JP2007258500A - 基板支持装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハベベル部に付着する堆積物を大幅に低減させる。
【解決手段】プラズマ処理中のフォーカスリング温度をウエハ温度よりも低くする事により、フォーカスリングをコールドデポトラップとして機能させる。
【効果】堆積性の強いＣＦｘラジカルがフォーカスリングとウエハエッジ部の間に侵入した際、ウエハベベル部に付着する前にフォーカスリングにトラップされる。これにより、ベベル部への堆積物を抑制することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスの製造工程において、酸化シリコン，窒化シリコン，低誘電率膜（low −ｋ膜），ポリシリコン，アルミニウム等の材料に対し、プラズマを用いてエッチング等の処理を行うのに好適なプラズマ処理装置及び処理方法に係る。特に、プラズマ処理中に被処理基板を載置するための基板支持装置に関する。

半導体デバイスの製造において、成膜やエッチング等の工程にプラズマ処理装置が広く用いられている。これらプラズマ処理装置には、微細化するデバイスに対応した高精度処理性能と、量産性能とが求められている。量産性の観点からウエハサイズは拡大しており、現在では１２インチウエハが主流となっている。また、プラズマ処理中にウエハを載置、固定する基板載置装置は、古くは機械的にウエハを固定するメカニカルクランプ方式が用いられていたが、ウエハ温度の面内均一性や異物の観点から、現在ではクーロン力やジョンソン・ラーベック力を用いた静電チャックが広く用いられるようになっている。

以下、静電チャックを用いた基板支持装置に関して、図７を用いて説明する。基板支持装置は、ウエハ４を温調するための冷媒流路２を備えた電極ブロック１と、厚さ数十μｍから数百μｍの絶縁層３と、ウエハ裏面に伝熱用ガスを供給するための第一の伝熱ガス供給系１０と、サセプタ６と、フォーカスリング５とから構成されている。フォーカスリング５はウエハ面内での処理の均一性を上げるため、また、絶縁層３をプラズマから保護するために設けられている。電極ブロック１は略円板状をしたアルミニウム等の金属で構成されており、図示しない直流電源と高周波電源が接続されており、直流電圧を印加することにより発生するクーロン力やジョンソンラーベック力によりウエハを吸着し、高周波電力を印加することにより、エッチング等の基板処理を行っている。基板処理中はウエハ裏面に第一の伝熱ガス供給系１０よりＨｅ等の伝熱用ガスが供給され、冷媒温調されている電極ブロック１とウエハ４との熱伝導を促進する構造となっている。

特開２００４−２００３５３号公報 特開２００２−１６１２６号公報 特開２００５−６４４６０号公報 The Journal of Vacuum Science and Technology A, Vol 23, p1657, 2005, Fig.10

上記のような構成を用いてエッチング等の処理を行っていくと、ウエハのベベル部（ウエハ外周部の斜めになっている部分）に堆積物１００が付着することが起きる。デバイスの微細化に伴い、被エッチ膜とマスク材との選択比をとるために堆積性の強いガスを用いることが多く、プラズマにより発生した堆積性の強いラジカルがベベル部にまわりこむ事が原因である。特に、シリコン酸化膜や低誘電率膜（Low −ｋ膜）をエッチングする際によく用いられるフロロカーボン系のガスでは、堆積性の強いＣＦｘラジカルがベベル部に付着し、堆積膜を形成するものと考えられる。

ベベル部に付着した堆積物は、搬送中やエッチング後の工程中に剥れ異物の原因となったり、他の部分と段差が出来ることにより露光工程での焦点外れの原因となるため、極力抑制する必要がある。

上記のベベル部への堆積物を抑制するために、Ｏ₂ ガスやＨ₂ ガスやＮＨ₃ ガスなどの堆積物除去ガスをウエハの端部裏面側に供給するようにしたエッチング装置が知られている。（例えば、特許文献１参照。）しかし、導入するガスの堆積物除去効果が高ければ高いほど、ウエハ外周部のエッチング特性に及ぼす影響が大きくなるという問題がある。例えば、カーボン系やＣＦ系の堆積膜除去に最も効果が高いＯ₂ ガスでは、数ｍｌ／min 供給しただけで、ウエハ外周部のレジスト選択比の低下等が発生する。レジスト自体も有機系高分子材料であるため、Ｏ₂ ガスによりベベル部への堆積物と共にエッチングされてしまうためである。

本発明はかかる問題に対処すべくなされたものであり、反応性の高い堆積物除去ガスをウエハ端部裏面側に供給することなしに、プラズマ処理中にウエハのベベル部へ付着する堆積物を大幅に低減するものである。

ウエハのベベル部に堆積物が付着する原因は、プラズマにより発生した堆積性の強いラジカルがベベル部にまわりこむ事である。さらには、図７における従来の基板支持装置では、フォーカスリング５が熱的に浮いており、プラズマ処理中のフォーカスリングの温度がウエハ温度よりも５０℃〜１５０℃高くなってしまう事にも原因があった。

ＣＦｘラジカルの付着係数には温度依存性があり、温度が低いほどＣＦｘラジカルの表面への付着係数は大きくなる。例えば、非特許文献１，Fig.１０の様に、ウエハに堆積するＣＦ系ポリマーの膜厚は、ウエハ温度が低いほど厚くなっていることからも分かる。

従って、図７に示したような構成では、プラズマ処理中にウエハ外周部とフォーカスリングの間に侵入したＣＦｘラジカルは、より温度が低いウエハ側に堆積しやすく、フォーカスリング側には殆ど堆積しないことになる。逆に考えると、フォーカスリングの温度をウエハ温度よりも低くすることにより、フォーカスリング側に堆積性の強いラジカルを付着させることが可能となり、ベベル部への堆積物を抑制することができる。即ち、フォーカスリングが堆積性ラジカルへのコールドデポトラップの機能を有することになる。また、フォーカスリング側に堆積した堆積物は、ウエハ毎もしくは数ロット毎のウエハレス
in−situクリーニングにより除去することができる。

フォーカスリングの温度は、プラズマからフォーカスリングへの入熱と、フォーカスリングから電極ブロックへの排熱のバランスによって決まる。フォーカスリングからの排熱を促進することによりフォーカスリングの温調を行う技術はこれまでにも存在した。例えば、フォーカスリングとウエハチャックとの間に導電性のシリコンゴムのような熱伝達媒体を挿入する（特許文献２）事が考えられる。

しかし、上記した技術では、フォーカスリングからの排熱を促進するだけであり、フォーカスリングの温度はどんなに低くしても高々ウエハ温度と同等程度であった。そのため、ウエハベベル部への堆積物の量の抑制効果は小さいものであった。

特許文献２の段落〔００３１〕を見ると、「この熱伝達媒体は導電性シリコンゴム等の耐熱性のある導電性部材により形成され」とあり、また、「ウエハチャック，熱伝達媒体，フォーカスリングを同電位として」とあることから、該特許文献における発明においては、プラズマからフォーカスリング表面の単位面積当たりに流入してくる熱流束は、プラズマからウエハ表面の単位面積当たりに流入してくる熱流束と同等であることが分かる。換言すれば、該特許文献における発明では、フォーカスリング自体への入熱の抑制は全く考慮されていないことになる。

また、ウエハチャックにフォーカスリング自体を静電吸着させるためにフォーカスリング下部に薄い誘電体膜の層を設ける（特許文献３）事が考えられる。しかし、上記した技術も同様に、フォーカスリングからの排熱を促進する効果しか期待できない。該特許文献、段落〔００７３〕には、「誘電体３０ａの厚みが大きいほど、静電チャック２５及び導電体部３０ｂの熱伝達性が悪化するので、当該厚みは薄いことが好ましい」、また、段落〔００８８〕には、「誘電体部３０ｃ及び導電体部３０ｄの厚みは、（中略）、いずれの厚みも薄いことが好ましい」と記載されている。

一般的に、誘電体や絶縁体の熱伝導率はアルミニウム等の金属やシリコン等の半導体と比較すると著しく低く、したがって、特許文献３のような構成では、フォーカスリング下の絶縁体層がフォーカスリングから電極ブロックへの排熱を妨げる要因となるため、該絶縁体層は薄いことが望ましいと考えられる。さらに、フォーカスリング自体を静電吸着するためにも、絶縁体層の厚さは絶縁破壊が起こらない範囲内であれば薄い方が好ましいと考えられる。従って、該絶縁体層の厚さは、望ましくは数十μｍ程度、どんなに厚くとも数百μｍが限界である。

これに対し、本発明では、フォーカスリングの下に１mm乃至１０mm程度の厚い誘電体リングを設けることにより、フォーカスリング自体に印加されるバイアスを抑制し、プラズマからのフォーカスリングへの入熱を抑えることにより、フォーカスリングの温度をウエハ温度よりも１０℃〜１００℃程度低減することができる事を特徴としている。

一般的にプラズマ処理中におけるウエハ温度は、プラズマからの入熱の影響により、電極ブロックよりも１０℃〜１００℃程度高くなっている。プラズマからウエハへの入熱が多くなるような高バイアス電力，高プラズマ密度条件ほど、ウエハ温度は電極ブロック温度よりもより高い温度になる。

先述した特許文献２や特許文献３のようなフォーカスリングからの排熱を促進させるだけの手段では、フォーカスリングにもウエハと同等の熱フラックスが入射するために、フォーカスリング自体の温度は、ウエハと同程度までしか下がらない。即ち、フォーカスリングの温度も電極ブロックよりも１０℃〜１００℃高くなってしまう。

仮にここでフォーカスリングへの入熱を殆どゼロにすることができれば、電極ブロックとフォーカスリングの温度は殆ど同一となる。即ち、フォーカスリングの温度を、ウエハ温度よりも１０℃〜１００℃程度下げることができる。本発明では、フォーカスリングの下に厚い誘電体リングを配置することにより、プラズマからフォーカスリングへの入熱を抑制している。

以下、図６を用いてフォーカスリング下に厚い誘電体リングを挿入した場合の効果について説明する。

図６（ａ）は従来の基板支持装置を簡略化した模式図と、ウエハバイアスから見た等価回路を示している。図中、Ｃｓ１，Ｃｓ２はそれぞれ、ウエハ前面，フォーカスリング前面に形成されるイオンシースの容量を、Ｖｓ１はウエハ前面のシース部にかかる高周波電圧を、Ｖｓ２はフォーカスリング前面のシースにかかる高周波電圧を示している。ここで、ウエハ，フォーカスリングの抵抗成分，電極ブロック上面の誘電体層の容量成分のインピーダンスは、Ｃｓ１，Ｃｓ２のインピーダンスに比較すると無視できるほど小さい。したがって、ウエハバイアス電圧の殆どがイオンシース部にかかることになる。さらに、半導体製造に用いられるプラズマ密度領域では、プラズマは殆ど導電体と見なすことができるため、Ｃｓ１とＣｓ２は回路図に示したように、上部がプラズマで短絡されている状況になり、概ねＶｓ１＝Ｖｓ２なる関係が成り立つことも分かる。

ここで、ウエハとフォーカスリング上部のプラズマが均一であったとすると、ウエハやフォーカスリングへの入熱は、入射するイオンのエネルギーに比例する、つまりシースにかかる電圧に比例する事になる。したがって、Ｖｓ１＝Ｖｓ２より、プラズマからウエハに入射する熱流束は、フォーカスリングに入射する熱流束と等しくなる。

図６（ｂ）は、本発明における基板支持装置を簡略化した模式図と、ウエハバイアスから見た等価回路を示している。図６（ａ）との違いは、フォーカスリング下部に厚い誘電体リングを入れていることである。図中、Ｃｓ１,Ｃｓ３,Ｃｒはそれぞれ、ウエハ前面、フォーカスリング前面に形成されるイオンシースの容量，誘電体リングの容量を、Ｖｓ１はウエハ前面のシース部にかかる高周波電圧を、Ｖｓ３はフォーカスリング前面のシースにかかる高周波電圧を、Ｖｒは誘電体リングにかかる高周波電圧を示している。

ここで誘電体リングのインピーダンスがある程度大きければ、電源電圧はＣｒにも分圧されてかかることになり、フォーカスリング前面のシース電圧Ｖｓ３を下げることが出来る。また、Ｖｓ１＝Ｖｓ３＋Ｖｒの関係が成り立つことから、誘電体リングのインピーダンスを大きくすることにより、即ち、誘電体リングの厚さを十分に厚くすることにより、フォーカスリング前面のシース電圧を十分抑制することが可能になる。これにより、プラズマからフォーカスリングに入射する熱流束を抑制することができる。

以上に述べてきたように、フォーカスリング下に、厚い誘電体リングを挿入することにより、フォーカスリングへの入熱を抑制することが出来る。さらに、フォーカスリングから電極ブロックへの排熱を促進すれば、フォーカスリングの温度をウエハ温度よりも低く保つことが可能となる。

ウエハ温度と比較しフォーカスリングの温度の方が低ければ、ウエハエッジとフォーカスリング間に侵入してきたＣＦｘラジカルはフォーカスリングの方へ大部分が堆積するため、ベベル部への堆積物は大幅に抑制される。即ち、フォーカスリング自体がコールドデポトラップの機能を有することになる。

フォーカスリングへの堆積物は、ウエハ処理毎もしくは、数ロット間に一回、ウエハレスin−situクリーニングを実施することにより除去可能である。

本発明によれば、フォーカスリングの温度をウエハ温度よりも１０℃〜１００℃程度低く保つ事が可能となり、フォーカスリングをコールドデポトラップとして機能させ、ウエハベベル部に付着する堆積物を大幅に抑制することが可能となる。

本発明による第一の実施形態を図１に示す。本発明による基板支持装置は、ウエハ４を温調するための冷媒を流す冷媒流路２を備えた電極ブロック１と、厚さ数十μｍから数百μｍｎの絶縁層３と、ウエハ裏面に伝熱用ガスを供給するための第一の伝熱ガス供給系
１０と、サセプタ６と、フォーカスリング５と、第一の熱伝達媒体７と、誘電体リング８と、第二の熱伝達媒体９と、から構成されている。冷媒流路２には第一の温調ユニット
３０が接続されており、−２０℃から８０℃程度の所望の温度に温調された冷媒を、冷媒流路２に循環させることにより電極ブロック１の温調を行っている。また、電極ブロック１には、図示しない直流電源と高周波電源が接続されており、直流電圧を印加することにより発生するクーロン力やジョンソンラーベック力によりウエハ４を吸着し、高周波電力を印加することによりプラズマ中のイオンをウエハ４に引き込み、エッチング等の基板処理を行う構成となっている。また、基板処理中はウエハ裏面に第一の伝熱ガス供給系１０よりＨｅ等の伝熱用ガスが供給され、冷媒温調されている電極ブロック１とウエハ４との熱伝導を促進する構造となっている。

誘電体リング８の材質は、窒化アルミニウム，炭化珪素，酸化アルミニウム，窒化ホウ素等の絶縁体もしくは誘電体で、かつ、熱伝導率の高いものが望ましい。中でも熱伝導率の観点からは、窒化アルミニウムが好適である。

また、誘電体リング８は、先述したように、フォーカスリング前面に形成されるシースにかかる電圧を抑制することにより、フォーカスリングへの入熱を抑制する役割を担っている。したがって、印加する高周波バイアスに対する誘電体リング８のインピーダンスが十分大きくなるように、誘電体の厚さは１mm以上にすることが望ましい。また、プラズマからの入熱は、フォーカスリング５と誘電体リング８を経由して電極ブロック１に伝わる。従って、該誘電体リングの厚さは、伝熱効率の観点からは、１０mm以下が望ましい。

さらに、誘電体リング８の上下に設置された第一及び第二の熱伝達媒体７及び９は、フォーカスリング５からの熱を効率よく電極ブロック１に伝える役割を果たしている。誘電体リング８や、絶縁層３，フォーカスリング５の表面は、ミクロ的に見ると凹凸がかなりあり、第一及び第二の熱伝達媒体７及び９を介在させないと、熱抵抗が著しく増大してしまう。第一及び第二の熱伝達媒体７及び９は、本実施例においては、厚さ１００μｍから５００μｍ程度のグラファイトシートを用いた。放熱用のグラファイトシートは銅の２倍以上の熱伝導率を持つ素材であり、熱伝達媒体として好適である。また、グラファイトシートの代わりに、同程度の厚さの熱伝導率の高いシリコンゴム等を用いても構わない。シリコンゴム自体の熱伝導率は、グラファイトシートよりも悪いものの、密着性の観点からはグラファイトシートよりもすぐれている。

さらに、フォーカスリング５，第一及び第二の熱伝達媒体７及び９，誘電体リング８を電極ブロック１に押圧することにより、さらなる熱伝達率の向上を期待することが出来る。本実施例においては、サセプタ６をフォーカスリングの上部に配置することにより、サセプタの自重を用いて押圧を行っている。

上記してきた構成の基板支持装置を用いることにより、ウエハベベル部への堆積物を抑制することが可能となる。即ち、フォーカスリング５から電極ブロック１への熱伝達を十分に良好に保った上で、誘電体リング８によりプラズマからフォーカスリングへの入熱を抑制することで、フォーカスリングの温度をウエハ温度よりも１０℃〜１００℃程度低くすることができる。これにより、プラズマからの堆積性の強いラジカルはフォーカスリング側に付着してしまうため、ウエハベベル部に付着する堆積物の量を大幅に抑制できる。

図２は本発明による基板支持装置の第二の実施形態を示している。第一の実施形態と重複する説明は省略する。第二の実施形態は、誘電体リング８の上下にＨｅ等の伝熱用ガスを充填する構成となっている。

誘電体リング８の下面及び上面には、深さ１０μｍから１００μｍ程度のリング状の凹みである第一の伝熱ガス流路１２と第三の伝熱ガス流路１４を設けてあり、両者は円周上に等間隔に配置された３個乃至１６個程度、直径０.３mm 乃至３mm程度の第二の伝熱ガス流路１３で繋がっている。また、誘電体リング８の下部に伝熱用ガスを供給するための第二の伝熱ガス供給系１１が設けられている。

誘電体リング８は第一の実施形態と同様に、フォーカスリング５にかかるバイアスを抑制し、フォーカスリング５への入熱を抑制している。さらに、伝熱媒体であるＨｅ等の伝熱ガスの圧力を調節することにより、フォーカスリング５から電極ブロック１へ逃げる熱量を調節できる点が利点である。

例えば、第一の伝熱ガス供給系１０によりウエハ裏面の伝熱ガス圧力を１.０ｋＰａ とし、第二の伝熱ガス供給系１１により誘電体リング８の上面と下面の圧力を３.０ｋＰａとすることにより、ウエハ４から電極ブロック１への熱伝導率よりも、フォーカスリング５から電極ブロックへの熱伝導率を高めることが可能となる。これにより、ウエハに対しフォーカスリング５の冷却効率をさらに上げることができるため、ウエハベベル部への堆積物をより抑制できることが期待できる。

また、図示していないが、第一の伝熱ガス供給系１０と第二の伝熱ガス供給系１１を同一のものとすることにより、コストダウンを図ることが出来る。この場合、ウエハ裏面の伝熱ガス圧力と、誘電体リング８上面及び下面の伝熱ガス圧力とに差をつけることはできないため、ウエハに対するフォーカスリングの冷却効率を上げることは困難になるが、誘電体リング８による入熱抑制効果があるため、フォーカスリング５の温度はウエハ４よりも５℃〜５０℃程度低くなる。これにより、ある程度のベベルデポ抑制効果は期待できる。

図３は本発明による基板支持装置の第三の実施形態を示している。第一の実施形態と重複する説明は省略する。第一の実施例では、サセプタ６の自重によりフォーカスリング５，誘電体リング８，第一及び第二の熱伝達媒体７及び９を電極ブロック１に押圧していたが、本実施例では、ポリイミド等の絶縁材料からなるボルト２５で、フォーカスリング５，誘電体リング８，第一及び第二の熱伝達媒体７，９を電極ブロック１に供締めする構造となっている。これにより、第一の実施例と比較し構造が若干複雑になるものの、フォーカスリング等をより確実に電極ブロックに押し付けることができ、さらなる伝熱の促進を図ることができる。

また、図示はしていないが、第二の実施例と同様に、熱伝達媒体をＨｅ等の伝熱ガスとし、フォーカスリング以下の部材を絶縁ボルトで電極ブロックに締結しても構わない。

図４は本発明による基板支持装置の第四の実施形態を示している。第一の実施形態と重複する説明は省略する。誘電体リング８の代わりに、ペルチェ素子２０と絶縁被覆２１とからなる冷却リングをフォーカスリングの下部に設置している事が特徴である。ペルチェ素子２０には、図示しない直流電源から電力が供給されており、フォーカスリング側の温度をより低く出来るような構成になっている。また、ペルチェ素子２０からの廃熱は、電極ブロック１に逃げるように構成されている。冷却リングはフォーカスリングへ抜けるバイアスをブロックする役割も兼ねていることは言うまでもない。

ペルチェ素子２０を用い能動的にフォーカスリング５の熱を排熱することにより、ウエハ４とフォーカスリング５の温度差をよりつける事が可能となり、さらなるベベルデポ低減効果が期待できる。

図５は本発明による基板支持装置の第五の実施形態を示している。第一の実施形態と重複する説明は省略する。電極ブロック１の内部を、真空断熱層２３より、誘電体リング８等を載置する外周部と、ウエハを載置する内周部とに熱的に隔離し、該内周部には第一の冷媒流路２を設け、外周部には第二の冷媒流路２２を設けている。第一の冷媒流路２には第一の温調ユニット３０が接続されており、所望の温度に温調された冷媒を冷媒流路２に循環させることにより電極ブロック１の内周部の温調を行っている。また、第二の冷媒流路２２には第二の温調ユニット３１が接続されており、所望の温度に温調された冷媒を、第二の冷媒流路２２に循環させることにより電極ブロック１の外周部の温調を行っている。

上記の様な構成を用いることにより、例えば内周部の冷媒温度を３０℃に、外周部の冷媒温度を−２０℃に設定する事により、ウエハとフォーカスリングの温度差をよりつける事が可能となり、さらなるベベルデポ低減効果が期待できる。

本発明による基板支持装置の第一の実施形態を示す断面図である。 本発明による基板支持装置の第二の実施形態を示す断面図である。 本発明による基板支持装置の第三の実施形態を示す断面図である。 本発明による基板支持装置の第四の実施形態を示す断面図である。 本発明による基板支持装置の第五の実施形態を示す断面図である。 基板支持装置の模式図と等価回路図である。 従来の基板支持装置を示す断面図である。

符号の説明

１…電極ブロック、２…冷媒流路、３…絶縁層、４…ウエハ、５…フォーカスリング、６…サセプタ、７…第一の熱伝達媒体、８…誘電体リング、９…第二の熱伝達媒体、１０…第一の伝熱ガス供給系、１１…第二の伝熱ガス供給系、１２…第一の伝熱ガス流路、
１３…第二の伝熱ガス流路、１４…第三の伝熱ガス流路、１５…オーリング、１６…絶縁板、１７…支持板、１８…押圧部材、１９…ボルト、２０…ペルチェ素子、２１…絶縁被覆、２２…第二の冷媒流路、２３…真空断熱層、３０…第一の温調ユニット、３１…第２の温調ユニット、１００…堆積物。

Claims (9)

1. プラズマ処理装置の反応容器内の被処理基板を載置するための基板支持装置において、
   被処理基板を載置する電極ブロック部と、当該電極ブロック部の外周に設置されているフォーカスリングと、前記電極ブロック部と前記フォーカスリングの間に、前記フォーカスリングの温度を前記被処理基板の温度よりも低くするフォーカスリング冷却手段を備えたことを特徴とする基板支持装置。
2. 前記請求項１において、
   前記フォーカスリングの上部にサセプタを配置し、サセプタの自重で前記フォーカスリング及びフォーカスリング冷却手段を押圧，固定することを特徴とした基板支持装置。
3. 前記請求項１において、
   前記フォーカスリング冷却手段は、前記電極ブロック部と前記フォーカスリングに接する部分に熱伝達媒体を備えた誘電体リングであることを特徴とする基板支持装置。
4. 前記請求項３において、
   前記熱伝達媒体は、グラファイトシート，シリコンゴムのいずれかであることを特徴とする基板支持装置。
5. 前記請求項３において、
   前記熱伝達媒体は伝熱用ガスであり、前記電極ブロック部と前記フォーカスリングに接する部分に前記伝熱用ガスを供給する誘電体リング用ガス供給手段を備えたことを特徴とする基板支持装置。
6. 前記請求項５において、
   前記電極ブロック部は、前記被処理体裏面に冷却用の伝熱ガスを供給するウエハ裏面用ガス供給手段を備えており、
   前記誘電体リング用ガス供給手段が供給するガス圧力は、前記ウエハ裏面用ガス供給手段が供給するガス圧力よりも高いことを特徴とする基板支持装置。
7. 前記請求項１において、
   前記フォーカスリング及び前記フォーカスリング冷却手段は、絶縁材からなるボルトで前記電極ブロック部に締結されていることを特徴とした基板支持装置。
8. 前記請求項１において、
   前記フォーカスリング冷却手段は、前記電極ブロック部と前記フォーカスリングに接する部分に熱伝達媒体を備えた冷却リングであり、当該冷却リングは、絶縁被覆を有するペルチェ素子であることを特徴とする基板支持装置。
9. 前記請求項１において、
   前記電極ブロック部は、被処理基板が載置される位置に第１の冷媒流路を備え、前記フォーカスリングが設けられる位置に第２の冷媒流路を備え、前記第１の冷媒流路と前記第２の冷媒流路間に、断熱層を備えたことを特徴とした基板支持装置。
   

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