JP7413128B2 - 基板支持台 - Google Patents

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Description

本開示の種々の側面および実施形態は、基板支持台に関する。
複数のヒータが設けられ、半導体ウエハ（以下、基板と記載する）が載置される載置台の複数の領域を独立に温度調整することができる基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理装置を用いた半導体の製造プロセスでは、基板の温度が高精度に調整されることにより、基板の処理の均一性を向上させることができる。
特開２０１７－２２８２３０号公報
本開示は、基板の処理における環境制御の精度の低下を抑制することができる基板支持台を提供する。
本開示の一側面は、載置台であって、載置部と、基台と、回路基板と、温度調整部とを備える。載置部は、基板が載置される。基台は、載置部の下に配置されており、内部に空間が形成されている。回路基板は、基台の空間内に配置されており、電子回路が搭載されている。温度調整部は、回路基板の温度を調整する。
本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板の処理における環境制御の精度の低下を抑制することができる。
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。 図２は、静電チャックの上面の一例を示す図である。 図３は、載置台の詳細な構造の一例を示す拡大断面図である。 図４は、載置台の詳細な構造の他の例を示す拡大断面図である。 図５は、載置台の詳細な構造の他の例を示す拡大断面図である。
以下に、基板支持台の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板支持台が限定されるものではない。
ところで、制御回路によって載置台に埋め込まれたヒータに供給される電力が制御されることにより、載置台に載置された基板の温度が調整される。ヒータを制御する制御回路が載置台を収容するチャンバの外部に配置された場合、制御回路からの制御信号をヒータに伝送するための配線が、載置台と制御回路との間に設けられることになる。載置台に埋め込まれるヒータの数が多くなると、載置台と制御回路との間に設けられる配線の数も多くなる。これにより、配線を引き回すためのスペースが基板処理装置に必要となり、基板処理装置の小型化が難しくなる。そこで、載置台の内部に、制御回路を配置することが考えられる。
ここで、基板の処理レシピによっては、基板の温度が０［℃］以下の温度に設定される場合や、１００［℃］以上の温度に設定される場合がある。この場合、載置台の内部に配置された制御回路の温度も０［℃］以下の温度や１００［℃］以上の温度になる場合がある。制御回路には、マイクロコンピュータ等の電子回路が用いられる場合があり、０［℃］以下の温度や１００［℃］以上の温度では、制御回路が誤動作してしまう場合がある。制御回路が誤動作すると、処理レシピに予め定められた処理環境を実現することが難しくなる。これにより、基板の処理の精度が低下してしまう。
そこで、本開示は、基板の処理における環境制御の精度の低下を抑制することができる技術を提供する。
［基板処理装置１の構成］
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置１の構成の一例を示す概略断面図である。基板処理装置１は、装置本体１０と、装置本体１０を制御する制御装置１１とを備える。本実施形態における基板処理装置１は、例えば容量結合型のプラズマエッチング装置である。
装置本体１０は、チャンバ１２を有する。チャンバ１２は、その中に内部空間１２ｓを提供している。チャンバ１２は、例えばアルミニウム等により略円筒形状に形成された筐体１３を含む。内部空間１２ｓは、筐体１３の中に提供されている。筐体１３は、電気的に接地されている。筐体１３の内壁面、即ち、内部空間１２ｓを画成する壁面は、例えば陽極酸化処理等によって形成された耐プラズマ性を有する膜でコーティングされている。
筐体１３の側壁には、内部空間１２ｓとチャンバ１２の外部との間で基板Ｗが搬送される際に、基板Ｗが通過する開口部１２ｐが形成されている。開口部１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉される。
筐体１３内には、基板Ｗが載置される載置台１６が設けられている。載置台１６は、例えば石英等の絶縁性の材料によって略円筒状に形成された支持部１５によって支持されている。支持部１５は、筐体１３の底部から上方に延在している。
載置台１６は、基台１９および静電チャック２０を有する。基台１９には、カバープレート１７および下部電極１８が含まれる。静電チャック２０は、基台１９の下部電極１８上に設けられている。基板Ｗは、静電チャック２０上に載置される。静電チャック２０は、絶縁体で形成された本体と、膜状に形成された電極とを有する。静電チャック２０の電極には、図示しない直流電源が電気的に接続されている。直流電源から静電チャック２０の電極に電圧が印加されることにより静電チャック２０の表面に静電気力が発生し、静電気力により基板Ｗが静電チャック２０の上面に吸着保持される。静電チャック２０は、載置部の一例である。
また、静電チャック２０は、例えば図２に示されるように、複数の分割領域２１１に分けられている。図２は、静電チャック２０の上面の一例を示す図である。それぞれの分割領域２１１における静電チャック２０の内部には、ヒータ２００が１つずつ埋め込まれている。それぞれのヒータ２００によって複数の分割領域２１１の温度が個別に制御される。これにより、基板Ｗの表面の温度の均一性を向上させることができる。なお、ヒータ２００は、静電チャック２０と下部電極１８との間に配置されていてもよい。
静電チャック２０には、静電チャック２０と基板Ｗとの間に例えばＨｅガス等の伝熱ガスを供給するための配管２５が設けられている。静電チャック２０と基板Ｗとの間に供給される伝熱ガスの圧力を制御することにより、静電チャック２０と基板Ｗとの間の熱伝導率を制御することができる。
下部電極１８は、例えばアルミニウム等の導電性の材料によって略円板状に形成されている。下部電極１８内には、例えばフロン等の冷媒が流通する流路１８ｆが形成されている。冷媒は、図示しないチラーユニットから配管２３ａを介して流路１８ｆ内に供給される。流路１８ｆ内を循環した冷媒は、配管２３ｂを介してチラーユニットに戻される。チラーユニットによって温度制御された冷媒が流路１８ｆ内を循環することにより、下部電極１８を予め定められた温度まで冷却することができる。下部電極１８は、上部基台の一例である。
カバープレート１７は、例えばアルミニウム等の導電性の材料によって略円板状に形成されている。カバープレート１７は、下部電極１８の下部に配置されており、下部電極１８と電気的に接続されている。カバープレート１７には凹部が形成されている。基台１９内には、下部電極１８の下面とカバープレート１７の凹部とで囲まれた空間１７０が形成されている。基台１９の空間１７０内には、静電チャック２０内の複数のヒータ２００を制御するマイクロコンピュータ等の電子回路が搭載された回路基板７０が配置されている。カバープレート１７は、下部基台の一例である。
カバープレート１７には、空間１７０内に低湿度のガスを供給するための配管１７１が接続されている。空間１７０内に低湿度のガスが供給されることにより、空間１７０内での結露が抑制される。本実施形態において、低湿度のガスは、例えばドライエアーである。
回路基板７０には、配線１７３の一端が接続されており、配線１７３の他端は、チャンバ１２の外部に設けられた電力供給装置１７４に接続されている。回路基板７０に搭載された電子回路は、配線１７３を介して電力供給装置１７４から供給された電力を、それぞれのヒータ２００に供給する。また、回路基板７０には、回路基板７０に搭載された電子回路と制御装置１１との間で通信を行うための光ファイバケーブル等の配線１７２の一端が接続されている。配線１７２の他端は、制御装置１１に接続されている。回路基板７０に搭載された電子回路は、制御装置１１からの指示に応じて、電力供給装置１７４からそれぞれのヒータ２００に供給される電力を制御する。なお、配線１７２の他端は、筐体１３の外部に設けられた他の電子回路に接続されてもよい。この場合、当該他の電子回路が、ＬＡＮ等の通信回線を介して、制御装置１１と通信を行うことにより、回路基板７０の電子回路と制御装置１１との間の通信を中継する。
静電チャック２０の外周領域上には、例えばシリコン等の導電性の材料により環状に形成されたエッジリング２２が設けられている。エッジリング２２は、フォーカスリングと呼ばれることもある。エッジリング２２は、静電チャック２０上に載置された基板Ｗを囲むように配置されている。
載置台１６の側面には、載置台１６を囲むように、絶縁性の材料により略円筒状に形成されたカバー部材２８が設けられている。カバー部材２８により、内部空間１２ｓ内に生成されたプラズマから載置台１６の側面が保護される。
載置台１６の上方には、上部電極３０が設けられている。上部電極３０は、絶縁性の材料により形成された部材３２を介して筐体１３の上部に支持されている。上部電極３０は、天板３４および天板保持部３６を有する。天板３４の下面は、内部空間１２ｓに面している。天板３４には、天板３４を厚さ方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａが形成されている。天板３４は、例えばシリコン等によって形成されている。また、天板３４は、例えば表面に耐プラズマ性のコーティングが施されたアルミニウム等で形成されていてもよい。
天板保持部３６は、天板３４を着脱自在に保持している。天板保持部３６は、例えばアルミニウム等の導電性の材料によって形成されている。天板保持部３６の内部には、ガス拡散室３６ａが形成されている。ガス拡散室３６ａからは、複数のガス孔３６ｂが下方に延びている。ガス孔３６ｂは、ガス吐出孔３４ａに連通している。天板保持部３６には、ガス拡散室３６ａに接続されたガス導入口３６ｃが設けられている。ガス導入口３６ｃには、配管３８の一端が接続されている。
配管３８の他端は、バルブ群４３、流量制御器群４２、およびバルブ群４１を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０には、エッチングガスに含まれるガスを供給する複数のガスソースが含まれている。バルブ群４１およびバルブ群４３には、それぞれ複数のバルブ（例えば開閉バルブ）が含まれている。流量制御器群４２には、例えばマスフローコントローラ等の複数の流量制御器が含まれている。
ガスソース群４０に含まれるそれぞれのガスソースは、バルブ群４１の中の対応するバルブ、流量制御器群４２の中の対応する流量制御器、およびバルブ群４３の中の対応するバルブを介して、配管３８に接続されている。ガスソース群４０に含まれる複数のガスソースの中から選択された一以上のガスソースからのガスは、個別に調整された流量で、ガス拡散室３６ａ内に供給される。ガス拡散室３６ａ内に供給されたガスは、ガス拡散室３６ａ内を拡散し、ガス孔３６ｂおよびガス吐出孔３４ａを介して、内部空間１２ｓ内にシャワー状に供給される。
支持部１５の側壁と筐体１３の側壁との間には、例えば表面に耐プラズマ性のコーティングが施されたアルミニウム等で形成されたバッフル板４８が設けられている。バッフル板４８には、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成されている。バッフル板４８の下方の筐体１３の底部には、排気管５２が接続されている。排気管５２には、自動圧力制御弁等の圧力制御器およびターボ分子ポンプ等の真空ポンプを有する排気装置５０が接続されている。排気装置５０によって内部空間１２ｓの圧力を予め定められた圧力まで減圧することができる。
基台１９には、第１の整合器６３を介して第１のＲＦ電源６１が接続されている。第１のＲＦ電源６１は、プラズマ生成用の第１のＲＦ電力を発生する電源である。第１のＲＦ電力の周波数は、２７～１００［ＭＨｚ］の範囲内の周波数、例えば６０［ＭＨｚ］の周波数である。第１の整合器６３は、第１のＲＦ電源６１の出力インピーダンスと負荷側（例えば基台１９側）のインピーダンスを整合させるための整合回路を有する。なお、第１のＲＦ電源６１は、第１の整合器６３を介して、基台１９ではなく上部電極３０に接続されていてもよい。
また、基台１９には、第２の整合器６４を介して第２のＲＦ電源６２が接続されている。第２のＲＦ電源６２は、基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の第２のＲＦ電力を発生する電源である。第２のＲＦ電力の周波数は、第１のＲＦ電力の周波数よりも低く、４００［ｋＨｚ］～１３．５６［ＭＨｚ］の範囲内の周波数であり、例えば４００［ｋＨｚ］の周波数である。第２の整合器６４は、第２のＲＦ電源６２の出力インピーダンスと負荷側（例えば基台１９側）のインピーダンスを整合させるための整合回路を有する。
制御装置１１は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、またはＳＳＤ（Solid State Drive）等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して装置本体１０の各部を制御する。プロセッサは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）等である。
基板処理装置１によってプラズマエッチングが行われる場合、まずゲートバルブ１２ｇが開かれ、図示しない搬送ロボットにより基板Ｗが筐体１３内に搬入され、静電チャック２０上に載置され、ゲートバルブ１２ｇが閉じられる。そして、排気装置５０によって筐体１３内のガスが排気され、ガスソース群４０からの一以上のガスがそれぞれ予め定められた流量で内部空間１２ｓに供給され、内部空間１２ｓの圧力が予め定められた圧力に調整される。
また、図示しないチラーユニットによって温度制御された冷媒が流路１８ｆ内に供給されることにより下部電極１８が冷却される。また、電力供給装置１７４から、静電チャック２０のそれぞれの分割領域２１１に設けられたヒータ２００に供給される電力が回路基板７０の電子回路によって制御される。また、制御装置１１によって静電チャック２０と基板Ｗとの間に供給される伝熱ガスの圧力が制御される。これにより、静電チャック２０に載置された基板Ｗの温度が予め定められた温度となるように調整される。
そして、第１のＲＦ電源６１からの第１のＲＦ電力および第２のＲＦ電源６２からの第２のＲＦ電力が基台１９に供給される。これにより、上部電極３０と基台１９との間にＲＦの電界が形成され、内部空間１２ｓに供給されたガスがプラズマ化される。そして、内部空間１２ｓに生成されたプラズマに含まれるイオンやラジカル等によって、基板Ｗがエッチングされる。
［載置台１６の詳細］
図３は、載置台１６の詳細な構造の一例を示す拡大断面図である。本実施形態において、静電チャック２０には、分割領域２１１毎に、ヒータ２００と温度センサ２０１とが配置されている。温度センサ２０１は、ヒータ２００と下部電極１８との間に配置されている。温度センサ２０１は、例えばサーミスタである。なお、温度センサ２０１は、ヒータ２００と静電チャック２０の上面との間に配置されていてもよい。
それぞれのヒータ２００および温度センサ２０１は、下部電極１８に形成された貫通孔内に配置された配線を介して回路基板７０に接続されている。回路基板７０には、それぞれの温度センサ２０１を用いて測定された温度に基づいて、対応するヒータ２００に供給される電力を制御するマイクロコンピュータ等の電子回路７００が設けられている。
下部電極１８の下面とカバープレート１７の凹部とで囲まれた空間１７０内には、温度調整部７１および温度調整部７２が配置されている。温度調整部７１は、断熱部材７１０およびヒータ７１１を有する。ヒータ７１１は、断熱部材７１０の下面に設けられており、断熱部材７１０は、スペーサ７３を介して下部電極１８の下面に支持されている。断熱部材７１０およびスペーサ７３は、断熱性および絶縁性のある樹脂やセラミクス等により形成されている。ヒータ７１１は、配線７０２を介して回路基板７０に接続されており、配線７０２を介して回路基板７０から供給される電力に応じて発熱する。断熱部材７１０は第１の断熱部材の一例であり、ヒータ７１１は第１のヒータの一例である。また、配線７０２は回路基板７０を介さずに直接ヒータ７１１へ電力を供給してもよい。
回路基板７０には、１つ以上の貫通孔７０１が形成されており、断熱部材７１０には、１つ以上の貫通孔７１２が形成されている。これにより、配管１７１から空間１７０内に供給された低湿度のガスが貫通孔７０１および貫通孔７１２を介して空間１７０内に行きわたる。
温度調整部７２は、保護部材７２０および溶射ヒータ７２１を有する。保護部材７２０は、断熱性および絶縁性のある樹脂やセラミクス等により、カバープレート１７の凹部の上面に設けられている。溶射ヒータ７２１は、保護部材７２０上に設けられている。溶射ヒータ７２１は、保護部材７２０によってカバープレート１７と絶縁されている。溶射ヒータ７２１は、配線７０３を介して回路基板７０に接続されており、配線７０３を介して回路基板７０から供給される電力に応じて発熱する。なお、溶射ヒータ７２１は、保護部材７２０上にヒータとなる金属が溶射されることにより形成されるが、保護部材７２０上に設けられるヒータは溶射ヒータ７２１に限られない。温度調整部７２が有するヒータは、例えば、保護部材７２０上にフィルム状のヒータが貼り付けられたものであってもよい。また、温度調整部７１は温度調整部７２と同一構造でもよい。
また、温度調整部７１と回路基板７０との間、および、回路基板７０と温度調整部７２との間には、スペーサ７４が設けられており、回路基板７０とヒータ７１１とが離れて配置され、回路基板７０と溶射ヒータ７２１とが離れて配置されている。これにより、回路基板７０に搭載された電子回路７００が加熱され過ぎることが回避される。
本実施形態において、下部電極１８の下面と断熱部材７１０との間にスペーサ７３が介在することにより、下部電極１８の下面と断熱部材７１０との間に空間が形成される。これにより、下部電極１８とヒータ７１１との間の熱交換を抑制することができる。なお、スペーサ７４によって回路基板７０と断熱部材７１０との間の距離を調整することにより、断熱部材７１０の上面と下部電極１８の下面との間に空間を設けることができる場合には、スペーサ７３は設けられなくてもよい。
回路基板７０には、図示しない温度センサが設けられており、回路基板７０に搭載された電子回路７００は、当該温度センサによって測定された温度に応じて、ヒータ７１１および溶射ヒータ７２１に供給される電力を制御する。ヒータ７１１および溶射ヒータ７２１は、回路基板７０から供給された電力に応じて発熱することにより、空間１７０内の気体を介して回路基板７０を加熱する。これにより、流路１８ｆ内を循環する冷媒によって冷却された下部電極１８により回路基板７０が冷却され、回路基板７０上の電子回路７００の温度が、電子回路７００の動作許容範囲を逸脱することを抑制することができる。
以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における載置台１６は、静電チャック２０と、基台１９と、回路基板７０と、温度調整部７１と、温度調整部７２とを備える。静電チャック２０は、基板Ｗが載置される。基台１９は、静電チャック２０の下に配置されており、内部に空間１７０が形成されている。回路基板７０は、基台１９の空間１７０内に配置されており、電子回路７００が搭載されている。温度調整部７１は、回路基板７０の温度を調整する。これにより、電子回路７００の温度の変動を、電子回路７００の動作許容範囲内に抑えることができ、基板Ｗの処理における環境制御の精度の低下を抑制することができる。
また、上記した実施形態において、基台１９は、静電チャック２０側に配置されている下部電極１８と、下部電極１８の下に配置されているカバープレート１７とを有する。基台１９内の空間１７０は、下部電極１８とカバープレート１７との間に形成されている。温度調整部７１は、下部電極１８の下面と回路基板７０との間に配置されている断熱部材７１０と、断熱部材７１０と回路基板７０との間に配置されているヒータ７１１とを有する。下部電極１８とヒータ７１１との間に断熱部材７１０が介在することにより、下部電極１８とヒータ７１１との間の熱交換を抑制することができる。
また、上記した実施形態において、下部電極１８の下面と断熱部材７１０との間には空間が設けられている。これにより、下部電極１８とヒータ７１１との間の熱交換をさらに抑制することができる。
また、上記した実施形態における基板処理装置１は、基板Ｗが収容されるチャンバ１２と、チャンバ１２内に配置されており、基板Ｗが載置される載置台１６とを備える。載置台１６は、静電チャック２０と、基台１９と、回路基板７０と、温度調整部７１とを備える。静電チャック２０は、基板Ｗが載置される。基台１９は、静電チャック２０の下に配置されており、内部に空間１７０が形成されている。回路基板７０は、基台１９の空間１７０内に配置されており、電子回路７００が搭載されている。温度調整部７１は、回路基板７０の温度を調整する。これにより、電子回路７００の温度の変動を、電子回路７００の動作許容範囲内に抑えることができ、基板Ｗの処理における環境制御の精度の低下を抑制することができる。
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、カバープレート１７の凹部の上面には、例えば図４に示されるように、温度調整部７１と同様の構造の、温度調整部７２が設けられてもよい。図４は、載置台１６の詳細な構造の他の例を示す拡大断面図である。
図４に例示された温度調整部７２は、断熱部材７２２およびヒータ７２３を有する。ヒータ７２３は、断熱部材７２２の上面に設けられており、断熱部材７２２は、スペーサ７５を介してカバープレート１７の上面に支持されている。断熱部材７２２には、１つ以上の貫通孔７２４が形成されている。断熱部材７２２およびスペーサ７５は、断熱性および絶縁性のある樹脂やセラミクス等により形成されている。ヒータ７２３は、配線７０３を介して回路基板７０に接続されており、配線７０３を介して回路基板７０から供給される電力に応じて発熱する。断熱部材７２２は第２の断熱部材の一例であり、ヒータ７２３は第２のヒータの一例である。
図４の例では、カバープレート１７の上面と断熱部材７２２との間にスペーサ７５が介在することにより、カバープレート１７の上面と断熱部材７２２との間に空間が形成される。これにより、カバープレート１７とヒータ７２３との間の熱交換を抑制することができる。このような構成でも、電子回路７００の温度の変動を、電子回路７００の動作許容範囲内に抑えることができる。
また、上記した実施形態では、基台１９の空間１７０内に設けられたヒータ７１１および溶射ヒータ７２１により、空間１７０内の気体が加熱されるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば図５に示されるように、配管１７１内を流れるガスを加熱してもよい。図５は、載置台の詳細な構造の他の例を示す拡大断面図である。
図５の例では、配管１７１にヒータ１７５が巻きつけられている。ヒータ１７５は、温度調整部の一例である。制御装置１１は、回路基板７０に搭載された温度センサによって測定された温度の情報を配線１７２を介して取得する。そして、制御装置１１は、取得された温度の情報に応じて、ヒータ１７５に供給される電力を制御する。ヒータ１７５によって配管１７１が加熱されることにより、配管１７１内を流れるガスが加熱され、加熱されたガスが空間１７０内に供給される。空間１７０内に加熱されたガスが供給されることにより、加熱されたガスにより、回路基板７０が加熱される。このような構成でも、電子回路７００の温度の変動を、電子回路７００の動作許容範囲内に抑えることができる。なお、図５に例示された構成は、図３に例示された構成、または、図４に例示された構成と組み合わせることも可能である。
また、上記した実施形態では、基台１９の空間１７０内に設けられたヒータ７１１および溶射ヒータ７２１により、空間１７０内の気体が加熱されたが、開示の技術はこれに限られない。例えば、基台１９の空間１７０内に断熱性および絶縁性を有する材料（例えば樹脂等）が充填されてもよい。電子回路７００は、動作することにより多少の熱を発する。そのため、電子回路７００を樹脂等で覆うことにより、自己の発熱により電子回路７００の温度低下を抑制することができる。
また、上記した実施形態では、基台１９の空間１７０内に設けられたヒータ７１１および溶射ヒータ７２１により、空間１７０内の気体が加熱されたが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば、回路基板７０にヒータが埋め込まれ、当該ヒータにより回路基板７０を介して電子回路７００が加熱されてもよい。また、シート状のヒータが回路基板７０や電子回路７００に貼り付けられてもよい。
また、上記した実施形態では、電子回路７００の温度低下を抑制する場合について説明されたが、開示の技術はこれに限られない。基板Ｗの処理レシピによっては、基板Ｗの温度が１００［℃］以上の温度に設定される場合もある。基板Ｗの温度が１００［℃］以上の温度に設定される場合、流路１８ｆ内を循環する冷媒の温度が数十［℃］に達する場合がある。そのような場合には、電子回路７００を冷却する必要があるため、ヒータ７１１および溶射ヒータ７２１に代えて、ペルチェ素子等の冷却部材が設けられる。また、基板処理装置１において、０［℃］以下から１００［℃］以上の範囲内の様々な温度で処理が行われる場合には、ヒータ７１１および溶射ヒータ７２１に加えて、ペルチェ素子等の冷却部材が設けられる。これにより、電子回路７００の温度の変動を、電子回路７００の動作許容範囲内に抑えることができる。
また、上記した実施形態において、電子回路７００は、静電チャック２０内の複数のヒータ２００を制御するが、電子回路７００によって行われる制御はこれに限られず、電子回路７００は、載置台１６に関する様々な制御を行ってもよい。載置台１６に関する様々な制御とは、例えば、静電チャック２０における基板Ｗの吸着および吸着解除の制御、エッジリング２２が静電気により静電チャック２０に吸着されている場合におけるエッジリング２２の吸着および吸着解除の制御等が考えられる。
また、上記した実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）を用いて処理を行う基板処理装置１を説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。
また、上記した実施形態では、基板Ｗに対する処理を行う装置の一例として、プラズマを用いてエッチングを行う装置が説明されたが、開示の技術はこれに限られない。基板Ｗを処理する装置であれば、例えば、成膜装置、改質装置、または洗浄装置等においても、開示の技術を適用することができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ 基板
１ 基板処理装置
１０ 装置本体
１１ 制御装置
１２ チャンバ
１２ｇ ゲートバルブ
１２ｐ 開口部
１２ｓ 内部空間
１３ 筐体
１５ 支持部
１６ 載置台
１７ カバープレート
１７０ 空間
１７１ 配管
１７２ 配線
１７３ 配線
１７４ 電力供給装置
１７５ ヒータ
１８ 下部電極
１８ｆ 流路
１９ 基台
２０ 静電チャック
２００ ヒータ
２０１ 温度センサ
２１１ 分割領域
２２ エッジリング
２３ 配管
２５ 配管
２８ カバー部材
３０ 上部電極
３２ 部材
３４ 天板
３４ａ ガス吐出孔
３６ 天板保持部
３６ａ ガス拡散室
３６ｂ ガス孔
３６ｃ ガス導入口
３８ 配管
４０ ガスソース群
４１ バルブ群
４２ 流量制御器群
４３ バルブ群
４８ バッフル板
５０ 排気装置
５２ 排気管
６１ 第１のＲＦ電源
６２ 第２のＲＦ電源
６３ 第１の整合器
６４ 第２の整合器
７０ 回路基板
７００ 電子回路
７０１ 貫通孔
７０２ 配線
７０３ 配線
７１ 温度調整部
７１０ 断熱部材
７１１ ヒータ
７１２ 貫通孔
７２ 温度調整部
７２０ 保護部材
７２１ 溶射ヒータ
７２２ 断熱部材
７２３ ヒータ
７２４ 貫通孔
７３ スペーサ
７４ スペーサ
７５ スペーサ

Claims (11)

  1. 基板処理装置で使用する基板支持台であって、
    内部空間を有する基台と、前記内部空間に配置される電子回路基板と、
    前記基台の上に配置される基板支持プレートと、
    前記内部空間内に配置され、前記電子回路基板の温度を調節するように構成される少なくとも１つの温度調節素子と
    を備える、基板支持台。
  2. 前記内部空間内に配置される少なくとも１つの断熱部材をさらに備え、
    前記少なくとも１つの温度調節素子は、前記少なくとも１つの断熱部材と前記電子回路基板との間に配置される、請求項１に記載の基板支持台。
  3. 前記少なくとも１つの温度調節素子は、ヒーターを有する、請求項１又は請求項２に記載の基板支持台。
  4. 前記少なくとも１つの温度調節素子は、ペルチェ素子を有する、請求項１又は請求項２に記載の基板支持台。
  5. 前記少なくとも１つの断熱部材と前記基台との間には間隙が形成されている、請求項２に記載の基板支持台。
  6. 前記少なくとも１つの温度調節素子は、少なくとも１つの上部温度調節素子と少なくとも１つの下部温度調節素子とを有し、
    前記少なくとも１つの上部温度調節素子は、前記電子回路基板の上方に配置され、
    前記少なくとも１つの下部温調素子は、前記電子回路基板の下方に配置される、請求項２に記載の基板支持台。
  7. 前記少なくとも１つの断熱部材は、少なくとも１つの上部断熱部材と少なくとも１つの下部断熱部材とを有し、
    前記上部温度調節素子は、前記上部断熱部材と前記電子回路基板との間に配置され、
    前記下部温度調節素子は、前記下部断熱部材と前記電子回路基板との間に配置される、請求項６に記載の基板支持台。
  8. 前記内部空間にガスを供給するためのガス供給配管をさらに備える、請求項１から７のうちいずれか一項に記載の基板支持台。
  9. 前記ガス供給配管を囲むように配置される少なくとも１つの他の温度調節素子をさらに備える、請求項８に記載の基板支持台。
  10. 前記ガスは、ドライエアーである、請求項８又は請求項９に記載の基板支持台。
  11. 前記少なくとも１つの他の温度調節素子は、ヒーターである、請求項８から１０のうちいずれか一項に記載の基板支持台。
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