御信号 １４ 吸着力変動信号 １５ 基板（被吸着物）
Claims (3)
- 【請求項１】吸着面近傍に電極とヒータとを埋め込まれ
た絶縁物の前記吸着面上に被吸着物を置き、被吸着物と
電極間に働く静電力により被吸着物を吸着面に吸着・保
持し、ヒータによって被吸着物の加熱を行う静電チャッ
ク装置であって、かつ被吸着物の温度を計測する温度セ
ンサを内蔵したものにおいて、前記温度センサに加え、
吸着面に吸着・保持された被吸着物に作用している吸着
力を、吸着面表面の微視的凹凸に基づく吸着面と被吸着
物との間隔の，両者の接触開始からの変化から捉える圧
力センサを内蔵していることを特徴とする静電チャック
装置。 - 【請求項２】請求項第１項に記載の静電チャック装置の
運転方法であって、運転の初期状態において、被吸着物
の吸着前後の圧力センサからの圧力信号変化を吸着力基
準値として記憶し、以後、基板処理開始から終了までの
間、前記圧力センサからの圧力信号で逐次吸着力測定を
行い、吸着力基準値と比較し、温度センサによる温度計
測値と実際の温度との計測誤差に対し、吸着力変化分に
見合った補正を行ってヒータ電源を制御することを特徴
とする静電チャック装置の運転方法。 - 【請求項３】請求項第１項に記載の静電チャック装置の
運転方法であって、運転の初期状態において、被吸着物
の吸着前後の圧力センサからの圧力信号変化を吸着力基
準値として記憶し、以後、基板処理開始から終了までの
間、前記圧力センサからの圧力信号で逐次吸着力測定を
行い、吸着力基準値と比較し、吸着電圧補正を行うこと
を特徴とする静電チャック装置の運転方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32707592A JPH06170670A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 静電チャック装置およびその運転方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32707592A JPH06170670A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 静電チャック装置およびその運転方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06170670A true JPH06170670A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18195014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32707592A Pending JPH06170670A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | 静電チャック装置およびその運転方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06170670A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956837A (en) * | 1996-11-20 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method of detaching object to be processed from electrostatic chuck |
| US6391789B2 (en) | 2000-04-19 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Dry etching system for patterning target layer at high reproducibility and method of dry etching used therein |
| JP2009059976A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
| JP2016063005A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置、および静電チャックの制御方法 |
| KR20160084803A (ko) | 2015-01-06 | 2016-07-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 배치대 및 기판 처리 장치 |
| CN106688087A (zh) * | 2014-07-08 | 2017-05-17 | 沃特洛电气制造公司 | 具有在粘结层中集成温度感测的粘结装置 |
| KR20180036554A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 척 및 기판 고정 장치 |
| JP2018060834A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP32707592A patent/JPH06170670A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5956837A (en) * | 1996-11-20 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method of detaching object to be processed from electrostatic chuck |
| US6391789B2 (en) | 2000-04-19 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Dry etching system for patterning target layer at high reproducibility and method of dry etching used therein |
| GB2363900B (en) * | 2000-04-19 | 2004-05-26 | Nec Corp | Dry etching system and method for use in semiconductor manufacture |
| JP2009059976A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板保持機構及びこの基板保持機構を用いる半導体装置の製造方法 |
| CN106688087A (zh) * | 2014-07-08 | 2017-05-17 | 沃特洛电气制造公司 | 具有在粘结层中集成温度感测的粘结装置 |
| TWI603416B (zh) * | 2014-07-08 | 2017-10-21 | 瓦特洛威電子製造公司 | 具有接合層之整合溫度感測技術的接合總成 |
| US11187594B2 (en) | 2014-07-08 | 2021-11-30 | Watlow Electric Manufacturing Company | Bonded assembly with integrated temperature sensing in bond layer |
| US11041766B2 (en) | 2014-07-08 | 2021-06-22 | Watlow Electric Manufacturing Company | Bonded assembly with integrated temperature sensing in bond layer |
| JP2016063005A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置、および静電チャックの制御方法 |
| US10512125B2 (en) | 2015-01-06 | 2019-12-17 | Tokyo Electron Limited | Mounting table and substrate processing apparatus |
| KR20160084803A (ko) | 2015-01-06 | 2016-07-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 배치대 및 기판 처리 장치 |
| KR20180036554A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 척 및 기판 고정 장치 |
| US10886154B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-01-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electrostatic chuck and substrate fixing device |
| JP2018060833A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
| TWI737814B (zh) * | 2016-09-30 | 2021-09-01 | 日商新光電氣工業股份有限公司 | 靜電夾盤以及基板固定裝置 |
| JP2018060834A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4034344B2 (ja) | ウエハの温度制御方法及び装置 | |
| US7655887B2 (en) | Feedback control system and method for maintaining constant resistance operation of electrically heated elements | |
| JPH06170670A (ja) | 静電チャック装置およびその運転方法 | |
| US6468384B1 (en) | Predictive wafer temperature control system and method | |
| JP2005032858A (ja) | 静電チャックによるガラス基板の吸着方法および静電チャック | |
| JP3986598B2 (ja) | 基板温度制御機構 | |
| JP4578701B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH11218480A (ja) | セラミックス焼結体の熱衝撃試験法およびその装置 | |
| JP2778573B2 (ja) | 加熱ステージ | |
| JP3966931B2 (ja) | 静電吸着装置、静電吸着力測定方法、記録媒体 | |
| JPH05281073A (ja) | ピラニ真空計 | |
| JPS6132510A (ja) | 基板の温度制御機構 | |
| JP3404608B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置等の試料温度調整装置及びこの装置に用いられる試料ホルダ | |
| JP2613296B2 (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JP3424784B2 (ja) | 炭酸ガス濃度測定器の固体電解質型炭酸ガスセンサ制御装置 | |
| JPH11297802A (ja) | 静電吸着装置およびこれを搭載した真空処理装置 | |
| JP4071002B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH0866071A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP7128393B2 (ja) | 半導体結晶体の加工方法および半導体結晶体の加工装置 | |
| JPH076718Y2 (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP4159216B2 (ja) | 静電吸着装置、真空処理装置、及び静電吸着方法 | |
| WO2002017384A1 (en) | Electrostatic chuck temperature control method and system | |
| JPH097965A (ja) | 半導体製造装置の温度制御装置 | |
| JP2617044B2 (ja) | ウエハー保持装置およびその制御方法 | |
| JP2856583B2 (ja) | 顕微鏡の試料保持装置 |