JP2007300119A - 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 - Google Patents
二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007300119A JP2007300119A JP2007119297A JP2007119297A JP2007300119A JP 2007300119 A JP2007300119 A JP 2007300119A JP 2007119297 A JP2007119297 A JP 2007119297A JP 2007119297 A JP2007119297 A JP 2007119297A JP 2007300119 A JP2007300119 A JP 2007300119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- electrostatic chuck
- substrate
- peripheral
- clamp ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板処理チャンバ内で基板を受容する静電チャックは、基板受容面と、複数の隔置されたメサを有する対向する裏面とを有するセラミックパックを備えている。静電力を生成して基板を保持するために電極がセラミックパックに組み込まれている。セラミックパックの周辺部と中央部に位置するヒータコイルは、セラミックパックの中央部と周辺部の温度の独立した制御を可能にする。チャックは、空気が保持された溝を有するベースによって支持されている。
Description
静電チャック20とベース91を備えている基板支持体90は、基板処理装置200内で用いることができ、例示的変形例を図8に示す。装置200は封入壁202を備えたチャンバ201を含み、一変形例においては、チャンバ201はDPSアドバンテージチャンバである。ガス源204は、ガスホール203を通ってチャンバにプロセスガスを供給し、そのプロセスガスは、エッチングガス、例えば、塩素又は塩化水素のようなハロゲン含有ガス、又はCVD又はPVDガスのような堆積ガス、例えば、誘電体又は半導体材料を堆積させるガスのような基板25を処理することができる。ガスエナジャイザー208は、プロセスガスそれぞれにRFエネルギーを容量結合又は誘導結合するために、又はプロセスガス(図示せず)にマイクロ波エネルギーを伝達するために供給され、励起したガスを形成して基板25を処理する。例えば、プロセスガスは、電極電源230を介して静電チャック20の電極36にRF電圧を印加し、チャンバ201の壁202を電気的に接地することによって、容量的に励起させてもよい。電極電源230は、また、基板25を静電的に保持するために、チャック20の電極36を荷電するためにDCチャッキング電圧を供給する。誘導コイル205を介してプロセスガスに誘導エネルギーを結合することによって、プロセスガスを励起することもできる。或いは、遠隔チャンバ(図示せず)内のマイクロ波コンジットを介してプロセスガスにマイクロ波エネルギーを結合することによって、プロセスガスを励起させることができる。基板25は、チャンバ201内で静電チャック20の受容面26の上に保持され、ベース91の上に載せられている。
Claims (30)
- 静電チャックおよび周辺部分を支持する為にチャック受容部分を備えた上面を有するベースを備えるプロセスチャンバ用クランプリングであって、前記静電チャックは、第1ステップおよび第2ステップを有する周辺棚を備えたセラミックパックを備え、前記セラミックパックの前記第2ステップにエッジリングが載せてあり、前記クランプリングは:
(a)前記エッジリングを支持する為の上面と、前記ベースの前記上面の前記周辺部分に固定されるように適合された複数の穴を備えた底面と、を有する環状本体と;
(b)前記セラミックパックの前記周辺棚の第1ステップに載るように放射状に内側に伸びている上部リップと;
(c)放射状外側面と;
(d)前記ベースの前記上面の前記周辺部分に載るように放射状外側面から下方に伸びているフットと;
を備える、前記クランプリング。 - 前記環状本体は、前記穴と噛み合うネジ又はボルトにより前記ベースの前記上面の前記周辺部分に固定されている、請求項1に記載のクランプリング。
- 前記上部リップは、下方に突き出たバンプを備え、前記バンプは、前記セラミックパックの前記周辺棚の前記第1ステップに載っている、請求項1に記載のクランプリング。
- 前記環状本体は、前記下方に突き出たバンプの放射状外側に底凹部を備える、請求項3に記載のクランプリング。
- 前記クランプリングの前記上部リップは、下面を備え、前記下面は、前記セラミックパックの前記周辺棚の前記第1ステップに載っている、請求項1に記載のクランプリング。
- 前記下面は、ポリマーを備える、請求項5に記載のクランプリング。
- 前記ポリマーは、ポリイミドを備える、請求項6に記載のクランプリング。
- 前記クランプリングは、金属又はセラミックを備える、請求項1に記載のクランプリング。
- 前記セラミックは、酸化アルミニウムを備える、請求項8に記載のクランプリング。
- (i)ベース、(ii)ベース上の静電チャックであって、ステップを備えた周辺棚を有するセラミックパックを備える、前記静電チャック、(iii)前記セラミックパックの前記周辺棚の前記ステップに載るように放射状内側に伸びている上部リップを有するクランプリング、を有する処理チャンバ用エッジリングであって、
(a)クランプリングの前記上面に載っているフットを備えるバンドと;
(b)前記クランプリングの前記外側面を封入する環状外壁と;
(c)前記セラミックパックの前記周辺棚の前記ステップを覆う内側フランジと;
を備える、前記エッジリング。 - 前記バンドは、セラミックを備える、請求項10に記載のエッジリング。
- 前記セラミックは、石英を備える、請求項11に記載のエッジリング。
- (i)ベース、(ii)ベース上の静電チャックであって、ステップを備えた周辺棚を有するセラミックパックを備える、前記静電チャック、(iii)上面と上部リップを有するクランプリングであって、前記上部リップは、前記セラミックパックの前記周辺棚の前記ステップに載るように前記上面から放射状内側に伸びている、前記クランプリング、を有する処理チャンバ用エッジリングであって、
(a)傾斜した上面と、前記クランプリングの前記上面を覆う下面とを備えるウェッジ状バンドと;
(b)前記ウェッジ状バンドから放射状内側に伸びている内側フランジであって、前記セラミックパックの前記周辺棚の前記ステップに載り得るフットを備える、前記内側フランジと;
(c)前記ウェッジ状バンドから放射状外側に伸びている外側フランジであって、前記クランプリングの前記外側面を覆う放射状内側に面する表面を備える、前記外側フランジと;
を備える、前記エッジリング。 - 前記内側フランジは、底面を備え、前記底面は、前記ウェッジ状バンドの底面に対して階段状に上がる、請求項13に記載のエッジリング。
- 前記内側フランジは、上部ステップと下部ステップを備える放射状内側周辺を備える、請求項13に記載のエッジリング。
- 前記内側フランジは、湾曲エッジを備え、前記湾曲エッジは、前記ウェッジ状バンドの傾斜上面を接合する、請求項13に記載のエッジリング。
- 前記外側フランジは、底壁を備え、前記底壁は、前記ウェッジ状バンドの前記下面に対して下方に伸びている、請求項13に記載のエッジリング。
- 前記外側フランジは、傾斜周辺エッジを備える、請求項13に記載のエッジリング。
- 前記ウェッジ状バンドは、セラミックを備える、請求項13に記載のエッジリング。
- 前記セラミックは、石英を備える、請求項19に記載のエッジリング。
- プロセスチャンバ内で基板を受容する為の静電チャックにおいて:
(a)セラミックパックであって、(i)メサの複数の隆起プラトーを備える、基板受容面であって、前記隆起プラトーは、溝パターンにより隔置されている、前記基板受容面;(ii)前記セラミックパックを横断し、前記基板受容面の溝パターン内に置かれた周辺ポートおよび中央ポート内で終結する複数の熱伝達ガスコンジットであって、前記熱伝達ガスを前記基板受容面の異なるゾーンに提供し得る、前記熱伝達コンジット;(iii)第1ステップおよび第2ステップを備えた周辺棚であって、前記第2ステップは、前記第1ステップより放射状外向きであり、前記第1ステップより低い、前記周辺棚;を備える、前記セラミックパックと;
(b)前記基板受容面上に置かれた基板を保持する為に静電力を生成するように前記セラミックパック内に組み込まれた電極と;
を備える、前記静電チャック。 - 前記メサの隆起プラトーは、各々が、約10個から約1000個のメサを備える、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記メサは、隆起円筒バンプである、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記メサは、約5ミクロンから約50ミクロンの大きさの平均直径を有する、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記メサは、約0.5mmから約5mmの高さを有する、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記溝パターンは、相互に接続された放射状アーム及び円形アームを備える、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記周辺ポートは、弧状カットアウト内で終結する、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記周辺ポートを囲む放射状内側及び外側のガス密閉リムを備える、請求項27に記載の静電チャック。
- 前記中央ポートは、前記中央溝及び放射状溝の交差点で終結する、請求項21に記載の静電チャック。
- 前記セラミックパックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及びそれらの混合物を備える、請求項21に記載の静電チャック。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79601306P | 2006-04-27 | 2006-04-27 | |
US60/796,013 | 2006-04-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007300119A true JP2007300119A (ja) | 2007-11-15 |
JP2007300119A5 JP2007300119A5 (ja) | 2010-06-17 |
JP5183092B2 JP5183092B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=38769279
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006314598A Active JP5069452B2 (ja) | 2006-04-27 | 2006-11-21 | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
JP2007119297A Active JP5183092B2 (ja) | 2006-04-27 | 2007-04-27 | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006314598A Active JP5069452B2 (ja) | 2006-04-27 | 2006-11-21 | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5069452B2 (ja) |
KR (2) | KR101380879B1 (ja) |
CN (4) | CN101093812A (ja) |
TW (2) | TWI357629B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012028539A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックス接合体 |
JP2012525014A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 側部ガス出口を有する基板支持体および方法 |
CN107112262A (zh) * | 2014-12-31 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 带有多个加热区的基板支撑件 |
WO2020054682A1 (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
JP2021090018A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7501605B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-03-10 | Lam Research Corporation | Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly |
KR101094982B1 (ko) * | 2008-02-27 | 2011-12-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 에칭 처리 장치 및 플라즈마 에칭 처리 방법 |
US7884925B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-02-08 | Lam Research Corporation | Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials |
JP4913113B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2012-04-11 | エイ・ディ・ピー・エンジニアリング・コーポレーション・リミテッド | 平板表示素子製造装置の下部電極組立体 |
US8270141B2 (en) * | 2009-11-20 | 2012-09-18 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with reduced arcing |
US8613288B2 (en) | 2009-12-18 | 2013-12-24 | Lam Research Ag | High temperature chuck and method of using same |
JP5267603B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-08-21 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US9123762B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-09-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with symmetrical feed structure |
KR101970184B1 (ko) * | 2011-03-01 | 2019-04-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 얇은 피가열 기판 지지체 |
JP5961917B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-08-03 | 住友電気工業株式会社 | ウェハ保持体 |
WO2013049589A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with temperature control |
CN102931133B (zh) * | 2012-11-12 | 2016-02-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种改善硅穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法 |
CN103938186B (zh) * | 2013-01-23 | 2016-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 托盘、mocvd反应腔和mocvd设备 |
JP6080571B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
US9196514B2 (en) * | 2013-09-06 | 2015-11-24 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with variable pixilated heating |
US9853579B2 (en) * | 2013-12-18 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Rotatable heated electrostatic chuck |
TWI734668B (zh) * | 2014-06-23 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 在epi腔室中的基材熱控制 |
WO2016014138A1 (en) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | Applied Materials, Inc. | Tunable temperature controlled substrate support assembly |
JP6392612B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-09-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP6463938B2 (ja) | 2014-10-08 | 2019-02-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP5987966B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-09-07 | Toto株式会社 | 静電チャックおよびウェーハ処理装置 |
US10781518B2 (en) * | 2014-12-11 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Gas cooled electrostatic chuck (ESC) having a gas channel formed therein and coupled to a gas box on both ends of the gas channel |
US20160230269A1 (en) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Applied Materials, Inc. | Radially outward pad design for electrostatic chuck surface |
JP6124156B2 (ja) * | 2015-04-21 | 2017-05-10 | Toto株式会社 | 静電チャックおよびウェーハ処理装置 |
US9870934B2 (en) | 2015-07-28 | 2018-01-16 | Micron Technology, Inc. | Electrostatic chuck and temperature-control method for the same |
TWI757242B (zh) * | 2015-08-06 | 2022-03-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於晶圓處理系統的熱管理系統及方法 |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
JP6937753B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2021-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 融合されたカバーリング |
US10582570B2 (en) * | 2016-01-22 | 2020-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sensor system for multi-zone electrostatic chuck |
US10079168B2 (en) * | 2016-11-08 | 2018-09-18 | Lam Research Corporation | Ceramic electrostatic chuck including embedded Faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
US10246777B2 (en) * | 2017-06-12 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Heater block having continuous concavity |
US11387134B2 (en) * | 2018-01-19 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | Process kit for a substrate support |
CN113711343A (zh) * | 2019-02-05 | 2021-11-26 | 应用材料公司 | 用于吸附用于沉积工艺的掩模的基板支撑件 |
US11887878B2 (en) * | 2019-06-28 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Detachable biasable electrostatic chuck for high temperature applications |
CN110331386A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 在半导体晶圆上形成薄膜的方法 |
US11551951B2 (en) | 2020-05-05 | 2023-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for temperature control for a substrate |
CN111607785A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-01 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种加热装置及半导体加工设备 |
TWI748774B (zh) * | 2020-12-01 | 2021-12-01 | 天虹科技股份有限公司 | 晶圓承載盤及應用晶圓承載盤的薄膜沉積裝置 |
CN114959654B (zh) * | 2021-02-26 | 2024-01-09 | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 | 晶圆承载盘及应用晶圆承载盘的薄膜沉积装置 |
WO2024015187A1 (en) * | 2022-07-11 | 2024-01-18 | Applied Materials, Inc. | Process kit for a substrate support |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303286A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-11-13 | Applied Materials Inc | 静電チャック及び半導体製造装置 |
JP2002076105A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Anelva Corp | 静電吸着機構及び表面処理装置 |
JP2004006813A (ja) * | 2002-04-16 | 2004-01-08 | Anelva Corp | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 |
JP2004282047A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2005191561A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62150839A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体組立装置 |
JPH07153822A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0945624A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP3805134B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2006-08-02 | 東陶機器株式会社 | 絶縁性基板吸着用静電チャック |
US6740853B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone resistance heater |
JP2002170753A (ja) * | 1999-11-30 | 2002-06-14 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査用セラミックヒータ |
JP4209057B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
US6223447B1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Fastening device for a purge ring |
US6481886B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-11-19 | Applied Materials Inc. | Apparatus for measuring pedestal and substrate temperature in a semiconductor wafer processing system |
KR20010111058A (ko) * | 2000-06-09 | 2001-12-15 | 조셉 제이. 스위니 | 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법 |
US6475336B1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
JP4620879B2 (ja) * | 2001-01-23 | 2011-01-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板温度制御機構及び真空処理装置 |
KR100397891B1 (ko) | 2001-07-25 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 식각설비의 척 조립체 |
US6664738B2 (en) * | 2002-02-27 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
US6896765B2 (en) | 2002-09-18 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber |
CN2585414Y (zh) * | 2002-11-08 | 2003-11-05 | 冯自平 | 具有温度均衡通道的散热器 |
US7347901B2 (en) * | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
EP1458019A3 (de) * | 2003-03-13 | 2005-12-28 | VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung | Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter |
US20050042881A1 (en) * | 2003-05-12 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
US7072165B2 (en) * | 2003-08-18 | 2006-07-04 | Axcelis Technologies, Inc. | MEMS based multi-polar electrostatic chuck |
US7663860B2 (en) * | 2003-12-05 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck |
US7697260B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
US20060023395A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for temperature control of semiconductor wafers |
CN100382275C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-04-16 | 东京毅力科创株式会社 | 基板载置台、基板处理装置及基板的温度控制方法 |
-
2006
- 2006-11-21 JP JP2006314598A patent/JP5069452B2/ja active Active
- 2006-11-23 TW TW095143403A patent/TWI357629B/zh active
- 2006-12-18 KR KR1020060129234A patent/KR101380879B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-04-27 CN CNA2007100980989A patent/CN101093812A/zh active Pending
- 2007-04-27 JP JP2007119297A patent/JP5183092B2/ja active Active
- 2007-04-27 KR KR1020070041285A patent/KR101387598B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-27 CN CN201210033377.8A patent/CN102593031B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-27 CN CN2007100976540A patent/CN101093811B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-27 TW TW096115185A patent/TWI463588B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-04-27 CN CN2010102067972A patent/CN101887865B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10303286A (ja) * | 1997-02-25 | 1998-11-13 | Applied Materials Inc | 静電チャック及び半導体製造装置 |
JP2002076105A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-03-15 | Anelva Corp | 静電吸着機構及び表面処理装置 |
JP2004006813A (ja) * | 2002-04-16 | 2004-01-08 | Anelva Corp | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 |
JP2004282047A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | 静電チャック |
JP2005191561A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012525014A (ja) * | 2009-04-24 | 2012-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 側部ガス出口を有する基板支持体および方法 |
JP2012028539A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックス接合体 |
CN107112262A (zh) * | 2014-12-31 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 带有多个加热区的基板支撑件 |
JP2018505551A (ja) * | 2014-12-31 | 2018-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 複数の加熱ゾーンを有する基板支持体 |
CN107112262B (zh) * | 2014-12-31 | 2021-09-03 | 应用材料公司 | 带有多个加热区的基板支撑件 |
WO2020054682A1 (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
JP6681522B1 (ja) * | 2018-09-13 | 2020-04-15 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
US11810767B2 (en) | 2018-09-13 | 2023-11-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer placement device |
JP2021090018A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
JP7390880B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5183092B2 (ja) | 2013-04-17 |
CN102593031B (zh) | 2015-09-16 |
CN102593031A (zh) | 2012-07-18 |
CN101887865A (zh) | 2010-11-17 |
KR20070105929A (ko) | 2007-10-31 |
CN101093811B (zh) | 2012-04-25 |
TW200807606A (en) | 2008-02-01 |
TWI463588B (zh) | 2014-12-01 |
CN101093812A (zh) | 2007-12-26 |
JP5069452B2 (ja) | 2012-11-07 |
KR101380879B1 (ko) | 2014-04-02 |
JP2007300057A (ja) | 2007-11-15 |
CN101887865B (zh) | 2013-06-19 |
KR101387598B1 (ko) | 2014-04-23 |
KR20070105828A (ko) | 2007-10-31 |
TWI357629B (en) | 2012-02-01 |
CN101093811A (zh) | 2007-12-26 |
TW200809999A (en) | 2008-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5183092B2 (ja) | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 | |
US8663391B2 (en) | Electrostatic chuck having a plurality of heater coils | |
US10257887B2 (en) | Substrate support assembly | |
JP5183058B2 (ja) | 急速温度勾配コントロールによる基板処理 | |
US8216486B2 (en) | Temperature control module using gas pressure to control thermal conductance between liquid coolant and component body | |
JP4511722B2 (ja) | 化学気相堆積用リアクタ | |
US20010042594A1 (en) | Process chamber having improved temperature control | |
KR19980080809A (ko) | 열처리 장치 | |
JPH03108323A (ja) | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 | |
TW201421601A (zh) | 於基板處理系統中控制溫度 | |
US20220262657A1 (en) | Pedestal with multi-zone heating | |
US6508062B2 (en) | Thermal exchanger for a wafer chuck | |
CN111383882B (zh) | 等离子体处理装置及用于该处理装置的基片支座 | |
US20060243385A1 (en) | Device for producing electroconductive passages in a semiconductor wafer by means of thermomigration | |
TW201944855A (zh) | 用於hdp cvd的帶有嵌入式加熱元件和嵌入式rf線圈的進階陶瓷蓋及感應耦合電漿處理腔室 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100427 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100427 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101108 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5183092 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |