TW202121580A - 具有多區加熱的托座 - Google Patents

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羅伊特 馬哈卡里
張文飛
齊艾坦亞Ａ 普羅薩德
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

揭露了一種用於改善基板的溫度控制的方法及裝置。在一個實施例中，揭露了一種托座，該托座包括：頂板；及基部板，耦接到該頂板，其中該頂板包括多區加熱器，且該基部板包括形成於該基部板的底面中的複數個凹槽。

Description

具有多區加熱的托座
本揭示內容的實施例大致與半導體處理設備相關。更詳細而言，本揭示內容的實施例與用於半導體製造的化學氣相沉積（CVD）腔室及托座以及使用該腔室及該托座的原位乾式清潔方法相關。
在半導體基板上製造電子元件時，將基板定位在配置為控制基板的溫度的加熱的托座上。然而，在利用常規的托座的情況下，通常難以實現均勻的基板加熱。例如，在蝕刻工序期間，由「邊緣滾落」及/或「歪斜」所造成的不均勻一般存在於基板中。這些不均勻至少部分地是由蝕刻工序期間的基板中的溫度不均勻所造成的。此外，由於緩慢的溫度上升及/或緩慢的暫態溫度，常規的托座往往降低產出量。
因此，需要能夠改善基板的溫度控制的托座，該基板定位在該托座上。
揭露了一種用於改善基板的溫度控制的方法及裝置。在一個實施例中，揭露了一種托座，該托座包括：頂板；及基部板，耦接到該頂板，其中該頂板包括多區加熱器，且該基部板包括形成於該基部板的底面中的複數個凹槽。
在另一個實施例中，揭露了一種托座，該托座包括：頂板；基部板，耦接到該頂板；及冷卻板，耦接到該基部板，其中該頂板包括四區加熱器，且該基部板包括形成於與該冷卻板接觸的表面中的複數個凹槽。
在另一個實施例中，揭露了一種托座，該托座包括：頂板；基部板，耦接到該頂板；及冷卻板，耦接到該基部板，其中該頂板包括四個加熱區，且該基部板包括形成於與該冷卻板接觸的表面中的複數個凹槽，且其中斷熱器定位在相鄰的加熱區之間。
圖1是部分橫截面圖，其示出說明性處理腔室100。在一個實施例中，處理腔室100包括腔室主體102、蓋組件104、及支撐組件或托座106。蓋組件104設置在腔室主體102的上端處，而托座106至少部分地設置在腔室主體102內。處理腔室100及相關聯的硬體優選地由一或更多種工序相容的材料所形成，例如鋁。
腔室主體102包括形成於其側壁中的縫閥開口108以提供處理腔室100的內部的進出口。縫閥開口108選擇性地開啟及關閉以允許搬運機器人（未示出）進出腔室主體102的內部。在一個實施例中，可以藉由縫閥開口108將基板運輸進出處理腔室100到相鄰的傳輸腔室及/或裝載鎖氣閘室、或群集工具內的另一個腔室。
在一或更多個實施例中，腔室主體102包括形成於其中的通道110以供使導熱流體流動通過該通道。導熱流體可以是加熱流體或冷卻劑，且用來在處理及基板傳輸處理期間控制腔室主體102的溫度。腔室主體102的溫度對於防止氣體或副產物不需要地冷凝在腔室壁上而言是重要的。示例性的導熱流體包括水、乙二醇、或上述項目的混合物。示例性的導熱流體也可以包括氮氣。
腔室主體102也包括環繞托座106的襯墊112。襯墊112優選地可移除以供維修及清潔。襯墊112可以由金屬（例如鋁）或陶瓷材料製成。然而，襯墊112可以是任何工序相容的材料。可以對襯墊112進行噴沙處理以增加沉積在該襯墊上的任何材料的黏著，藉此防止造成處理腔室100的污染的材料剝落。在一或更多個實施例中，襯墊112包括形成在其中的一或更多個孔114及泵送通道116，該泵送通道與真空系統流體連通。孔114提供供氣體進入泵送通道116的流動路徑，其為處理腔室100內的氣體提供出口。
真空系統可以包括真空泵118及節流閥120以調節通過處理腔室100的氣體的流量。真空泵118耦接到設置在腔室主體102上的真空端口122且因此與形成於襯墊112中的泵送通道116流體連通。與設置在腔室主體102的側壁上的縫閥開口108對準的孔124形成於襯墊112內以允許基板進入腔室主體102及從該腔室主體出來。除非另有指出，否則用語「氣體」及「多種氣體」可互換地使用，且指的是一或更多種前驅物、反應物、催化劑、載體、吹掃、清潔、上述項目的組合、以及引入到腔室主體102中的任何其他流體。
孔114允許泵送通道116與腔室主體102內的處理區126流體連通。處理區126由蓋組件104的下表面及托座106的上表面所界定，且被襯墊112環繞。孔114可以具有一致的尺寸且圍繞襯墊112均勻地隔開。然而，可以使用任何的數量、位置、尺寸或形狀的孔，且彼等設計參數中的每一者均可以取決於跨基板接收表面所需的氣體流動模式而變化，如下文更詳細地論述。此外，孔114的尺寸、數量、及位置被配置為實現均勻的離開處理腔室100的氣體流量。進一步地，可以將孔的尺寸及位置配置為提供快速或高容量的泵送以促進從處理腔室100快速排出氣體。例如，緊鄰真空端口122的孔114的數量及尺寸可以比相對於真空端口122定位得更遠的孔114的尺寸小。
操作時，離開處理腔室100的一或更多種氣體流動通過形成通過襯墊112的孔114而進入泵送通道116。氣體接著在泵送通道116內流動且流動通過端口進入真空通道，且藉由真空端口122離開真空通道進入真空泵118。
更詳細地考慮蓋組件104，蓋組件104包括彼此堆疊的多個元件，如圖1中所示。在一或更多個實施例中，蓋組件104包括蓋輪緣128、氣體遞送組件130、及頂板132。氣體遞送組件130耦接到蓋輪緣128的上表面且被佈置為與該蓋輪緣進行最小的熱接觸。蓋組件104的元件優選地由具有高導熱率及低熱阻的材料構成，舉例而言，例如具有高度精加工的表面的鋁合金。優選地，元件的熱阻小於約5x10-4 m2 K/W。蓋輪緣128被設計為支持構成蓋組件104的元件的重量，且經由鉸合組件（在此視圖中未示出）耦接到腔室主體102的上表面以提供內部腔室元件（舉例而言，例如托座106）的進出口。
蓋組件104更包括電極134以在處理區126內產生反應物種的電漿。在一個實施例中，電極134被支撐在頂板132上且與該頂板電隔離。例如，隔離環136圍繞電極134的下部設置，從而將電極134與頂板132分離。隔離環136可以由氧化鋁或任何其他絕緣的工序相容材料製成。
在一或更多個實施例中，電極134耦接到電源（未示出），而氣體遞送組件130連接到接地（即氣體遞送組件130充當電極）。因此，可以在處理區126中產生一或更多種工序氣體的電漿。
可以使用任何能夠將氣體活化成反應物種及維持反應物種的電漿的電源。例如，可以使用基於射頻（RF）、直流（DC）、或微波（MW）的放電技術。活化也可以藉由基於熱的技術、氣體擊穿技術、高強度光源（例如UV能量）、或暴露於X射線源來產生。或者，可以使用遠端活化源（例如遠端電漿產生器）以產生反應物種電漿，接著將該反應物種電漿遞送到處理腔室100中。雖然將處理腔室100示出及描述為電漿處理腔室，但也可以將如本文中所述的托座106用在不用於電漿處理的其他腔室中，例如化學氣相沉積（CVD）工序。
托座106包括冷卻基部138。冷卻基部138耦接到支撐構件140及桿144的凸緣142。冷卻基部138包括形成在其中的複數個冷卻通道146以供使冷卻劑流動。支撐構件140包括複數個加熱構件148。加熱構件148用作多區加熱器。
圖2示出處理腔室100的一部分中的說明性托座106的部分橫截面圖。托座106可以至少部分地設置在腔室主體102內。托座106包括支撐構件140以支撐基板（在此視圖中未示出）以供在腔室主體102內處理。支撐構件140耦接到冷卻基部138及凸緣142。托座106藉由軸桿204（桿144）耦接到升降機構202，該軸桿延伸通過形成於腔室主體102的底面中的居中定位的開口206。可以藉由波紋管208將升降機構202柔性地密封到腔室主體102，該波紋管防止真空從軸桿204周圍洩漏。升降機構202允許托座106在腔室主體102內在工序位置與下部的傳輸位置之間垂直移動。傳輸位置位於形成於腔室主體102的側壁中的縫閥開口108的開口的稍下方。
在一或更多個實施例中，支撐構件140具有平坦、圓形的表面或實質上平坦、圓形的表面以供支撐要在該表面上處理的基板。支撐構件140及冷卻基部138由鋁構成。支撐構件140可以包括由鋁製成的頂板210，該頂板可以塗有另一種材料（舉例而言，例如矽或陶瓷材料）以減少基板的背側污染。
在一或更多個實施例中，可以使用真空吸盤將基板（未示出）固定到托座106。頂板210可以包括經由真空導管216與真空泵118流體連通的複數個孔洞212，該真空導管設置在軸桿204及托座106內。在某些條件下，可以使用真空導管216來向支撐構件140的表面供應吹掃氣體以在在支撐構件140上未設置基板時防止沉積。真空導管216也可以在處理期間傳遞吹掃氣體以防止反應氣體或副產物接觸基板的背側。
在一或更多個實施例中，可以使用靜電卡盤將基板（未示出）固定到支撐構件140。在一或更多個實施例中，可以藉由機械夾具（未示出）（例如常規的夾環）將基板固持在支撐構件140上的適當位置。
托座106包括形成通過該托座的一或更多個孔腔218以容納升降銷220。每個升降銷220均一般由陶瓷或含陶瓷的材料構成且用於基板搬運及運輸。每個升降銷220均可滑動地安裝在孔腔218內。在一個態樣中，孔腔218襯有陶瓷套管以幫助使升降銷220自由滑動。升降銷220藉由接合設置在腔室主體102內的環形升降環222，在該升降銷的相應的孔腔218內可動。升降環222可動，使得在升降環222處於上部位置時，升降銷220的上表面可以位在支撐構件140的基板支撐面上方。相反地，在升降環222處於下部位置時，升降銷220的上表面位在支撐構件140的基板支撐面下方。因此，在升降環222從下部位置移動到上部位置時，每個升降銷220的一部分均穿過支撐構件140中的該升降銷的相應的孔腔218。
在啟動時，升降銷220推抵基板的下表面，從而將基板升離支撐構件140。相反地，可以停用升降銷220以降下基板，藉此將基板擱置在支撐構件140上。升降銷220可以包括放大的上端或圓錐形頭部以防止升降銷220從支撐構件140掉出。其他的銷設計也可以被利用，且是本領域中的技術人員眾所周知的。
在一個實施例中，托座106可以包括呈實質碟狀的主體224的形式的支撐構件140。軸桿204具有真空導管216、導熱流體導管226、及吹掃氣體導管228。碟狀主體224包括上表面230、下表面232、及圓柱形的外表面234。熱電偶（未示出）嵌入在碟狀主體224中。凸緣236從圓柱形的外表面234徑向向外地延伸。下表面232包括凸緣236的一個側面。冷卻通道146在凸緣236及下表面232附近形成於碟狀主體224中。冷卻通道146耦接到軸桿204的導熱流體導管226。孔洞（未示出）形成通過主體224以將上表面230耦接到軸桿204的真空導管216。吹掃氣體導管228形成通過碟狀主體224且離開主體224的圓柱形的外表面234。吹掃氣體導管228具有與碟狀主體224的中心線實質垂直的定向。
再次參照圖2，托座106可以包括圍繞支撐構件140設置的邊緣環240。邊緣環240可以由各種材料製成，例如陶瓷、石英、鋁、及鋼等等。在一或更多個實施例中，邊緣環240是調適為覆蓋支撐構件140的外周邊及保護支撐構件140免受沉積影響的環形構件。可以將邊緣環240定位在支撐構件140上或附近以在支撐構件140的外徑與邊緣環240的內徑之間形成環形的吹掃氣體通道242。環形的吹掃氣體通道242可以與形成通過支撐構件140及軸桿204的吹掃氣體導管228流體連通。吹掃氣體導管228與吹掃氣體供應源（未示出）流體連通以向吹掃氣體通道242提供吹掃氣體。可以單獨使用或結合使用任何合適的吹掃氣體（例如氮氧、氬氣、或氦氣）。操作時，吹掃氣體流動通過吹掃氣體導管228、進入吹掃氣體通道242、且圍繞設置在支撐構件140上的基板。因此，與邊緣環240協同工作的吹掃氣體防止在基板的邊緣及/或背側處沉積。
托座106的溫度由循環通過嵌入在托座106的主體中的冷卻通道146的流體所控制。冷卻通道146及導熱流體導管226可以使導熱流體流動以擇一加熱或冷卻托座106。可以使用任何合適的導熱流體，例如水、氮、乙二醇、或上述項目的混合物。托座106可以更包括嵌入的溫度感測器（示於圖6中）以供監測支撐構件140的支撐面的溫度。例如，可以將來自熱電偶的訊號用在反饋迴路中以控制循環通過冷卻通道146的流體的溫度或流速。
托座106可以在腔室主體102內垂直移動，使得可以控制托座106與蓋組件104之間的距離。感測器（未示出）可以提供關於處理腔室100內的托座106的位置的資訊。
圖3是如本文中所揭露的托座106的等軸俯視圖。托座106包括耦接到冷卻基部138的支撐構件140。冷卻基部138具有比支撐構件140的直徑304大的直徑302。支撐構件140包括形成於上表面230中的複數個圓形凹槽300。圓形凹槽300連接到徑向凹槽305。徑向凹槽305終止於形成於上表面230中的中心凹陷310處。圓形凹槽300、徑向凹槽305、及中心凹陷310中的每一者均從上表面230的平面稍微凹陷。
該複數個孔洞212被示為位於該複數個圓形凹槽300的一部分的基部中。孔洞212被提供在圓形凹槽300及徑向凹槽305中。可以對基板（未示出）將孔洞212用於真空應用或吹掃氣體應用。中心凹陷310包括凸部312，該凸部可以用於基板中心校正。開口315也示於托座106上。開口315定位在最外面的圓形凹槽300的周邊的外部。開口315用於升降銷220（一個升降銷示於圖2中）。
在一個實施例中，該複數個圓形凹槽300包括外凹槽320、中心凹陷310附近的內凹槽325、及定位在外凹槽320與內凹槽325之間的中間凹槽330。該複數個孔洞212形成於外凹槽320及內凹槽325中的一或兩者中。外凹槽320包括複數個向內延伸的弧形節段335。向內延伸的弧形節段335中的每一者均容納開口315中的一者。
在一些實施例中，徑向凹槽305包括複數個第一線性凹槽340、複數個第二線性凹槽345、及複數個第三線性凹槽350。第一線性凹槽340與第三線性凹槽350交替。該複數個第二線性凹槽345中的每一者均相對於該複數個第三線性凹槽350中的每一者定位在180度。第一線性凹槽340相對於彼此位於180度。該複數個第一線性凹槽340延伸於外凹槽320與內凹槽325之間。該複數個第二線性凹槽345延伸於外凹槽320與中心凹陷310之間。該複數個第三線性凹槽350延伸於中間凹槽330與中心凹陷310之間。與向內延伸的弧形節段335相鄰的中間凹槽330之間的區域355並不包括線性凹槽。因此，區域355是上表面230的一部分（位於與上表面230的平面相同的平面上）。
圖4A及4B是圖3的托座106的等軸截面圖。圖4A是俯視截面圖，而圖4B是仰視截面圖。
托座106包括調適為控制正在該托座上處理的基板的溫度的多區加熱器400。多區加熱器400包括加熱構件148，該等加熱構件被分成四個可獨立控制的徑向區，其示為中心區或第一區405、第二區410、第三區415、及外區或第四區420。多區加熱器400形成於頂板210中或上。頂板210耦接到基部板402，該基部板直接耦接到冷卻基部138（未示出）。
基部板402也包括被脊430分離的複數個凹槽425。圖4B中更清楚地示出了凹槽425及脊430。凹槽425及脊430跨基部板402的下表面435大致軸向地定位及/或同心。
脊430被調適為接觸冷卻基部138，且在冷卻基部138耦接到基部板402時，凹槽425至少部分地用脊430的側壁438為界。凹槽425中的每一者均包括一或更多個表面440，該等表面被調適為跟脊430的側壁438與冷卻基部138之間的凹槽425中流動的流體熱接觸。
在一個實施例中，凹槽425（例如總體表面440）的表面面積為約70平方英寸到約80平方英寸。在另一個實施例中，脊430的接觸面445（側壁438之間的脊430的表面區域）具有約40平方英寸到約50平方英寸的總表面面積。
脊430的中間脊455（與開口315的位置對應）包括環繞開口315中的每一者的複數個弧形接觸面460。
基部板402也包括凹槽425的一部分中的複數個開口450。開口450用來使氣體流動到頂板210中的孔洞212（示於圖4A中）。例如，氣體可以流動到凹槽425中的一或更多者以協助冷卻托座106，且氣體通過開口450及孔洞212排出到定位在頂板210上的基板（未示出）的背側。
圖5是圖3的托座106的支撐構件140的底面500的示意圖。也示出提供在支撐構件140的底面500中或上的加熱構件148。加熱構件148包括第一或中心加熱構件505（與第一區405對應）、第二加熱構件510（與第二區410對應）、第三加熱構件515（與第三區415對應）、及外部或第四加熱構件520（與第四區420對應）。
圖6是托座106的部分截面圖，其中基板600的一部分定位在該托座上。在支撐構件140耦接到冷卻基部138時，基部板402的脊430的接觸面445與冷卻基部138的表面605熱連通。在操作期間，冷卻劑在基部板402的冷卻通道146中流動，且基部板402的脊430的接觸面445用來控制基板600的溫度。此外，多區加熱器400用來控制定位在支撐構件140上的基板600的溫度。上表面230將在四個區405-420中接觸基板600。例如，由區405-420中的每一者中的加熱構件148提供獨立的溫度控制。支撐構件140及/或基板600的進一步的溫度控制藉由使流體流動通過形成於基部板402中的凹槽425來提供。流體可以是惰性氣體。流體在凹槽425中循環或通過支撐構件140中的孔洞212排出作為背側氣體。多區加熱器400與在凹槽425及冷卻通道146兩者中流動的流體結合操作以控制各種區中的基板600的溫度。例如，區405-420中的任一者中的溫度可以相同或不同。如本文中所述的托座106是主動地區控制的加熱器，其基於每個區的溫度測量而被供電。
在一個實施例中，將斷熱器610提供在區405-420之間。斷熱器610中的每一者均可以是與凹槽425類似的中間凹槽615。每個中間凹槽615均定位在相鄰的區405-420之間。
托座106也包括提供在區405-420中的每一者中的溫度感測器620。溫度感測器620中的每一者均可以是熱電偶。溫度感測器620中的每一者均延伸通過基部板402及頂板210到頂板210中的熱界面625（示為虛線）。溫度感測器620觸碰區405-420中的每一者中的熱界面625，且提供每個區405-420中的溫度測量。溫度感測器620提供反饋以允許控制施加到多區加熱器400的電力，且因此增強托座106的溫度控制。
圖7是托座106的仰視透視圖，其示出基部板402的另一個實施例。圖7中所示的基部板402可以與圖2及3的頂板210一起使用。
基部板402包括被與圖4B的基部板402類似的脊430分離的該複數個凹槽425。然而，脊430的一部分被徑向凹槽700分離。徑向凹槽700連接凹槽425的一部分。徑向凹槽700也協助將在凹槽425中流動的流體經由開口450遞送到頂板210中的孔洞212（示於圖4A中）。
基部板402也包括複數個界面部分705。界面部分705是脊430加寬及/或相鄰的脊430連接的區域。基部板402也包括複數個加熱器連接端口710。加熱器連接端口710形成於脊430的界面部分705中。加熱器連接端口710用來將導線或引線連接到多區加熱器400。
基部板402也包括複數個溫度控制端口715。溫度控制端口715中的每一者均用來接收溫度感測器620（示於圖6中）。
雖然以上內容是針對本揭示內容的實施例，但也可以在不脫離本揭示內容的基本範圍的情況下設計本揭示內容的其他的及另外的實施例，且本揭示內容的範圍是由隨後的請求項所決定的。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:蓋組件 106:托座 108:縫閥開口 110:通道 112:襯墊 114:孔 116:泵送通道 118:真空泵 120:節流閥 122:真空端口 124:孔 126:處理區 128:蓋輪緣 130:氣體遞送組件 132:頂板 134:電極 136:隔離環 138:冷卻基部 140:支撐構件 142:凸緣 144:桿 146:冷卻通道 148:加熱構件 202:升降機構 204:軸桿 208:波紋管 210:頂板 212:孔洞 216:真空導管 218:孔腔 220:升降銷 222:升降環 224:碟狀主體 226:導熱流體導管 228:吹掃氣體導管 230:上表面 232:下表面 234:外表面 236:凸緣 240:邊緣環 242:吹掃氣體通道 300:圓形凹槽 302:直徑 304:直徑 305:徑向凹槽 310:中心凹陷 312:凸部 315:開口 320:外凹槽 325:內凹槽 330:中間凹槽 335:弧形節段 340:第一線性凹槽 345:第二線性凹槽 350:第三線性凹槽 355:區域 400:多區加熱器 402:基部板 405:第一區 410:第二區 415:第三區 420:第四區 425:凹槽 430:脊 435:下表面 438:側壁 440:表面 445:接觸面 450:開口 455:中間脊 460:弧形接觸面 500:底面 505:第一加熱構件 510:第二加熱構件 515:第三加熱構件 520:第四加熱構件 600:基板 605:表面 610:斷熱器 615:中間凹槽 620:溫度感測器 625:熱界面 700:徑向凹槽 705:界面部分 710:加熱器連接端口 715:溫度控制端口
可以藉由參照實施例來獲得上文所簡要概述的本揭示內容的更詳細說明以及可以用來詳細瞭解本揭示內容的上述特徵的方式，附圖中繪示了該等實施例中的一些。然而，要注意，附圖僅繪示此揭示內容的典型實施例，且因此不要將該等附圖視為本揭示內容的範圍的限制，因為本揭示內容可以容許其他同等有效的實施例。
圖1是部分橫截面圖，其示出說明性處理腔室。
圖2示出處理腔室的一部分中的說明性托座的部分橫截面圖。
圖3是如本文中所揭露的托座的等軸俯視圖。
圖4A及4B是圖3的托座的等軸截面圖。
圖5是圖3的托座的支撐構件的底面的示意圖。
圖6是托座的部分截面圖，其中基板的一部分定位在該托座上。
圖7是托座的仰視透視圖，其示出基部板的另一個實施例。
為了促進瞭解，已儘可能使用相同的參考標號來標誌該等圖式共有的相同構件。可以預期，可以在不特別敘述的情況下將一個實施例中所揭露的構件有益地利用在其他實施例上。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
106:托座
138:冷卻基部
140:支撐構件
144:桿
212:孔洞
224:碟狀主體
230:上表面
300:圓形凹槽
302:直徑
304:直徑
305:徑向凹槽
310:中心凹陷
312:凸部
315:開口
320:外凹槽
325:內凹槽
330:中間凹槽
335:弧形節段
340:第一線性凹槽
345:第二線性凹槽
350:第三線性凹槽
355:區域

Claims (20)

  1. 一種托座，包括： 一頂板；及 一基部板，耦接到該頂板，其中該基部板包括形成於該基部板的一底面中的複數個凹槽；且該頂板包括： 一多區加熱器； 複數個圓形凹槽；及 複數個線性凹槽，與該等圓形凹槽的一部分相交，其中該等線性凹槽的一部分與形成於該頂板的一中心中的一凹陷相交。
  2. 如請求項1所述的托座，更包括： 一冷卻基部，耦接到該基部板，該冷卻基部包括複數個冷卻通道。
  3. 如請求項2所述的托座，更包括： 一軸桿，耦接到該冷卻基部。
  4. 如請求項1所述的托座，其中該等凹槽具有約70平方英寸到約80平方英寸的一總表面面積。
  5. 如請求項1所述的托座，更包括： 複數個脊，形成於該底面上，其中該複數個脊中的一者分離相鄰的凹槽。
  6. 如請求項5所述的托座，其中該等凹槽具有70平方英寸到約80平方英寸的一總表面面積。
  7. 如請求項6所述的托座，其中該等脊具有約40平方英寸到約50平方英寸的一總表面面積。
  8. 如請求項1所述的托座，其中該等凹槽被調適為用於使一氣體在該等凹槽中流動。
  9. 如請求項8所述的托座，其中該氣體藉由形成於該頂板中的孔洞排出。
  10. 一種托座，包括： 一頂板，包括： 一四區加熱器； 複數個圓形凹槽；及 複數個線性凹槽，與該等圓形凹槽的一部分相交，該托座更包括： 一基部板，耦接到該頂板；及 一冷卻板，耦接到該基部板，其中該基部板包括形成於與該冷卻基部接觸的一表面中的複數個凹槽。
  11. 如請求項10所述的托座，其中該等凹槽具有約70平方英寸到約80平方英寸的一總表面面積。
  12. 如請求項10所述的托座，更包括： 複數個脊，形成於該基部板的該表面上，其中該複數個脊中的一者分離相鄰的凹槽。
  13. 如請求項12所述的托座，其中該等凹槽具有70平方英寸到約80平方英寸的一總表面面積。
  14. 如請求項13所述的托座，其中該等脊具有約40平方英寸到約50平方英寸的一總表面面積。
  15. 如請求項10所述的托座，其中該等凹槽至少部分地用該冷卻板的一表面為界且被調適為用於使一氣體在該等凹槽中流動。
  16. 如請求項15所述的托座，其中該氣體藉由形成於該頂板中的孔洞排出。
  17. 一種托座，包括： 一頂板； 一基部板，耦接到該頂板，其中該基部板包括形成於該基部板的一底面中的複數個凹槽；且該頂板更包括： 一多區加熱器，形成一或更多個加熱區； 複數個圓形凹槽；及 複數個線性凹槽，與該等圓形凹槽的一部分相交，其中該托座更包括： 一冷卻板，耦接到該基部板，其中該基部板包括形成於與該冷卻基部接觸的一表面中的複數個凹槽，且一斷熱器定位在相鄰的加熱區之間。
  18. 如請求項17所述的托座，更包括： 複數個脊，形成於該基部板的該表面上，其中該複數個脊中的一者分離相鄰的凹槽。
  19. 如請求項18所述的托座，其中該等凹槽具有70平方英寸到約80平方英寸的一總表面面積。
  20. 如請求項18所述的托座，其中該等脊具有約40平方英寸到約50平方英寸的一總表面面積。
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