JP2006303152A - エピタキシャル成膜装置およびエピタキシャル成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】材料ガス30を、反応炉2内のサセプタ5とグラファイト板9の間の領域に、サセプタ5上に載置されたSiCウェハ20の平面方向で反応炉2の内壁に沿う方向に層流で周回するように供給口7から供給する。SiCウェハ20の温度は、パイロメータ11の検出温度に基づき、反応炉2の外部に設けた高周波コイル6とハロゲンランプ10によって制御する。材料ガス30がSiCウェハ20の表面領域を周回することにより、エピタキシャル成膜装置1にウェハ回転機構を設けることなく、SiCウェハ20に様々なプロセス条件で膜質、膜厚、不純物濃度等の均一性の良いSiCエピタキシャル膜を形成することが可能になる。
【選択図】図1
Description
まず、第1の実施の形態について説明する。
気圧:20Torr〜70Torr
キャリアH2流量:5slm〜40slm(1slm=1L/min,0℃,101.3kPa)
SiH4流量:0.4sccm〜20sccm
C3H8流量:0.2sccm〜10sccm
N2流量:0.04sccm〜2sccm
TMA流量:0.0006sccm〜0.03sccm
ウェハ温度:1500℃〜2200℃
ただし、材料ガス30を構成する各ガスの流量は、3箇所の各供給口7から供給する量の合計で示している。また、キャリアH2を除く各ガスの流量は実流量であり、実際はH2ベースで10%程度に希釈して供給される。したがって、H2の実流量は、キャリアH2の流量に希釈H2の流量分を足したものになる。
図5は第2の実施の形態のエピタキシャル成膜装置の要部断面模式図、図6は第2の実施の形態のエピタキシャル成膜装置の図5のC−C位置における矢視断面模式図である。ただし、図5および図6では、図1および図3に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
図7は第3の実施の形態のエピタキシャル成膜装置の要部断面模式図である。ただし、図7では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
また、図9に示すように、材料ガス30を正弦波状に供給することも可能である。その場合は、例えばD,E側からの材料ガス30の供給波形の位相を1/2波長ずらし、D側からの供給中はE側からの供給を抑え、E側からの供給中はD側からの供給を抑えるようにする。排気は、例えば、D,E側からの各供給波形で多量に供給されたときの材料ガス30がSiCウェハ20の表面領域を通過してから排気口65に到達するまでの時間分のタイムラグをおいて行う。
2,61 反応炉
2a 反応容器
2b 蓋
3,15 Oリング
4,8,62 断熱材
5,51,63 サセプタ
5a,51a,63a ザグリ
5b 貫通孔
6,64 高周波コイル
7,12 供給口
9,52 グラファイト板
9a,52a 細孔
10 ハロゲンランプ
11 パイロメータ
13 予備加熱用ヒータ
14 インジェクションバルブ
16 SUS管
17,53,65 排気口
20 SiCウェハ
30 材料ガス
40 圧調整用ガス
Claims (13)
- エピタキシャル膜の形成を行うエピタキシャル成膜装置において、
円筒状の内壁を有する反応炉と、
前記反応炉内に設けられて前記エピタキシャル膜の形成される面の平面方向が前記内壁と略直交する方向になるようにウェハが載置されるサセプタと、
前記サセプタ上に載置された前記ウェハを加熱する第1の加熱手段と、
前記ウェハの前記エピタキシャル膜の形成される面に略平行な方向であって前記反応炉の内壁に沿う方向に周回するように材料ガスを前記反応炉内に供給する供給口と、
前記反応炉内の前記材料ガスを排気する排気口と、
を有することを特徴とするエピタキシャル成膜装置。 - 前記反応炉内に前記サセプタの前記ウェハが載置される側に前記サセプタに対向して配置された板を有し、
前記サセプタと前記板との間の領域に前記供給口から前記材料ガスが前記反応炉内に供給されることを特徴とする請求項1記載のエピタキシャル成膜装置。 - 前記板を加熱する第2の加熱手段を有し、
前記第1,第2の加熱手段の出力を制御することによって前記ウェハの温度を制御することを特徴とする請求項2記載のエピタキシャル成膜装置。 - 前記ウェハは、前記第1,第2の加熱手段によって約1500℃〜約2200℃に加熱されることを特徴とする請求項3記載のエピタキシャル成膜装置。
- 前記反応炉外に前記板に対向して配置されて前記ウェハの温度を検出する温度検出手段を有し、
前記板には、前記サセプタ上に載置された前記ウェハの前記温度検出手段による温度検出用の孔が設けられていることを特徴とする請求項2記載のエピタキシャル成膜装置。 - 前記板の前記サセプタが配置されている側と反対側の領域に、前記サセプタと前記板との間の領域に供給された前記材料ガスの前記孔を介した流出を防止するための圧調整用ガスを供給する供給口を有していることを特徴とする請求項5記載のエピタキシャル成膜装置。
- 前記サセプタは、中央部に前記反応炉内と前記排気口とを連通する貫通孔を有し、
前記ウェハは、前記貫通孔の周囲に載置されることを特徴とする請求項1記載のエピタキシャル成膜装置。 - エピタキシャル膜の形成を行うエピタキシャル成膜装置において、
管状の反応炉と、
前記反応炉内に設けられて前記エピタキシャル膜の形成される面の平面方向が前記反応炉の内壁と略平行になるようにウェハが載置されるサセプタと、
前記サセプタ上に載置された前記ウェハを加熱する加熱手段と、
前記反応炉の両端側からそれぞれ材料ガスを供給する供給口と、
前記反応炉の管壁に設けられて前記反応炉内の前記材料ガスを排気する排気口と、
を有することを特徴とするエピタキシャル成膜装置。 - 前記反応炉の一端側からの前記材料ガスの供給と他端側からの前記材料ガスの供給とを異なるタイミングで行うようにしたことを特徴とする請求項8記載のエピタキシャル成膜装置。
- 前記排気口は、前記サセプタ上に載置された前記ウェハを挟んで前記反応炉の一端側と他端側の2箇所に設けられ、
前記反応炉の一端側から供給された前記材料ガスを前記ウェハを挟んだ他端側の排気口から排気し、前記反応炉の他端側から供給された前記材料ガスを前記ウェハを挟んだ一端側の排気口から排気するようにしたことを特徴とする請求項8記載のエピタキシャル成膜装置。 - 前記加熱手段は、前記ウェハを約1500℃〜約2200℃に加熱することを特徴とする請求項8記載のエピタキシャル成膜装置。
- エピタキシャル膜の形成を行うエピタキシャル成膜方法において、
円筒状の内壁を有する反応炉と、
前記反応炉内に設けられて前記エピタキシャル膜の形成される面の平面方向が前記内壁と略直交する方向になるようにウェハが載置されるサセプタと、
前記サセプタ上に載置された前記ウェハを加熱する第1の加熱手段と、
前記ウェハの前記エピタキシャル膜の形成される面に略平行な方向であって前記反応炉の内壁に沿う方向に周回するように材料ガスを前記反応炉内に供給する供給口と、
前記反応炉内の前記材料ガスを排気する排気口と、
を有するエピタキシャル成膜装置を用い、
静止している前記ウェハに対し、前記エピタキシャル膜の形成される面に略平行な方向であって、かつ前記ウェハ面上を周回するように供給される前記材料ガスで前記エピタキシャル膜の形成を行うことを特徴とするエピタキシャル成膜方法。 - エピタキシャル膜の形成を行うエピタキシャル成膜方法において、
管状の反応炉と、
前記反応炉内に設けられて前記エピタキシャル膜の形成される面の平面方向が前記反応炉の内壁と略平行になるようにウェハが載置されるサセプタと、
前記サセプタ上に載置された前記ウェハを加熱する加熱手段と、
前記反応炉の両端側からそれぞれ材料ガスを供給する供給口と、
前記反応炉の管壁に設けられて前記反応炉内の前記材料ガスを排気する排気口と、
を有するエピタキシャル成膜装置を用い、
静止している前記ウェハに対し、前記エピタキシャル膜の形成される面に略平行な方向であって、かつ前記ウェハ面上を異なる方向から交互に供給される前記材料ガスで前記エピタキシャル膜の形成を行うことを特徴とするエピタキシャル成膜方法。
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