KR20160084803A - 배치대 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 세라믹체 내부의 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정한다.
[해결수단] 일실시형태에 따른 배치대는, 세라믹체와, 세라믹체의 내부에 설치된 히터와, 세라믹체를 지지하는 지지면을 갖는 베이스이며, 적어도 그 지지면측에 개구된 공간으로서 온도 센서를 수용하는 그 공간을 제공하는 그 베이스와, 세라믹체 내에 설치되는 제1 단부와, 공간의 상측의 위치로서 제1 단부보다 공간측의 위치에 설치되는 제2 단부와의 사이에서 연장되는 전열체이며, 그 전열체의 주위에서의 세라믹체의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 그 전열체를 구비한다.

Description

배치대 및 기판 처리 장치{MOUNTING TABLE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 실시형태는, 배치대 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치에서는, 배치대 상에 피처리체(예컨대 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)가 배치된 상태로 그 피처리체가 처리된다. 이러한 피처리체의 처리에 있어서는 피처리체의 온도 제어가 중요하다. 이 때문에, 온도 조정 기능을 갖춘 배치대가 널리 이용되고 있다.
일례로서, 특허문헌 1에는, 온도 제어 기능을 갖는 정전 척이 기재되어 있다. 이 정전 척에는, 흡착용 전극 및 히터가 매립되어 있다. 흡착용 전극은, 외부 전원으로부터 전압이 인가되면 피처리체를 정전 척의 배치면에 흡착 유지하기 위한 정전력을 발생시킨다. 또한, 히터는, 히터 전원으로부터 공급되는 전력에 의해 발열하여 정전 척을 가열한다. 이 정전 척에는 판두께 방향으로 연장되는 관통 구멍이 형성되어 있고, 그 관통 구멍 내에는, 선단부가 피처리체의 이면측에 접하여 그 피처리체의 온도를 측정하는 온도 센서가 삽입되어 있다. 이 온도 센서에는 온도 제어 연산부가 접속되어 있다. 이 온도 제어 연산부는 온도 센서로부터 취득한 피처리체의 온도에 따라서 상기 히터 전원을 제어함으로써 피처리체의 온도를 목표 온도로 제어한다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평6-170670호 공보
상기와 같이 특허문헌 1에 기재된 정전 척에는, 온도 센서를 삽입하기 위한 관통 구멍이 형성되어 있다. 이러한 관통 구멍이 정전 척에 형성되어 있으면, 그 정전 척의 배치면에는, 국소적으로 온도가 상이한 온도 특이점이 생긴다. 따라서, 정전 척의 배치면에 온도 특이점이 생기는 것을 방지하면서 측정 대상 개소의 온도를 측정하기 위해, 도 7에 나타낸 바와 같은 구성의 배치대를 채용하는 것이 고려된다.
도 7에 나타내는 배치대(100)는, 냉각 플레이트(102)를 구비하고 있다. 이 냉각 플레이트(102)에는 냉매를 유통시키기 위한 냉매 유로(102a)가 형성되어 있다. 냉각 플레이트(102) 상에는, 접착제(106)를 통해 세라믹 플레이트(104)가 설치되어 있다. 세라믹 플레이트(104)는, 상면(104a) 및 하면(104b)을 갖고 있고, 그 상면(104a)은, 피지지체를 배치하기 위한 배치면을 제공하고 있다. 이 세라믹 플레이트(104)의 내부에는 히터(HT)가 설치되어 있다. 또한, 냉각 플레이트(102)에는 그 냉각 플레이트(102)를 판두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(HL)이 형성되어 있다. 이 관통 구멍(HL) 내에는, 세라믹 플레이트(104)의 하면(104b)의 온도를 비접촉으로 측정하는 온도 센서(108)가 설치되어 있다. 도 7에 나타내는 배치대(100)에서는, 세라믹 플레이트(104)에 관통 구멍을 형성하지 않았기 때문에, 배치면에 온도 특이점이 생기는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이 배치대(100)에서는, 하면(104b)의 온도를 측정함으로써 세라믹 플레이트(104) 내부의 측정 대상 개소의 온도를 간접적으로 취득할 수 있다.
그러나, 세라믹 플레이트(104)의 열전도율은 낮기 때문에, 측정 대상 개소와 하면(104b) 사이에는 큰 온도 구배가 생긴다. 이 때문에, 하면(104b)의 온도로부터 측정 대상 개소의 온도를 정확하게 취득하는 것은 어렵다.
따라서, 본 기술분야에서는, 세라믹체 내부의 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있는 배치대를 제공하는 것이 요청되고 있다.
본 발명의 일양태에 따른 배치대는, 세라믹체와, 세라믹체의 내부에 설치된 히터와, 세라믹체를 지지하는 지지면을 갖는 베이스이며, 적어도 그 지지면측에 개구된 공간으로서 온도 센서를 수용하는 그 공간을 제공하는 그 베이스와, 세라믹체 내에 설치되는 제1 단부와, 공간의 상측의 위치로서 제1 단부보다 공간측의 위치에 설치되는 제2 단부와의 사이에서 연장되는 전열체이며, 그 전열체의 주위에서의 세라믹체의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 그 전열체를 구비한다.
일양태에 따른 배치대에서는, 세라믹체의 내부에 높은 열전도율을 갖는 전열체가 설치되어 있기 때문에, 세라믹체 내부의 측정 대상 개소의 열이 전열체의 제1 단부로부터 제2 단부에 효율적으로 전달된다. 이 때문에, 측정 대상 개소와 전열체의 제2 단부와의 사이의 온도 구배는 작은 것이 된다. 즉, 베이스의 공간 내에 배치되는 온도 센서에 의해 제2 단부측으로부터 측정되는 온도는, 측정 대상 개소의 온도에 가까워진다. 따라서, 일양태에 따른 배치대에 의하면, 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다.
일실시형태에서는, 세라믹체는, 접착제를 통해 지지면 상에 설치되는 제1 세라믹층과, 제1 세라믹층 상에 설치되는 제2 세라믹층을 포함하고, 히터는 제2 세라믹층 내에 설치되고, 전열체는 제1 세라믹층 내에 설치되고, 그 제1 세라믹층의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖고 있어도 좋다. 또한, 제1 세라믹층은, 제2 세라믹층측에 배치되는 제1 면 및 그 제1 면의 반대측의 제2 면을 가지며, 전열체의 제1 단부는 제1 세라믹층과 제2 세라믹층의 경계면 상에 설치되고, 전열체의 제2 단부는 제1 단부보다 제2 면측에 설치되어 있어도 좋다.
일실시형태에서는, 베이스에 대하여 세라믹체가 설치되는 방향에 직교하는 방향에 있어서, 전열체의 제1 단부와 제2 단부가 서로 다른 위치에 배치되어 있어도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 측정 대상 개소의 하측에 온도 센서를 수용하기 위한 공간을 형성하지 않고, 측정 대상 개소의 온도를 측정하는 것이 가능해진다. 따라서, 공간의 형성 위치를 임의로 설정할 수 있게 되기 때문에, 배치대의 설계의 자유도를 향상시키는 것이 가능해진다.
일실시형태에서는, 전열체는 텅스텐 소결체로 구성되어도 좋다. 텅스텐 소결체는 우수한 열전도율을 갖고 있기 때문에, 측정 대상 개소의 열을 효율적으로 전달할 수 있다. 또한, 텅스텐 소결체는 세라믹의 열팽창율에 가까운 열팽창율을 갖고 있기 때문에, 배치대에 온도 변화가 생겼을 때에 전열체와 그 주위의 세라믹체의 사이에 생기는 열응력 왜곡을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 구성에서는, 열응력 왜곡에 기인하는 전열체 및 세라믹체의 파손을 방지하는 것이 가능해진다.
본 발명의 일양태에 따른 기판 처리 장치는 상기 배치대를 구비한다.
본 발명의 일양태 및 여러가지 실시형태에 의하면, 세라믹체 내부의 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다.
도 1은 일실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 일실시형태의 배치대를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 도 2에 나타내는 배치대의 온도 측정 기구 부근의 확대 단면도이다.
도 4는 다른 실시형태에 따른 배치대의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시형태에 따른 배치대의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 또 다른 실시형태에 따른 배치대의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 종래의 배치대의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 여러가지 실시형태에 관해 상세히 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이기로 한다.
도 1은, 일실시형태에 따른 기판 처리 장치인 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 도 1에 나타내는 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기(1)를 갖고 있다. 처리 용기(1)는, 원통형상을 갖고 있고, 예컨대 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 처리 용기(1)는, 예컨대 전기적으로 접지되어 있다. 처리 용기(1)는, 플라즈마가 생성되는 처리 공간을 구획한다. 이 처리 공간에는, 피처리체(work-piece)인 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 함)(W)를 수평으로 지지하는 배치대(2)가 수용되어 있다. 일실시형태의 배치대(2)는, 베이스(3), 정전 척(6) 및 세라믹체(7)를 포함하고 있다.
베이스(3)는, 대략 원판형 또는 대략 원기둥형을 나타내고, 도전성의 금속, 예컨대 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 베이스(3)는, 절연체의 지지대(4)에 지지되어 있고, 지지대(4)가 처리 용기(1)의 바닥부에 설치되어 있다. 베이스(3)는, 예컨대 나사를 통해 지지대(4)에 이면측으로부터 체결되어 있다. 이 베이스(3)는 하부 전극으로서 기능한다.
베이스(3)에는 급전 막대(50)가 접속되어 있다. 급전 막대(50)에는 제1 정합기(11a)를 통해 제1 RF 전원(10a)이 접속되어 있다. 또한, 급전 막대(50)에는 제2 정합기(11b)를 통해 제2 RF 전원(10b)이 접속되어 있다. 제1 RF 전원(10a)은 플라즈마 발생용 전원이며, 이 제1 RF 전원(10a)으로부터는 소정의 주파수의 고주파 전력이 배치대(2)의 베이스(3)에 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 제2 RF 전원(10b)은 이온 인입용(바이어스용) 전원이며, 이 제2 RF 전원(10b)으로부터는 제1 RF 전원(10a)보다 낮은 소정 주파수의 고주파 전력이 배치대(2)의 베이스(3)에 공급되도록 구성되어 있다.
베이스(3)의 내부에는 냉매 유로(2d)가 형성되어 있다. 냉매 유로(2d)에는 냉매 입구 배관(2b) 및 냉매 출구 배관(2c)이 접속되어 있다. 그리고, 냉매 유로(2d) 중에 냉매, 예컨대 냉각수 등을 순환시킴으로써, 배치대(2)를 소정의 온도로 제어 가능하게 구성되어 있다. 또, 배치대(2) 등을 관통하도록, 웨이퍼(W)의 이면에 헬륨 가스 등의 냉열 전달용 가스(백사이드 가스)를 공급하기 위한 가스 공급관이 설치되어도 좋다. 가스 공급관은 가스 공급원에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 배치대(2)의 상면에 정전 척(6)에 의해 흡착 유지된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 제어한다.
정전 척(6)은, 상측으로부터의 평면시에 있어서 배치대(2)의 중앙에 설치되어 있고, 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 기능을 갖고 있다. 정전 척(6)은, 전극(6a) 및 절연체(6b)를 갖고 있다. 전극(6a)은, 예컨대 세라믹으로 이루어진 절연체(6b)의 내부에 설치되어 있다. 이 전극(6a)에는 직류 전원(12)이 접속되어 있다. 정전 척(6)은, 전극(6a)에 직류 전원(12)으로부터 직류 전압이 인가됨으로써, 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)를 흡착하도록 구성되어 있다. 정전 척(6)에는 가열 소자인 1 이상의 히터(6c)가 설치되어 있다. 히터(6c)는 히터 전원(14)에 접속되어 있다. 히터(6c)는, 예컨대 배치대(2)의 중심을 둘러싸도록 고리형으로 연장되어 있다. 이 히터(6c)는, 예컨대 중심 영역을 가열하는 히터와, 중심 영역의 외측을 둘러싸도록 고리형으로 연장되는 히터를 포함해도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 온도를, 그 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 방사 방향으로 위치하는 복수의 영역마다 제어할 수 있다.
또한, 정전 척(6)의 외측에는 고리형의 포커스 링(5)이 설치되어 있다. 포커스 링(5)은, 예컨대 단결정 실리콘으로 형성되어 있고, 세라믹체(7)를 통해 베이스(3)에 지지되어 있다. 세라믹체(7)의 내부에는 1 이상의 히터(22)가 설치되어 있다. 히터(22)는 포커스 링(5)을 가열하기 위한 가열 소자이다. 히터(22)는 히터 전원(14)에 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 온도와 포커스 링(5)의 온도는, 상이한 히터에 의해 독립적으로 제어된다.
한편, 배치대(2)의 상측에는, 배치대(2)에 대면하도록, 상부 전극으로서의 기능을 갖는 샤워 헤드(16)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(16)와 배치대(2)는, 한쌍의 전극(상부 전극과 하부 전극)으로서 기능한다.
샤워 헤드(16)는 처리 용기(1)의 천장벽 부분에 설치되어 있다. 샤워 헤드(16)는, 본체부(16a)와 전극판을 이루는 상부 천판(16b)을 구비하고 있다. 샤워 헤드(16)는, 절연성 부재(95)를 통해 처리 용기(1)의 상부에 지지되어 있다. 본체부(16a)는, 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극(陽極) 산화 처리된 알루미늄으로 이루어지고, 그 하부에 상부 천판(16b)을 착탈 가능하게 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
본체부(16a)의 내부에는 가스 확산실(16c)이 설치되어 있다. 본체부(16a)의 바닥부에는, 가스 확산실(16c)의 하측을 향해 연장되도록 복수의 가스 통류 구멍(16d)이 형성되어 있다. 또한, 상부 천판(16b)에는, 복수의 가스 통류 구멍(16d)의 각각에 대하여 연통하도록, 그 상부 천판(16b)을 두께 방향으로 관통하는 복수의 가스 도입 구멍(16e)이 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해, 가스 확산실(16c)에 공급된 처리 가스는, 가스 통류 구멍(16d) 및 가스 도입 구멍(16e)을 통해 처리 용기(1) 내에 샤워형으로 분산되어 공급된다.
또한, 본체부(16a)에는, 가스 확산실(16c)에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(16g)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(16g)에는 가스 공급 배관(15a)이 접속되어 있다. 이 가스 공급 배관(15a)의 제2 단부에는, 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급원(15)이 접속되어 있다. 가스 공급 배관(15a)에는, 상류측으로부터 순서대로 매스플로우 컨트롤러(MFC)(15b) 및 개폐 밸브(V2)가 설치되어 있다. 처리 가스 공급원(15)으로부터 플라즈마 에칭을 위한 처리 가스는, 가스 공급 배관(15a)을 통해 가스 확산실(16c)에 공급되고, 이 가스 확산실(16c)로부터, 가스 통류 구멍(16d) 및 가스 도입 구멍(16e)을 통해 처리 용기(1) 내에 샤워형으로 분산되어 공급된다.
상기 상부 전극으로서의 샤워 헤드(16)에는, 로우패스 필터(LPF)(71)를 통해 가변 직류 전원(72)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 가변 직류 전원(72)은, 온ㆍ오프 스위치(73)에 의해 급전의 온ㆍ오프가 가능하게 구성되어 있다. 가변 직류 전원(72)의 전류ㆍ전압 및 온ㆍ오프 스위치(73)의 온ㆍ오프는, 후술하는 제어부(90)에 의해 제어된다. 또, 제1 RF 전원(10a), 제2 RF 전원(10b)으로부터 고주파가 배치대(2)에 인가되어 처리 공간에 플라즈마가 발생할 때에는, 필요에 따라서 제어부(90)에 의해 온ㆍ오프 스위치(73)가 온이 되고, 상부 전극으로서의 샤워 헤드(16)에 소정의 직류 전압이 인가되어도 좋다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)에는, 처리 용기(1)의 측벽으로부터 샤워 헤드(16)의 높이 위치보다 상측으로 연장되도록 원통형의 접지 도체(1a)가 설치되어 있다. 이 원통형의 접지 도체(1a)는 그 상부에 천장벽을 갖고 있다.
처리 용기(1)의 바닥부에는 배기구(81)가 형성되어 있다. 이 배기구(81)에는, 배기관(82)을 통해 제1 배기 장치(83)가 접속되어 있다. 제1 배기 장치(83)는 진공 펌프를 갖고 있고, 이 진공 펌프를 작동시킴으로써 처리 용기(1) 내를 소정의 진공도까지 감압할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 처리 용기(1) 내의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입 반출구(84)가 설치되어 있다. 이 반입 반출구(84)에는, 그 반입 반출구(84)를 개폐하는 게이트 밸브(85)가 설치되어 있다.
처리 용기(1)의 측부 내측에는, 내벽면을 따라서 증착 실드(86)가 설치되어 있다. 증착 실드(86)는, 처리 용기(1)에 에칭 부생성물(증착)이 부착되는 것을 방지한다. 이 증착 실드(86)의 웨이퍼(W)와 대략 동일한 높이 위치에는, 그라운드에 대한 전위가 제어 가능하게 접속된 도전성 부재(GND 블록)(89)가 설치되어 있다. 이 도전성 부재(89)는 이상 방전을 방지한다. 또한, 증착 실드(86)의 하단부에는, 배치대(2)를 따라서 연장되는 증착 실드(87)가 설치되어 있다. 증착 실드(86, 87)는 착탈 가능하게 구성되어 있다.
상기 구성의 플라즈마 처리 장치는, 제어부(90)에 의해 그 동작이 통괄적으로 제어된다. 이 제어부(90)에는, CPU를 갖추고 플라즈마 처리 장치의 각 부를 제어하는 프로세스 컨트롤러(91)와, 사용자 인터페이스(92)와, 기억부(93)가 설치되어 있다.
사용자 인터페이스(92)는, 공정 관리자가 플라즈마 처리 장치를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작을 행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성되어 있다.
기억부(93)에는, 플라즈마 처리 장치에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(91)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나 처리 조건 데이터 등이 기억된 레시피가 저장되어 있다. 그리고, 필요에 따라서, 사용자 인터페이스(92)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(93)로부터 불러내어 프로세스 컨트롤러(91)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(91)의 제어하에 플라즈마 처리 장치에서의 원하는 처리가 행해진다. 또한, 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는, 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체(예컨대, 하드디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 또는, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인에서 사용하거나 하는 것도 가능하다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 배치대(2)의 주요 부분의 구성에 관해 설명한다. 도 2는, 도 1의 플라즈마 처리 장치(10)에서의 배치대(2)를 나타내는 개략 단면도이다.
베이스(3)는, 예컨대 대략 원판형 또는 원기둥형을 나타내고, 이면(3c)에 대향하는 표면(상면(3d), 상면(3e))을 갖고 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 베이스(3)의 표면측에는, 베이스(3)의 중심축선(Z)을 둘러싸도록 고리형의 홈(13)이 형성되어 있다. 이 홈(13)은 베이스(3)의 표면에 직교하는 방향에서 보면 고리형으로 형성되어 있다. 또, 홈(13)은, 중심축선(Z)에 대한 둘레 방향에 있어서 베이스(3)의 표면측에 연속적으로 형성되어 있어도 좋고, 단속적으로 형성되어 있어도 좋다. 베이스(3)의 상부는, 홈(13)을 통해, 베이스 중앙부(3a)와 베이스 주연부(3b)로 분리되어 있다.
베이스 중앙부(3a)는, 베이스(3)의 표면에 직교하는 방향에서 볼 때 원형을 이루고 있고, 정전 척(6)을 지지하는 원형의 상면(3d)을 갖고 있다. 원기둥형의 베이스 중앙부(3a)의 중심축선은, 베이스(3)의 중심축선(Z)에 일치한다. 베이스 주연부(3b)는, 베이스(3)의 표면에 직교하는 방향에서 볼 때 고리형을 이루고 있고, 세라믹체(7)를 통해 포커스 링(5)을 지지하는 고리형의 상면(3e)을 갖고 있다. 베이스 주연부(3b)는, 베이스(3)의 중심축선(Z), 즉 베이스 중앙부(3a)의 중심축선을 둘러싸도록 형성되어 있다. 이와 같이, 베이스(3)의 표면은, 홈(13)에 의해, 원형의 상면(3d) 및 고리형의 상면(3e)으로 분할되어 있다. 상면(3d)은 정전 척(6)을 지지하기 위한 지지면으로서 이용되고, 상면(3e)은 세라믹체(7)를 지지하기 위한 지지면으로서 이용된다.
상면(3d) 및 상면(3e)의 높이는, 웨이퍼(W)의 두께, 포커스 링(5)의 두께나, 웨이퍼(W)와 베이스 중앙부(3a) 사이에 개재하는 재료의 두께나 물성, 포커스 링(5)과 베이스 주연부(3b) 사이에 개재하는 재료의 두께나 물성에 따라서, 웨이퍼(W) 에 대한 열의 전달이나 RF 전력과, 포커스 링(5)에 대한 열의 전달이나 RF 전력이 일치하도록 적절하게 조정된다. 즉, 도 3에서는, 상면(3d) 및 상면(3e)의 높이가 일치하지 않는 경우를 예시하고 있지만, 양자가 일치해도 좋다.
베이스(3)의 내부에 형성된 냉매 유로(2d)는, 홈(13)보다 베이스(3)의 내측에 위치하는 내측의 냉매 유로(2e)와, 홈(13)보다 베이스(3)의 외연에 위치하는 외측의 냉매 유로(2f)를 포함한다. 내측의 냉매 유로(2e)는, 베이스 중앙부(3a)의 상면(3d)의 하측에 형성된다. 외측의 냉매 유로(2f)는, 베이스 주연부(3b)의 상면(3e)의 하측에 형성된다. 즉, 내측의 냉매 유로(2e)는, 웨이퍼(W)의 하측에 위치하여 웨이퍼(W)의 열을 흡열하도록 기능하고, 외측의 냉매 유로(2f)는, 포커스 링(5)의 하측에 위치하여 포커스 링(5)의 열을 흡열하도록 기능한다. 또, 내측의 냉매 유로(2e)와, 외측의 냉매 유로(2f)를 상이한 냉각 기구에 접속하여, 상이한 온도의 냉매를 흘려도 좋다.
홈(13)은, 베이스(3)의 내부에서 바닥면(13a)을 갖는다. 즉, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 주연부(3b)는, 홈(13)의 하측에서 서로 접속되어 있다. 베이스(3)의 이면(3c)의 높이 위치(P)를 기준으로 하면, 바닥면(13a)의 높이 위치(B)는, 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면 중 가장 상측에 위치하는 상단면의 높이와 동일 위치, 또는, 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면 중 가장 상측에 위치하는 상단면의 높이보다 하측으로 설정된다. 도 2에서는, 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면의 높이는 동일한 높이(H1)인 경우를 나타내고 있다. 이 때문에, 홈(13)의 바닥면(13a)의 높이 위치(B)는, 높이(H1)와 동일하거나 높이(H1)보다 하측으로 설정되면 된다. 이와 같이, 적어도 냉매 유로(2e, 2f)의 상단면까지 홈(13)이 형성되어 있음으로써, 냉매 유로(2e, 2f)의 상측에 있어서 공간을 설치하고, 물리적인 연속성을 끊는 것에 의해, 베이스(3) 내부에 있어서 수평 방향의 열류 다발을 차단할 수 있다. 그 공간은, 플라즈마 처리중에는 진공 공간이 되기 때문에 진공 단열이 가능하다.
베이스(3)의 베이스 중앙부(3a)는, 그 상면(3d) 상에 정전 척(6)을 지지하고 있다. 정전 척(6)은, 상면(3d) 상에 접착제(9b)를 통해 설치되어 있다. 정전 척(6)은 원판형을 나타내고, 베이스(3)의 중심축선(Z)과 동축에 설치되어 있다. 정전 척(6)의 상단에는, 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 배치면(6d)이 형성되어 있다. 배치면(6d)은 원형을 나타내고, 웨이퍼(W)의 이면과 접촉하여 원판형의 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 정전 척(6)의 하단에는, 정전 척(6)의 직경 방향 외측으로 돌출된 플랜지부(6e)가 형성되어 있다. 즉, 정전 척(6)은, 측면의 높이 위치에 따라서 상이한 외경을 갖고 있다. 또한, 정전 척(6)에는, 절연체(6b)의 사이에 전극(6a) 및 히터(6c)가 개재되어 있다. 도면 중에서는, 전극(6a)의 하측에 히터(6c)가 설치되어 있다. 이 히터(6c)에 의해 배치면(6d)이 가열 제어된다.
포커스 링(5)은, 세라믹체(7)를 통해 베이스 주연부(3b)에 지지되어 있다. 포커스 링(5)은 원환형의 부재로서, 베이스(3)의 중심축선(Z)과 동축이 되도록 설치되어 있다. 포커스 링(5)의 내측 측면에는, 직경 방향 내측으로 돌출된 볼록부(5a)가 형성되어 있다. 즉, 포커스 링(5)은, 내측 측면의 위치에 따라서 내경이 상이하다. 예컨대, 볼록부(5a)가 형성되지 않은 개소의 내경은, 웨이퍼(W)의 외경 및 정전 척(6)의 플랜지부(6e)의 외경보다 크다. 한편, 볼록부(5a)가 형성된 개소의 내경은, 정전 척(6)의 플랜지부(6e)의 외경보다 작고, 또한, 정전 척(6)의 플랜지부(6e)가 형성되지 않은 개소의 외경보다 크다.
포커스 링(5)은, 볼록부(5a)가 정전 척(6)의 플랜지부(6e)의 상면과 이격되고, 또한, 정전 척(6)의 측면으로부터도 이격된 상태가 되도록 세라믹체(7) 상면에 배치된다. 즉, 포커스 링(5)의 볼록부(5a)의 하면과 정전 척(6)의 플랜지부(6e)의 상면의 사이, 포커스 링(5)의 볼록부(5a)의 측면과 정전 척(6)의 플랜지부(6e)가 형성되지 않은 측면의 사이에는, 간극이 형성되어 있다. 그리고, 포커스 링의 볼록부(5a)는 홈(13)의 상측에 위치한다. 즉, 배치면(6d)과 직교하는 방향에서 볼 때, 볼록부(5a)는, 홈(13)과 중복되는 위치에 존재하여 그 홈(13)을 덮고 있다. 이에 따라, 플라즈마가 홈(13)에 진입하는 것을 방지할 수 있다.
베이스 주연부(3b)의 상면(3e) 상에는 세라믹체(7)가 설치되어 있다. 세라믹체(7)는, 그 상면 위에 포커스 링(5)을 지지하고 있다. 세라믹체(7)는, 제1 세라믹층(18) 및 제2 세라믹층(20)을 포함하는 적층 구조를 갖고 있다.
제1 세라믹층(18)은, 접착제(9a)를 통해 베이스 주연부(3b)의 상면(3e) 상에 설치되어 있다. 제1 세라믹층(18)은, 예컨대 가압 성형에 의해 형성된 알루미나(Al2O3) 세라믹 소결체로 구성될 수 있다. 제1 세라믹층(18)은, 상면(제1 면)(18a) 및 그 상면과 반대측의 하면(제2 면)(18b)을 갖고 있고, 베이스(3)의 중심축선(Z)과 동축의 고리형을 이루고 있다. 제1 세라믹층(18)의 하면(18b)은, 접착제(9a)를 통해 베이스 주연부(3b)의 상면(3e)에 접착되어 있다. 접착제(9a)로는, 예컨대 실리콘계 또는 에폭시 수지계의 접착제가 이용된다. 접착제(9a)는, 예컨대 0.1 W/mK∼0.5 W/mK의 열저항률을 가지며, 80℃∼150℃의 내열 온도를 갖고 있다. 이 접착제(9a)는, 제1 세라믹층(18)과 베이스 주연부(3b) 사이의 열저항을 증가시킴과 함께, 응력 변형을 흡수하는 층으로서도 기능한다.
제2 세라믹층(20)은, 제1 세라믹층(18)의 상면(18a) 위에 설치되는 세라믹제의 층이며, 제1 세라믹층(18)과 동축의 고리형을 나타내고 있다. 제2 세라믹층(20)은, 그 위에 포커스 링(5)을 배치한다. 제2 세라믹층(20)은, 제1 막(20a) 및 제2 막(20b)이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. 이들 제1 막(20a) 및 제2 막(20b)은, 모두 용사법을 이용하여 형성된 세라믹제의 막이다. 용사법이란, 입자형의 용사 재료를 기재의 표면에 분무함으로써 용사 재료에 따른 막을 형성하는 성막법이다.
제1 막(20a)은, 예컨대 제1 세라믹층(18)의 상면(18a)에 대하여 지르코니아(ZrO2) 입자를 분무함으로써 형성된 지르코니아제의 용사막이다. 제2 막(20b)은, 예컨대 제1 막(20a)에 대하여 산화이트륨(Y2O3) 입자를 분무함으로써 형성된 산화이트륨제의 용사막이다. 제2 세라믹층(20)은, 제1 세라믹층(18)의 상면(18a) 위에 용사법에 의해 형성됨으로써, 제1 세라믹층(18)의 상면(18a)의 상면(18a)에 밀착하여 제1 세라믹층(18)과 일체화한다. 또, 제2 세라믹층(20)은, 반드시 적층 구조를 가질 필요는 없고, 단일한 재료에 의해 구성된 단층 구조를 갖고 있어도 좋다.
제2 세라믹층(20)의 내부에는, 1 이상의 히터(22)가 설치되어 있다. 히터(22)는, 중심축선(Z)에 대하여 둘레 방향으로 연장되는 고리형을 이루고 있고, 제1 막(20a)과 제2 막(20b)의 경계면에 접하도록 제2 막(20b) 내에 배치되어 있다. 히터(22)는, 예컨대 용사법에 의해 형성된 용사 히터 전극이며, 포커스 링(5)을 가열하기 위한 가열 소자로서 기능한다. 일실시형태에서는, 히터(22)는, 제1 막(20a) 상에 텅스텐(W) 입자를 분무함으로써 형성된 텅스텐제의 히터 전극이다.
또한, 배치대(2)에는, 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소의 온도를 측정하기 위한 온도 측정 기구가 설치되어 있다. 측정 대상 개소란, 세라믹체(7)의 내부에서의 온도의 측정 대상이 되는 위치이다.
도 3을 참조하여, 이 온도 측정 기구의 일례를 설명한다. 도 3은, 배치대(2)의 온도 측정 기구 부근의 확대 단면도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 베이스(3)의 베이스 주연부(3b)에는, 그 베이스 주연부(3b)를 이면(3c)으로부터 상면(3e)까지 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있다. 관통 구멍의 내벽은, 통형상체(24)에 의해 덮여 있다. 이 관통 구멍의 내측은, 상면(3e)측 및 이면(3c)측에 개구된 공간(S1)을 구성하고 있다. 또, 공간(S1)은, 적어도 상면(3e)측, 즉 지지면측에 개구되어 있으면 된다. 예컨대, 베이스(3)에는 베이스 주연부(3b)의 상면(3e)으로부터 이면(3c)측을 향해서 움푹 패인 오목부가 형성됨으로써, 이면(3c)측에 개구되지 않고 상면(3e)측에 개구된 공간이 구획되어 있어도 좋다.
세라믹체(7)의 내부에는 전열체(30)가 설치되어 있다. 전열체(30)는, 제1 단부(30a) 및 제2 단부(30b)를 갖고 있고, 세라믹체(7)의 내부에 있어서 그 제1 단부(30a)와 제2 단부(30b) 사이에서 연장되어 있다. 이 제1 단부(30a)는 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소에 설치되어 있고, 제2 단부(30b)는 공간(S1)의 상측의 위치이자 제1 단부(30a)보다 공간(S1)측의 위치에 설치되어 있다. 도 3에 나타내는 실시형태에서는, 제1 단부(30a)는 제1 세라믹층(18)과 제1 막(20a)의 경계면 상에 설치되어 있고, 제2 단부(30b)는 공간(S1)의 상측에 제1 세라믹층(18)의 하면(18b)의 높이 위치에서 설치되어 있다.
이 전열체(30)는, 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소의 열을 제1 단부(30a)로부터 제2 단부(30b)에 전달한다. 그 때문에, 전열체(30)는, 그 전열체(30)의 주위에서의 세라믹체, 즉, 제1 세라믹층(18)의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖고 있다. 전열체(30)는, 예컨대 텅스텐 소결체로 구성되어 있다. 전열체(30)는, 예컨대 제1 세라믹층(18)을 형성할 때에, 제1 세라믹층(18)과 함께 소성됨으로써 형성될 수 있다.
베이스(3)에 의해 제공되는 공간(S1)의 내부에는 온도 센서(28)가 수용되어 있다. 이 온도 센서(28)는, 예컨대 공간(S1) 내에 전열체(30)의 제2 단부(30b)와 대면하도록 설치되어 있고, 그 제2 단부(30b)의 온도를 비접촉으로 검출한다. 이에 따라, 온도 센서(28)에 있어서, 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소의 온도에 가까운 온도가 검출된다. 이 온도 센서(28)에는 제어부(90)가 전기적으로 접속되어 있고, 온도 센서(28)에 있어서 검출된 온도를 나타내는 데이터가 제어부(90)에 송신된다. 일실시형태에서는, 제어부(90)는, 온도 센서(28)로부터 송신된 온도 데이터에 따라서 히터 전원(14)으로부터 히터(22)에 공급되는 전력을 제어할 수 있다. 이와 같이 제어부(90)가 히터 전원(14)을 제어함으로써, 측정 대상 개소의 온도가 목표 온도로 제어된다.
이상 설명한 바와 같이, 전술한 배치대(2)에서는, 정전 척(6)이 베이스 중앙부(3a)에 의해 지지되고, 포커스 링(5)이 세라믹체(7)를 통해 베이스 주연부(3b)에 의해 지지된다. 세라믹체(7)의 히터(22)와 베이스 주연부(3b) 사이에는, 제1 막(20a) 및 제1 세라믹층(18)이 개재되어 있다. 제1 막(20a) 및 제1 세라믹층(18)이 개재됨으로써, 히터(22)와 베이스 주연부(3b) 사이의 열저항이 증가하기 때문에, 히터(22)와 베이스 주연부(3b) 사이의 온도 구배가 커진다. 즉, 히터(22)로부터 베이스 주연부(3b)로 향하는 열류 다발은 감소한다. 이 때문에, 제1 세라믹층(18)과 베이스 주연부(3b) 사이에 개재하는 접착제(9a)의 온도 상승이 억제된다. 따라서, 접착제(9a)의 온도가 내열 온도를 초과함으로써, 세라믹체(7) 및 포커스 링(5)이 베이스 주연부(3b)로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 히터(22)와 베이스 주연부(3b) 사이의 열저항이 증가함으로써, 히터(22)로부터 포커스 링(5)으로 향하는 열류 다발은 증가한다. 이 때문에, 적은 전력으로 히터(22)를 가열시켜 포커스 링(5)의 온도를 높게 할 수 있다. 즉, 포커스 링(5)을 효율적으로 가열하는 것이 가능해진다.
또한, 배치대(2)에서는, 측정 대상 개소의 온도를 제2 단부(30b)측에 전달하는 전열체(30)가 제1 세라믹층(18) 내에 설치되어 있다. 이 전열체(30)는, 제1 세라믹층(18)의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖고 있기 때문에, 측정 대상 개소의 열을 제1 단부(30a)로부터 제2 단부(30b)에 효율적으로 전달한다. 따라서, 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소와 전열체(30)의 제2 단부(30b) 사이의 온도 구배는 작은 것이 된다. 즉, 공간(S1) 내에 설치되는 온도 센서(28)에 의해 제2 단부(30b)측으로부터 측정되는 온도는, 측정 대상 개소의 온도에 가까운 온도이다. 따라서, 상기 구성을 구비하는 배치대(2)에 의하면, 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다.
특히, 상기 실시형태에서는, 전열체(30)는 텅스텐 소결체로 구성되어 있다. 텅스텐 소결체는, 제1 세라믹층(18)을 구성하는 알루미나 세라믹 소결체에 가까운 열팽창율을 갖고 있다. 따라서, 상기 실시형태에서는, 배치대(2)에 온도 변화가 생겼을 때에 전열체(30)와 제1 세라믹층(18) 사이에 생기는 열응력 왜곡이 억제된다. 따라서, 열응력 왜곡에 기인하는 전열체(30) 및 제1 세라믹층(18)의 파손을 방지하는 것이 가능해진다.
또, 도 3에 나타내는 실시형태에서는, 전열체(30)의 제1 단부(30a)가 제1 세라믹층(18)과 제1 막(20a)의 경계면 상에 배치되어 있지만, 그 제1 단부(30a)의 배치 위치는 세라믹체(7)의 내부인 한 한정되지 않는다. 예컨대, 도 4에 나타낸 바와 같이, 공간(S1)의 상측에 있어서 제1 세라믹층(18)과 제2 막(20b)이 접하도록 구성되어 있는 경우에는, 전열체(30)의 제1 단부(30a)가 제1 세라믹층(18)과 제2 막(20b)의 경계면 상에 배치되어도 좋다. 이러한 실시형태에서는, 온도 센서(28)를 이용하여 제2 단부(30b)의 온도를 측정함으로써, 제1 세라믹층(18)과 제2 막(20b)의 경계면 상의 온도를 보다 정확하게 측정하는 것이 가능해진다. 또한, 일실시형태에서는, 히터(22)의 온도를 직접 측정하기 위해, 전열체(30)의 제1 단부(30a)가 히터(22)의 하면에 접촉하도록 배치되어도 좋다.
또한, 일실시형태에서는, 베이스(3)에 대하여 세라믹체(7)가 설치되는 방향(중심축선(Z)에 평행한 방향)에 대하여 직교하는 방향, 즉 수평 방향에 있어서, 전열체(30)의 제1 단부(30a)와 제2 단부(30b)가 서로 다른 위치에 배치되어 있어도 좋다. 예컨대, 도 5에 나타낸 바와 같이, 전열체(30)의 제2 단부(30b)가 공간(S1)의 상측에 배치되고, 전열체(30)의 제1 단부(30a)가 제2 단부(30b)보다 배치대(2)의 직경 방향 내측에 배치되어 있어도 좋다. 도 5에 나타내는 실시형태에서는, 측정 대상 개소의 하측에 온도 센서(28)를 수용하기 위한 공간(S1)을 형성하지 않고, 측정 대상 개소의 온도를 측정하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 공간(S1)의 형성 위치를 임의로 설정할 수 있게 되기 때문에, 배치대(2)의 설계의 자유도를 향상시키는 것이 가능해진다.
상기 실시형태에서는, 베이스 주연부(3b)의 상측에만 전열체(30)가 설치되어 있지만, 베이스 중앙부(3a) 상측에 전열체(30)가 더 설치되어 있어도 좋다. 이러한 변형예에 따른 배치대를 도 6을 참조하여 설명한다. 이하에서는, 도 2에 나타내는 배치대(2)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 중복된 설명은 생략한다.
도 6은, 변형예에 따른 배치대(2A)를 나타내는 개략 단면도이다. 배치대(2A)에 있어서는, 베이스(3)의 베이스 중앙부(3a)는, 그 상면(3d) 위에 제3 세라믹층(32)을 통해 정전 척(6)을 지지하고 있다. 제3 세라믹층(32)은 대략 원판형상을 갖고 있고, 예컨대 가압 성형에 의해 형성된 알루미나 세라믹 소결체로 구성되어 있다. 이 제3 세라믹층(32)은, 상면(32a) 및 하면(32b)을 갖고 있고, 그 하면(32b)이 접착제(9b)를 통해 베이스 중앙부(3a)의 상면(3d)에 접착되어 있다. 이 제3 세라믹층(32)은, 정전 척(6)과 함께 일실시형태의 세라믹체로서 기능한다.
또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 베이스(3)의 베이스 중앙부(3a)에는, 그 베이스 중앙부(3a)를 이면(3c)으로부터 상면(3d)까지 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있다. 이 관통 구멍의 내측은, 상면(3d)측 및 이면(3c)측에 개구된 공간(S2)을 구성하고 있다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 베이스 중앙부(3a)에는 복수의 공간(S2)이 형성되어 있어도 좋다.
제3 세라믹층(32)의 내부에는 전열체(30)가 설치되어 있다. 전열체(30)의 제1 단부(30a)는, 공간(S2)의 상측에 있어서 제3 세라믹층(32)과 정전 척(6)의 절연체(6b)의 경계면 상에 설치되어 있다. 전열체(30)의 제2 단부(30b)는, 공간(S2)의 상측에 있어서 제3 세라믹층(32)의 하면(32b)과 동일한 높이 위치에 설치되어 있다. 전열체(30)는, 측정 대상 개소인 제3 세라믹층(32)과 절연체(6b)의 경계면 상의 열을 제1 단부(30a)로부터 제2 단부(30b)에 전달한다.
공간(S2)의 내부에는 온도 센서(28)가 수용되어 있다. 이 온도 센서(28)는, 예컨대 공간(S2) 내에 있어서 전열체(30)의 제2 단부(30b)와 대면하도록 설치되어 있고, 그 제2 단부(30b)의 온도를 비접촉으로 검출한다. 이 온도 센서(28)는, 제어부(90)와 전기적으로 접속되어 있고, 검출한 전열체(30)의 제2 단부(30b)의 온도를 나타내는 데이터를 제어부(90)에 송신한다. 일실시형태에서는, 제어부(90)는, 온도 센서(28)로부터 출력된 온도 데이터에 따라서 히터 전원(14)으로부터 히터(6c)에 공급되는 전력을 제어할 수 있다. 이와 같이 제어부(90)가 히터 전원(14)을 제어함으로써, 측정 대상 개소의 온도가 목표 온도로 제어된다.
도 6에 나타내는 배치대(2A)에 있어서도, 도 3에 나타내는 배치대(2)와 마찬가지로, 정전 척(6)의 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다. 또, 배치대(2A)에 있어서는, 베이스 중앙부(3a)와 정전 척(6) 사이에 제3 세라믹층(32)이 설치되지 않아도 좋다. 이 경우에는, 정전 척(6)의 절연체(6b) 내에 전열체(30)를 배치함으로써, 정전 척(6) 내의 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
이상, 여러가지 실시형태에 관해 설명했지만, 전술한 실시형태에 한정되지 않고 여러가지 변형 양태를 구성 가능하다. 예컨대, 전술한 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치였지만, 배치대(2)는 다른 플라즈마 처리 장치에 적용할 수 있다. 예컨대, 배치대(2)가 적용되는 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파에 의해 가스를 여기시키는 플라즈마 처리 장치이어도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 주연부(3b)가 홈(13)에 의해 분할되어 있지만, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 주연부(3b)는 반드시 분할되어 있을 필요는 없다. 예컨대, 베이스 중앙부(3a) 및 베이스 주연부(3b)가 물리적으로 연속해 있고, 베이스 주연부(3b)가 세라믹체(7)를 통해 포커스 링(5)을 지지하고 있어도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 세라믹체(7)가 제1 세라믹층(18) 및 제2 세라믹층(20)을 포함하는 적층 구조를 갖고 있지만, 세라믹체(7)는 단층 구조를 갖고 있어도 좋다. 이와 같이 구성되는 경우라 하더라도, 세라믹체(7)의 내부에 설치되는 전열체(30)에 의해, 세라믹체(7) 내부의 측정 대상 개소의 열이 제1 단부(30a)로부터 제2 단부(30b)에 효율적으로 전달된다. 따라서, 공간(S2)에 배치되는 온도 센서(28)를 이용하여 전열체(30)의 제2 단부(30b)의 온도를 측정함으로써, 측정 대상 개소의 온도를 보다 정확하게 측정하는 것이 가능하다.
1 : 처리 용기, 2, 2A : 배치대, 3 : 베이스, 3a : 베이스 중앙부, 3b : 베이스 주연부, 3c : 이면, 3d, 3e : 상면, 6 : 정전 척, 6a : 전극, 6b : 절연체, 6c : 히터, 7 : 세라믹체, 9a, 9b : 접착제, 10 : 플라즈마 처리 장치, 13 : 홈, 14 : 히터 전원, 18 : 제1 세라믹층, 20 : 제2 세라믹층, 20a : 제1 막, 20b : 제2 막, 22 : 히터, 28 : 온도 센서, 30 : 전열체, 30a : 제1 단부, 30b : 제2 단부, 32 : 제3 세라믹층, 90 : 제어부, S1 : 공간, S2 : 공간, W : 웨이퍼, Z : 중심축선.

Claims (6)

  1. 세라믹체와,
    상기 세라믹체의 내부에 설치된 히터와,
    상기 세라믹체를 지지하는 지지면을 갖는 베이스로서, 적어도 상기 지지면측에 개구된 공간으로서 온도 센서를 수용하는 상기 공간을 제공하는 상기 베이스와,
    상기 세라믹체 내에 설치되는 제1 단부와, 상기 공간의 상측의 위치로서 상기 제1 단부보다 상기 공간측의 위치에 설치되는 제2 단부와의 사이에서 연장되는 전열체로서, 상기 전열체의 주위에서의 상기 세라믹체의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 상기 전열체
    를 구비하는 배치대.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹체는,
    접착제를 통해 상기 지지면 상에 설치되는 제1 세라믹층과,
    상기 제1 세라믹층 상에 설치되는 제2 세라믹층을 포함하고,
    상기 히터는, 상기 제2 세라믹층 내에 설치되고,
    상기 전열체는, 상기 제1 세라믹층 내에 설치되고, 상기 제1 세라믹층의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 것인 배치대.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 세라믹층은, 상기 제2 세라믹층측에 배치되는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 가지며,
    상기 전열체의 상기 제1 단부는 상기 제1 세라믹층과 상기 제2 세라믹층의 경계면 상에 설치되고, 상기 전열체의 상기 제2 단부는 상기 제1 단부보다 상기 제2 면측에 설치되는 것인 배치대.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스에 대하여 상기 세라믹체가 설치되는 방향에 직교하는 방향에 있어서, 상기 전열체의 상기 제1 단부와 상기 제2 단부는 서로 다른 위치에 배치되는 것인 배치대.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전열체는 텅스텐 소결체로 구성되는 것인 배치대.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 배치대를 구비하는 기판 처리 장치.
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