TWM526576U - Mocvd設備及其加熱裝置 - Google Patents

Description

MOCVD設備及其加熱裝置

本創作關於金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備，還關於用於該設備的加熱裝置。

許多半導體元件藉由化學氣相沉積的方式將半導體材料外延生長在基片上，上述基片基本上是圓盤狀的多晶矽材料，一般稱為晶圓。在進行此製程時，晶圓會維持高溫且暴露在一種或多種化學前驅物的環境中，上述前驅物可以是在基片表面上進行反應或分解，產生符合期待的沉積物。用於化學氣相沉積的前驅物一般包括金屬，例如金屬氫化物、鹵化物、鹵元素氫化物和有機金屬化合物。上述前驅物會與例如為氮氣的載氣結合，但是並不產生明顯地反應，上述載氣及不要的副產物可以通過反應室的出氣口排出。

利用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）可以連續生成半導體化合物層，藉以製作由三五族半導體材料形成的元件。三五族半導體材料包括發光二極管（LEDs）及其它例如是雷射二極管、光學感測器及場效應晶體管的高效能晶片。在例如為藍寶石或矽晶圓的基片上借由將有機鎵化合物與氨進行反應，可以形成這種元件。在沉積氮化鎵及相關化合物時，晶圓會保持在500℃至1200℃之間，因此一般會將加熱器組件加熱到1000℃至2200℃之間，藉以達到晶圓製程溫度。例如為壓力及氣體流速的許多製程參數也需控制，藉以達到符合期待的晶體生長過程。在形成所有的半導體層之後，及在電性接點通過電性測試後，晶圓可以切割成單獨的元件。

MOCVD反應器內的基片承載臺上通常會同時裝載多個基片，以提高加工效率。這使得基片承載台的加熱系統面臨著更嚴苛的挑戰：必須保證基片承載台表面所有區域的基片都處於適當的溫度範圍。否則，處於不適當溫度區域的基片上生長出的材料往往存在質量缺陷。

根據本創作的一個方面，提供一種用於MOCVD設備的加熱裝置，所述加熱裝置位於基片承載台下方並與所述基片承載台在豎直方向上相隔一段距離，以輻射的方式加熱所述基片承載台，所述加熱裝置包括連續的第一輻射加熱絲，所述第一輻射加熱絲包括：兩個端點，用於電連接加熱電源的正負電極；用於連接該兩個端點的輻射部，所述輻射部包括呈同心圓分佈的複數個弧形輻射段以及用於連接不同弧形輻射段的連接部；對於每一個單獨的弧形輻射段而言，其內部各處的單位長度的電阻率相等；至少存在這樣的兩個弧形輻射段——第一弧形輻射段與第二弧形輻射段，它們的單位長度的電阻率不相等。

較佳者，各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的寬度而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。

較佳者，各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的厚度而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。

較佳者，各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的寬度與厚度而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。

較佳者，各個弧形輻射段均包括由相同材料製成的主體部，藉由（1）使第一、二弧形輻射段中的一個在主體部上覆蓋塗層，另一個不覆蓋塗層，或者（2）使第一、二弧形輻射段在主體部上覆蓋不同的塗層，而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。

較佳者，第一、二弧形輻射段的主體部具有不同的寬度或/及厚度，以進一步擴大它們在單位長度電阻率方面不相等的程度。

較佳者，所述第一輻射加熱絲整體上位於同一平面內。

較佳者，進一步包括第二輻射加熱絲，第二輻射加熱絲的兩端用於與加熱電源的正負電極電連接，所述第二輻射加熱絲位於第一輻射加熱絲外周並包圍第一輻射加熱絲。

較佳者，所述第二輻射加熱絲與所述第一輻射加熱絲位於同一平面內。

較佳者，所述第二輻射加熱絲為單圈的圓弧結構。

較佳者，進一步包括第三輻射加熱絲，第三輻射加熱絲的兩端用於與加熱電源的正負電極電連接，所述第三輻射加熱絲環繞用於支撐基片承載台的轉軸，用於加熱所述轉軸。

根據本創作的另一個方面，提供一種MOCVD設備，包括：氣密的反應室；位於反應室內的基片承載台，用於固定基片於其上表面；連接於基片承載台的下表面、用於帶動基片承載台轉動的轉軸；位於基片承載台下方並與基片承載台在豎直方向上相隔一段距離的、如前面所述的加熱裝置，用於以輻射的方式加熱所述基片承載台。

以下將結合圖式對本創作的加熱裝置及MOCVD設備進行說明。需強調的是，這裡僅是示例型的闡述，不排除有其它利用本創作的實施方式。

圖1是本創作一個實施例的MOCVD設備的結構示意圖。如圖1所示，MOCVD設備10包括具有進氣裝置14、排氣裝置17的反應室2，其中，進氣裝置14可設置在反應室2的頂部，排氣裝置17可設置在反應室2的底部。

反應室2具有位於頂端的頂壁22、位於底端的底壁24以及在頂壁22與底壁24之間延伸的圓筒形側壁26。頂壁22、底壁24與側壁26共同圍成氣密性的內部處理空間20，可容納從進氣裝置14射出的氣體。儘管所示的反應室2為圓筒形的，但其他實施例也可包括具有其他形狀的反應室，例如包括圓錐形或其他回轉面，方形、六角形、八角形或任意其他適當的形狀。

進氣裝置14與用於供應在基片處理過程中應用的處理氣體的氣體源連接，處理氣體如載體氣體和反應氣體，反應氣體如金屬有機化合物及V族金屬元素的來源物質。在典型的金屬有機化學氣相沉積過程中，載體氣體可為氮氣、氫氣或氮氣和氫氣的混合物，因此在基片承載台頂面的處理氣體可主要由氮氣及/或氫氣組成，並帶有一些量的反應氣體成分。進氣裝置14設置為接收各種氣體並引導處理氣體大致以向下的方向流動。

進氣裝置14還可與設置為液體循環通過氣體分配元件的冷卻系統連接，以使操作過程中元件的溫度保持在所需的溫度。另外，為了冷卻反應室2的壁（包括頂壁22、底壁24與側壁26），可設置類似的冷卻裝置（未示出）。

排氣裝置17設置為從反應室2的內部處理空間20排放氣體（既包括反應生成的廢氣，也包括未來得及參加反應的部分氣體）。排氣裝置17包括設置在反應室2底部或鄰近底部的出氣口70，以及設置在反應室2外、與出氣口70連通用於提供氣體流動動力的泵18或其它真空源。

反應室2還設置有用於基片移入移出的基片進出口30，以及緊鄰側壁26設置並可沿側壁26方向進行上下移動的、呈環形的反應室內襯34。反應室內襯34具有位於上方的關閉位置和位於下方的打開位置。基片處理完成後，可下移反應室內襯34（使其處於打開位置），將基片進出口30暴露，進而可將基片自基片進出口30移出。下批次的待處理基片也可自基片進出口30移入。基片移入後，可上移反應室內襯34（使其處於關閉位置），將基片進出口30遮蓋，從而使內部處理空間20與基片進出口30分隔開。處於關閉位置時，由該反應室內襯34所界定出的區域呈對稱的圓形，並且基片進出口30被「隱藏 」在反應室內襯34後面因而不會與處理氣體有接觸，處理氣體所能接觸到的區域是由該反應室內襯34所界定出的圓周形邊界，其保證了整個處理環境的均勻性。用於控制和驅動反應室內襯34上下移動的驅動機構（未示出）可以是任意類型的驅動器，例如機械的、機電的、液壓的或氣動的驅動器。

儘管所示的反應室內襯34為圓筒形的，其他實施例可包括具有其他形狀的反應室內襯，例如包括方形、六角形、八角形或任意其他適當的形狀。

反應室2還設置有可轉動的轉軸44、安裝在轉軸44頂端並可隨轉軸44轉動的基片承載台40、裝載機構（未示出）以及加熱裝置46等。其中，轉軸44與如電機驅動器等的旋轉驅動機構（未示出）連接，設置為使轉軸44繞其中心軸旋轉。轉軸44還可設有大致沿轉軸的軸向延伸的內部冷卻通道（未示出）。內部冷卻通道可與冷卻源連接，使得流體冷卻劑可由冷卻源穿過冷卻通道並返回冷卻源而循環。

基片承載台40大體上呈圓盤狀，可由不污染CVD過程且能承受該過程所經歷溫度的材料（如石墨、碳化矽或其他耐熱材料）製成。基片承載台40的上表面內設置有複數個大致為圓形的基片保持容納部（未示出），每個基片保持容納部適於保持一個基片W。在一個示例中，基片承載台40可具有約500毫米至約1000毫米的直徑。

裝載機構（未示出）能將基片承載台40自基片進出口30移入反應室2內，並將基片承載台40安裝在轉軸44頂端；還能使基片承載台40與轉軸44脫離，並自基片進出口30移出反應室2。

加熱裝置46設置在基片承載台40下方，主要藉由輻射傳遞熱量至基片承載台40的底面。施加至基片承載台40底面的熱量可向上流動經過基片承載台40傳遞至每個基片W的底面，並向上經過基片W至基片W的頂面。熱量還可從基片承載台40的頂面與基片W的頂面輻射至反應室2的較冷元件，例如反應室2的側壁26及進氣裝置14。熱量還可從基片承載台40的頂面與基片W的頂面傳遞至在這些表面上方流過的處理氣體。反應室2還包括外襯套28，以減少處理氣體向反應室內容納加熱裝置46的區域的滲入。在示例性的實施例中，可在加熱裝置46下方設置隔熱罩（未示出），例如，設置為與基片承載台40平行，以幫助引導熱量從加熱裝置46向上朝基片承載台40傳遞，而不是向下朝反應室2底端的底壁24傳遞。

圖2與圖3是可應用在上述MOCVD設備中、用於對基片承載台40進行加熱的加熱裝置46’的結構示意圖。如圖2與圖3所示，加熱裝置46’包括一外加熱絲461’以及一內加熱絲463’，每一加熱絲461’、463’均為連續的線狀或類線狀結構。本文此處及後文所稱的加熱絲「連續 」指的是，單個加熱絲中分佈於各區域、用於將電能轉化為熱能的各加熱部電性連接為一個整體，該加熱絲只需藉由連接一個電源就可充分工作。

外加熱絲461’為一單圈的圓弧結構，它的兩個端點分別與一加熱電源（未圖示）的正負電極電性相連。藉由調節該加熱電源的功率可控制外加熱絲461’的發熱程度，從而調節基片承載台40外緣區域的溫度。內加熱絲463’為一多圈的平面螺旋線圈結構，各圈線圈的寬度、厚度均大致相等，並且，各圈線圈由相同材質製成。內加熱絲463’的兩個端點分別與另一加熱電源（未圖示）的正負電極相連。藉由調節該另一加熱電源的功率可控制內加熱絲463’的發熱程度，從而調節基片承載台40內部區域的溫度。由於內、外加熱絲463’與461’為獨立控制，因而對基片承載台40的外緣區域或內部區域進行溫度調節時，可避免對另一區域不必要的溫度調整，從而有利於實現基片承載台40上表面各區域的溫度均勻性。

但是，它仍存在實質的缺陷。由於內加熱絲463’所覆蓋的區域很大，在這個很大的區域內，各處的溫度起伏可能很大。比如，經常會出現這種情況：大部分區域的溫度都在較佳的沉積溫度之內，只有一兩個小區域的溫度與這個較佳溫度有較大偏差。不可避免地，就將面臨一個兩難抉擇：不調整內加熱絲463’發熱功率的話，位於這一兩個小區域內的基片表面的沉積質量相比其它區域會差很多；調整內加熱絲463’發熱功率的話，雖可能對這一兩個小區域的溫度有所改善，但不可避免地也將調整到其它區域的溫度（因為這些區域都處於內加熱絲463’的溫度調整範圍），使得原本處於較佳沉積溫度的區域偏離出這個較佳溫度。

針對上述缺陷，一種比較容易想到的解決方法是：將內加熱絲463’分割為複數個獨立的加熱絲，每一加熱絲只覆蓋一個很小的區域，並與一個獨立的加熱電源電連接。當某一區域的溫度需要調整時，只需要調整對應的加熱絲的加熱電源功率即可。通常而言，每一加熱絲覆蓋的區域越小，改善的效果越明顯。但是，這種解決方法需要增加數個甚至更多個加熱電源，顯著增加了成本。另外，由於加熱電源數目的增多，使得加熱絲與加熱電源之間的線路連接變得複雜，控制器對加熱電源功率的自動控制也變得困難。

本創作的創作人致力於進一步改善上述缺陷。在研究和實驗中，創作人發現，對於一個多圈的加熱絲（比如，圖2與圖3中所示的內加熱絲463’）而言，改變它的某一圈的寬度，可調整該圈與其它圈的發熱功率。通常而言，在其它條件不變的情況下，降低某圈的寬度，則可增強該圈的發熱功率；增加某圈的寬度，則可降低該圈的發熱功率。基於此，創作人提出了一種新的多圈電熱絲設計，其在原本溫度相對較低的區域，降低該區域內的線圈的寬度；相反，在原本溫度較高的區域，增加該區域內的線圈的寬度。寬度降低或增加的程度，與原本溫度偏離的程度正相關。這種設計使得該電熱絲內各圈的寬度最終並不完全相等。

類似地，創作人還發現，與線圈單位長度的電阻率相關的其它參數（比如，線圈的厚度、線圈所用材質的電阻率等）的調整，也可影響電熱絲各區域的發熱功率的分配。比如，在其它條件不變的情況下，降低某圈的厚度，則可增強該圈的發熱功率；增加某圈的厚度，則可降低該圈的發熱功率。又比如，在其它條件不變的情況下，在某圈的表面塗覆導電性塗層，則可降低該圈的發熱功率。在其它條件不變的情況下，將某圈的材質更換為更低導電率的材質，則可增強該圈的發熱功率；將某圈的材質更換為更高導電率的材質，則可降低該圈的發熱功率。基於此，創作人還提出了另一種可改善各區域熱均勻性的多圈電熱絲設計，其在原本溫度相對較低的區域，降低該區域內的線圈的厚度或/及材質的電阻率；相反，在原本溫度較高的區域，增加該區域內的線圈的厚度或/及材質的電阻率。厚度（或材質的電阻率）降低或增加的程度，與原本溫度偏離的程度正相關。這種設計使得該電熱絲內各圈的厚度最終並不完全相等或使得各圈的材質最終不完全相同。

圖4與圖5是基於本創作的上述解決思路而設計出的一種加熱裝置的結構示意圖，其可應用於圖1所示的MOCVD設備中，用於使基片承載台40上表面各處可獲得均勻的溫度。如圖4（由於頁面寬度的限制，圖4中只示出了基片承載台40與加熱裝置等的半邊結構。基片承載台40與加熱裝置均為軸對稱結構，因而，顯示的這半邊結構已能大致清楚揭露加熱裝置的結構及加熱裝置與基片承載台40間的相對位置關係）與圖5所示，所述加熱裝置位於基片承載台40下方並與所述基片承載台40在豎直方向上相隔一段距離，以輻射的方式加熱所述基片承載台40，所述加熱裝置包括連續的第一輻射加熱絲463。

所述第一輻射加熱絲463整體上位於同一平面內，並包括兩個端點m與n、輻射部。其中，兩個端點m與n用於電連接一加熱電源（未圖示）的正負電極，以使該加熱電源可施加於第一輻射加熱絲463。所述輻射部用於連接該兩個端點m與n，包括呈同心圓分佈的複數個弧形輻射段a、b、c、d、e與f以及用於連接相鄰弧形輻射段的連接部p。弧形輻射段a、b、c、d、e與f的圓心均位於基片承載台40的旋轉軸——轉軸44上。

對於每一個單獨的弧形輻射段a、b、c、d、e或f而言，該弧形輻射段內部各處的單位長度的電阻率相等。本實施例中，弧形輻射段a內各處的寬度、厚度、製作材料均相同，其各處單位長度的電阻率自然相等。弧形輻射段b、c、d、e與f同樣如此。由於每一弧形輻射段內各處單位長度的電阻率相等，因而，同一弧形輻射段內各處的發熱功率相同，這使得基片承載台40的旋轉不會降低其各位置處的受熱均勻性。

第一輻射加熱絲463中，至少存在這樣的兩個弧形輻射段——第一弧形輻射段與第二弧形輻射段，它們兩者的單位長度的電阻率不相等。該不相等是為了改善基片承載台40各區域的溫度均勻性。

例如，在作出改善前，第一輻射加熱絲463的各圈（即，弧形輻射段a、b、c、d、e與f）具有相同的寬度、厚度，並由相同的材質（如鎢、鉬、鈮、鉭、錸及其合金等中的一種）製成，其遭遇的缺陷是：與弧形輻射段b、c所對應的基片承載台區域的溫度明顯低於其它區域，並且與弧形輻射段c所對應的區域的溫度尤其低。為改善這個缺陷，圖4與圖5所示的第一輻射加熱絲463降低了弧形輻射段b、c的寬度，並且弧形輻射段c寬度降低的幅度大於弧形輻射段b。實際應用中，它們寬度降低的幅度可根據它們的溫度的比例關係來確定。比如，假如弧形輻射段b對應區域的溫度只有其它主要區域的二分之一，弧形輻射段c對應區域的溫度只有其它主要區域的四分之三，則可考慮將弧形輻射段b、c的寬度分別縮減為原來寬度的二分之一、四分之三。而後，重新測量溫度的分佈狀況，假如符合溫度均勻性要求，則說明該修改後的第一輻射加熱絲完全符合要求；假如仍有小幅的溫度偏差，則可根據該偏差狀況對該修改後的第一輻射加熱絲作進一步的調整。

除圖4與圖5所給出的方式外，至少還有以下方式可調節弧形輻射段單位長度的電阻率，以使第一弧形輻射段與第二弧形輻射段的單位長度的電阻率不相等：

（a）、各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的厚度而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等；

（b）、各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的寬度與厚度而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等；

（c）、各個弧形輻射段均包括由相同材料製成的主體部，藉由（1）使第一、二弧形輻射段中的一個在主體部上覆蓋塗層，另一個不覆蓋塗層，或者（2）使第一、二弧形輻射段在主體部上覆蓋不同的塗層，而使得第一弧形輻射段與第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等；

（d）、對於上述實現方式（c），可進一步使第一、二弧形輻射段的主體部具有不同的寬度或/及厚度，以進一步擴大它們在單位長度電阻率方面不相等的程度。

在本實施例中，加熱裝置還可包括第二輻射加熱絲461，第二輻射加熱絲461的兩端均與另一加熱電源（未圖示）的正負電極電連接。該第二輻射加熱絲461位於第一輻射加熱絲463外周並包圍第一輻射加熱絲463，用於加熱基片承載台40的最外緣區域，如圖4所示。該第二輻射加熱絲461的具體結構可與圖3中所示的外加熱絲461’相同，都為單圈的圓弧結構。第二輻射加熱絲461的厚度、材質等均可與第一輻射加熱絲463相同。第二輻射加熱絲461的寬度可遠小於第一輻射加熱絲463各處的寬度，用以提供更高的發熱功率。在本實施例中，第一輻射加熱絲463、第二輻射加熱絲461由不同的加熱電源提供能源，因而它們可互不干擾地實現獨立控制。

為方便統一支撐，第二輻射加熱絲461與第一輻射加熱絲463可設置在同一平面內，如圖4所示。

在其它實施例中，可不設置單獨的第二輻射加熱絲461，而是使第一輻射加熱絲463多向外纏繞幾圈，以佔據第二輻射加熱絲461所在的區域，從而利用第一輻射加熱絲463為基片承載台40的最外緣區域加熱。

基片承載台40的中心區域直接由轉軸44支撐，這使得基片承載台40中心區域的熱量可被轉軸44快速傳遞至下方，進而造成基片承載台40中心區域的溫度通常會遠小於基片承載台40的其它區域。為改善上述缺陷，本創作的加熱裝置還可包括環繞轉軸44設置的第三輻射加熱絲465，如圖6所示，第三輻射加熱絲465的兩端均與又一加熱電源（未圖示）的正負電極電連接，用於直接加熱所述轉軸44，尤其是轉軸44的上端，使得轉軸44上端的溫度不再明顯低於基片承載台40的中心區域，從而避免或抑制基片承載台40中心區域的熱量向轉軸44轉移。第三輻射加熱絲465在水平方向上可比第一輻射加熱絲463更為接近轉軸44。為使第三輻射加熱絲465的加熱目標主要集中於轉軸44，可使第三輻射加熱絲465的加熱面（即，由加熱絲的長度方向與寬度方向共同確定的平面）面朝轉軸44設置。

儘管本創作的內容已經藉由上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本創作的限制。在本創作之所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本創作的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本創作的保護範圍應由申請專利範圍來限定。

2‧‧‧反應室
10‧‧‧MOCVD設備
14‧‧‧進氣裝置
17‧‧‧排氣裝置
18‧‧‧泵
20‧‧‧內部處理空間
22‧‧‧頂壁
24‧‧‧底壁
26‧‧‧側壁
28‧‧‧外襯套
30‧‧‧基片進出口
34‧‧‧反應室內襯
40‧‧‧基片承載台
44‧‧‧轉軸
46、46’‧‧‧加熱裝置
70‧‧‧出氣口
461‧‧‧第二輻射加熱絲
461’‧‧‧外加熱絲
463‧‧‧第一輻射加熱絲
463’‧‧‧內加熱絲
465‧‧‧第三輻射加熱絲
a、b、c、d、e、f‧‧‧弧形輻射段
m、n‧‧‧端點
p‧‧‧連接部
W‧‧‧基片

圖1是本創作一個實施例的MOCVD設備的結構示意圖。 圖2與圖3是可應用在上述MOCVD設備中、用於對基片承載台進行加熱的加熱裝置的結構示意圖。 圖4與圖5是本創作一個實施例的加熱裝置的結構示意圖。 圖6是加熱裝置的變更例的結構示意圖。

463‧‧‧第一輻射加熱絲

a、b、c、d、e、f‧‧‧弧形輻射段

m、n‧‧‧端點

p‧‧‧連接部

Claims (12)

1. 一種用於MOCVD設備的加熱裝置，該加熱裝置位於一基片承載台下方並與該基片承載台在豎直方向上相隔一段距離，以輻射的方式加熱該基片承載台，該加熱裝置包括連續的一第一輻射加熱絲，該第一輻射加熱絲包括： 二端點，係用於電連接加熱電源的正負電極；以及 一輻射部，係用於連接該二端點，該輻射部包括呈同心圓分佈的複數個弧形輻射段以及用於連接不同該複數個弧形輻射段的一連接部；對於每一個單獨的弧形輻射段而言，其內部各處的單位長度的電阻率相等；至少存在兩個弧形輻射段的單位長度的電阻率不相等，該兩個弧形輻射段分別為一第一弧形輻射段與一第二弧形輻射段。
2. 如申請專利範圍第1項所述之加熱裝置，其中各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的寬度而使得該第一弧形輻射段與該第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。
3. 如申請專利範圍第1項所述之加熱裝置，其中各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的厚度而使得該第一弧形輻射段與該第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。
4. 如申請專利範圍第1項所述之加熱裝置，其中各個弧形輻射段由相同的材料製成，藉由使弧形輻射段具有不同的寬度與厚度而使得該第一弧形輻射段與該第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。
5. 如申請專利範圍第1項所述之加熱裝置，其中各個弧形輻射段均包括由相同材料製成的一主體部，藉由（1）使該第一弧形輻射段、該第二弧形輻射段中的一個在該主體部上覆蓋塗層，另一個不覆蓋塗層，或者（2）使該第一弧形輻射段、該第二弧形輻射段在該主體部上覆蓋不同的塗層，而使得該第一弧形輻射段與該第二弧形輻射段之間的單位長度的電阻率不相等。
6. 如申請專利範圍第5項所述之加熱裝置，其中該第一弧形輻射段、該第二弧形輻射段的該主體部具有不同的寬度或/和厚度，以進一步擴大它們在單位長度電阻率方面不相等的程度。
7. 如申請專利範圍第1項所述之加熱裝置，其中該第一輻射加熱絲整體上位於同一平面內。
8. 如申請專利範圍第1項所述之加熱裝置，其進一步包括一第二輻射加熱絲，該第二輻射加熱絲的兩端用於與加熱電源的正負電極電連接，該第二輻射加熱絲位於該第一輻射加熱絲外周並包圍該第一輻射加熱絲。
9. 如申請專利範圍第8項所述之加熱裝置，其中該第二輻射加熱絲與該第一輻射加熱絲位於同一平面內。
10. 如申請專利範圍第9項所述之加熱裝置，其中該第二輻射加熱絲為單圈的圓弧結構。
11. 如申請專利範圍第1或8項所述之加熱裝置，其進一步包括一第三輻射加熱絲，該第三輻射加熱絲的兩端用於與加熱電源的正負電極電連接，該第三輻射加熱絲環繞用於支撐該基片承載台的一轉軸，用於加熱該轉軸。
12. 一種MOCVD設備，其包括： 一反應室，係為氣密的； 一基片承載台，係位於反應室內，用於固定基片於其上表面； 一轉軸，係連接於該基片承載台的下表面，用於帶動該基片承載台轉動；以及 如申請專利範圍第1至11項中之任一項所述之加熱裝置，係位於該基片承載台下方並與該基片承載台在豎直方向上相隔一段距離，用於以輻射的方式加熱該基片承載台。