JP2002064133A

JP2002064133A - 支持容器および半導体製造・検査装置

Info

Publication number: JP2002064133A
Application number: JP2000292837A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松; Yasutaka Ito; 康隆伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-03-30
Filing date: 2000-09-26
Publication date: 2002-02-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】高速降温を実現することができる半導体製造
・検査装置に用いられるホットプレートユニットとして
の支持容器を提供すること。【解決手段】抵抗発熱体４２を有するセラミック基板
４１を支持する支持容器１０であって、遮熱板として機
能する板状体１６を具備し、板状体１６に複数の冷却冷
媒用の開口１６ａが形成されている。板状体の投影面積
ＳＡおよび板状体に設けられた開口の合計面積Ｓが、
０．０３≦Ｓ／ＳＡの関係である。支持容器の重量Ｍ
（ｋｇ）とセラミック基盤の直径Ｌ（ｍｍ）が、Ｍ≦Ｌ
／２００の関係である。支持容器と付属部品の総重量Ｔ
Ｍ（ｋｇ）とセラミック基盤の直径Ｌ（ｍｍ）が、ＴＭ
≦３（Ｌ／２００）^２の関係である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に、半導体の製
造用や検査用の装置として用いられるホットプレート
（セラミックヒータ）、静電チャック、ウエハプローバ
などを構成する支持容器およびこれを用いた半導体製造
・検査装置に関し、特には、冷却速度が速い半導体製造
・検査装置を構成する支持容器および半導体製造・検査
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製品は、種々の産業において必要
とされる極めて重要な製品であり、その代表的製品であ
る半導体チップは、例えば、シリコン単結晶を所定の厚
さにスライスしてシリコンウエハを作製した後、このシ
リコンウエハ上に種々の回路等を形成することにより製
造される。

【０００３】この種の回路等を形成するには、シリコン
ウエハ上に、感光性樹脂を塗布し、これを露光、現像処
理した後、ポストキュアさせたり、スパッタリングによ
り導体層を形成する工程が必要である。このためには、
シリコンウエハを加熱する必要がある。

【０００４】かかるシリコンウエハを加熱するためのヒ
ータとして、従来から、アルミニウム製の基板の裏側に
電気的抵抗体等の抵抗発熱体を備えたものが多用されて
いたが、アルミニウム製の基板は、厚さ１５ｍｍ程度を
要するので、重量が大きくなり、また、嵩張るために取
扱いが容易ではなく、さらに、通電電流に対する温度追
従性という観点でも温度制御性が不充分であり、シリコ
ンウエハを均一に加熱することは容易ではなかった。

【０００５】そこで、最近では、窒化アルミニウム等の
セラミックを基板として用いたセラミックヒータが開発
されている。これらのヒータでは、曲げ強度等の機械的
特性に優れるため、その厚さを薄くすることができ、ま
た、熱容量を小さくすることができるため、温度追従性
等の諸特性に優れる。

【０００６】ところで、近年の半導体製品の製造におい
ては、スループットに要する時間の短縮化が要求されて
おり、昇温時間のみならず、冷却時間の短縮化の強い要
請がある。そこで、半導体製造・検査装置では、通常、
ヒータとして機能するセラミック基板を支持容器に設置
してホットプレートユニットとし、このホットプレート
ユニットの冷却を行う際には、冷却機構を用い、例え
ば、支持容器に強制冷却用の冷媒を供給して、上記セラ
ミック基板を強制冷却する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た構成のホットプレートユニット（半導体製造・検査装
置）では、支持容器に強制冷却用の冷媒を供給しても、
底板あるいは遮熱板からの輻射熱のためセラミック基板
の温度が充分に下がらないという問題があった。

【０００８】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたもので、抵抗発熱体を有するセラミック基板
の冷却速度を向上させる支持容器と該支持容器を用いた
半導体製造・検査装置とを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第一の本発明は、セラミ
ック基板を支持する支持容器であって、底板あるいは遮
熱板として機能する板状体を具備し、該板状体に複数の
開口が形成されていることを特徴とする支持容器であ
る。

【００１０】第二の本発明は、セラミック基板を支持す
る支持容器であって、略円筒形状の外枠部および板状体
を具備し、上記板状体には複数の開口が形成されている
ことを特徴とする支持容器である。このような支持容器
を用いた半導体製造・検査装置も本発明の一つである。

【００１１】このように、第一および第二の本発明に係
る支持容器では、底板あるいは遮熱板として機能する板
状体に開口を複数形成し、板状体の熱容量を小さくする
とともに、冷却媒体を排出しやすくすることで、冷却速
度を向上させることを可能にしている。

【００１２】なお、本発明でいう遮熱板とは機能的な表
現であり、板状体は、他に遮熱板が存在しない限り、基
本的に遮熱板として機能する。例えば、底板とセラミッ
ク基板との間に１００％熱を遮断する遮熱板があれば、
底板は遮熱板と言えず底板と呼ぶことになるが、通常、
１００％遮熱することは少ないため、底板も遮熱板とし
て機能する。また、中底板は、外枠部の内部であって、
底部以外に設けられた場合を指し、底板の存在を前提と
するわけではない。さらに、底板は、外枠部の底部に形
成された場合を指す。

【００１３】上記板状体は、底板であってもよく、中底
板であってもよい。また、底板と中底板の両方であって
もよい。また、第一の本発明の支持容器は、外枠部を備
えていることを条件とするものではないので、例えば、
板状体に他の部材を介してセラミック基板が固定されて
いてもよいが、外枠部を具備するものであってもよい。
また、本発明の半導体製造・検査装置は、このような第
一および第二の本発明の支持容器の外枠部にセラミック
基板が支持固定されたものであってもよい。

【００１４】第二の本発明の支持容器においては、上記
板状体は、上記略円筒形状の外枠部に連結固定されてい
ることが望ましい。支持容器全体の強度の確保と形態安
定性が向上するからである。

【００１５】上記外枠部の内側には、断熱リングを介し
て嵌め込まれたセラミック基板を支持する円環形状の基
板受け部を有することが望ましい。セラミック基板と外
枠部との断熱を確保しつつ、セラミック基板の保持安定
性を向上させるためである。

【００１６】上記板状体の投影面積ＳＡおよび上記板状
体に設けられた開口の合計面積Ｓの関係は、０．０３≦
Ｓ／ＳＡであることが望ましく、０．１≦Ｓ／ＳＡであ
ることがより望ましい。開口の合計面積の割合を３％以
上とすることで、板状体の熱容量を小さくすることがで
き、しかも、セラミック基板と熱交換した冷却媒体が排
出しやすくなり、冷却速度を向上させることができるか
らである。

【００１７】さらに、上記開口は、直径の異なる２種類
以上の開口の混成であることが望ましい。相対的に大き
な直径の開口と小さな直径の開口とを組み合わせること
で、板状体の歪みを小さくすることができるからであ
る。板状体が歪むと支持容器全体が歪み、セラミック基
板の表面の平坦性を低下させ、半導体ウエハの均一加熱
を阻害してしまう。また、遮熱板として使用する板状体
が歪んだ場合は、熱が均一に反射されず、セラミック基
板の加熱面温度を不均一にし、半導体ウエハの均一加熱
を阻害する。

【００１８】上記冷却媒体は、上記板状体に設けた冷却
媒体供給口から供給される。上記冷却媒体は、液体、気
体のどちらであってもよいが、抵抗発熱体の短絡を防止
する観点から気体であることが望ましい。気体として
は、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、フロンなどの
不活性気体、空気などが挙げられる。また、液体として
は、例えば、水、エチレングリコールなどが挙げられ
る。

【００１９】第三の本発明は、セラミック基板を支持す
る支持容器であって、底板あるいは遮熱板として機能す
る板状体を具備し、上記支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）およ
びセラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、Ｍ≦Ｌ／
２００であることを特徴とする支持容器である。第四の
本発明は、セラミック基板を支持する支持容器であっ
て、底板あるいは遮熱板として機能する板状体とともに
付属部品を具備し、上記支持容器と付属部品との総重量
ＴＭ（ｋｇ）およびセラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の
関係は、ＴＭ≦３（Ｌ／２００）² であることを特徴と
する支持容器である。

【００２０】第五の本発明は、セラミック基板を支持す
る支持容器であって、略円筒形状の外枠部および板状体
を具備し、上記支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）およびセラミ
ック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、Ｍ≦Ｌ／２００で
あることを特徴とする支持容器である。第六の本発明
は、セラミック基板を支持する支持容器であって、略円
筒形状の外枠部、板状体および付属部品を具備し、上記
支持容器と付属部品との総重量ＴＭ（ｋｇ）およびセラ
ミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、ＴＭ≦３（Ｌ／
２００）² であることを特徴とする支持容器である。な
お、上記第三〜第六の本発明に係る支持容器を用いた半
導体製造・検査装置も本発明の一つである。

【００２１】第三および第五の本発明では、支持容器の
重量Ｍ（ｋｇ）と、セラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）と
の間で、Ｍ≦Ｌ／２００の関係式を満たすように、支持
容器の重量Ｍとセラミック基板の直径Ｌとを設定してい
る。

【００２２】このように両者を設定したのは、支持容器
の重量が小さいほど熱容量が小さく、速く冷却させるこ
とができ、支持容器からの輻射熱を低減させることが可
能となり、セラミック基板の冷却が阻害されることがな
いからである。また、セラミック基板の直径が大きくな
ると支持容器も大きくなるため、重量の上限もそれに伴
い大きくなる。このため、支持容器の重量Ｍの上限を、
セラミック基板の直径の関数となるように設定している
のである。

【００２３】なお、第三および第四の本発明の支持容器
は、外枠部を備えていることを条件とするものではない
ので、例えば、板状体に他の部材を介してセラミック基
板が固定されていてもよいが、外枠部を具備するもので
あってもよい。また、第三〜第六の本発明に係る半導体
製造・検査装置は、上記支持容器の外枠部にセラミック
基板が支持固定されたものであってもよい。

【００２４】また、第四および第六の本発明では、外枠
部または外枠部と板状体とともに付属部品を具備してお
り、上記支持容器と付属部品との総重量ＴＭ（ｋｇ）お
よびセラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、ＴＭ≦
３（Ｌ／２００）² である。このように両者を設定した
のは、支持容器と付属部品との総重量が小さいほど、や
はり熱容量が小さくなり、速く冷却させることができ、
支持容器からの輻射熱を低減させることが可能となり、
セラミック基板の冷却が阻害されることがないからであ
る。また、セラミック基板の直径が大きくなると支持容
器も大きくなるため、重量の上限もそれに伴い大きくな
る。このため、支持容器と付属部品との総重量ＴＭの上
限を、セラミック基板の直径の関数となるように設定し
ているのである。

【００２５】ここで、上記支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）と
は、略円筒形状の外枠部および板状体の総重量を指し、
支持容器および付属部品の総重量ＴＭ（ｋｇ）とは、略
円筒形状の外枠部および板状体の合計重量に加えて、冷
却媒体供給ポート、冷却媒体排気ポート、冷却媒体吸引
ポート、スリーブ、断熱リング、電源制御部品（サーモ
スタット等）から選ばれる１種以上の付属部品の合計重
量である。なお、これらの付属部品を全て具備する必要
はなく、具備した場合にその分を重量に加算するのであ
る。

【００２６】また、支持容器および付属部品の総重量が
問題となるのは、セラミック基板の加熱面の温度が急激
に低下した際に、これを元の温度に戻すまでに要する時
間（リカバリー時間）を短くしなければならない場合で
ある。また、昇温した場合に、設定温度から一時的に上
方に外れることがあり（オーバーシュート）、このオー
バーシュートをできるだけ小さくしなればならない。冷
却時間は、支持容器の外郭（底板あるいは中底板などの
板状体と外枠部）だけでほぼ決まるが、オーバーシュー
ト温度やリカバリー時間の制御まで行う場合は、付属部
品の重量まで考慮して制御する必要がある。そこで、支
持容器と付属部品との総重量ＴＭ（ｋｇ）およびセラミ
ック基板の直径の関係を、上記のように規定したもので
ある。

【００２７】上記板状体は、上記略円筒形状の外枠部に
連結固定されていることが望ましい。支持容器全体の強
度の確保と形態安定性が向上するからである。

【００２８】また、上記支持容器の重量を軽減する方法
としては、板状体に開口を設けるか、上記支持容器を構
成する各部材の厚さを、０．１〜５ｍｍにする方法を採
用することができる。支持容器の厚さが５ｍｍを超える
と、熱容量が大きくなり過ぎる。

【００２９】このように、第一および第二の本発明で
は、支持容器を構成する板状体に開口を複数形成し、第
三〜第六の本発明では、支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）また
は支持容器と付属部品の総重量ＴＭと、セラミック基板
の直径Ｌ（ｍｍ）との間で、Ｍ≦Ｌ／２００またはＴＭ
≦３（Ｌ／２００）² の関係式を満たすように、支持容
器の重量Ｍとセラミック基板の直径Ｌとを設定してい
る。上記のように支持容器を規定しているのは、いずれ
も半導体製造・検査装置の降温速度を速めるためであ
り、上記したいずれの発明においても、板状体に開口が
形成されており、支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）または支持
容器と付属部品の総重量ＴＭとの関係が上記関係式を満
たすことが望ましい。また、第一、第三および第四の本
発明に係る支持容器は、外枠部を具備していないが、上
述したように、これらの支持容器は、外枠部を具備して
いることが望ましい。また、上記したいずれの発明にお
いても、その他の構成については、略同様である。従っ
て、以下においては、上記した六つの発明およびこれら
の発明に係る支持容器を用いた半導体製造・検査装置を
まとめ、一つの発明として説明することにする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態に則して
本発明を説明するが、本発明は、この実施形態に限定さ
れることなく、本発明の効果を損なわない範囲で改変で
きることはいうまでもない。

【００３１】図１（ａ）は、本発明の半導体製造・検査
装置の一例であるホットプレートを模式的に示す縦断面
図であり、（ｂ）は、遮熱部材（遮熱板）の底部を示す
斜視図である。また、図２は、図１に示した半導体製造
・検査装置の平面図である。

【００３２】このホットプレート４０は、例えば、図１
に示したように、セラミック基板４１と支持容器１０と
からなり、円板形状のセラミック基板４１の表面（底
面）に、複数の平面視同心円形状の抵抗発熱体４２が形
成されるとともに、有底孔４４、貫通孔４５等が形成さ
れている。そして、この有底孔４４には、セラミック基
板４１の温度を測定するために、リード線４６が接続さ
れた測温素子４７が埋め込まれている。

【００３３】また、セラミック基板４１は、断面視Ｌ字
型の断熱リング１５を介して略円筒形状の支持容器１０
の上部に嵌め込まれている。この支持容器１０には、略
円筒形状の外枠部１１の内側に、セラミック基板４１と
断熱リング１５とを支持する円環形状の基板受け部１３
が設けられている。断熱リング１５およびセラミック基
板４１は、基板受け部１３とボルト１８を介した固定金
具１７とで固定されている。すなわち、ボルト１８には
固定金具１７が取り付けられ、セラミック基板４１等を
押しつけて固定している。

【００３４】さらに、外枠部１１には、複数の開口１６
ａを有する放熱防止用の遮熱部材（遮熱板）１６が連結
固定されてもよい。遮熱部材（遮熱板）１６は、ボルト
等を介して固定してもよく、外枠部１１と一体成形して
もよく、あるいは溶接などで固定してもよい。また、外
枠部１１は、断熱リングより構成されていてもよい。な
お、図１に示したように、遮熱板１６は、必ずしも板状
体でなく、板状体と円筒部材とが一体化した有底円筒状
形状の部材であってもよい。なお、この支持容器１０の
下部には制御機器や電源等を収めた制御装置が存在して
おり、導電線４８およびリード線４６が、制御装置内の
制御機器に接続されている。

【００３５】通常、精密機器類は高温に弱いため、ホッ
トプレート４０を使用する際、セラミック基板４１から
の放射熱を遮蔽し、精密機器類等が収められた制御装置
を保護する必要がある。そのため、上記制御装置とセラ
ミック基板４１との間には、遮熱板１６が設けられてい
る。さらに、必要に応じ、制御装置とホットプレート４
０との間には放熱フィンが介装されることもある。

【００３６】この際、このような構成のホットプレート
を用いることにより、セラミック基板４１の温度等を、
精度よく制御することができ、シリコンウエハＷを目的
とする温度に均一に加熱することができるとともに、上
記制御装置もホットプレート４０の熱から保護され、正
常な動作が可能となる。

【００３７】本実施形態では、外枠部１１、遮熱板１６
は、金属、具体的にはステンレス、アルミニウム、銅、
スチール、ニッケル、貴金属から選ばれる少なくとも１
種以上の金属で構成されていることが望ましい。金属は
熱伝導率が高く、比熱が低いため冷却しやすく、輻射熱
によりセラミック基板４１の冷却を阻害しないからであ
る。

【００３８】本発明では、支持容器１０を構成する部材
（外枠部１１、遮熱板１６）の厚さは、０．１〜５ｍｍ
が好ましい。０．１ｍｍ未満では、強度に乏しく、５ｍ
ｍを超えると熱容量が大きくなるからである。

【００３９】外枠部１１、遮熱板１６合計重量、即ち支
持容器１０の重量Ｍ（ｋｇ）は、セラミック基板４１の
直径Ｌ（ｍｍ）の関数で、Ｍ≦Ｌ／２００である。Ｍが
Ｌ／２００を超えると、熱容量が大きくなり、外枠部１
１、遮熱板１６から輻射熱が発生してしまい、セラミッ
ク基板４１に照り返しが発生し、セラミック基板４１の
温度低下を阻害する。

【００４０】ここで、セラミック基板４１の冷却時間
は、外枠部１１と遮熱板１６との重量Ｍで略決まるもの
である。これは、冷媒供給管（冷却媒体供給口）１９、
ボルト１８、固定金具１７等の付属部品は、冷媒により
急速冷却されてしまい、また、断熱リング１５は蓄熱し
にくいものであるため、これらの重量が大きくても冷却
時間には影響が少なく、その熱容量を略無視することが
できるからである。

【００４１】しかしながら、外枠部１１、遮熱板１６の
重量Ｍに上記付属部品の重量を加えた総重量ＴＭ（ｋ
ｇ）は、セラミック基板４１の直径Ｌ（ｍｍ）の関数
で、ＴＭ≦３（Ｌ／２００）² であることが望ましい。
ＴＭが３（Ｌ／２００）² を超えると、断熱リング（断
熱材）１５や上記付属部品からの輻射熱が無視できなく
なり、測温素子が正確に温度測定できなくなり、リカバ
リー時間が長くなったり、オーバーシュート温度が高く
なり過ぎてしまう場合がある。

【００４２】すなわち、セラミック基板４１の直径Ｌが
８インチ（Ｌ＝２００ｍｍ）では、Ｍ＝１ｋｇ、ＴＭ＝
３ｋｇが上限であり、Ｌが１２インチ（Ｌ＝３００ｍ
ｍ）では、Ｍは、１．５ｋｇ、ＴＭは、６．７５ｋｇが
上限である。

【００４３】遮熱板１６の投影面積ＳＡ（即ち、開口１
６ａがなかったとした場合の底部の面積）および上記板
状体に設けられた開口１６ａの合計面積Ｓの関係は、
０．０３≦Ｓ／ＳＡである。開口面積の合計が３％未満
では、セラミック基板４１と接触して熱交換した冷却媒
体を排出しにくくなり、また、遮熱板の熱容量も大きく
なるからである。

【００４４】１つの開口１６ａの直径（楕円や方形の場
合は平均直径または１辺の長さ）は、１〜５０ｍｍが望
ましい。開口１６ａの直径が１ｍｍ未満では、冷却媒体
を排出しにくく、５０ｍｍを超えると遮熱板として機能
することができないからである。開口１６ａは、図１
（ｂ）に示すように遮熱板１６に均等に配置しておくこ
とが望ましい。

【００４５】また、開口１６ａは、直径の異なるもの
（例えば、３０ｍｍ、１０ｍｍ、８ｍｍ）であることが
望ましい。開口１６ａに伴う遮熱板１６の歪みを最小限
度に抑えることができるからである。開口１６ａが大き
なものばかりであると、遮熱板１６の剛性が低下し、歪
んでしまうが、大きな開口と小さな開口とを共存させる
ことで遮熱板１６の剛性低下を防止し、歪みを最小限度
にすることができる。なお、遮熱板１６が歪むと熱が均
一に反射されないため、セラミック基板４１に熱分布が
発生してシリコンウエハの均一加熱を実現できないと考
えられる。

【００４６】本発明の半導体製造・検査装置（ホットプ
レート）では、上記したように底面に抵抗発熱体４２が
設けられているが、これらの抵抗発熱体端部４２ａに
は、外部端子４３が半田層を介して接続され、この外部
端子４３に導電線４８を有するソケット４９が取り付け
られている。また、セラミック基板４１の中央に近い部
分には、リフターピン（図示せず）を挿入するための貫
通孔４５が形成されるとともに貫通孔４５と連通するガ
イド管１２が遮熱板１６に設置されている。

【００４７】支持容器１０は、略円筒形状の外枠部１１
と、外枠部１１の内側に設けられた円環形状の基板受け
部１３とから構成され、これらは一体に形成されてい
る。また、外枠部１１の底面には、有底円筒形状の遮熱
部材（遮熱板１６）が設置されている。そして、基板受
け部１３は、断熱リング１５を介して嵌め込まれたセラ
ミック基板４１を支持している。

【００４８】また、遮熱板１６には、冷媒供給管１９が
設けられており、セラミック基板４１を冷却する際に、
冷却エアー等の冷却媒体を導入することができるように
なっており、さらに、冷却エアーを排出するための開孔
１６ａが多数設けられている。従って、セラミック基板
４１を加熱した後、冷却媒体を冷媒供給管１９より供給
し、開口１６ａより排出させながら、セラミック基板４
１を冷却することにより、セラミック基板４１を迅速に
冷却することができる。

【００４９】断熱リング１５は、ポリイミド樹脂、フッ
素樹脂、ベンゾイミダゾール樹脂から選ばれる少なくと
も１種以上の樹脂、あるいは繊維補強した樹脂で構成さ
れていることが望ましい。繊維補強した樹脂としては、
ガラス繊維のファイバーが分散した樹脂などを挙げるこ
とができる。繊維補強樹脂は、昇温しても軟化してセラ
ミック基板が傾かないため、シリコンウエハを加熱面か
ら保持して加熱する場合に、離間距離を精度よく確保で
きる。

【００５０】本発明の半導体製造・検査装置（ホットプ
レート）を作動させると、抵抗発熱体４２は発熱し、セ
ラミック基板４１は昇温するが、セラミック基板４１の
内部に埋設された測温素子４７により、セラミック基板
４１の温度が測定され、測定データがリード線４６を通
じて制御機器にインプットされ、印加電圧（電流）量が
制御されるので、セラミック基板４１の温度は一定値に
コントロールされる。

【００５１】図３（ａ）は、別の実施形態に係るホット
プレートを示した断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示
した遮熱板を模式的に示した斜視図であるが、このホッ
トプレート３０に示すように、支持容器２０の下部に、
放熱フィン２２ｄを取り付けた円筒部２２が延設されて
いてもよい。このように放熱フィン２２ｄを設けること
により、ホットプレート３０をより迅速に冷却すること
ができる。なお、この場合の総重量ＴＭは、放熱フィン
２２ｄを含めた外枠部２１と底板（遮熱板２６）、冷媒
供給ポート１９、スリーブ（ガイド管１２）、断熱リン
グ１５の合計重量となる。

【００５２】また、図３に示した装置では、支持容器２
０の下部に設けられた円筒部２２の外径は、丁度放熱フ
ィンに嵌め込むことができる大きさとなっているので、
制御機器や電源が収納された制御装置上に放熱フィン２
２ｄを介してホットプレート３０を据えつけることがで
きる。そして、放熱フィン２２ｄの働きにより、下部の
制御装置が高温にならず、常温に近い温度に保たれる。
なお、図３に示したホットプレート３０の構成について
は、後で詳しく説明する。

【００５３】図１１（ａ）は、その内部に中底板（遮熱
板）を有するホットプレートを模式的に示した断面図で
あり、（ｂ）は、（ａ）に示した中底板を模式的に示す
斜視図である。

【００５４】このホットプレート１１０は、支持容器１
０の内部に中底板１１６を備えているほかは、図１に示
したホットプレート４０と同様の構成をしている。

【００５５】中底板１１６は、コバールなどの金属板バ
ネ１１２で外枠部１１と非接触で支持されており、金属
板バネ１１２は遮熱板（底板）１６にネジで固定されて
いる。このようにして支持された中底板１１６は、熱膨
張で外枠部１１に接触して外枠部１１を歪ませることが
ない。

【００５６】また、中底板１１６は、遮熱板として機能
する。中底板１１６には、複数の開口１１７が形成され
ており、開口１１７は、熱交換した冷媒を排気させる役
割を果たすとともに、中底板１１６の熱容量を低減させ
る役割も果している。

【００５７】開口１１７は、図示したように、直径の異
なるもの（例えば、３０ｍｍ、１０ｍｍ、８ｍｍ）であ
ることが望ましい。開口１１７を大きなものばかりにす
ると、中底板１１６の剛性が低下し、歪んでしまうが、
大きな開口と小さな開口とを共存させることで中底板１
１６の剛性低下を防止して歪みを最小限度にすることが
できる。なお、中底板１１６が歪むと熱が均一に反射さ
れないため、セラミック基板４１に熱分布が発生してシ
リコンウエハの均一加熱を実現できないと考えられる。

【００５８】なお、このホットプレート１１０では、総
重量ＴＭは、外枠部１１、遮熱板（底板）１６、冷媒供
給管（冷媒供給ポート）１９、スリーブ（ガイド管１
２）、断熱リング１５、中底板１１６および金属板バネ
１１２の合計重量となる。

【００５９】図１２（ａ）は、底板にサーモスタット、
冷媒排気管（冷媒排気ポート）および冷媒供給管（冷媒
供給ポート）を兼ね備えたホットプレートを模式的に示
した断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した底板を模
式的に示した斜視図であり、（ｃ）は、サーモスタット
を開口中に固定する様子を示した説明図である。

【００６０】このホットプレート１２０は、遮熱板１６
に形成された開口１６ａ中にサーモスタット１２１、お
よび、遮熱板１６に冷媒排気管（冷媒排気ポート）１２
４が形成されているほかは、図１に示したホットプレー
ト４０とほぼ同様に構成されている。

【００６１】図１２（ｃ）に示した通り、サーモスタッ
ト１２１は、支持板１２２上に配設され、サーモスタッ
ト１２１を配設した支持板１２２が遮熱板（底板）１６
の開口部分にネジ１２３でネジ止めされて固定されてい
る。

【００６２】このようなホットプレート１２０では、遮
熱板（底板）１６にサーモスタット１２１が配設されて
いるため、測温素子４７や制御装置に何らかの故障が発
生して、セラミック基板４１の温度が急激に昇温しかけ
た場合においても、電源と抵抗発熱体４２との間の回路
を遮断することにより、セラミック基板４１の過熱を防
止することができる。

【００６３】なお、このホットプレート１２０では、総
重量ＴＭは、外枠部１１、遮熱板（底板）１６、冷媒供
給管（冷媒供給ポート）１９、冷媒排気管（冷媒排気ポ
ート）、スリーブ（ガイド管１２）、断熱リング１５お
よびサーモスタット１２１の合計重量となる。

【００６４】ホットプレート等の本発明の半導体製造・
検査装置において、セラミック基板に埋設される抵抗発
熱体は、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、タング
ステン、モリブデン、ニッケル等の金属、または、タン
グステン、モリブデンの炭化物等の導電性セラミックか
らなるものであることが望ましい。抵抗値を高くするこ
とが可能となり、断線等を防止する目的で厚み自体を厚
くすることができるとともに、酸化しにくく、熱伝導率
が低下しにくいからである。これらは、単独で用いても
よく、２種以上を併用してもよい。

【００６５】また、抵抗発熱体は、セラミック基板全体
の温度を均一にする必要があることから、図２に示すよ
うな同心円形状のパターンや同心円形状のパターンと屈
曲線形状のパターンとを組み合わせたものが好ましい。
また、抵抗発熱体の厚さは、１〜５０μｍが望ましく、
その幅は、５〜２０ｍｍが好ましい。

【００６６】抵抗発熱体の厚さや幅を変化させることに
より、その抵抗値を変化させることができるが、この範
囲か最も実用的だからである。抵抗発熱体の抵抗値は、
薄く、また、細くなるほど大きくなる。

【００６７】なお、抵抗発熱体を図３のように、内部に
設けると、加熱面３１ａと抵抗発熱体３２との距離が近
くなり、表面の温度の均一性が低下するため、抵抗発熱
体３２自体の幅を広げる必要がある。また、セラミック
基板３１の内部に抵抗発熱体３２を設けるため、窒化物
セラミック等との密着性を考慮する必要性がなくなる。
また、抵抗発熱体４２を表面（底面４１ｂ）に設ける
と、加熱面４１ａと抵抗発熱体４２との距離が遠くな
り、表面の温度の均一性を向上させることができる。ま
た、冷却媒体を直接抵抗体に接触させて熱交換できるた
め、急速降温を実現できる。

【００６８】抵抗発熱体は、断面が方形、楕円形、紡錘
形、蒲鉾形状のいずれでもよいが、偏平なものであるこ
とが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱しやす
いため、加熱面への熱伝搬量を多くすることができ、加
熱面の温度分布ができにくいからである。なお、抵抗発
熱体は螺旋形状でもよい。

【００６９】また、抵抗発熱体は、底面から厚さ方向に
５０％までの領域に形成することが望ましい。加熱面に
温度分布が発生するのを防止し、シリコンウエハを均一
に加熱するためである。

【００７０】セラミック基板の底面または内部に抵抗発
熱体を形成するためには、金属や導電性セラミックから
なる導電ペーストを用いることが好ましい。即ち、セラ
ミック基板の底面に抵抗発熱体を形成する場合には、通
常、焼成を行って、セラミック基板を製造した後、その
表面に上記導体ペースト層を形成し、焼成することよ
り、抵抗発熱体を形成する。一方、図１に示すようにセ
ラミック基板の内部に抵抗発熱体３２を形成する場合に
は、グリーンシート上に上記導電ペースト層を形成した
後、グリーンシートを積層、焼成することにより、内部
に抵抗発熱体を形成する。

【００７１】上記導体ペーストとしては特に限定されな
いが、導電性を確保するため金属粒子または導電性セラ
ミック粒子が含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤
などを含むものが好ましい。

【００７２】上記金属粒子や導電性セラミック粒子の材
料としては、上述したものが挙げられる。これら金属粒
子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１０
０μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸
化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しに
くくなり、抵抗値が大きくなるからである。

【００７３】上記金属粒子の形状は、球状であっても、
リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場
合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよ
い。

【００７４】上記金属粒子がリン片状物、または、球状
物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属
酸化物を保持しやすくなり、抵抗発熱体とセラミック基
板との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくするこ
とができるため有利である。

【００７５】上記導体ペーストに使用される樹脂として
は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂等が挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イ
ソプロピルアルコール等が挙げられる。増粘剤として
は、セルロース等が挙げられる。

【００７６】抵抗発熱体用の導体ペーストをセラミック
基板の表面に形成する際には、上記導体ペースト中に上
記金属粒子のほかに金属酸化物を添加し、上記金属粒子
および上記金属酸化物を焼結させたものとすることが好
ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼
結させることにより、セラミック基板と金属粒子とをよ
り密着させることができる。

【００７７】上記金属酸化物を混合することにより、セ
ラミック基板との密着性が改善される理由は明確ではな
いが、金属粒子表面や非酸化物からなるセラミック基板
の表面は、その表面がわずかに酸化されて酸化膜が形成
されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結
して一体化し、金属粒子とセラミックとが密着するので
はないかと考えられる。また、セラミック基板を構成す
るセラミックが酸化物の場合は、当然に表面が酸化物か
らなるので、密着性に優れた導体層が形成される。

【００７８】上記金属酸化物としては、例えば、酸化
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ ₂ Ｏ₃ ）、アル
ミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれ
る少なくとも１種が好ましい。これらの酸化物は、抵抗
発熱体の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子とセラ
ミック基板との密着性を改善することができるからであ
る。

【００７９】上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、アルミナ、イットリア、チタニアの割
合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重
量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホ
ウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１
〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０で
あって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整
されていることが好ましい。これらの範囲で、これらの
酸化物の量を調整することにより、特にセラミック基板
との密着性を改善することができる。

【００８０】上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量
は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。ま
た、このような構成の導体ペーストを使用して抵抗発熱
体を形成した際の面積抵抗率は、１〜４５ｍΩ／□が好
ましい。

【００８１】面積抵抗率が４５ｍΩ／□を超えると、印
加電圧量に対して発熱量は大きくなりすぎて、表面に抵
抗発熱体を設けた半導体装置用セラミック基板では、そ
の発熱量を制御しにくいからである。なお、金属酸化物
の添加量が１０重量％以上であると、面積抵抗率が５０
ｍΩ／□を超えてしまい、発熱量が大きくなりすぎて温
度制御が難しくなり、温度分布が生ずるようになる。

【００８２】抵抗発熱体がセラミック基板の表面に形成
される場合には、抵抗発熱体の表面部分に、金属被覆層
が形成されていることが好ましい。内部の金属焼結体が
酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。
形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ま
しい。

【００８３】上記金属被覆層を形成する際に使用される
金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、
具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッ
ケル等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、
２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケ
ルが好ましい。なお、抵抗発熱体をセラミック基板の内
部に形成する場合には、抵抗発熱体表面が酸化されるこ
とがないため、被覆は不要である。

【００８４】このように、上記した半導体製造・検査装
置（ホットプレート）を構成するセラミック基板には、
抵抗発熱体が設けられており、ヒータとしての機能を有
し、半導体ウエハ等の被加熱物を所定の温度に加熱する
ことができる。

【００８５】なお、以上の説明では、上記導体層とし
て、抵抗発熱体が設けられたセラミック基板を例にとっ
て説明したが、導体層は、抵抗発熱体に限定されず、ウ
エハプローバでは、セラミック基板の表面にチャックト
ップ導体層、内部にガード電極、グランド電極が形成さ
れる。また、静電チャックでは、セラミック基板の内部
に静電電極やＲＦ電極が形成される。

【００８６】本発明の半導体製造・検査装置を構成する
セラミック基板３１の材料は特に限定されないが、例え
ば、窒化物セラミック、炭化物セラミック、酸化物セラ
ミック等が挙げられる。

【００８７】上記窒化物セラミックとしては、金属窒化
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素等が挙げられる。また、上記炭化物セラ
ミックとしては、金属炭化物セラミック、例えば、炭化
ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化タンタル等が挙げられ
る。

【００８８】上記酸化物セラミックとしては、金属酸化
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

【００８９】これらのセラミックの中では、窒化物セラ
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高いからであ
る。

【００９０】また、上記セラミック材料は、焼結助剤を
含有していてもよい。上記焼結助剤としては、例えば、
アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類
酸化物等が挙げられる。これらの焼結助剤のなかでは、
ＣａＯ、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ｎａ₂ Ｏ、Ｌｉ₂ Ｏ、Ｒｂ₂ Ｏが好
ましい。これらの含有量としては、０．１〜１０重量％
が好ましい。また、アルミナを含有していてもよい。

【００９１】本発明にかかる半導体装置用セラミック基
板は、明度がＪＩＳＺ８７２１の規定に基づく値で
Ｎ４以下のものであることが望ましい。このような明度
を有するものが輻射熱量、隠蔽性に優れるからである。
また、このようなセラミック基板は、サーモビュアによ
り、正確な表面温度測定が可能となる。

【００９２】ここで、明度のＮは、理想的な黒の明度を
０とし、理想的な白の明度を１０とし、これらの黒の明
度と白の明度との間で、その色の明るさの知覚が等歩度
となるように各色を１０分割し、Ｎ０〜Ｎ１０の記号で
表示したものである。そして、実際の測定は、Ｎ０〜Ｎ
１０に対応する色票と比較して行う。この場合の小数点
１位は０または５とする。

【００９３】このような特性を有するセラミック基板
は、セラミック基板中にカーボンを５０〜５０００ｐｐ
ｍ含有させることにより得られる。カーボンには、非晶
質のものと結晶質のものとがあり、非晶質のカーボン
は、セラミック基板の高温における体積抵抗率の低下を
抑制することでき、結晶質のカーボンは、セラミック基
板の高温における熱伝導率の低下を抑制することができ
るため、その製造する基板の目的等に応じて適宜カーボ
ンの種類を選択することができる。

【００９４】非晶質のカーボンとしては、例えば、Ｃ、
Ｈ、Ｏだけからなる炭化水素、好ましくは、糖類を、空
気中で焼成することにより得ることができ、結晶質のカ
ーボンとしては、グラファイト粉末等を用いることがで
きる。また、アクリル系樹脂を不活性雰囲気（窒化ガ
ス、アルゴンガス）下で熱分解させた後、加熱加圧する
ことによりカーボンを得ることができるが、このアクリ
ル系樹脂の酸価を変化させることにより、結晶性（非晶
性）の程度を調整することができる。

【００９５】本発明の半導体装置用セラミック基板は、
円板形状が好ましく、直径２００ｍｍ以上が望ましく、
２５０ｍｍ以上が最適である。円板形状の半導体装置用
セラミック基板は、温度の均一性が要求されるが、直径
の大きな基板ほど、温度が不均一になりやすいからであ
る。

【００９６】本発明の半導体装置用セラミック基板の厚
さは、５０ｍｍ以下が好ましく、２０ｍｍ以下がより好
ましい。また、１〜１０ｍｍが最適である。厚みは、薄
すぎると高温での反りが発生しやすく、厚すぎると熱容
量が大きくなり過ぎて昇温降温特性が低下するからであ
る。また、本発明の半導体装置用セラミック基板の気孔
率は、０または５％以下が望ましい。高温での熱伝導率
の低下、反りの発生を抑制できるからである。本発明の
半導体装置用セラミック基板は、２００℃以上で使用す
ることができる。

【００９７】本発明の半導体製造・検査装置では、図１
に示したように、セラミック基板に形成された有底孔に
熱電対を埋め込んでおくことが望ましい。熱電対により
抵抗発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、
電流量を変えて、温度を制御することができるからであ
る。

【００９８】上記熱電対の金属線の接合部位の大きさ
は、各金属線の素線径と同一か、もしくは、それよりも
大きく、かつ、０．５ｍｍ以下がよい。このような構成
によって、接合部分の熱容量が小さくなり、温度が正確
に、また、迅速に電流値に変換されるのである。このた
め、温度制御性が向上して半導体ウエハの加熱面の温度
分布が小さくなるのである。上記熱電対としては、例え
ば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるよ
うに、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対が挙
げられる。

【００９９】図３（ａ）は、本発明の半導体製造・検査
装置の一例であるホットプレートの別の実施形態を模式
的に示した断面図であり、（ｂ）は、支持容器を構成す
る遮熱板を模式的に示した斜視図である。このホットプ
レート３０は、セラミック基板３１と支持容器２０とか
らなり、セラミック基板３１では、内部に抵抗発熱体３
２が形成されており、抵抗発熱体３２の端部の直下にス
ルーホール３９が形成され、スルーホール３９を露出さ
せる袋孔３８に緩衝部材であるワッシャー２９が嵌め込
まれ、ろう材等で固定されている。また、ワッシャー２
９の中心孔には、導電線３３が挿入され、ろう材等で等
で固定されている。そして、このような構成のセラミッ
ク基板３１が断熱リング１５を介して、支持容器２０の
上部に嵌め込まれている。

【０１００】支持容器２０は、略円筒形状の外枠部２１
と、外枠部２１の内側上部および下部にそれぞれ設けら
れた共に円環形状の基板受け部２３および遮熱板受け部
２４とを有し、これらは一体に形成されている。一方、
外枠部２１の底面には、上部円環状部２２ｂと下部円環
状部２２ｃとが、放熱フィン２２ｄを有する中間部２２
ａを介して連結された円筒部２２が存在し、中間部２２
ａの円筒部分の直径は、外枠部２１よりも小さい。ま
た、円筒部２２は、外枠部２１等とは分離され、取り外
し可能な状態で延設されており、そのため、この円筒部
２２は、遮熱板２６とともに、ボルト等の連結部材２７
を介して、遮熱板受け部２４に支持、固定されている。

【０１０１】遮熱板２６の内部の構造や配線等は、図１
に示したホットプレート４０と略同様であるが、開口２
６ａは、図１に示したホットプレートよりも大きく設定
している。なお、放熱フィン２２ｄを有する円筒部２２
の下方には制御装置が存在し、この制御装置内の制御機
器に導電線３３とリード線３６とが接続されるようにな
っている。

【０１０２】このホットプレート４０を作動させると、
抵抗発熱体３２は発熱し、セラミック基板３１は昇温す
るが、セラミック基板３１内に埋設された測温素子３７
により、セラミック基板３１の温度が測定され、測定デ
ータが制御機器にインプットされ、印加電圧（電流）量
が制御されるので、セラミック基板３１の温度は一定値
にコントロールされる。また、円筒部２２は、制御機器
に取り付けることができるようになっているので、制御
機器や電源が収納され、制御装置上に本発明の半導体製
造・検査装置を据えつけることができ、上記放熱フィン
の働きにより、下部の制御装置をほぼ常温に保つことが
できる。

【０１０３】また、直径の小さな円筒部を装置本体に嵌
合すればよいので、嵌合部分を大きくする必要もなく、
装置を大型化する必要もない。また、ステージ基板を大
型化しても、嵌合部分は従来と同じ大きさのものを使用
することができるため、装置本体は、そのままでよい。

【０１０４】さらに、遮熱板２６には、開口２６ａが多
数設けられているため、板状体の熱容量を小さくするこ
とができるとともに、冷却媒体が排出しやすくなり、冷
却速度を向上させることができる。

【０１０５】以上、本発明の本半導体製造・検査装置と
して、ホットプレートを例にとって説明した。本発明の
半導体製造・検査装置の具体例としては、上記ホットプ
レートのほかに、例えば、静電チャック、ウエハプロー
バ、サセプタ等が挙げられる。

【０１０６】上記ホットプレート（セラミックヒータ）
は、セラミック基板の表面または内部に抵抗発熱体のみ
が設けられた装置であり、これにより、半導体ウエハ等
の被加熱物を所定の温度に加熱することができる。

【０１０７】一方、本発明の半導体製造・検査装置を構
成するセラミック基板の内部に導電層として静電電極を
設けた場合には、静電チャックとして機能する。上記静
電電極に用いる金属としては、例えば、貴金属（金、
銀、白金、パラジウム）、タングステン、モリブデン、
ニッケルなどが好ましい。また、上記導電性セラミック
としては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物
などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２
種以上を併用してもよい。

【０１０８】図４（ａ）は、静電チャックに用いられる
セラミック基板を模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）
は、（ａ）に示したセラミック基板のＡ−Ａ線断面図で
ある。この静電チャック用のセラミック基板では、セラ
ミック基板６１の内部にチャック正負電極層６２、６３
が埋設され、それぞれスルーホール６８０と接続され、
その電極上にセラミック誘電体膜６４が形成されてい
る。

【０１０９】一方、セラミック基板６１の内部には、抵
抗発熱体６６とスルーホール６８とが設けられ、シリコ
ンウエハ２９等の被加熱物を加熱することができるよう
になっている。なお、セラミック基板６１には、必要に
応じて、ＲＦ電極が埋設されていてもよい。

【０１１０】また、（ｂ）に示したように、セラミック
基板６１は、通常、平面視円形状に形成されており、セ
ラミック基板６１の内部に（ｂ）に示した半円弧状部６
２ａと櫛歯部６２ｂとからなるチャック正極静電層６２
と、同じく半円弧状部６３ａと櫛歯部６３ｂとからなる
チャック負極静電層６３とが、互いに櫛歯部６２ｂ、６
３ｂを交差するように対向して配置されている。

【０１１１】このような構成のセラミック基板が図１に
示した支持容器１０と略同じ構造および機能を有する支
持容器に嵌め込まれ、静電チャックとして動作する。こ
の際、チャック正極静電層６２とチャック負極静電層６
３とに制御装置内の直流電源から延びた配線の＋側と−
側を接続し、直流電圧を印加する。これにより、この静
電チャック上に載置された半導体ウエハが静電的に吸着
され、半導体ウエハに種々の加工を施すことが可能とな
る。

【０１１２】図５および図６は、他の静電チャックを構
成するセラミック基板の静電電極を模式的に示した水平
断面図であり、図５に示す静電チャック用のセラミック
基板では、セラミック基板２１１の内部に半円形状のチ
ャック正極静電層２１２とチャック負極静電層２１３が
形成されており、図６に示す静電チャック用のセラミッ
ク基板では、セラミック基板２２１の内部に円を４分割
した形状のチャック正極静電層２２２ａ、２２２ｂとチ
ャック負極静電層２２３ａ、２２３ｂとが形成されてい
る。また、２枚の正極静電層２２２ａ、２２２ｂおよび
２枚のチャック負極静電層２２３ａ、２２３ｂは、それ
ぞれ交差するように形成されている。なお、円形等の電
極が分割された形態の電極を形成する場合、その分割数
は特に限定されず、５分割以上であってもよく、その形
状も扇形に限定されない。

【０１１３】本発明の半導体製造・検査装置を構成する
セラミック基板の表面にチャックトップ導体層を設け、
内部の導体層として、ガード電極やグランド電極を設け
た場合には、ウエハプローバとして機能する。

【０１１４】図７は、本発明のウエハプローバを構成す
るセラミック基板の一実施形態を模式的に示した断面図
であり、図８は、その平面図であり、図９は、図７に示
したウエハプローバにおけるＡ−Ａ線断面図である。

【０１１５】このウエハプローバでは、平面視円形状の
セラミック基板３の表面に同心円形状の溝８が形成され
るとともに、溝８の一部にシリコンウエハを吸引するた
めの複数の吸引孔９が設けられており、溝８を含むセラ
ミック基板３の大部分にシリコンウエハの電極と接続す
るためのチャックトップ導体層２が円形状に形成されて
いる。

【０１１６】一方、セラミック基板３の底面には、シリ
コンウエハの温度をコントロールするために、平面視同
心円形状の抵抗発熱体５１が設けられている。抵抗発熱
体５１の両端には、図示はしていないが、外部端子が接
続、固定されている。

【０１１７】また、セラミック基板３の内部には、スト
レイキャパシタやノイズを除去するために図９に示した
ような格子形状のガード電極６とグランド電極７（図示
せず）とが設けられている。なお、符号５２は、電極非
形成部を示している。このような矩形状の電極非形成部
５２をガード電極６の内部に形成しているのは、ガード
電極６を挟んだ上下のセラミック基板３をしっかりと接
着させるためである。

【０１１８】このような構成のセラミック基板が図１に
示したものと略同様の構造の支持容器に嵌め込まれ、ウ
エハプローバとして動作する。このウエハプローバで
は、セラミック基板３の上に集積回路が形成されたシリ
コンウエハを載置した後、このシリコンウエハにテスタ
ピンを持つプローブカードを押しつけ、加熱、冷却しな
がら電圧を印加して導通テストを行うことができる。

【０１１９】次に、本発明の半導体製造・検査装置の製
造方法の一例として、ホットプレートの製造方法につい
て説明する。図１０（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体
製造・検査装置を構成するセラミック基板の内部に抵抗
発熱体を有するセラミック基板の製造工程を模式的に示
した断面図である。

【０１２０】（１）セラミック基板の作製工程まず、窒化物セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混
合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシート
を作製する。上述したセラミック粉末としては、窒化ア
ルミニウム等を使用することができ、必要に応じて、イ
ットリア等の焼結助剤を加えてもよい。また、グリーン
シートを作製する際、結晶質や非晶質のカーボンを添加
してもよい。

【０１２１】また、バインダとしては、アクリル系バイ
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコール
から選ばれる少なくとも１種が望ましい。

【０１２２】これらを混合して得られるペーストをドク
ターブレード法でシート状に成形してグリーンシート５
０を作製する。グリーンシート５０の厚さは、０．１〜
５ｍｍが好ましい。次に、得られたグリーンシートに、
必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支持ピ
ンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対などの測温素子
を埋め込むための有底孔となる部分、抵抗発熱体と外部
端子とを接続するためのスルーホールとなる部分３９０
等を形成する。後述するグリーンシート積層体を形成し
た後に、上記加工を行ってもよく、焼結体とした後に、
上記加工を行ってもよい。

【０１２３】（２）グリーンシート上に導体ペーストを
印刷する工程グリーンシート５０上に、金属ペーストまたは導電性セ
ラミックを含む導体ペーストを印刷し、導体ペースト層
３２０を形成する。これらの導電ペースト中には、金属
粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。上記
金属粒子であるタングステン粒子またはモリブデン粒子
等の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒
子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体
ペーストを印刷しにくいからである。

【０１２４】このような導体ペーストとしては、例え
ば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重
量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソル
ブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種
のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネ
オール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒
を１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が
挙げられる。

【０１２５】（３）グリーンシートの積層工程上記（１）の工程で作製した導体ペーストを印刷してい
ないグリーンシート５０を、上記（２）の工程で作製し
た導体ペースト層３２０を印刷したグリーンシート５０
の上下に積層する（図１０（ａ））。このとき、上側に
積層するグリーンシート５０の数を下側に積層するグリ
ーンシート５０の数よりも多くして、抵抗発熱体３２の
形成位置を底面の方向に偏芯させる。具体的には、上側
のグリーンシート５０の積層数は２０〜５０枚が、下側
のグリーンシート５０の積層数は５〜２０枚が好まし
い。

【０１２６】（４）グリーンシート積層体の焼成工程グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシ
ート５０および内部の導体ペーストを焼結させ、セラミ
ック基板３１を作製する（図１０（ｂ））。加熱温度
は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、
１００〜２００ｋｇ／ｃｍ² が好ましい。加熱は、不活
性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、
アルゴン、窒素などを使用することができる。

【０１２７】得られたセラミック基板３１に、測温素子
を挿入するための有底孔（図示せず）や、外部端子を挿
入するための袋孔３８等を設ける（図１０（ｃ））。有
底孔および袋孔３８は、表面研磨後に、ドリル加工やサ
ンドブラストなどのブラスト処理を行うことにより形成
することができる。

【０１２８】次に、袋孔３８より露出したスルーホール
３８に導電性セラミック等からなるワッシャー２９を嵌
め込み、導電線３３を金ろう等を用いて接続する（図１
０（ｄ））。なお、加熱温度は、半田処理の場合には９
０〜４５０℃が好適であり、ろう材での処理の場合に
は、９００〜１１００℃が好適である。さらに、測温素
子としての熱電対などを耐熱性樹脂で封止し、ホットプ
レート用のセラミック基板とする。

【０１２９】この後、得られたセラミック基板を断熱リ
ング１５を介して図３に示したような構造の支持容器２
０に嵌め込み、この熱電対等の測温素子３７や抵抗発熱
体３２からの配線を設け、円筒部等を放熱フィンを備え
た制御装置の放熱フィンに嵌め込むか、制御装置に取り
付け、その下の制御機器との配線を接続する。なお、支
持容器の遮熱板１６、２６は、金属で円板等を形成した
後、パンチングで撃ち抜いて開口を形成しておく。

【０１３０】このホットプレートでは、その上にシリコ
ンウエハ等を載置するか、または、シリコンウエハ等を
支持ピンで保持させた後、シリコンウエハ等の被加熱物
の加熱を行うとともに、種々の操作を行うことができ
る。

【０１３１】上記ホットプレート用のセラミック基板を
製造する際に、セラミック基板の内部に静電電極を設け
ることにより静電チャック用セラミック基板を製造する
ことができ、また、加熱面にチャックトップ導体層を設
け、セラミック基板の内部にガード電極やグランド電極
を設けることによりウエハプローバ用セラミック基板を
製造することができる。

【０１３２】セラミック基板の内部に電極を設ける場合
には、抵抗発熱体を形成する場合と同様にグリーンシー
トの表面に導体ペースト層を形成すればよい。また、セ
ラミック基板の表面に導体層を形成する場合には、スパ
ッタリング法やめっき法を用いることができ、これらを
併用してもよい。

【０１３３】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。（実施例１〜４、６、９）ホットプレートの製造（１）窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製、平均粒径
１．１μｍ）１００重量部、酸化イットリウム（Ｙ₂ Ｏ
₃ ：イットリア、平均粒径：０．４μｍ）４重量部、ア
クリル系樹脂バインダー１１．５重量部およびアルコー
ルからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉
末を作製した。

【０１３４】（２）次に、この顆粒状の粉末を断面が六
角形状の金型に入れ、六角形の平板状に成形して生成形
体（グリーン）を得た。（３）加工処理の終わった生成形体を温度：１８００
℃、圧力：２００ｋｇ／ｃｍ² でホットプレスし、厚さ
が３ｍｍの窒化アルミニウム焼結体を得た。次に、この
焼結体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミ
ック製の板状体（セラミック基板）とした。

【０１３５】次に、この板状体にドリル加工を施し、半
導体ウエハの支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱
電対を埋め込むための有底孔となる部分（直径：１．１
ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。

【０１３６】（４）上記（３）で得た焼結体の底面に、
スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パタ
ーンは、同心円状とした。導体ペーストとしては、プリ
ント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化
学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この
導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量
部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量
％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量
％）およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を
７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均
粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。

【０１３７】（５）次に、導体ペーストを印刷したセラ
ミック基板を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト
中の銀、鉛を焼結させるとともに焼結体に焼き付け、抵
抗発熱体を形成した。銀−鉛の抵抗発熱体３２は、厚さ
が５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□
であった。

【０１３８】（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン
酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、
ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水
溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作
製した焼結体を浸漬し、銀−鉛の抵抗発熱体３２の表面
に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させ
た。

【０１３９】（７）電源との接続を確保するための外部
端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−
鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷して半田ペー
スト層を形成した。ついで、半田ペースト層の上にコバ
ール製の外部端子を載置して、４２０℃で加熱リフロー
し、外部端子を抵抗発熱体の表面に取り付け、続いて導
電線を有するソケットを外部端子に取り付けた。

【０１４０】（８）温度制御のための熱電対を有底孔に
挿入し、ポリイミド樹脂を充填し、１９０℃で２時間硬
化させ、ホットプレート用のセラミック基板の製造を終
了した。この後、この抵抗発熱体を有するセラミック基
板を図１に示したような構成の支持容器１０に嵌め込
み、測温素子（熱電対）からのリード線および抵抗発熱
体の端部からの導電線を図１に示したように配設した。

【０１４１】この支持容器において、外枠部、遮熱板
は、直径２２０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍ、のステンレス製
であり、断熱リング１５は、ガラス繊維で補強されたフ
ッ素樹脂である。また、ボルト１８、固定金具１７、冷
媒供給管１９もステンレス製である。また、遮熱板１６
には、直径１０〜４０ｍｍの開口を設け、開口の面積比
率を１５％（実施例１）、３０％（実施例２）、５０％
（実施例３）、８％（実施例４）、３％（実施例６）と
した。また、支持容器と付属部品を含めた総重量（外枠
部１１、遮熱板１６、断熱リング１５、スリーブ（ガイ
ド管１２）、冷媒供給管１９の合計）ＴＭは、それぞ
れ、０．９６ｋｇ（実施例１）、０．８６ｋｇ（実施例
２）、０．７８ｋｇ（実施例３）、０．９９ｋｇ（実施
例４）、１．０３ｋｇ（実施例６）、１．０５ｋｇ（実
施例９）とした。実施例９では、外枠部１１に冷媒排気
管（排気ポート）を形成した。支持容器の重量等詳細
は、表１に記載する。

【０１４２】（実施例５、７、８）ホットプレートの製
造実施例５は、基本的には実施例１と略同様であるが、開
口の直径が２０ｍｍ（実施例５）、１０ｍｍ（実施例
７、８）であり、遮熱板１６の開口の面積比率が３０％
（実施例５）、５％（実施例７、８）であり、遮熱板の
厚さが３ｍｍである点が異なる。また、実施例７では図
１１に示すような開口（直径３０ｍｍ、１０ｍｍ、８ｍ
ｍ）を持つ中底板を使用した。本実施例では、遮熱板の
厚さを３ｍｍとしたため、支持容器と付属部品を含めた
総重量（外枠部１１、遮熱板１６、中底板（実施例７の
み）、断熱リング１５、スリーブ（ガイド管１２）、冷
媒供給管１９の合計）は１．４２ｋｇ（実施例５）、
２．５７ｋｇ（実施例７）、３．７２ｋｇ（実施例８）
と重くなった。支持容器の重量等詳細は、表１に記載す
る。

【０１４３】（比較例１）遮熱板に開口が形成されて
いないホットプレートの製造基本的には実施例１と同様であるが、開口を全く設け
ず、外枠部に排気ポートを形成した。重量（外枠部１
１、遮熱板１６、断熱リング１５、スリーブ、排気ポー
ト、冷媒供給管１９の合計）は３．７０ｋｇとなった。

【０１４４】（比較例２）放冷実施例１と同様のホットプレートを製造した後、このホ
ットプレートの支持容器に冷媒を全く導入せず、自然放
冷した。

【０１４５】（実施例１０〜１７）この実施例では、実
施例１と同様であるがセラミック基板の直径を３１０ｍ
ｍとした。また、支持容器において、外枠部、遮熱板
は、直径３２０ｍｍ、厚さ１．５ｍｍ、のステンレス製
であり、断熱リング１５は、ガラス繊維で補強されたフ
ッ素樹脂である。また、冷媒供給管１９、排気ポートも
ステンレス製である。また、遮熱板１６には、直径８〜
３０ｍｍの開口を設け、開口の面積比率を、１０％（実
施例１０）、３１％（実施例１１）、５１％（実施例１
２）、８％（実施例１３）、３％（実施例１４）、５％
（実施例１５、１６）、０％（実施例１７）とした。な
お、実施例１５では、図１１に示すような開口を持つ中
底板を使用した。

【０１４６】また、開口は図１２に示すように、直径の
異なる複数の開口を形成した。また、支持容器と付属部
品を含めた総重量（外枠部１１、遮熱板１６、断熱リン
グ１５、スリーブ、冷媒供給管１９、排気冷却管の合
計）は、それぞれ、２．３１ｋｇ（実施例１０）、１．
７６ｋｇ（実施例１１）、１．５０ｋｇ（実施例１
２）、２．７６ｋｇ（実施例１３）、２．９１ｋｇ（実
施例１７）、７．００ｋｇ（実施例１５）、７．８０ｋ
ｇ（実施例１６）、３．０１ｋｇ（実施例１７）とし
た。また、実施例１７では、外枠部に排気ポートを形成
した。比較例３は、外枠部および遮熱板の厚さを２．０
ｍｍとしたほかは、実施例１７と同様にした。支持容器
の重量等詳細は、表１に記載する。

【０１４７】評価方法（１）降温時間２００℃から２５℃まで降温するのに要する時間を測定
した。（２）リカバリー時間１４０℃に加熱した状態で２５℃のシリコンウエハを載
置し、シリコンウエハの温度が１４０℃まで回復するま
での時間を測定した。（３）オーバーシュート温度２００℃に昇温した際、最高温度が設定温度の２００℃
よりどれだけ高くなるかを測定した。

【０１４８】

【表１】

【０１４９】表１に示した結果より明らかなように、２
００℃から２５℃まで降温するのに要する時間は、実施
例１〜３では、いずれの場合も、２分であり、実施例
４、６、７では、３分であり、実施例５、８、９では５
分であり、いずれの実施例でも降温時間は比較的短い。

【０１５０】これに対し、遮熱板に開口が形成されてい
ない比較例１では、側面に排気ポートが形成されていて
も降温に１０分と長時間を要した、比較例１では、支持
容器の重さがＬ／２００（ｋｇ）を超え、また、支持容
器と付属部品を加えた総重量が、３（Ｌ／２００）² を
超えており、リカバリー時間、オーバーシュート温度も
高くなる。

【０１５１】また、実施例６と実施例９とを比較すると
理解できるように、底板（遮熱板）に３％以上の開口を
形成することで降温時間を５分から３分にすることがで
きる。また、実施例７から、遮熱板（中底板）の存在に
より、降温時間を早くできることが理解される。

【０１５２】また、実施例７と８との比較から、支持容
器自体の重量と付属部品の重量が３（Ｌ／２００）² を
超えると、リカバリー時間やオーバシュート温度に影響
を与えることが判る。さらに、実施例９と比較例１とか
ら、支持容器の重量がＬ／２００を超えると開口の有無
にかかわりなく、冷却速度が低下する。つまり、冷却速
度の支配要因は、開口というよりも支持容器の重量と言
える。比較例２では、２４０分とさらに長時間を要し
た。

【０１５３】同様の現象は、実施例１０〜１７でも理解
される。実施例１７と実施例１４とを比較すると、開口
率３％以上で、降温速度を向上させることができること
が判る。また、実施例１５から、中底板が降温速度を改
善する効果を持つことが判る。

【０１５４】さらに、実施例１６と１７との比較から、
支持容器自体の重量と付属部品の重量とが３（Ｌ／２０
０）² を超えると、リカバリー時間やオーバシュート温
度に影響を与えることが判る。さらに、実施例１７と比
較例３とから、支持容器の重量がＬ／２００を超えると
開口の有無にかかわりなく、冷却速度が低下する。つま
り、冷却速度の支配要因は、開口というよりも支持容器
の重量と言える。

【０１５５】また、実施例１０と実施例１６とについ
て、セラミック基板の反り量を形状測定装置（ネクシ
ブ）にて調べたところ、実施例１０では、９μｍであ
り、実施例１６では、１５μｍであった。底板の開口率
は、実施例１０の方が高いにもかかわらず、実施例１６
の方が反り量は大きい。これは、実施例１０では複数の
直径の開口を形成しているため、底板の歪みが少なく、
結果的に支持容器の歪みを防止できているためであると
推定している。

【０１５６】このことから、冷却速度を決定する主因子
は、支持容器の重量であり、開口率は副次的要因である
と推定される。ただし、全く開口がない場合は、冷却速
度の著しい低下が見られる。このように本発明では、開
口や支持容器の重量の制御だけで、降温速度を向上させ
ることができ、簡単な構造でかつ低コストの装置が得ら
れる。また、リカバリー時間やオーバシュート温度は、
支持容器と付属部品との総重量が影響を与えており、こ
れらの総重量を小さくすることで、温度制御性を向上さ
せることが可能である。

【０１５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の支持容器お
よび半導体製造・検査装置によれば、高速降温を実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の半導体製造・検査装置の一
例であるホットプレートを模式的に示す断面図であり、
（ｂ）は、支持容器を構成する遮熱部材の底部を模式的
に示す斜視図である。

【図２】図１に示したホットプレートの平面図である。

【図３】（ａ）は、本発明の半導体製造・検査装置の一
例であるホットプレートの別の実施形態を模式的に示す
断面図であり、（ｂ）は、支持容器を構成する遮熱板を
模式的に示す斜視図である。

【図４】（ａ）は、本発明に係る静電チャックを構成す
るセラミック基板を模式的に示す縦断面図であり、
（ｂ）は、（ａ）に示したセラミック基板のＡ−Ａ線断
面図である。

【図５】本発明に係る静電チャックを構成するセラミッ
ク基板の別の一例を模式的に示す水平断面図である。

【図６】本発明に係る静電チャックを構成するセラミッ
ク基板のさらに別の一例を模式的に示す水平断面図であ
る。

【図７】本発明の半導体製造・検査装置の一例であるウ
エハプローバを構成するセラミック基板を模式的に示す
断面図である。

【図８】図７に示したセラミック基板を模式的に示す平
面図である。

【図９】図７に示したセラミック基板のＡ−Ａ線断面図
である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体製造・検
査装置の一例であるホットプレートの製造方法の一部を
模式的に示す断面図である。

【図１１】（ａ）は、本発明の半導体製造・検査装置の
一例であるホットプレートを模式的に示した断面図であ
り、（ｂ）は、支持容器を構成する遮熱部材（中底板）
を模式的に示した斜視図である。

【図１２】（ａ）は、本発明の半導体製造・検査装置の
一例であるホットプレートを模式的に示した断面図であ
り、（ｂ）は、支持容器を構成する遮熱部材の底部を模
式的に示した斜視図であり、（ｃ）は、サーモスタット
を形成する様子を模式的に示した説明図である。

【符号の説明】

１０、２０支持容器１１、２１外枠部１２、ガイド管１３、２３基板受け部１５断熱リング１６、２６遮熱部材（遮熱板）１６ａ、２６ａ、１１７開口１７固定金具１８ボルト１９冷媒供給管２２円筒部２２ｄ放熱フィン２４遮熱板受け部３０、４０、１１０、１２０ホットプレート３１、４１セラミック基板３１ａ、４１ａ加熱面３２、４２抵抗発熱体３３導電線３４、４４有底孔３５、４５貫通孔３６、４６リード線３７、４７測温素子４３外部端子４８導電線１１２金属板バネ１１６中底板１２１サーモスタット１２２支持板１２３ネジ１２４冷媒排気管（冷媒排気ポート）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板を支持する支持容器であ
って、板状体を具備し、該板状体に複数の開口が形成さ
れていることを特徴とする支持容器。
【請求項２】セラミック基板を支持する支持容器であ
って、略円筒形状の外枠部および板状体を具備し、前記
板状体には複数の開口が形成されていることを特徴とす
る支持容器。
【請求項３】前記板状体は、前記略円筒形状の外枠部
に連結固定されている請求項２に記載の支持容器。
【請求項４】前記複数の開口は、直径が異なる２種類
以上の開口の混成である請求項１〜３のいずれか１に記
載の支持容器。
【請求項５】前記板状体の投影面積ＳＡおよび前記板
状体に設けられた開口の合計面積Ｓの関係は、０．０３
≦Ｓ／ＳＡである請求項１〜４のいずれか１に記載の支
持容器。
【請求項６】前記外枠部の内側に設けられ、断熱リン
グを介して嵌め込まれた前記セラミック基板を支持する
円環形状の基板受け部を有する請求項２〜５のいずれか
１に記載の支持容器。
【請求項７】前記板状体には、冷却媒体供給口が形成
されてなる請求項１〜６のいずれか１に記載の支持容
器。
【請求項８】前記支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）およびセ
ラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、Ｍ≦Ｌ／２０
０である請求項１〜７のいずれか１に記載の支持容器。
【請求項９】付属部品を具備し、前記支持容器と付属
部品との総重量ＴＭ（ｋｇ）およびセラミック基板の直
径Ｌ（ｍｍ）の関係は、ＴＭ≦３（Ｌ／２００） ² であ
る請求項１〜８のいずれか１に記載の支持容器。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれか１に記載の支
持容器にセラミック基板が支持固定されてなることを特
徴とする半導体製造・検査装置。
【請求項１１】前記セラミック基板には抵抗発熱体が
設けられてなる請求項１０に記載の半導体製造・検査装
置。
【請求項１２】セラミック基板を支持する支持容器で
あって、板状体を具備し、前記支持容器の重量Ｍ（ｋ
ｇ）およびセラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、
Ｍ≦Ｌ／２００であることを特徴とする支持容器。
【請求項１３】セラミック基板を支持する支持容器で
あって、板状体とともに付属部品を具備し、前記支持容
器と付属部品との総重量ＴＭ（ｋｇ）およびセラミック
基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、ＴＭ≦３（Ｌ／２０
０）² であることを特徴とする支持容器。
【請求項１４】セラミック基板を支持する支持容器で
あって、略円筒形状の外枠部および板状体を具備し、前
記支持容器の重量Ｍ（ｋｇ）およびセラミック基板の直
径Ｌ（ｍｍ）の関係は、Ｍ≦Ｌ／２００であることを特
徴とする支持容器。
【請求項１５】セラミック基板を支持する支持容器で
あって、略円筒形状の外枠部、板状体および付属部品を
具備し、前記支持容器と付属部品との総重量ＴＭ（ｋ
ｇ）およびセラミック基板の直径Ｌ（ｍｍ）の関係は、
ＴＭ≦３（Ｌ／２００）² であることを特徴とする支持
容器。
【請求項１６】前記板状体は、前記略円筒形状の外枠
部に連結固定されている請求項１４または１５に記載の
支持容器。
【請求項１７】前記板状体には複数の開口が形成され
ている請求項１２〜１６に記載の支持容器。
【請求項１８】前記支持容器を構成する部材の厚さ
は、０．１〜５ｍｍである請求項１２〜１７のいずれか
１に記載の支持容器。
【請求項１９】請求項１２〜１８のいずれか１に記載
の支持容器にセラミック基板が支持固定されてなること
を特徴とする半導体製造・検査装置。
【請求項２０】前記セラミック基板には抵抗発熱体が
設けられてなる請求項１９に記載の半導体製造・検査装
置。