JP2001267381A

JP2001267381A - 半導体製造・検査装置

Info

Publication number: JP2001267381A
Application number: JP2000077560A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松; Yasutaka Ito; 康隆伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-03-21
Filing date: 2000-03-21
Publication date: 2001-09-28

Abstract

(57)【要約】【課題】測温素子や制御装置に何らかの故障が発生し
て、セラミック基板の温度が急激に上昇しかけた場合に
おいても、電源と抵抗発熱体との間の回路を遮断するこ
とにより、セラミック基板の過熱を防止することができ
る。【解決手段】１または２以上の回路からなる抵抗発熱
体が設けられたセラミック基板と、上記セラミック基板
の温度を測定する測温手段と、上記測温手段により検知
された温度に基づいて上記抵抗発熱体へ投入する電力を
制御する制御部と、上記抵抗発熱体へ投入する電力を供
給する電源と、上記抵抗発熱体へ投入する電力を遮断す
るサーモスタットとを備えてなることを特徴とする半導
体製造・検査装置

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗発熱体を有す
るセラミック基板を備え、主に、ホットプレート（セラ
ミックヒータ）、静電チャック、ウエハプローバなどの
装置とすることができる半導体製造・検査装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】エッチング装置や、化学的気相成長装置
等を含む半導体製造・検査装置等においては、従来、ス
テンレス鋼やアルミニウム合金などの金属製基材を用い
たヒータやウエハプローバ等が用いられてきた。

【０００３】ところが、このような金属製のヒータは、
以下のような問題があった。まず、金属製であるため、
ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければなら
ない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨
張により、反り、歪み等が発生してしまい、金属板上に
載置したシリコンウエハが破損したり傾いたりしてしま
うからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くす
ると、ヒータの重量が重くなり、また、嵩張ってしまう
という問題があった。

【０００４】また、抵抗発熱体に印加する電圧や電流量
を変えることにより、半導体ウエハ等の被加熱物を加熱
する面（以下、加熱面という）の温度を制御するのであ
るが、金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対し
てヒータ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくい
という問題もあった。

【０００５】そこで、特開平４−３２４２７６号公報で
は、基板として、熱伝導率が高く、強度も大きい非酸化
物セラミックである窒化アルミニウムを使用し、この窒
化アルミニウム基板中に抵抗発熱体とタングステンから
なるスルーホールとが形成され、これらに外部端子とし
てニクロム線がろう付けされたセラミックヒータが提案
されている。

【０００６】このようなセラミックヒータでは、高温に
おいても機械的な強度の大きいセラミック基板を用いて
いるため、セラミック基板の厚さを薄くして熱容量を小
さくすることができ、その結果、電圧や電流量の変化に
対してセラミック基板の温度を迅速に追従させることが
できる。

【０００７】通常、この種のセラミックヒータでは、セ
ラミック基板の表面または内部に測温手段を取り付け、
このセラミック基板を金属製の支持容器に嵌め込んだ
後、測温手段からの配線や抵抗発熱体からの配線を制御
装置に接続し、測温手段により測定される温度に基づい
て抵抗発熱体に電圧を印加し、セラミック基板の温度を
制御している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の測温手段がセラミック基板から脱落したり、測温手段
と制御部との間の回路が断線したりすると、セラミック
基板の正確な温度が測定されないため、抵抗発熱体に流
れる電流が大きくなりすぎ、セラミック基板の温度が急
激に上昇することも考えられる。

【０００９】このような場合に、何の措置も講じられて
いないと、装置全体の温度が上昇しすぎ、故障などが発
生して多大の損失を被る場合がある。

【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、上記測温手段や制御部に何らかの故障が発生
して、セラミック基板の温度が急激に上昇しかけた場合
においても、電源と抵抗発熱体との間の回路を遮断する
ことにより、セラミック基板の過熱を防止することが可
能な半導体製造・検査装置を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、１または２以
上の回路からなる抵抗発熱体が設けられたセラミック基
板と、上記セラミック基板の温度を測定する測温手段
と、上記測温手段により検知された温度に基づいて上記
抵抗発熱体へ投入する電力を制御する制御部と、上記抵
抗発熱体へ投入する電力を供給する電源と、上記抵抗発
熱体へ投入する電力を遮断するサーモスタットとを備え
てなることを特徴とする半導体製造・検査装置である。

【００１２】本発明の半導体製造・検査装置において、
上記サーモスタットは、セラミック基板から一定距離離
間して配設されてなることが望ましく、セラミック基板
の底面から０．１〜５ｍｍ離間して配設されてなること
がより望ましい。

【００１３】また、上記半導体製造・検査装置におい
て、上記サーモスタットは、リレーを介して抵抗発熱体
へ投入される電力を遮断することが望ましい。また、上
記半導体製造・検査装置において、上記セラミック基板
は、支持容器により支持されてなり、上記支持容器の底
部、上記支持容器の壁面、上記支持容器に配設された板
状体のいずれかにサーモスタットが配設されてなること
が望ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の半導体製造・検査装置
は、１または２以上の回路からなる抵抗発熱体が設けら
れたセラミック基板と、上記セラミック基板の温度を測
定する測温手段と、上記測温手段により検知された温度
に基づいて上記抵抗発熱体へ投入する電力を制御する制
御部と、上記抵抗発熱体へ投入する電力を供給する電源
と、上記抵抗発熱体へ投入する電力を遮断するサーモス
タットとを備えてなることを特徴とする。

【００１５】本発明の半導体製造・検査装置では、装置
内に測温手段等のほかに、さらにサーモスタットが配設
され、このサーモスタットにより装置内（セラミック基
板）の温度を常に検知している。従って、測温素子や制
御部に何らかの故障が発生して、セラミック基板の温度
が急激に上昇しかけた場合には、その温度をサーモスタ
ットが検知し、抵抗発熱体への電力の供給を遮断する。
その結果、セラミック基板や装置全体の過熱を防止する
ことができ、装置の他の部分に故障が発生するのを防止
することができる。

【００１６】以下、本発明の半導体製造・検査装置につ
いて、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の半導
体装置の一実施形態であるセラミックヒータの一例を模
式的に示す平面図であり、図２は、（ａ）に示したセラ
ミックヒータを構成する制御部等を含めて示したブロッ
ク図である。

【００１７】このセラミックヒータ１０では、円板形状
に形成されたセラミック基板１１が、断熱リング２１を
介して金属製の支持容器２２の上部に嵌合されており、
このセラミック基板１１の内部には、複数の回路からな
る抵抗発熱体１２が埋設されている。この抵抗発熱体１
２は、図１に示したように、同心円形状のパターンに形
成され、互いに近い二重の同心円同士が１組の回路とし
て、１本の線になるように接続され、また、これら回路
の両端部分が露出するように、セラミック基板１１の底
面１１ｂには袋孔２３が設けられている。

【００１８】これら袋孔２３には、ワッシャー１７が嵌
め込まれ、ワッシャー１７の中心孔に導電線１６が挿入
され、金ろう等によりろう付けされ、導電線１６と抵抗
発熱体端部１２ａとが接続されている。

【００１９】この導電線１６は、リレー２８を介して電
源部２６に接続されている。また、サーモスタットは、
導電線１９ａを介してリレー２８に接続されている。更
に、電源部２６には、制御部２５が接続され、制御部２
５には、測温素子１８が導電線１９ｂを介して接続され
ている。

【００２０】図１０は、サーモスタットとリレーと電源
とを含む回路の一例を示す回路図である。なお、簡略化
のため、制御部は、省略する。図１０に示すように、サ
ーモスタットは、リレーと回路１を構成しており、この
回路１は、電源と抵抗発熱体とからなる回路２とは独立
している。従って、サーモスタットが作動すると、回路
１が遮断され、この回路の遮断によりリレーが作動して
回路２を遮断する。つまり、間接的にサーモスタットに
より抵抗発熱体への電力供給が遮断されるのである。

【００２１】このように、リレーを使用して、サーモス
タットを含む回路１と抵抗発熱体１２を含む回路２とを
それぞれ独立の回路とするのは、サーモスタットを抵抗
発熱体を含む回路に直列に入れると、抵抗発熱体に比較
的大きな電流を流す必要があるため、この電流によりサ
ーモスタット自体も発熱し、正常な制御を行っているに
も拘わらずサーモスタットが作動してしまうからであ
る。図１０に示したように、サーモスタットを含む回路
１を抵抗発熱体を含む回路２と分離することにより、サ
ーモスタットを含む回路１には小電流を、抵抗発熱体を
含む回路２には大電流を流すことができるのである。な
お、ある程度の電流を流しても発熱しないような構成の
サーモスタットを使用する場合には、サーモスタットを
抵抗発熱体を含む回路に直列に挿入し、サーモスタット
自身が回路を開くことにより直接的に抵抗発熱体への電
力供給を遮断する構成としてもよい。上記リレーとして
は、例えば、オムロン社製ＭＹ−２等が挙げられる。
また、制御部と電源部とは一体となっていてもよい。

【００２２】また、セラミック基板１１の中央に近い部
分には、支持ピン（図示せず）を挿通するための貫通孔
１５が形成され、さらに、底面１１ｂには有底孔１４が
形成され、この有底孔１４に測温素子１８が挿入され、
耐熱性樹脂または無機充填材等が充填されることにより
固定されている。なお、貫通孔１５に挿通された支持ピ
ンは、半導体ウエハ等の被加熱物を支持して搬送装置等
から被加熱物を受け取ったり、搬送装置等に被加熱物を
受け渡す役割を有しており、また、セラミック基板１１
の加熱面と一定の間隔を保った状態で被加熱物を支持す
る役割も有している。このようにセラミック基板１１と
離間させた状態で加熱することにより、被加熱物をより
均一に加熱することができる。

【００２３】一方、有底孔１４に配設された測温素子１
８からの配線１９ｂも、制御部に接続されており、測温
素子１８からの温度情報を受け取った制御部２５では、
セラミック基板１１の温度に応じた電圧（電流）を抵抗
発熱体１２に印加することにより、セラミック基板１１
の温度をコントロールしている。なお、測温手段は、熱
電対に限定されず、例えば、サーモビュアで表面の温度
を読み取って、このデータを基に温度制御することもで
きる。

【００２４】さらに、このセラミックヒータ１０の底部
には、ヒータ部分からの放熱を防止し、被加熱物を効率
よく加熱することができるように遮熱板２４が設けられ
ており、この遮熱板２４にサーモスタット２０が配設さ
れている。サーモスタット２０は、セラミック基板１１
に近い位置に配設さているため、サーモスタット２０が
配設された部分は、セラミック基板１１の温度に近い温
度を検知することができる。

【００２５】本発明の半導体製造・検査装置では、サー
モスタット２０は、セラミック基板１１から一定距離離
間して配設されることが望ましい。一定距離離間するこ
とで、セラミック基板に局所的に温度が低い部分（クー
リングスポット）が発生することを防止することができ
るからである。

【００２６】さらに、サーモスタット２０は、セラミッ
ク基板１１の底面１１ｂから０．１〜５ｍｍ離間して配
設されることがより望ましい。この理由は、０．１ｍｍ
未満では、近すぎてセラミック基板から熱を奪い、セラ
ミック基板にクーリングスポットを生じさせてしまうこ
とがあり、逆に、５ｍｍを超えるセラミック基板の異常
昇温を関知することができないことがあるからである。
また、このセラミックヒータ１０では、冷却時に冷媒導
入管２７より、矢印で示すようにエアー等の冷却気体が
導入され、セラミック基板１１が冷却されるようになっ
ている。

【００２７】従って、測温素子１８の落下や配線１９ｂ
の断線等のために、測温素子１８によってセラミック基
板１１の温度を正確に測定することができず、これに起
因して、抵抗発熱体１２に多大の電流が流れてセラミッ
ク基板１１の温度が上昇しすぎた場合等においては、サ
ーモスタット２０がその温度を検知し、抵抗発熱体１２
への電力を投入するための回路を遮断する。そのため、
抵抗発熱体１２の発熱がストップし、セラミック基板１
１の過熱を防止することができる。なお、図１、２にお
いて、抵抗発熱体１２は、セラミック基板１１の内部に
形成されているが、セラミック基板１１の底面１１ｂに
設けられていてもよい。

【００２８】サーモスタット２０の種類としては特に限
定されず、例えば、温度の変化を液体（トルエン、水銀
等）や金属（バイメタル等）の膨張またはサーミスタの
抵抗値の変化によって検出し、温度が所定値以上に上昇
した際に、回路を遮断する働きをするもの等が挙げられ
る。具体的には、以下に示すような構成のバイメタルを
用いたサーモスタット等が挙げられる。

【００２９】図１１は、本発明の半導体製造・検査装置
を構成するサーモスタットの一例を模式的に示す断面図
である。図１１に示すように、このサーモスタット１１
０では、有底円筒形状のケース１１７の底部に断面視逆
コの字形状のバネ１１３に配設されており、このバネ１
１３の上に接触部１１２ａを介して円柱形状のピン１１
２が載置されている。なお、このピン１１２は、周囲を
リテーナ１２０により支持されているが、上下方向の移
動は自由である。バネ１１３の近傍には、バネ１１３と
略平行した状態で固定片１１４が配設されており、固定
片１１４端部の接点Ａとバネ１１３端部の接点Ｂとは、
一定の温度以下（例えば、常温）では接触している。一
方、固定片１１４の他の一端とバネ１１３の他の一端に
は、導電線１１８ａ、１１８ｂが接続されており、これ
らの導電線１１８ａ、１１８ｂは、端子部１１９から外
部に導出され、電源と接続されているため、常温では、
導電線１１８ａと導電線１１８ｂとの間には、電流が流
れている。ピン１１２の上面には両端が固定されたバイ
メタル１１１が接触しており、このバイメタル１１１
は、常温では、平面を形成している。そのため、バネ１
１３には、下方への力が作用せず、接点Ａと接点Ｂと
は、接触した状態を維持することができる。このような
構成のサーモスタット１１０の周囲の温度が上昇する
と、バイメタル１１１は膨張し、下方へ撓むように変形
する。これにより、ピン１１２が下方に押し下げられ、
バネ１１３も下方に撓む結果、接点Ａと接点Ｂとは非接
触となり、回路が遮断され、導電線１１８ａと導電線１
１８ｂとの間には、電流が流れなくなる。この後、周囲
の温度が所定温度より下がると、バイメタル１１１が平
面形状に戻り、バネ１１３の力によりピン１１２が押し
上げられる結果、接点Ａと接点Ｂとが接触し、再び、導
電線１１８ａと導電線１１８ｂとの間に電流が流れるよ
うになる。

【００３０】なお、図１１に示したサーモスタットは、
上述したように、自動復帰型のサーモスタットであり、
これ以外に自動復帰しないタイプのサーモスタットもあ
る。本発明においては、いずれのタイプのサーモスタッ
トを使用してもよいが、安全性を考慮すると自動復帰し
ないタイプが最適である。上記サーモスタットの市販品
としては、例えば、旭計器社製ＵＳ−６２５等が挙げ
られる。

【００３１】上記サーモスタットは、支持容器の底部
（支持容器内外含む）、支持容器に配設された板状体
（支持容器内外含む）、支持容器の内外壁面のいずれか
にサーモスタットが配設されてなることが望ましい。サ
ーモスタットとセラミック基板とを接触させずに固定す
ることができるからである。

【００３２】ワッシャー１７を構成する材料は、その熱
膨張率がセラミック基板とほぼ等しいか、または、導電
線との中間にあるものが好ましく、例えば、タングステ
ン、モリブデンまたはこれらの炭化物からなるものが好
ましい。

【００３３】図２に示したセラミックヒータ１０では、
ワッシャー１７や導電線１６を介して抵抗発熱体端部１
２ａと電源２６とが接続されているが、抵抗発熱体端部
１２ａの直下にスルーホールが形成されていてもよい。
また、抵抗発熱体端部１２ａまたはスルーホールに断面
がＴ字形状の外部端子がろう付け等により接続されてい
てもよい。

【００３４】本発明において、抵抗発熱体１２は、貴金
属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、
モリブデン、ニッケル等の金属、または、タングステ
ン、モリブデンの炭化物等の導電性セラミックからなる
ものであることが望ましい。抵抗値を高くすることが可
能となり、断線等を防止する目的で厚み自体を厚くする
ことができるとともに、酸化しにくく、熱伝導率が低下
しにくいからである。これらは、単独で用いてもよく、
２種以上を併用してもよい。

【００３５】また、抵抗発熱体１２は、セラミック基板
１１全体の温度を均一にする必要があることから、図１
に示すような同心円形状のパターンや同心円形状のパタ
ーンと屈曲線形状のパターンとを組み合わせたものが好
ましい。また、抵抗発熱体１２の厚さは、１〜５０μｍ
が望ましく、その幅は、５〜２０ｍｍが好ましい。

【００３６】抵抗発熱体１２の厚さや幅を変化させるこ
とにより、その抵抗値を変化させることができるが、こ
の範囲が最も実用的だからである。抵抗発熱体１２の抵
抗値は、その厚さが薄く、また、その幅が狭くなるほど
大きくなる。

【００３７】なお、抵抗発熱体１２を内部に設けると、
加熱面１１ａと抵抗発熱体１２との距離が近くなり、表
面の温度の均一性が低下するため、抵抗発熱体１２自体
の幅を広げる必要がある。また、セラミック基板１１の
内部に抵抗発熱体１２を設けるため、窒化物セラミック
等との密着性を考慮する必要性がなくなる。

【００３８】抵抗発熱体１２は、断面が方形、楕円形、
紡錘形、蒲鉾形状のいずれでもよいが、偏平なものであ
ることが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱し
やすいため、加熱面２１ａへの熱伝搬量を多くすること
ができ、加熱面の温度分布ができにくいからである。な
お、抵抗発熱体１２は螺旋形状でもよい。

【００３９】本発明の半導体装置を構成するセラミック
基板の底面または内部に抵抗発熱体１２を形成するため
には、金属や導電性セラミックからなる導電ペーストを
用いることが好ましい。即ち、セラミック基板の表面に
抵抗発熱体を形成する場合には、通常、焼成を行って、
セラミック基板を製造した後、その表面に上記導体ペー
スト層を形成し、焼成することより、抵抗発熱体を形成
する。一方、図１、２に示したように、セラミック基板
１１の内部に抵抗発熱体１２を形成する場合には、グリ
ーンシート上に上記導電ペースト層を形成した後、グリ
ーンシートを積層、焼成することにより、内部に抵抗発
熱体１２を形成する。

【００４０】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミック粒子が含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤
などを含むものが好ましい。

【００４１】上記金属粒子や導電性セラミック粒子の材
料としては、上述したものが挙げられる。これら金属粒
子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１０
０μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸
化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しに
くくなり、抵抗値が大きくなるからである。

【００４２】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。

【００４３】上記金属粒子がリン片状物、または、球状
物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属
酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体とセラミック基
板との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくするこ
とができるため有利である。

【００４４】上記導体ペーストに使用される樹脂として
は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げら
れる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアル
コール等が挙げられる。増粘剤としては、セルロース等
が挙げられる。

【００４５】抵抗発熱体用の導体ペーストをセラミック
基板の表面に形成する際には、上記導体ペースト中に上
記金属粒子のほかに金属酸化物を添加し、上記金属粒子
および上記金属酸化物を焼結させたものとすることが好
ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼
結させることにより、セラミック基板と金属粒子とをよ
り密着させることができる。

【００４６】上記金属酸化物を混合することにより、セ
ラミック基板との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や非酸化物からなるセラミック基板
の表面は、その表面がわずかに酸化されて酸化膜が形成
されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結
して一体化し、金属粒子とセラミックとが密着するので
はないかと考えられる。また、セラミック基板を構成す
るセラミックが酸化物の場合は、当然に表面が酸化物か
らなるので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００４７】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子とセラ
ミック基板との密着性を改善することができるからであ
る。

【００４８】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが好ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特にセラミック基板
との密着性を改善することができる。

【００４９】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好
ましい。

【００５０】面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、表面に抵
抗発熱体を設けた半導体装置用セラミック基板では、そ
の発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物
の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０
ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温
度制御が難しくなり、温度分布の均一性が低下する。

【００５１】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが好ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ま
しい。

【００５２】上記金属被覆層を形成する際に使用される
金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、
具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッ
ケル等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、
２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケ
ルが好ましい。なお、抵抗発熱体をセラミック基板の内
部に形成する場合には、抵抗発熱体表面が酸化されるこ
とがないため、被覆は不要である。

【００５３】上記セラミック基板を構成するセラミック
材料は特に限定されないが、例えば、窒化物セラミッ
ク、炭化物セラミック、酸化物セラミック等が挙げられ
る。

【００５４】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。

【００５５】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００５６】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。

【００５７】上記セラミック基板は、０．０５〜１０重
量％、特に０．１〜５重量％の酸素を含有していること
が望ましい。特に、上記酸素量が０．１重量％未満であ
ると、緻密な焼結体を形成することが難しくなり、一
方、上記酸素量が５重量％を超えると熱伝導率が低下し
て昇温降温特性が低下する場合があるからである。上記
窒化物セラミックに酸素を含有させるため、通常、窒化
物セラミックの原料粉末を空気中または酸素中で加熱す
るか、原料粉末中に金属酸化物を混合して焼成を行う。
上記焼結助剤としては、例えば、アルカリ金属酸化物、
アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物等が挙げられ
る。これらの焼結助剤のなかでは、ＣａＯ、Ｙ₂ Ｏ ₃ 、
Ｎａ₂ Ｏ、Ｌｉ₂ Ｏ、Ｒｂ₂ Ｏが好ましい。これらの含
有量としては、０．１〜１０重量％が好ましい。また、
アルミナを含有していてもよい。

【００５８】上記セラミック基板の気孔率は、０または
５％以下であることが望ましい。気孔率が５％を超える
と熱伝導率が低下したり、高温で反りが発生する場合が
あるからである。また、気孔が存在しない場合は、高温
での耐電圧が極めて高くなり、逆に気孔が存在する場合
は、破壊靱性値が高くなる。このため、どららの設計に
するかは、要求特性を考慮して決定すればよい。気孔が
存在することにより破壊靱性値が高くなる理由は明確で
はないが、クラックの伸展が気孔により止められるであ
ると推定している。気孔率は、アルキメデス法により測
定することが望ましい。この方法では、焼結体を粉砕し
て比重を求め、真比重と見かけの比重とから気孔率を計
算する。

【００５９】上記セラミック基板に気孔が存在する場合
は、その最大気孔の気孔径が５０μｍ以下であることが
望ましい。最大気孔の気孔径が５０μｍを超えると高
温、特に、２００℃以上での耐電圧特性を確保すること
ができなくなる場合があるからである。最大気孔の気孔
径は１０μｍ以下であることがより望ましい。２００℃
以上での反り量が小さくなるからである。上記気孔率や
最大気孔の気孔径は、焼結時の加圧時間、圧力、温度、
ＳｉＣやＢＮなどの添加物で調整する。ＳｉＣやＢＮは
焼結を阻害するため、気孔を導入させることができる。

【００６０】最大気孔の気孔径の測定は、試料を５個用
意し、その表面を鏡面研磨し、２０００から５０００倍
の倍率で表面を電子顕微鏡で１０箇所撮影することによ
り行う。そして、撮影された写真で最大の気孔径を選
び、５０ショットの平均を最大気孔の気孔径とする。

【００６１】上記セラミック基板は、明度がＪＩＳＺ
８７２１の規定に基づく値でＮ４以下のものであるこ
とが望ましい。このような明度を有するものが輻射熱
量、隠蔽性に優れるからである。また、このようなセラ
ミック基板は、サーモビュアにより、正確な表面温度測
定が可能となる。

【００６２】ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を
０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明
度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度
となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で
表示したものである。そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ
１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点
１位は０または５とする。

【００６３】このような特性を有するセラミック基板
は、セラミック基板中にカーボンを１００〜５０００ｐ
ｐｍ含有させることにより得られる。カーボンには、非
晶質のものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボン
は、セラミック基板の高温における体積抵抗率の低下を
抑制することでき、結晶質のカーボンは、セラミック基
板の高温における熱伝導率の低下を抑制することができ
るため、その製造する基板の目的等に応じて適宜カーボ
ンの種類を選択することができる。カーボンの含有量
は、２００〜２０００ｐｐｍが好ましい。

【００６４】非晶質のカーボンとしては、例えば、Ｃ、
Ｈ、Ｏだけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空
気中で焼成することにより得ることができ、結晶質のカ
ーボンとしては、グラファイト粉末等を用いることがで
きる。また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気（窒化ガ
ス、アルゴンガス）下で熱分解させた後、加熱加圧する
ことによりカーボンを得ることができるが、このアクリ
ル系樹脂の酸価を変化させることにより、結晶性（非晶
性）の程度を調整することができる。

【００６５】本発明の半導体装置に用いられるセラミッ
ク基板は、円板形状であり、直径２００ｍｍ以上が望ま
しく、２５０ｍｍ以上が最適である。円板形状のセラミ
ック基板は、温度の均一性が要求されるが、直径の大き
な基板ほど、温度が不均一になりやすいからである。

【００６６】上記セラミック基板の厚さは、５０ｍｍ以
下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好ましい。また、１
〜５ｍｍが最適である。厚みは、薄すぎると高温での反
りが発生しやすく、厚すぎると熱容量が大きくなり過ぎ
て昇温降温特性が低下するからである。また、本発明の
半導体装置用セラミック基板の気孔率は、０または５％
以下が望ましい。高温での熱伝導率の低下、反りの発生
を抑制できるからである。

【００６７】本発明では、測温素子１８として、熱電対
を用いることができる。上記熱電対の金属線の接合部位
の大きさは、各金属線の素線径と同一か、もしくは、そ
れよりも大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このよ
うな構成によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温
度が正確に、また、迅速に電流値に変換されるのであ
る。このため、温度制御性が向上してウエハの加熱面の
温度分布が小さくなるのである。上記熱電対としては、
例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられ
るように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対
が挙げられる。

【００６８】本発明の半導体製造・検査装置の具体例と
しては、例えば、静電チャック、ウエハプローバ、サセ
プタ、ホットプレート（セラミックヒータ）等が挙げら
れる。これらの装置に用いられるセラミック基板はいず
れも、例えば、図１で説明したような構成の抵抗発熱体
を備えており、上記セラミック基板が支持容器に嵌め込
まれ、測温素子や抵抗発熱体等からの配線が制御部に接
続され、セラミック基板の温度をコントロールすること
ができるようになっており、この支持容器の内部にサー
モスタットが配設されている。

【００６９】上記ホットプレート（セラミックヒータ）
は、セラミック基板の内部に抵抗発熱体のみが設けられ
た装置であり、これにより、半導体ウエハ等の被加熱物
を所定の温度に加熱することができ、測温素子や制御装
置に何らかの故障が発生して、セラミック基板の温度が
急激に上昇しかけた場合には、サーモスタットで検知
し、電源と抵抗発熱体との間の回路を遮断することによ
り、セラミック基板の過熱を防止することが可能であ
る。

【００７０】本発明では、抵抗発熱体を備えたセラミッ
ク基板の内部に静電電極を設けることにより、静電チャ
ックとすることもできる。上記静電電極を構成する金属
としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウ
ム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが
好ましい。また、上記導電性セラミックとしては、例え
ば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられ
る。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用し
てもよい。

【００７１】図３（ａ）は、静電チャックを構成するセ
ラミック基板を模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）
は、（ａ）に示したセラミック基板のＡ−Ａ線断面図で
ある。この場合には、セラミック基板６１の内部にチャ
ック正負極静電層６２、６３が埋設され、その電極上に
セラミック誘電体膜６４が形成されている。また、セラ
ミック基板６１の内部には、抵抗発熱体６６が設けられ
ている。

【００７２】また、（ｂ）に示したように、セラミック
基板６１は、通常、平面視円形状に形成されており、セ
ラミック基板６１の内部に（ｂ）に示した半円弧状部６
２ａと櫛歯部６２ｂとからなるチャック正極静電層６２
と、同じく半円弧状部６３ａと櫛歯部６３ｂとからなる
チャック負極静電層６３とが、互いに櫛歯部６２ｂ、６
３ｂを交差するように対向して配置されている。

【００７３】このようなセラミック基板６２を備えた静
電チャックを使用する場合には、チャック正極静電層６
２とチャック負極静電層６３とにそれぞれ直流電源の＋
側と−側を接続し、直流電圧を印加する。これにより、
この静電チャック上に載置された半導体ウエハが静電的
に吸着されることになる。この静電チャックにおいて
も、測温素子や制御装置に何らかの故障が発生して、セ
ラミック基板６１の温度が急激に上昇しかけた場合に
は、サーモスタットで検知し、電源と抵抗発熱体との間
の回路を遮断することにより、セラミック基板６１の過
熱を防止することが可能である。

【００７４】図４および図５は、他の静電チャックを構
成するセラミック基板における静電電極を模式的に示し
た水平断面図であり、図４に示すセラミック基板７１で
は、その内部に半円形状のチャック正極静電層７２とチ
ャック負極静電層７３が形成されており、図５に示すセ
ラミック基板８１では、その内部に円を４分割した形状
のチャック正極静電層８２ａ、８２ｂとチャック負極静
電層８３ａ、８３ｂが形成されている。また、２枚の正
極静電層８２ａ、８２ｂおよび２枚のチャック負極静電
層８３ａ、８３ｂは、それぞれ交差するように形成され
ている。なお、円形等の電極が分割された形態の電極を
形成する場合、その分割数は特に限定されず、５分割以
上であってもよく、その形状も扇形に限定されない。

【００７５】抵抗発熱体を有するセラミック基板の表面
にチャックトップ導体層を設け、内部にガード電極やグ
ランド電極を設けた場合には、ウエハプローバとして機
能する。

【００７６】図６は、本発明のウエハプローバを構成す
るセラミック基板の一実施形態を模式的に示した断面図
であり、図７は、その平面図であり、図８は、図６に示
したセラミック基板におけるＡ−Ａ線断面図である。

【００７７】このセラミック基板３では、平面視円形状
のセラミック基板３の表面に同心円形状の溝８が形成さ
れるとともに、溝８の一部にシリコンウエハを吸引する
ための複数の吸引孔９が設けられており、溝８を含むセ
ラミック基板３の大部分にシリコンウエハの電極と接続
するためのチャックトップ導体層２が円形状に形成され
ている。

【００７８】また、セラミック基板３の内部には、スト
レイキャパシタやノイズを除去するために図８に示した
ような格子形状のガード電極６とグランド電極７とが設
けられている。なお、ガード電極６の内部に矩形状の電
極非形成部５２が形成されているのは、ガード電極６の
上下に存在するセラミック基板をしっかりと密着させる
ためである。

【００７９】さらに、セラミック基板３の内部には、シ
リコンウエハの温度をコントロールするために、図１
（ａ）に示したような平面視同心円形状の抵抗発熱体５
１が設けられており、抵抗発熱体５１の両端には、抵抗
発熱体５１と接続されたスルーホール５８が形成されて
いる。

【００８０】このような構成のセラミック基板を備えた
ウエハプローバでは、その上に集積回路が形成されたシ
リコンウエハ７載置した後、このシリコンウエハにテス
タピンを持つプローブカードを押しつけ、加熱、冷却し
ながら電圧を印加して導通テストを行うことができる。
このウエハプローバにおいても、測温素子や制御装置に
何らかの故障が発生して、セラミック基板３の温度が急
激に上昇しかけた場合には、サーモスタットで検知し、
電源と抵抗発熱体との間の回路を遮断することにより、
セラミック基板３の過熱を防止することが可能である。

【００８１】次に、本発明の半導体装置の一例であるセ
ラミックヒータの製造方法について説明する。図９
（ａ）〜（ｄ）は、セラミック基板の内部に抵抗発熱体
を有するセラミックヒータの製造方法の一部を模式的に
示した断面図である。

【００８２】（１）セラミック基板の作製工程まず、セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合して
ペーストを調製し、これを用いてグリーンシートを作製
する。上述したセラミック粉末としては、窒化アルミニ
ウム等を使用することができ、必要に応じて、イットリ
ア等の焼結助剤を加えてもよい。

【００８３】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。

【００８４】これらを混合して得られるペーストをドク
ターブレード法でシート状に成形してグリーンシート５
０を作製する。グリーンシート５０の厚さは、０．１〜
５ｍｍが好ましい。次に、得られたグリーンシート５０
に、必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支
持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対などの測温
素子を埋め込むための有底孔となる部分、抵抗発熱体を
外部の導電線と接続するためのスルーホールとなる部分
３８０等を形成する。後述するグリーンシート積層体を
形成した後に、上記加工を行ってもよい。

【００８５】なお、スルーホール３８となる部分を設け
た場合には、上記ペースト中にカーボンを加えておいた
ものを充填してもよい。グリーンシート中のカーボン
は、スルーホール中に充填されたタングステンやモリブ
デンと反応し、これらの炭化物が形成されるからであ
る。

【００８６】（２）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程グリーンシート５０上に、金属ペーストまたは導電性セ
ラミックを含む導体ペーストを印刷し、導体ペースト層
１２０を形成する。これらの導電ペースト中には、金属
粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。

【００８７】上記金属粒子であるタングステン粒子また
はモリブデン粒子等の平均粒子径は、０．１〜５μｍが
好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍ
を超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。

【００８８】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が
挙げられる。

【００８９】（３）グリーンシートの積層工程上記（１）の工程で作製した導体ペーストを印刷してい
ないグリーンシート５０を、上記（２）の工程で作製し
た導体ペースト層１２０を形成したグリーンシート５０
の上下に積層する（図９（ａ）参照）。このとき、上側
に積層するグリーンシート５０の数を下側に積層するグ
リーンシート５０の数よりも多くして、抵抗発熱体１２
の形成位置を底面の方向に偏芯させる。具体的には、上
側のグリーンシート５０の積層数は２０〜５０枚が、下
側のグリーンシート５０の積層数は５〜２０枚が好まし
い。

【００９０】（４）グリーンシート積層体の焼成工程グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシ
ート５０および内部の導体ペーストを焼結させる（図９
（ｂ）参照）。加熱温度は、１０００〜２０００℃が好
ましく、加圧の圧力は、１００〜２００ｋｇ／ｃｍ² が
好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性
ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用する
ことができる。

【００９１】得られたセラミック基板３１に、測温素子
を挿入するための有底孔（図示せず）や、ワッシャーを
挿入するための袋孔３７等を設ける（図９（ｃ）参
照）。有底孔および袋孔３７は、表面研磨後に、ドリル
加工やサンドブラストなどのブラスト処理を行うことに
より形成することができる。

【００９２】次に、作製した袋孔３７の内部に金ろうペ
ーストを塗布し、ワッシャー２４を嵌め込んだ後、導電
線１３をワッシャー２４の中心孔に挿入し、金ろうペー
ストをリフローさせることによりろう付けを行って、抵
抗発熱体１２と導電線１３とを接続する（図９（ｄ）参
照）。なお、加熱温度は、９００〜１１００℃が好適で
ある。

【００９３】さらに、ワッシャー２４の露出部と導電線
１３の少なくとも一部とにＮｉ−Ｂメッキ層（図示せ
ず）を形成し、測温素子としての熱電対などを有底孔に
耐熱性樹脂で封止し、抵抗発熱体１２を有するセラミッ
ク基板３１を製造する。この後、このセラミック基板３
１を図１、２に示した支持容器２２に嵌め込み、配線等
を行うことにより、セラミックヒータを製造する。

【００９４】上記セラミック基板を製造する際に、セラ
ミック基板の内部に静電電極を設けることにより静電チ
ャック用のセラミック基板とすることができ、また、加
熱面にチャックトップ導体層を設け、セラミック基板の
内部にガード電極やグランド電極を設けることによりウ
エハプローバ用のセラミック基板とすることができ、こ
のようなセラミック基板を静電チャック用の支持容器や
ウエハプローバ用の支持容器に嵌め込むことにより、静
電チャックやウエハプローバを作製することができる。

【００９５】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１）セラミックヒータ１０の製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒
径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒
径：０．４μｍ）４重量部、アクリル系樹脂バインダ１
１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノー
ルとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合
したペーストを用い、ドクターブレード法により成形を
行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを作製し
た。

【００９６】（２）次に、このグリーンシートを８０℃
で５時間乾燥させた後、図１に示すようなシリコンウエ
ハを支持する支持ピンを挿入するための貫通孔１５とな
る部分、および、スルーホール３８となる部分をパンチ
ングにより形成した。

【００９７】（３）平均粒子径１μｍのタングステンカ
ーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０
重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分
散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製し
た。

【００９８】平均粒子径３μｍのタングステン粒子１０
０重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テル
ピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部
を混合して導体ペーストＢを調製した。この導体ペース
トＡをグリーンシート５０上にスクリーン印刷で印刷
し、抵抗発熱体用の導体ペースト層を形成した。印刷パ
ターンは、図１に示したような同心円パターンとし、導
体ペースト層の幅を１０ｍｍ、その厚さを１２μｍとし
た。

【００９９】上記処理の終わったグリーンシートに、導
体ペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加熱
面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃ
ｍ² の圧力で積層した。なお、グリーンシートの金属層
を形成する部分には、図２（ｂ）に示した３個の円形状
の貫通孔をお互いが接するように形成し、導体ペースト
Ｂを充填した。

【０１００】（４）次に、得られた積層体を窒素ガス
中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０
ｋｇ／ｃｍ² で１０時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの
窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円
板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの抵抗
発熱体１２を有するセラミック基板１１とした。

【０１０１】（５）次に、（４）で得られたセラミック
基板１１を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを
載置し、ガラスビーズによるブラスト処理で表面に熱電
対のための有底孔１４を設けた。

【０１０２】（６）さらに、円形の金属層（図示せず）
が３個集合した部分の中央にザグリ加工で直径５．２ｍ
ｍ、深さ０．５ｍｍの袋孔２３を形成し、この袋孔２３
にタングステンからなるワッシャー１７を嵌め込んだ
後、ワッシャー１７の中心孔に導電線１６を挿入し、Ｎ
ｉ−Ａｕ合金（Ａｕ：８２重量％、Ｎｉ：１８重量％）
からなる金ろうを用い、１０３０℃で加熱、リフローし
て、ニッケル製の導電線１６を抵抗発熱体１２の端部と
接続した。

【０１０３】（７）次に、ワッシャー１７、金属層の露
出部および導電線１６の一部にＮｉメッキ層を形成し
た。そして、温度制御のための複数の測温素子１８（熱
電対）を有底孔１４に埋め込んで充填材を充填し、セラ
ミックヒータ１０用のセラミック基板１１の製造を完了
した。（８）この後、得られたセラミック基板１１を金属製の
支持容器２２に嵌め込み、サーモスタット２０が配設さ
れた遮熱板２４を取り付けるとともに、熱電対からの配
線１９ｂや導電線１６の配線作業を行い、図１、２に示
したような構成のセラミックヒータ１０の製造を完了し
た。なお、本実施例では、電源とそれを制御する制御部
とが一体となった温調器（オムロン製Ｅ５ＺＥ）を使
用した。

【０１０４】このセラミックヒータ１０について、制御
部２５によるセラミック基板１１の温度の制御を行わ
ず、一定速度で昇温させたところ、セラミック基板が４
８０℃の温度になったときに、サーモスタット２０が作
動し、リレー２８の回路が開いて、抵抗発熱体１２と電
源部２６との間の回路が遮断された。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体製造
・検査装置によれば、セラミック基板の近傍にサーモス
タットが配設されているので、上記測温素子や制御装置
に何らかの故障が発生して、セラミック基板の温度が急
激に上昇しかけた場合においても、電源と抵抗発熱体と
の間の回路を遮断することにより、セラミック基板の過
熱を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックヒータを模式的に示す平面
図である。

【図２】図１に示したセラミックヒータの断面図であ
る。

【図３】（ａ）は、本発明の静電チャックを構成するセ
ラミック基板を模式的に示した縦断面図であり、（ｂ）
は、（ａ）に示した静電チャックのＡ−Ａ線断面図であ
る。

【図４】本発明の静電チャックを構成するセラミック基
板に埋設されている静電電極を模式的に示す水平断面図
である。

【図５】本発明の静電チャックを構成するセラミック基
板に埋設されている静電電極の別の一例を模式的に示す
水平断面図である。

【図６】本発明のウエハプローバを構成するセラミック
基板を模式的に示す断面図である。

【図７】図６に示したセラミック基板を模式的に示す平
面図である。

【図８】図６に示したセラミック基板におけるＡ−Ａ線
断面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のセラミックヒータ
を構成するセラミック基板の製造方法を模式的に示す断
面図である。

【図１０】サーモスタットとリレーと電源とを含む回路
の一例を示す回路図である。

【図１１】本発明の半導体・製造検査装置を構成するサ
ーモスタットの一例を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

３、１１、３１、５１、６１、７１、８１セラミック
基板６ガード電極７グランド電極８溝９吸引孔１０セラミックヒータ１２、５１、６６抵抗発熱体１２ａ抵抗発熱体端部１４有底孔１５貫通孔１６導電線１７ワッシャー１８測温素子１９シリコンウエハ２１断熱リング２２支持容器２３袋孔２４遮熱板２５制御部２６電源部２７冷媒導入管６２、７２、８２ａ、８２ｂチャック正極静電層６３、７３、８３ａ、８３ｂチャック負極静電層６２ａ、６３ａ半円弧状部６２ｂ、６３ｂ櫛歯部６４セラミック誘電体膜１１０サーモスタット１１１バイメタル１１２ピン１１２ａ接触部１１３バネ１１４固定片

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１または２以上の回路からなる抵抗発熱
体が設けられたセラミック基板と、前記セラミック基板
の温度を測定する測温手段と、前記測温手段により検知
された温度に基づいて前記抵抗発熱体へ投入する電力を
制御する制御部と、前記抵抗発熱体へ投入する電力を供
給する電源と、前記抵抗発熱体へ投入する電力を遮断す
るサーモスタットとを備えてなることを特徴とする半導
体製造・検査装置。
【請求項２】前記サーモスタットは、セラミック基板
から一定距離離間して配設されてなる請求項１に記載の
半導体製造・検査装置。
【請求項３】前記サーモスタットは、セラミック基板
の底面から０．１〜５ｍｍ離間して配設されてなる請求
項１に記載の半導体製造・検査装置。
【請求項４】前記サーモスタットは、リレーを介して
抵抗発熱体へ投入される電力を遮断する請求項１〜３の
いずれか１に記載の半導体製造・検査装置。
【請求項５】前記セラミック基板は、支持容器により
支持されてなり、前記支持容器の底部、前記支持容器の
壁面、前記支持容器に配設された板状体のいずれかにサ
ーモスタットが配設されてなる請求項１〜４のいずれか
１に記載の半導体製造・検査装置。