JP6681522B1 - ウエハ載置装置 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 128
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 87
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 29
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 174
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
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- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- Materials Engineering (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
ウエハ載置装置１０は、ウエハ用静電チャック１４とウエハ用冷却板１６とを備えたウエハ載置台１２と、フォーカスリング用静電チャック２２とフォーカスリング用冷却板２４とを備えたフォーカスリング載置台２０と、フォーカスリング載置台２０の外周に配置されたクランプ部材３０と、を備えている。ウエハ載置台１２とフォーカスリング載置台２０とクランプ部材３０は、それぞれ別体である。フォーカスリング用冷却板２４の押圧部２４ｂは、ウエハ用冷却板フランジ部１６ａを設置板８２に向かって押圧する。クランプ部材３０は、フランジ部２４ａを設置板８２に向かってツバ部３２で押圧した状態でボルト８６によって設置板８２に締結されることにより、ウエハ載置台１２及びフォーカスリング載置台２０を設置板８２に直接締結することなく設置板８２に固定する。
Description
本発明は、ウエハ載置装置に関する。
従来より、ウエハにプラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うためにウエハ載置装置が用いられている。例えば、特許文献１には、円盤状の中心側金属ベースと円環状の外周側金属ベースとが連結された金属ベースと、中心側金属ベースの上面に設けられた円盤状の中心側静電チャックヒータと、外周側金属ベースの上面に設けられた円環状の外周側静電チャックヒータとを備えたウエハ載置装置が開示されている。このウエハ載置装置では、中心側静電チャックヒータの上面に円盤状のウエハを静電吸着すると共に、外周側静電チャックヒータの上面に円環状のフォーカスリングを静電吸着する。また、ウエハの温度とフォーカスリングの温度とは、それぞれ個別に制御される。
一方、図６に示すようなウエハ載置装置５１０も知られている。このウエハ載置装置５１０は、ウエハ載置台５１２とフォーカスリング載置台５２０とを備えており、チャンバ８０内の設置板８２に固定される。ウエハ載置台５１２は、ウエハ用静電チャック５１４と、ウエハ用静電チャック５１４のうちウエハＷを載置する表面５１４ａとは反対側の面に接着されたウエハ用冷却板５１６とを備えている。ウエハＷは、ウエハ用静電チャック５１４に内蔵された静電電極に直流電圧が印加されると表面５１４ａに静電吸着される。フォーカスリング載置台５２０は、ウエハ載置台５１２とは別体であり、ウエハ載置台５１２の外周に配置されたリング状の部材である。フォーカスリング載置台５２０は、フォーカスリング用静電チャック５２２と、フォーカスリング用静電チャック５２２のうちフォーカスリングＦＲを載置する表面５２２ａとは反対側の面に接着されたフォーカスリング用冷却板５２４とを備えている。フォーカスリングＦＲは、ウエハＷよりも厚さが厚い部材であり、フォーカスリング用静電チャック５２２に内蔵された静電電極に直流電圧が印加されると表面５２２ａに静電吸着される。ウエハ用冷却板５１６は、ウエハ載置装置５１０が設置される設置板８２に近い側の端部から半径外向きに突き出したウエハ用冷却板フランジ部５１６ａを備えている。ウエハ用冷却板フランジ部５１６ａには、周方向に沿って複数の貫通孔５１６ｂが設けられている。ウエハ載置台５１２は、フォーカスリング用冷却板５２４の裏面に設けられた凸部５２４ａを貫通孔５１６ｂに嵌め込んだ状態で、設置板８２の裏面からボルト８４を凸部５２４ａのネジ穴に締結することにより、フォーカスリング載置台５２０を介して設置板８２に固定される。
しかしながら、ウエハ載置装置５１０では、図７に示すように、フォーカスリング載置台５２０の表面５２２ａのうちボルト８４の直上付近とそれ以外の部分とで高さに差が生じてしまい、表面５２２ａが周方向に波打つことがあった。図７では、表面５２２ａのうち、ボルト８４の直上付近（高さの低い部分）は網掛けで示し、それ以外の部分（高さの高い部分）は白色で示した。表面５２２ａが周方向に波打ってしまうと、フォーカスリング用静電チャック５２２によりフォーカスリングＦＲを表面５２２ａに吸着させようとしても、フォーカスリングＦＲは厚みがあるため、部分的にしか吸着せず、フォーカスリングＦＲの温度調整が困難になるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、フォーカスリング載置面が周方向に波打つのを防止することを主目的とする。
本発明のウエハ載置装置は、
ウエハ用静電チャックと該ウエハ用静電チャックのウエハ載置面とは反対側の面に取り付けられたウエハ用冷却板とを備えたウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台とは別体であり、前記ウエハ載置台の外周に配置され、フォーカスリング用静電チャックと該フォーカスリング用静電チャックのフォーカスリング載置面とは反対側の面に取り付けられたフォーカスリング用冷却板とを備えたフォーカスリング載置台と、
前記フォーカスリング載置台とは別体であり、前記フォーカスリング載置台の外周に配置されたクランプ部材と、
を備えたウエハ載置装置であって、
前記ウエハ用冷却板は、前記ウエハ載置装置が設置される設置板に近い側の端部の外周面から半径外向きに突き出したウエハ用冷却板フランジ部を備え、
前記フォーカスリング用冷却板は、前記ウエハ用冷却板フランジ部を設置板に向かって押圧する押圧部と、前記設置板に近い側の端部の外周面から半径外向きに突き出したフォーカスリング用冷却板フランジ部とを備え、
前記クランプ部材は、前記フォーカスリング用冷却板フランジ部を前記設置板に向かって押圧した状態で締結具によって前記設置板に締結されることにより、前記ウエハ載置台及び前記フォーカスリング載置台を前記設置板に直接締結することなく前記設置板に固定する、
ものである。
ウエハ用静電チャックと該ウエハ用静電チャックのウエハ載置面とは反対側の面に取り付けられたウエハ用冷却板とを備えたウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台とは別体であり、前記ウエハ載置台の外周に配置され、フォーカスリング用静電チャックと該フォーカスリング用静電チャックのフォーカスリング載置面とは反対側の面に取り付けられたフォーカスリング用冷却板とを備えたフォーカスリング載置台と、
前記フォーカスリング載置台とは別体であり、前記フォーカスリング載置台の外周に配置されたクランプ部材と、
を備えたウエハ載置装置であって、
前記ウエハ用冷却板は、前記ウエハ載置装置が設置される設置板に近い側の端部の外周面から半径外向きに突き出したウエハ用冷却板フランジ部を備え、
前記フォーカスリング用冷却板は、前記ウエハ用冷却板フランジ部を設置板に向かって押圧する押圧部と、前記設置板に近い側の端部の外周面から半径外向きに突き出したフォーカスリング用冷却板フランジ部とを備え、
前記クランプ部材は、前記フォーカスリング用冷却板フランジ部を前記設置板に向かって押圧した状態で締結具によって前記設置板に締結されることにより、前記ウエハ載置台及び前記フォーカスリング載置台を前記設置板に直接締結することなく前記設置板に固定する、
ものである。
このウエハ載置装置では、クランプ部材は、フォーカスリング用冷却板フランジ部を設置板に向かって押圧した状態で締結具によって設置板に締結されることにより、ウエハ載置台及びフォーカスリング載置台を設置板に直接締結することなく設置板に固定する。そのため、クランプ部材は締結具付近とそれ以外の部分とで高さが異なり周方向に波打つことがあるかもしれない。しかし、フォーカスリング載置台は直接締結具で締結されておらずクランプ部材の押圧力を利用して設置板に固定されているため、フォーカスリング載置面はほぼフラットになる。このように、本発明のウエハ載置装置によれば、フォーカスリング載置面が周方向に波打つのを防止することができる。その結果、フォーカスリング用静電チャックによって厚みのあるフォーカスリングをフォーカスリング載置面にしっかりと吸着させることができる。
本発明のウエハ載置装置において、前記クランプ部材は、一つのリング部材であってもよいし、複数の円弧状部材がリング形状に並んで構成されていてもよい。いずれにしても、上述した効果を得ることができる。但し、前者の方が後者に比べてフォーカスリング用冷却板に加わる押圧力がより分散しやすいため、前者の方が好ましい。
本発明のウエハ載置装置において、前記ウエハ用冷却板の前記ウエハ用冷却板フランジ部と前記フォーカスリングの前記押圧部との間には熱抵抗スペーサが挟まれていてもよい。こうすれば、ウエハの温度制御へのフォーカスリング用冷却板の影響やフォーカスリングの温度制御へのウエハ用冷却板の影響を抑制することができる。その結果、ウエハの温度制御とフォーカスリングの温度制御をそれぞれ独立して行うことができる。
本発明のウエハ載置装置において、前記フォーカスリング載置面は、前記クランプ部材によって前記フォーカスリング用冷却板フランジ部が前記設置板に向かって押圧されたときに生じる前記フォーカスリング載置面の内周部と外周部との高さ勾配をキャンセルする傾斜面となっていてもよい。こうすれば、ウエハ載置装置を設置板に固定した状態でのフォーカスリング載置面をよりフラットにすることができる。
本発明のウエハ載置装置において、前記ウエハ用冷却板フランジ部と前記フォーカスリング用冷却板フランジ部との間には熱抵抗スペーサが挟まれており、前記熱抵抗スペーサは、前記クランプ部材によって前記フォーカスリング用冷却板フランジ部が前記設置板に向かって押圧されたときに生じる前記フォーカスリング載置面の内周部と外周部との高さ勾配をキャンセルする傾斜厚みを有していてもよい。こうすれば、熱抵抗スペーサによって、ウエハの温度制御とフォーカスリングの温度制御をそれぞれ独立して行うことができるという効果と、ウエハ載置装置を設置板に固定した状態でのフォーカスリング載置面をよりフラットにすることができるという効果が得られる。
本発明のウエハ載置装置において、前記フォーカスリング用冷却板と前記設置板との間であって前記フォーカスリング用冷却板の内周側に配置されるシールリングは、前記ウエハ用冷却板と前記設置板との間であって前記ウエハ用冷却板の外周側に配置されるシールリングと共通化されていてもよい。この種のウエハ載置装置では、ウエハ用冷却板と設置板との間の雰囲気と、フォーカスリング用冷却板と設置板との間の雰囲気とを、互いに独立させておくことがある。その場合、ウエハ用冷却板と設置板との間であってウエハ用冷却板の外周側にシールリングを配置すると共に、フォーカスリング用冷却板と設置板との間であってフォーカスリング用冷却板の内周側に別のシールリングを配置するのが一般的である。しかし、上述したようにこれら２つのシールリングを共通化しておけば、個別に２つのシールリングを設ける場合に比べて、シールリングのスペースやコストを削減することができるし、シール性を得るために必要となるシールリングへの押圧力（クランプ部材による押圧力）を少なくすることができる。
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１は設置板８２に固定されたウエハ載置装置１０の縦断面図、図２はウエハ載置装置１０の平面図である。
ウエハ載置装置１０は、ウエハＷにプラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うために用いられるものであり、半導体プロセス用のチャンバ８０（図３参照）の内部に設けられた設置板８２に固定されている。このウエハ載置装置１０は、ウエハ載置台１２とフォーカスリング載置台２０とクランプ部材３０とを備えている。
ウエハ載置台１２は、ウエハ用静電チャック１４と、ウエハ用冷却板１６とを備えている。ウエハ用冷却板１６は、ウエハ用静電チャック１４のウエハ載置面である表面１４ａとは反対側の裏面１４ｂにボンディングシート１５を介して接着されている。
ウエハ用静電チャック１４は、セラミック基体１４ｃに静電電極１４ｄと抵抗発熱体１４ｅとが埋設されたものである。
セラミック基体１４ｃは、窒化アルミニウムや炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートである。セラミック基体１４ｃの表面１４ａには、エンボス加工により図示しない複数の凹凸が形成されている。表面１４ａに設けられた凹部と表面１４ａに載置されるウエハＷ（図３参照）との間には、熱伝導用のガス（例えばＨｅガス）が図示しないガス供給路から供給されるようになっている。ガス供給路は、設置板８２、ウエハ用冷却板１６、ボンディングシート１５及びウエハ用静電チャック１４を貫通するように設けられている。
静電電極１４ｄは、導電性のあるメッシュ又はプレートで作製され、表面１４ａと平行（実質的に平行な場合を含む、以下同じ）に設けられている。静電電極１４ｄの裏面は、設置板８２、ウエハ用冷却板１６及びボンディングシート１５を貫通しセラミック基体１４ｃに差し込まれた図示しない給電棒に接続されている。静電電極１４ｄには、この給電棒を介して直流電圧が印加されるようになっている。
抵抗発熱体１４ｅは、導電性のあるコイル又は印刷パターンで作製され、表面１４ａの全面にわたって一筆書きの要領で一端から他端まで配線されている。抵抗発熱体１４ｅの一端と他端は、設置板８２、ウエハ用冷却板１６及びボンディングシート１５を貫通しセラミック基体１４ｃに差し込まれた図示しない一対の給電棒に接続されている。抵抗発熱体１４ｅには、この給電棒を介して電圧が印加されるようになっている。
ウエハ用冷却板１６は、アルミニウムやアルミニウム合金などに代表される金属からなる円盤状のプレートであり、内部に冷媒が循環可能な図示しない冷媒通路を備えている。この冷媒通路は、設置板８２を貫通する冷媒供給路及び冷媒排出路に接続されており、冷媒排出路から排出された冷媒は温度調整されたあと再び冷媒供給路に戻される。ウエハ用冷却板１６は、ウエハ用冷却板１６の下端部（設置板８２に近い側の端部）の外周面から半径外向きに突き出したウエハ用冷却板フランジ部１６ａを備えている。
フォーカスリング載置台２０は、ウエハ載置台１２とは別体であり、ウエハ載置台１２の外周に配置されている。フォーカスリング載置台２０は、フォーカスリング用静電チャック２２と、フォーカスリング用冷却板２４とを備えている。フォーカスリング用冷却板２４は、フォーカスリング用静電チャック２２のフォーカスリング載置面である表面２２ａとは反対側の裏面２２ｂにボンディングシート２５を介して接着されている。
フォーカスリング用静電チャック２２は、セラミック基体２２ｃに静電電極２２ｄと抵抗発熱体２２ｅとが埋設されたものである。セラミック基体２２ｃは、セラミック基体１４ｃと同様の材料からなるリング状のプレートである。セラミック基体２２ｃの表面２２ａには、エンボス加工により複数の凹凸が形成されている。表面２２ａに設けられた凹部と表面２２ａに載置されるフォーカスリングＦＲ（図３参照）との間には、熱伝導用のガス（例えばＨｅガス）が図示しないガス供給路から供給されるようになっている。ガス供給路は、設置板８２、フォーカスリング用冷却板２４、ボンディングシート２５及びフォーカスリング用静電チャック２２を貫通するように設けられている。
静電電極２２ｄは、導電性のあるメッシュ又はプレートで作製され、表面２２ａと平行に設けられている。静電電極２２ｄの裏面は、設置板８２、フォーカスリング用冷却板２４及びボンディングシート２５を貫通しセラミック基体２２ｃに差し込まれた図示しない給電棒に接続されている。静電電極２２ｄには、この給電棒を介して直流電圧が印加されるようになっている。
抵抗発熱体２２ｅは、導電性のあるコイル又は印刷パターンで作製され、表面２２ａの全面にわたって一筆書きの要領で一端から他端まで配線されている。抵抗発熱体２２ｅの一端と他端は、設置板８２、フォーカスリング用冷却板２４及びボンディングシート２５を貫通しセラミック基体２２ｃに差し込まれた図示しない一対の給電棒に接続されている。抵抗発熱体２２ｅには、この給電棒を介して電圧が印加されるようになっている。
フォーカスリング用冷却板２４は、アルミニウムやアルミニウム合金などに代表される金属からなるリング状のプレートであり、内部に冷媒が循環可能な図示しない冷媒通路を備えている。この冷媒通路は、設置板８２を貫通する冷媒供給路及び冷媒排出路に接続されており、冷媒排出路から排出された冷媒は温度調整されたあと再び冷媒供給路に戻される。フォーカスリング用冷却板２４は、フォーカスリング用冷却板２４の下端部（設置板８２に近い側の端部）の外周面から半径外向きに突き出したフォーカスリング用冷却板フランジ部２４ａを備えている。フォーカスリング用冷却板２４は、フォーカスリング用冷却板２４の上端部（設置板８２から遠い側の端部）の外周面から半径内向きに突き出したリング状の押圧部２４ｂを備えている。押圧部２４ｂは、熱抵抗スペーサ４０を介して、ウエハ用冷却板フランジ部１６ａを設置板８２に向かって押圧可能な部材である。熱抵抗スペーサ４０は、例えばジルコニアや樹脂のような熱抵抗の大きな材料で作製されたリング部材である。
クランプ部材３０は、フォーカスリング載置台２０とは別体であり、フォーカスリング載置台２０の外周に配置されるリング状の部材である。クランプ部材３０は、Ａｌ，Ｔｉ，ＳＵＳ，ＳｉＳｉＣＴｉ（Ｓｉ、ＳｉＣ及びＴｉの金属マトリックス複合材料），その他非磁性体金属又は合金で作製されている。クランプ部材３０は、クランプ部材３０の上端部（設置板８２から遠い側の端部）の内周面から半径内向きに突き出したリング状のツバ部３２を備えている。ツバ部３２は、フォーカスリング用冷却板フランジ部２４ａを設置板８２に向かって押圧可能な部材である。クランプ部材３０は、図２に示すように、周方向に沿って等間隔に複数（ここでは１２個）の貫通孔３４を有している。クランプ部材３０は、ウエハ載置台１２及びフォーカスリング載置台２０を設置板８２に直接締結することなく設置板８２の上面に固定する役割を果たす。固定する手順の一例を以下に説明する。まず、ウエハ載置台１２を設置板８２の所定位置に配置し、そのウエハ載置台１２のウエハ用冷却板フランジ部１６ａの表面にリング状の熱抵抗スペーサ４０を載せる。続いて、フォーカスリング載置台２０の押圧部２４ｂが熱抵抗スペーサ４０の上面に覆い被さるようにフォーカスリング載置台２０を設置板８２に設置する。続いて、クランプ部材３０のツバ部３２がフォーカスリング載置台２０のフォーカスリング用冷却板フランジ部２４ａの上面に覆い被さるようにクランプ部材３０を設置板８２に設置する。この状態で、クランプ部材３０の各貫通孔３４にボルト８６を挿通し、各ボルト８６を設置板８２のネジ穴にねじ込んで締結する。すると、クランプ部材３０は、ツバ部３２がフォーカスリング用冷却板フランジ部２４ａを設置板８２に向かって押圧した状態でボルト８６で設置板８２に締結される。これにより、ウエハ載置台１２及びフォーカスリング載置台２０は、設置板８２に直接締結することなく設置板８２に固定される。
ウエハ用冷却板１６の裏面と設置板８２の表面との間には、適宜、Ｏリングが配置される。例えば、図１では、ウエハ用冷却板１６の裏面と設置板８２の表面との間の雰囲気がその周囲の雰囲気と独立した状態となるようにするために、ウエハ用冷却板１６の裏面の外周に沿ってＯリング１８が配置されている。その他に、ウエハ用冷却板１６の裏面と設置板８２の表面との間のうち、静電電極１４ｄや抵抗発熱体１４ｅに電圧を印加するための各給電棒を挿通する挿通路の周囲にＯリングを配置してもよいし、ウエハ用冷却板１６の図示しない冷媒通路に冷媒を供給する冷媒供給路や冷媒通路から冷媒を排出する冷媒排出路の周囲にＯリングを配置してもよい。
フォーカスリング用冷却板２４の裏面と設置板８２の表面との間にも、適宜、Ｏリングが配置される。例えば、図１では、フォーカスリング用冷却板２４の裏面と設置板８２の表面との間の雰囲気がその周囲の雰囲気と独立した状態となるようにするために、フォーカスリング用冷却板２４の裏面の内周及び外周のそれぞれに沿ってＯリング２６，２８が配置されている。その他に、フォーカスリング用冷却板２４の裏面と設置板８２の表面との間のうち、静電電極２２ｄや抵抗発熱体２２ｅに電圧を印加するための各給電棒を挿通する挿通路の周囲にＯリングを配置してもよいし、フォーカスリング用冷却板２４の図示しない冷媒通路に冷媒を供給する冷媒供給路や冷媒通路から冷媒を排出する冷媒排出路の周囲にＯリングを配置してもよい。
次に、ウエハ載置装置１０の使用例について図３を用いて説明する。チャンバ８０は、内部にウエハ載置装置１０を設置するための設置板８２を備えている。設置板８２には、上述したようにウエハ載置装置１０が設置されている。チャンバ８０の天井面には、プロセスガスを多数のガス噴射孔からチャンバ８０の内部へ放出するシャワーヘッド９０が配置されている。
ウエハ載置装置１０のウエハ載置面１４ａには、円盤状のウエハＷが載置される。ウエハＷは、ウエハ用静電チャック１４の静電電極１４ｄに電圧が印加されることによりウエハ載置面１４ａに静電吸着される。ウエハＷの温度は、ウエハ用静電チャック１４の抵抗発熱体１４ｅへ供給する電力やウエハ用冷却板１６の図示しない冷媒通路へ供給する冷媒の温度を調節することによって制御することができる。このとき、ウエハＷとウエハ載置面１４ａの図示しない凹部との間に熱伝導を良好にするためにＨｅガスを供給する。ウエハＷの温度制御は、図示しない温度検出センサによってウエハＷの温度を検出し、その温度が目標温度となるようにフィードバックすることにより実行される。
ウエハ載置装置１０のフォーカスリング載置面２２ａには、フォーカスリングＦＲが載置される。フォーカスリングＦＲは、ウエハＷと干渉しないように上端部の内周に沿って段差を備えている。フォーカスリングＦＲは、フォーカスリング用静電チャック２２の静電電極２２ｄに電圧が印加されることによりフォーカスリング載置面２２ａに静電吸着される。フォーカスリングＦＲの温度は、フォーカスリング用静電チャック２２の抵抗発熱体２２ｅへ供給する電力やフォーカスリング用冷却板２４の図示しない冷媒通路へ供給する冷媒の温度を調節することによって制御することができる。このとき、フォーカスリングＦＲとフォーカスリング載置面２２ａの図示しない凹部との間に熱伝導を良好にするためにＨｅガスを供給する。フォーカスリングＦＲの温度制御は、図示しない温度検出センサによってフォーカスリングＦＲの温度を検出し、その温度が目標温度となるようにフィードバックすることにより実行される。
この状態で、チャンバ８０の内部を所定の真空雰囲気（又は減圧雰囲気）になるように設定し、シャワーヘッド９０からプロセスガスを供給しながらウエハ載置台１２のウエハ用冷却板１６とシャワーヘッド９０との間に高周波電力を供給してプラズマを発生させる。そして、そのプラズマを利用してウエハにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。なお、設置板８２の下方空間は大気雰囲気である。
ウエハＷがプラズマ処理されるのに伴ってフォーカスリングＦＲも消耗するが、フォーカスリングＦＲは厚さが厚いため、フォーカスリングＦＲの交換は複数枚のウエハＷを処理したあとに行われる。
以上説明したウエハ載置装置１０では、クランプ部材３０は、フォーカスリング用冷却板フランジ部２４ａを設置板８２に向かって押圧した状態でボルト８６によって設置板８２に締結されることにより、ウエハ載置台１２及びフォーカスリング載置台２０を設置板８２に直接締結することなく設置板８２に固定する。そのため、クランプ部材３０はボルト８６付近とそれ以外の部分とで高さが異なり周方向に波打つことがあるかもしれない。しかし、フォーカスリング載置台２０は直接ボルトで締結されておらずクランプ部材３０の押圧力を利用して設置板８２に固定されているため、フォーカスリング載置面２２ａはほぼフラットになる。このように、本実施形態のウエハ載置装置１０によれば、フォーカスリング載置面２２ａが周方向に波打つのを防止することができる。その結果、フォーカスリング用静電チャック２２によって厚みのあるフォーカスリングＦＲをフォーカスリング載置面２２ａにしっかりと吸着させることができる。これにより、フォーカスリングＦＲの温度調整が容易になるし、フォーカスリングＦＲの裏面に供給されるＨｅガスがリークするのを防止することもできる。
また、クランプ部材３０は、一つのリング部材であるため、フォーカスリング用冷却板２４に加わる押圧力が分散しやすい。そのため、フォーカスリング載置面２２ａが周方向に波打つのをより防止しやすい。
更に、ウエハ用冷却板１６のウエハ用冷却板フランジ部１６ａとフォーカスリング用冷却板２４の押圧部２４ｂとの間には熱抵抗スペーサ４０が挟まれている。そのため、ウエハＷの温度制御へのフォーカスリング用冷却板２４の影響やフォーカスリングＦＲの温度制御へのウエハ用冷却板１６の影響を抑制することができる。その結果、ウエハＷの温度制御とフォーカスリングＦＲの温度制御をそれぞれ独立して行うことができる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態では、図１に示すように、ウエハ用冷却板１６の裏面の外周に沿ってＯリング１８を配置し、フォーカスリング用冷却板２４の裏面の内周及び外周のそれぞれに沿ってＯリング２６，２８を配置したが、図４に示すウエハ載置装置１１０のように、Ｏリング１８とＯリング２６とを共通化して１つのＯリング４２としてもよい。図４において、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。図４では、フォーカスリング用冷却板２４のうち設置板８２に対向する面２４ｃとウエハ用冷却板１６に対向する面２４ｄとの境界をなす第１角部２４ｅは、面取りされている。また、ウエハ用冷却板１６のうち設置板８２に対向する面１６ｃとフォーカスリング用冷却板２４に対向する面１６ｄとの境界をなす第２角部１６ｅも、面取りされている。そして、第１角部２４ｅと第２角部１６ｅと設置板８２の表面の３者に接するように、共通化されたＯリング４２が配置されている。こうすれば、図１のように個別に２つのＯリング１８，２６を設ける場合に比べて、Ｏリングのスペースやコストを削減することができるし、シール性を得るために必要となるＯリングへの押圧力（クランプ部材３０による押圧力）を少なくすることもできる。
上述した実施形態では、クランプ部材３０は１つのリング状部材としたが、特にこれに限定されるものではなく、複数の円弧状部材がリング形状に並んで構成されていてもよい。例えば、図５に示すウエハ載置装置２１０のように、４つの円弧状部材１３２がリング形状に並んで構成されたクランプ部材１３０を採用してもよい。図５において、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。このようにしても、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。但し、クランプ部材３０の方がクランプ部材１３０に比べてフォーカスリング用冷却板２４に加わる押圧力がより分散しやすいため、クランプ部材３０の方が好ましい。
上述した実施形態では、フォーカスリング載置面２２ａはほぼフラットになるが、場合によっては、フォーカスリング載置面２２ａの外周部（図２のフォーカスリング載置面２２ａのうち網掛けのある部分）が内周部（図２のフォーカスリング載置面２２ａのうち網掛けのない部分）よりも僅かに低くなるような高さ勾配が生じることがある。それは、クランプ部材３０がフォーカスリング用冷却板２４の外周側に設けられたフランジ部２４ａを設置板８２に向けて押圧しているからである。そこで、予めフォーカスリング載置面２２ａを、こうした高さ勾配がキャンセルされるような傾斜面にしておいてもよい。こうすれば、ウエハ載置装置１０を設置板８２に固定した状態でのフォーカスリング載置面２２ａをよりフラットにすることができる。あるいは、予めフォーカスリング載置面２２ａを傾斜面にしておく代わりに、熱抵抗スペーサ４０の厚さを、こうした高さ勾配がキャンセルされるような傾斜厚みにしておいてもよい。こうすれば、熱抵抗スペーサ４０によって、ウエハＷの温度制御とフォーカスリングＦＲの温度制御をそれぞれ独立して行うことができるという効果と、ウエハ載置装置１０を設置板８２に固定した状態でのフォーカスリング載置面２２ａをよりフラットにすることができるという効果が得られる。
上述した実施形態では、ウエハ用静電チャック１４として静電電極１４ｄと抵抗発熱体１４ｅとを埋設したものを用いたが、抵抗発熱体１４ｅを省略してもよい。この点は、フォーカスリング用静電チャック２２も同様である。
上述した実施形態では、クランプ部材３０の上面からボルト８６を差し込んで設置板８２に螺合したが、設置板８２の裏面からボルトを差し込んでクランプ部材３０に螺合してもよい。
上述した実施形態において、ウエハ用冷却板フランジ部１６ａの外周面とフォーカスリング用冷却板２４の内周面との間にも熱抵抗スペーサを配置してもよい。こうすれば、ウエハＷの温度制御へのフォーカスリング用冷却板２４の影響やフォーカスリングＦＲの温度制御へのウエハ用冷却板１６の影響をより抑制することができる。
上述した実施形態では、ウエハ用静電チャック１４の裏面１４ｂにウエハ用冷却板１６をボンディングシート１５で接着したが、例えば、ウエハ用冷却板１６がＳｉ−ＳｉＣ−Ｔｉなどのセラミック複合材料で作製されている場合にはウエハ用静電チャック１４の裏面１４ｂにウエハ用冷却板１６をＴＣＢ（Thermalcompressionbonding）により接合してもよい。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。この点は、フォーカスリング用冷却板２４も同様である。
上述した実施形態において、ウエハＷを昇降するリフトピンを設けてもよい。その場合、リフトピンを挿通する挿通穴は、設置板８２、ウエハ用冷却板１６、ボンディングシート１５及びウエハ用静電チャック１４を貫通するように設ければよい。
本出願は、２０１８年９月１３日に出願された日本国特許出願第２０１８−１７１４０５号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
本発明は、例えばウエハにＣＶＤやエッチングなどを行うために用いられるウエハ載置装置に利用可能である。
１０，１１０、２１０ ウエハ載置装置、１２ ウエハ載置台、１３０ クランプ部材、１３２ 円弧状部材、１４ ウエハ用静電チャック、１４ａ ウエハ載置面、１４ｂ 裏面、１４ｃ セラミック基体、１４ｄ 静電電極、１４ｅ 抵抗発熱体、１５ ボンディングシート、１６ ウエハ用冷却板、１６ａ ウエハ用冷却板フランジ部、１６ｃ，１６ｄ 面、１６ｅ 第２角部、１８ Ｏリング、２０ フォーカスリング載置台、２２ フォーカスリング用静電チャック、２２ａ フォーカスリング載置面、２２ｂ 裏面、２２ｃ セラミック基体、２２ｄ 静電電極、２２ｅ 抵抗発熱体、２４ フォーカスリング用冷却板、２４ａ フォーカスリング用冷却板フランジ部、２４ｂ 押圧部、２４ｃ，２４ｄ 面、２４ｅ 第１角部、２５ ボンディングシート、２６，２８ Ｏリング、３０ クランプ部材、３２ ツバ部、３４ 貫通孔、４０ 熱抵抗スペーサ、４２ Ｏリング、８２ 設置板、８４ ボルト、８６ ボルト、９０ シャワーヘッド、５１０ ウエハ載置装置、５１２ ウエハ載置台、５１４ ウエハ用静電チャック、５１４ａ 表面、５１６ ウエハ用冷却板、５１６ａ ウエハ用冷却板フランジ部、５１６ｂ 貫通孔、５２０ フォーカスリング載置台、５２２ フォーカスリング用静電チャック、５２２ａ 表面、５２４ フォーカスリング用冷却板、５２４ａ 凸部、ＦＲ フォーカスリング、Ｗ ウエハ。
Claims (7)
- ウエハ用静電チャックと該ウエハ用静電チャックのウエハ載置面とは反対側の面に取り付けられたウエハ用冷却板とを備えたウエハ載置台と、
前記ウエハ載置台とは別体であり、前記ウエハ載置台の外周に配置され、フォーカスリング用静電チャックと該フォーカスリング用静電チャックのフォーカスリング載置面とは反対側の面に取り付けられたフォーカスリング用冷却板とを備えたフォーカスリング載置台と、
前記フォーカスリング載置台とは別体であり、前記フォーカスリング載置台の外周に配置されたクランプ部材と、
を備えたウエハ載置装置であって、
前記ウエハ用冷却板は、前記ウエハ載置装置が設置される設置板に近い側の端部の外周面から半径外向きに突き出したウエハ用冷却板フランジ部を備え、
前記フォーカスリング用冷却板は、前記ウエハ用冷却板フランジ部を設置板に向かって押圧する押圧部と、前記設置板に近い側の端部の外周面から半径外向きに突き出したフォーカスリング用冷却板フランジ部とを備え、
前記クランプ部材は、前記フォーカスリング用冷却板フランジ部を前記設置板に向かって押圧した状態で締結具によって前記設置板に締結されることにより、前記ウエハ載置台及び前記フォーカスリング載置台を前記設置板に直接締結することなく前記設置板に固定する、
ウエハ載置装置。 - 前記クランプ部材は、一つのリング部材である、
請求項１に記載のウエハ載置装置。 - 前記クランプ部材は、複数の円弧状部材がリング形状に並んで構成されている、
請求項１に記載のウエハ載置装置。 - 前記ウエハ用冷却板の前記ウエハ用冷却板フランジ部と前記フォーカスリング用冷却板の前記押圧部との間には熱抵抗スペーサが挟まれている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ載置装置。 - 前記フォーカスリング載置面は、前記クランプ部材によって前記フォーカスリング用冷却板フランジ部が前記設置板に向かって押圧されたときに生じる前記フォーカスリング載置面の内周部と外周部との高さ勾配をキャンセルする傾斜面となっている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のウエハ載置装置。 - 前記ウエハ用冷却板フランジ部と前記フォーカスリング用冷却板フランジ部との間には熱抵抗スペーサが挟まれており、
前記熱抵抗スペーサは、前記クランプ部材によって前記フォーカスリング用冷却板フランジ部が前記設置板に向かって押圧されたときに生じる前記フォーカスリング載置面の内周部と外周部との高さ勾配をキャンセルする傾斜厚みを有している、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ載置装置。 - 前記フォーカスリング用冷却板と前記設置板との間であって前記フォーカスリング用冷却板の内周側に配置されるシールリングは、前記ウエハ用冷却板と前記設置板との間であって前記ウエハ用冷却板の外周側に配置されるシールリングと共通化されている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のウエハ載置装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018171405 | 2018-09-13 | ||
| JP2018171405 | 2018-09-13 | ||
| PCT/JP2019/035436 WO2020054682A1 (ja) | 2018-09-13 | 2019-09-10 | ウエハ載置装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6681522B1 true JP6681522B1 (ja) | 2020-04-15 |
| JPWO2020054682A1 JPWO2020054682A1 (ja) | 2020-12-17 |
Family
ID=69776788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019563911A Active JP6681522B1 (ja) | 2018-09-13 | 2019-09-10 | ウエハ載置装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11810767B2 (ja) |
| JP (1) | JP6681522B1 (ja) |
| KR (1) | KR102423380B1 (ja) |
| CN (1) | CN111801787B (ja) |
| TW (1) | TWI761703B (ja) |
| WO (1) | WO2020054682A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7554220B2 (ja) | 2022-03-08 | 2024-09-19 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7308767B2 (ja) * | 2020-01-08 | 2023-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台およびプラズマ処理装置 |
| US11551916B2 (en) | 2020-03-20 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Sheath and temperature control of a process kit in a substrate processing chamber |
| JP2021190601A (ja) * | 2020-06-02 | 2021-12-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
| JP7514695B2 (ja) * | 2020-08-18 | 2024-07-11 | 株式会社安川電機 | アライメント装置、基板搬送システム、アライメント方法、及び基板搬送方法 |
| CN112382552A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆装载平台装置及拆装工具 |
| CN112238363B (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 | 一种蒙皮的柔性固持工装 |
| CN112670142B (zh) * | 2020-12-24 | 2024-07-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电卡盘和半导体工艺设备 |
| JP7429208B2 (ja) * | 2021-08-17 | 2024-02-07 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
| KR102677251B1 (ko) * | 2021-10-28 | 2024-06-20 | 세메스 주식회사 | 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법 |
| JP2023161172A (ja) * | 2022-04-25 | 2023-11-07 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016126A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の載置装置 |
| JP2007258500A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板支持装置 |
| JP2007300119A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Applied Materials Inc | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
| JP2014007215A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台 |
| JP2014107387A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びフォーカスリングを保持する方法 |
| JP2014150104A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| JP2015220413A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2017174889A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物の処理装置 |
| JP2018050039A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
| JP2018107433A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板処理装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144167A (ja) | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Ngk Insulators Ltd | 半導体保持装置 |
| JP4783213B2 (ja) | 2005-06-09 | 2011-09-28 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| JP5496568B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TWI385725B (zh) * | 2009-09-18 | 2013-02-11 | Advanced Micro Fab Equip Inc | A structure that reduces the deposition of polymer on the backside of the substrate |
| JP5496630B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック装置 |
| JP5690596B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び該フォーカスリングを備える基板処理装置 |
| US10262886B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-04-16 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| JP6424700B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2018-11-21 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| JP6530228B2 (ja) | 2015-04-28 | 2019-06-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
| US11024528B2 (en) * | 2015-10-21 | 2021-06-01 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device having focus ring |
| CN106898574A (zh) * | 2015-12-17 | 2017-06-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘机构以及半导体加工设备 |
| JP6608444B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2019-11-20 | 日本碍子株式会社 | 円板状ヒータ及びヒータ冷却板アセンブリ |
| US20180182635A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-06-28 | Tokyo Electron Limited | Focus ring and substrate processing apparatus |
-
2019
- 2019-09-10 WO PCT/JP2019/035436 patent/WO2020054682A1/ja active Application Filing
- 2019-09-10 KR KR1020207024617A patent/KR102423380B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-10 CN CN201980016643.6A patent/CN111801787B/zh active Active
- 2019-09-10 JP JP2019563911A patent/JP6681522B1/ja active Active
- 2019-09-11 TW TW108132737A patent/TWI761703B/zh active
-
2020
- 2020-08-24 US US17/000,711 patent/US11810767B2/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016126A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の載置装置 |
| JP2007258500A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板支持装置 |
| JP2007300119A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Applied Materials Inc | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
| JP2014007215A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台 |
| JP2014107387A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びフォーカスリングを保持する方法 |
| JP2014150104A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| JP2015220413A (ja) * | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2017174889A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物の処理装置 |
| JP2018050039A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
| JP2018107433A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び基板処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7554220B2 (ja) | 2022-03-08 | 2024-09-19 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200388471A1 (en) | 2020-12-10 |
| CN111801787B (zh) | 2023-10-03 |
| TWI761703B (zh) | 2022-04-21 |
| WO2020054682A1 (ja) | 2020-03-19 |
| KR102423380B1 (ko) | 2022-07-22 |
| US11810767B2 (en) | 2023-11-07 |
| KR20200110796A (ko) | 2020-09-25 |
| CN111801787A (zh) | 2020-10-20 |
| JPWO2020054682A1 (ja) | 2020-12-17 |
| TW202025370A (zh) | 2020-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191118 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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