JP2024017276A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハの搬出を妨げることなくウェハの位置ずれを低減することが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る成膜装置は、ウェハ上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させるための成膜装置である。この成膜装置は、ウェハを、その裏面側から支持する裏面支持部と、裏面支持部上でウェハの側面を囲む側面ガイドと、裏面支持部の外側で側面ガイドを支持する基材と、を備える。裏面支持部には、ウェハと側面ガイドとの間に配置された壁部が設けられている。壁部と側面ガイドとの間、および基材における側面ガイドを支持する部分と裏面支持部との間には、それぞれ隙間が形成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、成膜装置に関する。

ＳｉＣ（シリコンカーバイド）ウェハ上に、エピタキシャル成長にてＳｉＣ膜を成膜する場合、ＳｉＣウェハは、保持部上に載置される。このウェハは、ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる成膜工程時に回転しているが、この成膜工程の前後でウェハの回転速度は加速または減速する。このような回転速度の変化によって、ウェハが保持部上で回転移動して位置ずれが発生する場合がある。

そこで、ウェハの位置ずれを低減するために、保持部には、側面ガイドが設けられている。側面ガイドは、ウェハの側面（外周面）に沿って設けられている。回転移動したウェハは、複数箇所で側面ガイドに接触する。これにより、ウェハの回転移動を制限することができる。しかし、成膜するための昇温工程、昇温後の成膜工程、成膜後の冷却工程を含むプロセス工程における側面ガイドの熱収縮によって、ウェハが、側面ガイドに挟持される状態となる。そのため、ウェハを搬出できなくなる場合がある。

特開２０１９－４６８５５号公報

本発明は、ウェハの搬出を妨げることなくウェハの位置ずれを低減することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態に係る成膜装置は、ウェハ上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させるための成膜装置である。この成膜装置は、ウェハを、その裏面側から支持する裏面支持部と、裏面支持部上でウェハの側面を囲む側面ガイドと、裏面支持部の外側で側面ガイドを支持する基材と、を備える。裏面支持部には、ウェハと側面ガイドとの間に配置された壁部が設けられている。壁部と側面ガイドとの間、および基材における側面ガイドを支持する部分と裏面支持部との間には、それぞれ隙間が形成されている。

また、前記ウェハの側面の一部に、直線形状のオリフラが設けられ、
前記壁部は、前記オリフラに沿って設けられていてもよい。

また、前記ウェハの側面の一部に、直線形状のオリフラが設けられ、
前記壁部は、前記側面における前記オリフラを除く円周面に沿って設けられていてもよい。

また、前記隙間が、０．２ｍｍ～１．５ｍｍの範囲内であってもよい。

また、前記壁部の上面が、前記側面ガイド部の上面と同じ高さに位置していてもよい。

本発明によれば、ウェハの搬出を妨げることなくウェハの位置ずれを低減することが可能となる。

本発明の第１実施形態に係る成膜装置の模式的な断面図である。 （ａ）は第１実施形態に係る保持部の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す切断線Ａ－Ａに沿った断面図である。 第１実施形態に係る成膜方法の手順を示すフローチャートである。 （ａ）は比較例に係る成膜装置でウェハＷが回転移動した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す切断線Ｂ－Ｂに沿った断面図である。 （ａ）は第１実施形態に係る成膜装置でウェハＷが回転移動した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す切断線Ｃ－Ｃに沿った断面図である。 （ａ）は第１実施形態で裏面支持部が移動した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す切断線Ｄ－Ｄに沿った断面図である。 （ａ）は第２実施形態に係る保持部の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す切断線Ｅ－Ｅに沿った断面図である。 （ａ）は第２実施形態で裏面支持部が移動した状態を示す平面図であり、（ｂ）は８（ａ）に示す切断線Ｆ－Ｆに沿った断面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置１００の模式的な断面図である。本実施形態に係る成膜装置１００は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いるエピタキシャル成長装置である。以下、主にＳｉＣウェハ上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる場合を例に説明する。

成膜装置１００は、ウェハＷを載置する保持部１を備える。保持部１は、サセプタユニットとも称することができ、ウェハＷ上にＳｉＣエピタキシャル膜の成膜を行う成膜室である反応室２内に設けられている。

保持部１に載置されたウェハＷに供給されたプロセスガスの反応によって、ウェハＷ上でＳｉＣ膜がエピタキシャル成長する。ここでプロセスガスとは、ＳｉＣソースガスとしてのＳｉ系ガス（例えばモノシラン（ＳｉＨ_４）ガス）、Ｃ系ガス（例えばプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガス）、ＳｉＣの成長を促進するためのＣｌ系ガス（例えば塩化水素（ＨＣｌ）ガス）、パージガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガス、キャリアガスとしての水素（Ｈ_２）ガス等である。なお、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）などのように、Ｓｉ原子とＣｌ原子とを含むガスを、Ｓｉ系ガスとして用いることも可能である。

保持部１は、回転部４の上方に設けられる。保持部１の構造については、後述する。

回転部４は、その上部にホルダー１６と、その下部に回転軸６と、を有する。ホルダー１６は、その上部で保持部１を支持する。回転軸６が、モータ（不図示）によって回転することにより、ホルダー１６が回転する。ホルダー１６の回転を介して保持部１が回転する。このように、保持部１の上に載置されたウェハＷをウェハＷの周方向に回転させることができる。

ホルダー１６は、上部が開口する構造を有する。回転部４内には、第１ヒーター１４が設けられている。第１ヒーター１４には、例えばカーボン（Ｃ）材の抵抗加熱ヒーターが用いられる。第１ヒーター１４は、回転軸６内に設けられた略円筒状の石英製のシャフト８の内部を通る電極（不図示）によって給電され、ウェハＷをその裏面から加熱する。

また、回転部４内には、第１ヒーター１４による加熱を効率的に行うために、第１ヒーター１４の下方にリフレクタ１０が設けられている。リフレクタ１０には、カーボン、ＳｉＣ、又はＳｉＣを被覆したカーボンなどの耐熱性の高い材料を用いる。また、リフレクタ１０の下方には断熱材１２が設けられる。断熱材１２を設けることにより、第１ヒーター１４からの熱がシャフト８やその設置部分等に伝わることを低減し、加熱時のヒーター電力を抑制することができる。

反応室２の下部には、余剰のプロセスガスや反応副生成物を含むガスを排出するための排気部２２が設けられる。排気部２２は、調整バルブ５８及び真空ポンプ５６からなる排気機構５４に接続される。排気機構５４は、反応室２から排出されたガスを外部に排出し、反応室２内を所定の圧力に調整する。

また、反応室２内には、成膜処理が行われる成膜領域と、反応室２の側壁（内壁）２ａとを仕切る円筒型のホットウォール式ライナー（壁面）２４が設けられている。ホットウォール式ライナー２４には、カーボン又はＳｉＣを被覆したカーボン、ＳｉＣなどの耐熱性の高い材料が用いられる。なお、回転部４と側壁（内壁）２ａとの間にも、回転部４と側壁（内壁）２ａとを仕切る不図示の円筒部材を設け、側壁（内壁）２ａへの着膜を低減することが望ましい。

ホットウォール式ライナー２４と側壁２ａとの間には、ウェハＷを上方から加熱する第２ヒーター２６が設けられている。ウェハＷは、第２ヒーター２６の下端より下方に載置される。ホットウォール式ライナー２４は第２ヒーター２６で加熱される。第２ヒーター２６は例えば抵抗加熱型のヒーターである。また、第２ヒーター２６と側壁２ａとの間には断熱材２０が設けられており、第２ヒーター２６からの熱が側壁２ａに伝わることを低減する。断熱材２０を設けることにより、加熱時のヒーター電力を抑制することができる。第２ヒーター２６は一体でなく、分割され、それぞれが独立に制御可能であってもよい。

なお、ホットウォール式ライナー２４は、ホットウォール式ライナー２４の外部に設けられた高周波コイルにより、誘導加熱されてもよい。

反応室２の上部には、熱効率を上げるために、第１ヒーター１４や第２ヒーター２６からの輻射を反射するリフレクタユニットＲＵ１、ＲＵ２が設けられている。リフレクタユニットＲＵ２はリフレクタユニットＲＵ１の下方に設けられている。

リフレクタユニットＲＵ１、ＲＵ２は、カーボン、ＳｉＣ、又はＳｉＣを被覆したカーボンを用いた薄板により構成されている。リフレクタユニットＲＵ１、ＲＵ２は１枚の薄板で構成してもよいし、複数枚の薄板を積層してもよい。

反応室２の上部には、ガス供給部３０が設けられている。ガス供給部３０は、ガス流路（ガスパイプ）３２、３４、３６を介して、成膜領域にパージガスやＳｉＣソースガス等のプロセスガスを供給する。例えば、ガス流路３２を介してウェハＷ上にパージガスとしてのアルゴンガス又は水素ガスが供給される。また、ガス流路３４、３６を介して、ウェハＷ上にＳｉＣソースガスとしてシランガスやプロパンガスが供給される。なお図１では、各ガスに対して１本のガス流路が設けられているが、複数のガス流路を設けてもよい。また、ガス供給部３０の構造は、シャワーヘッドタイプとしてもよい。

なお、反応室２の上部には放射温度計（図示せず）が設けられ、ウェハＷの温度を測定することができる。この場合、反応室２の一部に図示しない石英ガラス窓を設け、石英ガラス窓を介して放射温度計でウェハＷの温度を測定する。

図２（ａ）は、第１実施形態に係る保持部１の平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す切断線Ａ－Ａに沿った断面図である。本実施形態に係る保持部１は、裏面支持部１ａと、側面ガイド１ｂと、基材１ｃと、を有する。

裏面支持部１ａは、例えば炭素（Ｃ）を材料とする環状部材である。裏面支持部１ａの内周部分は、ウェハＷを、その裏面側から支持する。また、裏面支持部１ａの外周部分は、基材１ｃとともに側面ガイド１ｂを支持する。

裏面支持部１ａの内周部分と外周部分との間には、溝部１ａ１が設けられている。溝部１ａ１によって、成膜工程時に裏面支持部１ａ上に堆積した堆積膜が、ウェハＷの裏面に転写することを防ぐことができる。

また、裏面支持部１ａには、壁部１ａ２が、溝部１ａ１と外周部分との間に配置されている。壁部１ａ２は、ウェハＷの側面の一部に設けられた直線状のオリフラＯＦに沿って設けられている。壁部１ａ２は、連続していても分割されていてもよい。オリフラＯＦは、ウェハＷの結晶方位を示すために形成されている。壁部１ａ２によって、ウェハＷ上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる成膜工程時で生じるウェハＷの回転移動を制限することができる。

壁部１ａ２の高さ、換言すると壁部１ａ２の上面の位置がウェハＷよりも低いと、壁部１ａ２でウェハＷの回転移動を制限できなくなる場合がある。そのため、壁部１ａ２の上面の位置は、ウェハＷよりも高くなっている。ただし、壁部１ａ２の上面の位置が側面ガイド１ｂの上面の位置よりも高くなると、反応室２内でウェハＷに向けて導入されるプロセスガスの流れを妨げる可能性がある。そのため、壁部１ａ２の上面は、成膜時に側面ガイド１ｂの上面の高さに位置していることが望ましい。このとき、加工精度（例えば±５％）程度は許容される。

側面ガイド１ｂは、例えばＳｉＣを材料とする環状部材である。側面ガイド１ｂは、ウェハＷの側面を囲むように設けられている。側面ガイド１ｂでは、壁部１ａ２を挟んでウェハＷのオリフラＯＦに対向する部分が、オリフラＯＦと同じように直線状に形成されている。この直線状に形成された部分と、壁部１ａ２との間には、図２（ｂ）に示すように隙間Ｇ１が形成されている。

基材１ｃは、ホルダー１６に着脱可能に取り付けられ、裏面支持部１ａおよび側面ガイド１ｂを支持する。基材１ｃにおいて、側面ガイド１ｂを支持する部分は、裏面支持部１ａの外側に設けられている。側面ガイド１ｂを支持する部分と、裏面支持部１ａの外周部との間には、図２（ｂ）に示すように隙間Ｇ２が形成されている。隙間Ｇ２の大きさは、上記隙間Ｇ１と同程度である。裏面支持部１ａと側面ガイド１ｂがそれぞれ独立して移動でき、ウェハＷを挟み込まないための隙間Ｇ１、Ｇ２は、例えば０．２ｍｍ～１．５ｍｍ程度の範囲であることが望ましい。また、隙間Ｇ１が大きすぎると、より多くのＳｉＣが隙間Ｇ１内に堆積してしまうため、前述の隙間の範囲内とすることが望ましい。

以下、上述した成膜装置１００を用いた成膜方法について簡単に説明する。図３は、第１実施形態に係る成膜方法の手順を示すフローチャートである。

図３に示すフローチャートでは、まず、ウェハＷを載置した保持部１がホルダー１６上に取り付けられる（ステップＳ１０１）。ステップＳ１０１の時点で、ウェハＷの温度は、第１ヒーター１４および第２ヒーター２６によって、ウェハＷを反応室２に搬出入するときの温度、例えば、例えば９００℃に加熱されている。

また、本実施形態では、ステップＳ１０１の時点で、不活性ガスが反応室２内に導入されている。ここで不活性ガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスである。なお、水素（Ｈ２）ガスも用いることができる

次に、ホルダー１６が回転し始める（ステップＳ１０２）。このとき、ウェハＷの回転数は、例えば５０ｒｐｍ（revolutions per minute）程度である。

次に、ウェハＷが回転し始めてから所定時間経過すると、第１ヒーター１４および第２ヒーター２６への供給電力を増加させることによって、ウェハＷの温度を上昇させる（ステップＳ１０３）。

次に、ウェハＷの温度が予め設定されたしきい値温度に到達すると、ホルダー１６の回転速度を増加させることによって、ウェハＷの回転速度を加速し始める（ステップＳ１０４）。

次に、反応室２内に導入するプロセスガスを、不活性ガスから水素ガスへ切り替える（ステップＳ１０５）。

次に、水素ガスと共にＳｉ系ガス、Ｃ系ガス、ＳｉＣの成長を促進するためのＣｌ系ガス等を反応室２内に導入してウェハＷ上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させる（ステップＳ１０６）。このとき、ウェハＷの回転数は、例えば６００ｒｐｍ程度である。

次に、第１ヒーター１４および第２ヒーター２６の供給電力を減少させることによって、ウェハＷの温度を下降させる（ステップＳ１０７）。また、ステップＳ１０７では、ホルダー１６の回転速度を減少させることによって、ウェハＷの回転速度を減速し始める。さらに、Ｓｉ系ガス、Ｃ系ガス、ＳｉＣの成長を促進するためのＣｌ系ガス等のＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に必要なプロセスガスの導入を停止する。なお、水素ガスは、継続して反応室２に導入される。

次に、ウェハＷの回転の減速を一旦停止する（ステップＳ１０８）。このとき、反応室２内に導入するプロセスガスを、水素ガスから不活性ガスへ切り替える。次に、減速を停止してから所定時間が経過すると、ホルダー１６の回転速度をさらに減少させることによって、ウェハＷの回転数をさらに低下し始める（ステップＳ１０９）。その後、ウェハＷの回転が停止すると、ウェハＷおよび保持部１が反応室２内から搬出され、続いて次のウェハＷおよび保持部１が反応室２内に搬入される。

以下、上述した成膜方法を、裏面支持部１ａに壁部１ａ２が設けられていない比較例に係る成膜装置に適用した場合のウェハＷの状態について説明する。

図４（ａ）は、比較例に係る成膜装置でウェハＷが回転移動した状態を示す平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す切断線Ｂ－Ｂに沿った断面図である。

例えば、上述したステップＳ１０４のようにウェハＷの回転速度を加速するか、または上述したステップＳ１０７のようにウェハの回転速度を減速すると、ウェハＷは、回転方向に作用する力によって回転移動する。この場合、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ウェハＷは、オリフラＯＦの一端と、この一端と対向する円周面とで側面ガイド１ｂに接触する。これにより、ウェハＷの回転移動を制限する。

しかし、ウェハＷと側面ガイド１ｂとの２つの接触箇所には、ウェハ温度下降工程において、側面ガイド１ｂの熱収縮による力Ｆがそれぞれ生じる。この力Ｆによって、ウェハＷは、側面ガイド１ｂに挟持される。これにより、ウェハＷが側面ガイド１ｂに固定され、反応室２から保持部１およびウェハＷを搬出した後の分離チャンバ（不図示)において、保持部１からウェハＷを分離し、搬送することができない場合がある。

これに対し、本実施形態では、裏面支持部１ａに壁部１ａ２が設けられている。ここで、裏面支持部１ａに壁部１ａ２が設けられている場合のウェハＷの状態について説明する。

図５（ａ）は、本実施形態に係る成膜装置１００でウェハＷの回転移動したときの状態を示す平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す切断線Ｃ－Ｃに沿った断面図である。

本実施形態でも、ウェハＷの回転速度を加速または減速すると、ウェハＷは、回転方向に作用する力によって回転移動する。ただし、本実施形態では、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ウェハＷは、オリフラＯＦの一端で壁部１ａ２に接触する一方で、この一端と対向する円周面で側面ガイド１ｂに接触する。これにより、ウェハＷの回転移動を制限する。

また、図５（ｂ）に示すように、壁部１ａ２と側面ガイド１ｂとの間には隙間Ｇ１が形成されるとともに、裏面支持部１ａと基材１ｃとの間には隙間Ｇ２が形成されている。そのため、ウェハ温度下降工程において、側面ガイド１ｂが熱収縮して側面ガイド１ｂがウェハ接触部を収縮方向に力を加えても、もう一方のウェハＷと壁部１ａ２の接触部においてウェハＷから壁部１ａ２に対して力が働くため裏面支持部１ａをウェハＷの径方向の外側へ移動させることができる。

図６（ａ）は、裏面支持部１ａが移動した状態を示す平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す切断線Ｄ－Ｄに沿った断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、裏面支持部１ａが径方向の外側へ移動すると、壁部１ａ２がウェハＷのオリフラＯＦから離れるため、両者の接触状態が解除される。その結果、ウェハＷは裏面支持部１ａ上で固定されなくなるので、保持部１およびウェハＷを反応室２から搬出した後の分離チャンバ(不図示)において、保持部１からウェハＷを分離し、搬送することが可能となる。

以上説明した本実施形態では、ウェハＷの回転速度を加速または減速しても、壁部１ａ２および側面ガイド１ｂがウェハＷの回転移動を制限することによって、ウェハＷの回転方向の位置ずれを低減することができる。また、隙間Ｇ１および隙間Ｇ２を形成することによって、裏面支持部１ａを径方向の外側へ逃がすことができる。これにより、ウェハＷが壁部１ａ２と側面ガイド１ｂとの間に固定されないため、反応室２からウェハＷを搬出可能となる。よって、ウェハＷの搬送を妨げることなくウェハＷの位置ずれを低減することが可能となる。

（第２実施形態）
以下、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、上述した第１実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施形態に係る成膜装置では、保持部１の裏面支持部１ａの構造が、第１実施形態と異なる。ここで、本実施形態に係る保持部１の構造について説明する。

図７（ａ）は、第２実施形態に係る保持部１の平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す切断線Ｅ－Ｅに沿った断面図である。

上述した第１実施形態では、裏面支持部１ａの壁部１ａ２は、ウェハＷのオリフラＯＦに沿って設けられている。一方、本実施形態では、図７（ａ）に示すように、壁部１ａ２は、ウェハＷのオリフラＯＦを除く部分、すなわち、円周面に沿って設けられている。壁部１ａ２は、連続していても分割されていてもよい。

また、本実施形態でも、図７（ｂ）に示すように、壁部１ａ２と、側面ガイド１ｂにおいてこの壁部１ａ２と対向する部分との間には、隙間Ｇ１が形成されている。さらに、裏面支持部１ａの外周部と、基材１ｃにおいて側面ガイド１ｂを支持する部分との間には、隙間Ｇ２が形成されている。

上記のように構成された保持部１上に載置されたウェハＷの回転速度を加速または減速すると、ウェハＷは、回転方向に作用する力によって回転移動する。その後、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ウェハＷは、オリフラの一端で側面ガイド１ｂに接触する一方で、この一端と対向する円周面で壁部１ａ２に接触する。これにより、ウェハＷの回転移動を制限する。

また、本実施形態でも、壁部１ａ２と側面ガイド１ｂとの間には隙間Ｇ１が形成されるとともに、裏面支持部１ａと基材１ｃとの間には隙間Ｇ２が形成されている。そのため、ウェハ温度下降工程において、側面ガイド１ｂが熱収縮して側面ガイド１ｂがウェハ接触部を収縮方向に力を加えても、もう一方のウェハＷと壁部１ａ２の接触部においてウェハＷから壁部１ａ２に対して力が働くため裏面支持部１ａをウェハＷの径方向の外側へ移動させることができる。

図８（ａ）は、裏面支持部１ａが移動した状態を示す平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す切断線Ｆ－Ｆに沿った断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、本実施形態でも、裏面支持部１ａが径方向の外側へ移動すると、壁部１ａ２がウェハＷの側面から離れるため、両者の接触状態が解除される。その結果、ウェハＷは裏面支持部１ａ上で固定されなくなるので、保持部１およびウェハＷを反応室２から搬出した後の分離チャンバ(不図示)において、保持部１からウェハＷを分離し、搬送することが可能となる。

以上説明した本実施形態においても、第１実施形態と同じように、ウェハＷの回転速度を加速または減速しても、壁部１ａ２および側面ガイド１ｂがウェハＷの回転移動を制限することによって、ウェハＷの回転方向の位置ずれを低減することができる。また、隙間Ｇ１および隙間Ｇ２を形成することによって、裏面支持部１ａを径方向の外側へ逃がすことができる。これにより、ウェハＷが壁部１ａ２と側面ガイド１ｂとの間に固定されないため保持部１およびウェハＷを反応室２から搬出した後の分離チャンバ(不図示)において、保持部１からウェハＷを分離して搬送可能となる。よって、ウェハＷの搬送を妨げることなくウェハＷの位置ずれを低減することが可能となる。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１ａ：裏面支持部
１ａ２：壁部
１ｂ：側面ガイド
１ｃ：基材
１００：成膜装置

Claims (5)

1. ウェハ上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させるための成膜装置であって、
   前記ウェハを、その裏面側から支持する裏面支持部と、
   前記裏面支持部上で前記ウェハの側面を囲む側面ガイドと、
   前記裏面支持部の外側で前記側面ガイドを支持する基材と、を備え、
   前記裏面支持部には、前記ウェハと前記側面ガイドとの間に配置された壁部が設けられ、
   前記壁部と前記側面ガイドとの間、および前記基材における前記側面ガイドを支持する部分と前記裏面支持部との間には、それぞれ隙間が形成されている、成膜装置。
2. 前記ウェハの側面の一部に、直線形状のオリフラが設けられ、
   前記壁部は、前記オリフラに沿って設けられている、請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記ウェハの側面の一部に、直線形状のオリフラが設けられ、
   前記壁部は、前記側面における前記オリフラを除く円周面に沿って設けられている、請求項１に記載の成膜装置。
4. 前記隙間が、０．２ｍｍ～１．５ｍｍの範囲内である、請求項１記載の成膜装置。
5. 前記壁部の上面が、前記ウェハの上面より高い位置に設けられている、請求項１に記載の成膜装置。