JP2006523382A - 処理中の基板裏面堆積を減らす方法および装置。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板ホルダに組み合わされるように構成されたフォーカスリングアセンブリは、フォーカスリングと、フォーカスリングに組み合わされる二次的なフォーカスリングとを具備し、二次的なフォーカスリングは、基板の裏側表面上のプロセス残渣の堆積を減らすように構成されている。
Description
フォーカスリング660に組み合わされて、フォーカスリング660と基板ホルダ630との間に配置されるように構成され、基板635とそれの上部表面との間の減少したクリアランススペース670に影響を及ぼすように構成された二次的なフォーカスリング680を備えている。基板ホルダ630は、内側半径方向のステップ表面637を有しているステップ634と、フォーカスリング660と二次的なフォーカスリング680とを受けるように構成されたステップ受け表面639とを備えている。フォーカスリング660は、二次的なフォーカスリング680と嵌合するように構成された内側半径方向の嵌合表面668を備えている。
チャンバ圧力=60mTorr、上部電極RF電力=2200W、下側電極RF電力=1800W、プロセスガス流量CF4/02/Ar=150/20/800sccm、上部電極の下部表面と基板ホルダ上の基板の上部表面との間の電極間隔30mm、下側電極温度(例えば基板ホルダ)=0℃、上部電極温度=30℃、チャンバ壁温度=50℃、裏面ヘリウム圧力中心部/端部=10/35Torr、50秒のエッチング時間;
チャンバ圧力=300mTorr、上部電極RF電力=1500W、下側電極RF電力=1200W、プロセスガス流量N2/H2=500/100sccm、上部電極の下部表面と基板ホルダ上の基板の上部表面との間の電極間隔55mm、下側電極温度(例えば基板ホルダ)=0℃、上部電極温度=30℃、チャンバ壁温度=50℃、裏面ヘリウム圧力中心部/端部=10/35Torr、65秒のエッチング時間;
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チャンバ圧力=50mTorr、上部電極RF電力=1000W、下側電極RF電力=100W、プロセスガス流量CH2F2/CF4/O2/Ar=20/20/20/200sccm、上部電極の下部表面と基板ホルダ上の基板の上部表面との間の電極間隔55mm、下側電極温度(例えば基板ホルダ)=0℃、上部電極温度=30℃、チャンバ壁温度=50℃、裏面ヘリウム圧力中心部/端部=10/35Torr、20秒のエッチング時間;
チャンバ圧力=800mTorr、上部電極RF電力=1500W、下側電極RF電力=1200W、プロセスガス流量N2/H2=300/300sccm、上部電極の下部表面と基板ホルダ上の基板の上部表面との間の電極間隔55mm、下側電極温度(例えば基板ホルダ)=0℃、上部電極温度=30℃、チャンバ壁温度=50℃、裏面ヘリウム圧力中心部/端部=10/35Torr、29秒のエッチング時間;
チャンバ圧力=50mTorr、上部電極RF電力=1000W、下側電極RF電力=100W、プロセスガス流量CH2F2/O2/Ar=25/20/200sccm、上部電極の下部表面と基板ホルダ上の基板の上部表面との間の電極間隔55mm、下側電極温度(例えば基板ホルダ)=0℃、上部電極温度=30℃、チャンバ壁温度=50℃、裏面ヘリウム圧力中心部/端部=10/35Torr、15秒のエッチング時間;そして、
チャンバ圧力=800mTorr、上部電極RF電力=1500W、下側電極RF電力=1200W、プロセスガス流量N2/H2=300/300sccm、上部電極の下部表面と基板ホルダ上の基板の上部表面との間の電極間隔55mm、下側電極温度(例えば基板ホルダ)=0℃、上部電極温度=30℃、チャンバ壁温度=50℃、裏面ヘリウム圧力中心部/端部=10/35Torr、7秒のエッチング時間である。
Claims (20)
- フォーカスリングと、
前記フォーカスリングと組み合わされた二次的なフォーカスリングと、を具備し、
前記フォーカスリングは、処理システムの処理にさらされる基板を支持するように構成された基板ホルダに組み合わされるように構成され、前記二次的なフォーカスリングは、前記基板の裏側表面上の、前記処理からの材料の堆積を減らすように構成されているフォーカスリングアセンブリ。 - 前記二次的なフォーカスリングは、コンプライアント材料で形成されている請求項1に記載の基板ホルダ。
- 前記コンプライアント材料は、シリコーンゴム、ポリイミド、およびテフロン(登録商標)の少なくとも1つを備えている請求項2に記載の基板ホルダ。
- 前記二次的なフォーカスリングは、剛性材料で形成されている請求項1に記載の基板ホルダ。
- 前記剛性材料は、セラミック材料、シリコン、炭化珪素、窒化シリコン、二酸化珪素、カーボン、サファイヤ、およびアルミナの少なくとも1つを備えている請求項4に記載の基板ホルダ。
- 前記二次的なフォーカスリングは、1Ω−cm以下の抵抗率を有するシリコンで形成されている請求項1に記載の基板ホルダ。
- 前記基板と前記フォーカスリングとの間に形成されたクリアランススペースは、前記基板上の前記裏側表面の少なくとも一部を露出させ、
前記二次的なフォーカスリングは、前記クリアランススペースを減らす請求項1に記載の基板ホルダ。 - 前記二次的なフォーカスリングは、前記裏側表面の露出を減らす請求項7に記載の基板ホルダ。
- 前記基板上の前記裏側表面の一部は、露出され、
前記二次的なフォーカスリングは、前記裏側表面の前記露出を減らす請求項1に記載の基板ホルダ。 - 前記二次的なフォーカスリングは、前記基板と接触し、かつ前記フォーカスリングと接触する請求項1に記載の基板ホルダ。
- 処理システム内の基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングアセンブリを使用する方法であって、
前記基板ホルダに組み合わされるフォーカスリングと、前記フォーカスリングに組み合わされ、前記基板の裏側表面上の、前記処理からの材料の堆積を減らすように構成された二次的なフォーカスリングとを有した前記フォーカスリングアセンブリを、前記処理システム内にインストールすることと、
前記処理システム内へ前記基板を搬送することと、
前記基板を処理することと、を具備する方法。 - 前記二次的なフォーカスリングは、コンプライアント材料で形成されている請求項11に記載の方法。
- 前記コンプライアント材料は、シリコーンゴム、ポリイミド、およびテフロン(登録商標)の少なくとも1つのを備えている請求項12に記載の方法。
- 前記二次的なフォーカスリングは、剛性材料で形成されている請求項11に記載の方法。
- 前記剛性材料は、セラミック材料、シリコン、炭化珪素、窒化シリコン、二酸化珪素、カーボン、サファイヤ、およびアルミナの少なくとも1つを備えている請求項14に記載の方法。
- 前記二次的なフォーカスリングは、1Ω−cm以下の抵抗率を有するシリコンで形成されている請求項11に記載の方法。
- 前記基板と前記フォーカスリングとの間に形成されたクリアランススペースは、前記基板上の前記裏側表面の少なくとも一部を露出させ、
前記二次的なフォーカスリングは、前記クリアランススペースを減らす請求項11に記載の方法。 - 前記二次的なフォーカスリングは、前記裏側表面の露出を減らす請求項17に記載の方法。
- 前記基板上の前記裏側表面の一部は、露出され、
前記二次的なフォーカスリングは、前記裏側表面の前記露出を減らす請求項11に記載の方法。 - 前記二次的なフォーカスリングは、前記基板と接触し、かつ前記フォーカスリングと接触する請求項11に記載の方法。
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