JP7169920B2 - 静電吸着装置及び除電方法 - Google Patents
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- 230000003068 static effect Effects 0.000 title claims description 66
- 230000008030 elimination Effects 0.000 title claims description 65
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 title claims description 65
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 25
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
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- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
- H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
本開示は、静電吸着装置及び除電方法に関する。
特許文献1には、電極を内包し、前記電極への直流電圧の印加により、被吸着物が静電気力によって吸着される誘電体と、前記被吸着物の温度を測定するための温度測定手段と、前記温度測定手段が測定した前記被吸着物の温度プロファイルをモニタし、モニタした前記温度プロファイルに基づいて、前記被吸着物と前記誘電体との吸着状態を判別する吸着状態判別手段とを備える、静電吸着装置が開示されている。
本開示にかかる技術は、基板を載置する載置台に設けられた静電チャックに対して、適切な除電を行う。
本開示の一態様は、誘電体内に電極とヒータを内蔵した静電チャックを有する静電吸着装置であって、前記電極に直流電力を供給する直流電源を有する直流電源部と、前記直流電源と前記電極との間の電力供給路に接続された第1の除電回路と、前記第1の除電回路と前記電極との間の前記電力供給路に接続された第2の除電回路とを有し、前記第1の除電回路は、前記電極とアース側とを電圧降下用抵抗部材を介して接続、遮断可能な第1の接地リレーを有し、前記第2の除電回路は、前記第1の除電回路と前記第2の除電回路の間を接続、遮断可能な隔離リレーと、前記隔離リレーと前記電極との間の前記電力供給路に接続され、前記電極とアース側とを抵抗部材を介することなく接続、遮断可能な第2の接地リレーを有している、静電吸着装置。
本開示によれば、基板を載置する載置台に設けられた静電チャックに対して適切な除電を行うことができる。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)等の基板を載置台の所定の位置に保持する構造として、静電チャックと呼ばれる静電気力を利用した吸着部材が用いられている。静電気力を用いて基板を吸着保持するので、真空中でも利用可能であることなどから、成膜装置やプラズマエッチング装置等のプラズマ処理装置に利用されている。
特許文献1に記載の静電チャックは、載置台に設けられた誘電体と一対の電極とから構成されており、誘電体は、セラミック、樹脂等の絶縁性材料から構成されている。そして前記した一対の電極に各々極性の異なった直流電圧を印加することで基板の裏面と誘電体の載置面に発生する静電気力によって、基板は吸着される。これら電極は誘電体の内部に埋め込まれており、さらに誘電体内には基板を所定の温度に加熱するためのヒータが内蔵されている。
ウェハを載置台から搬送する際には、静電チャックによる吸着を解除するため、電極に対する直流電圧の印加を停止し、さらに残留電荷を除去するため、特許文献1に記載の静電チャックは、直流電源からの給電線への電力供給のオン/オフを切り替え、給電スイッチがオンのとき直流電源側に接続され、オフのときにはアース側に接続して給電部内において接地されるようになっている。
しかしながら、給電スイッチをオフにしてアース側に接続して接地しても、ウェハが吸着されることがあった。発明者らがその原因を調査、検討したところ、誘電体内に内蔵されているヒータからの漏れ電流による影響であることが分かった。すなわち、ヒータが作動しているときには、ヒータから漏れ電流が誘電体内に流れ、誘電体の固有抵抗を介して電極が帯電し、それによって静電気力が発生してウェハが吸着されるのであった。給電部内のアース側には、電源保護のために電圧降下用の抵抗が設けられているので、誘電体内の残留電荷は完全にはアース側へと放出されず、電極のチャージアップを招来していた。
そこで、本開示にかかる技術は、誘電体内にヒータを内蔵する静電チャックなどの静電吸着装置において、当該ヒータから漏れ電流が流れても、適切に除電を行って電極のチャージアップを防止して電源停止時においてウェハが吸着されることを防止する。
以下、本実施形態にかかる静電吸着装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<成膜装置>
図1は、本実施形態にかかる静電吸着装置が適用された成膜装置1の構成の概略を模式的に示した側面断面の説明図である。図示されているように、成膜装置1は、処理容器10を備えている。処理容器10は、例えば、アルミニウムから構成されており、接地電位に接続されている。処理容器10内には空間Sが形成されている。処理容器10の底部の排気口10aには、空間Sを減圧するための排気装置11が、アダプタ12を介して接続されている。また、処理容器10の側壁には、ウェハWの搬送用の開口10bが形成されており、当該開口10bを開閉するためのゲートバルブ13が設けられている。
図1は、本実施形態にかかる静電吸着装置が適用された成膜装置1の構成の概略を模式的に示した側面断面の説明図である。図示されているように、成膜装置1は、処理容器10を備えている。処理容器10は、例えば、アルミニウムから構成されており、接地電位に接続されている。処理容器10内には空間Sが形成されている。処理容器10の底部の排気口10aには、空間Sを減圧するための排気装置11が、アダプタ12を介して接続されている。また、処理容器10の側壁には、ウェハWの搬送用の開口10bが形成されており、当該開口10bを開閉するためのゲートバルブ13が設けられている。
処理容器10内には、ウェハWを載置する載置台15が設けられている。載置台15は、静電吸着装置50を有している。静電吸着装置50の構成の詳細については後述する。
載置台15は、支軸16を介して載置台駆動機構17に接続されている。これによって載置台15は、回転自在であり、また上下動自在である。
処理容器10内には、旋回自在なガス供給ヘッド18が設けられている。ガス供給ヘッド18は、支軸19を介してヘッド駆動機構20に接続されている。これによってガス供給ヘッド18は、載置台15上のウェハWを覆う位置にて、ウェハWに対してガス供給源21からの所定のガス、たとえば酸化ガスを供給することができる。また搬送機構(図示せず)によって載置台15との間でウェハWを受け渡しする際には、ガス供給ヘッド18は旋回して当該搬送機構と干渉しない位置に移動することができる。
載置台15の上方には、金属ターゲット30、32が設けられている。金属ターゲット30、32は、成膜すべき金属酸化層の種別に応じて、任意に選択され得る。各金属ターゲット30、32は、ホルダ31、33よって保持されている。金属ターゲット30,32は、ホルダ31、33を介して、各々直流電源34、35と接続されている。
処理容器10内の上部における金属ターゲット30、32の間には、ガス供給部38が設けられており、載置台15に向けて所定のガス、例えばアルゴンガスが、ガス供給源39から供給可能である。
<静電吸着装置>
静電吸着装置50は、図2に示したように、誘電体、例えば窒化アルミニウムなどのセラミックからなる静電チャック51を有している。また静電吸着装置50は、静電チャック51に対して、直流電力を供給する直流電源部60を有している。直流電源部60は、直流電源61と、第1の除電回路62とを有している。さらに静電吸着装置50は、中間接地装置70を有し、この中間接地装置70は、第2の除電回路71を有している。
静電吸着装置50は、図2に示したように、誘電体、例えば窒化アルミニウムなどのセラミックからなる静電チャック51を有している。また静電吸着装置50は、静電チャック51に対して、直流電力を供給する直流電源部60を有している。直流電源部60は、直流電源61と、第1の除電回路62とを有している。さらに静電吸着装置50は、中間接地装置70を有し、この中間接地装置70は、第2の除電回路71を有している。
静電チャック51の上面には、ウェハWとの間で微小な距離を維持してウェハWを直接支持するためのパッド51aが設けられている。
静電チャック51の内部には、一対の電極52、53が設けられている。すなわち、静電チャック51はいわゆる双極型の電極を有する静電チャックとして構成されている。そして静電チャック51内における電極52、53の下側には、電源(図示せず)からの電力の供給によって発熱するヒータ54、55が設けられている。
直流電源部60の直流電源61は、陽極側端子61aと陰極側端子61bを有している。陽極側端子61aには、外部へ出力するための外部端子62aが電気的に接続されている。陽極側端子61aと外部端子62aとの間には、電圧降下用抵抗R1を介して、接地リレー63の一端部が接続されており、さらに接地リレー63の他端部は、アース側に接続されている。陰極側端子61bには、外部へ出力するための外部端子62bが接続されている。陰極側端子61bと外部端子62bとの間には、電圧降下用抵抗R2を介して、接地リレー64の一端部が接続されており、さら接地リレー64の他端部は、アース側に接続されている。これら他端部がアース側に接続されている接地リレー63、64、及び接地リレー63、64の一端部側に設けられた電圧降下用抵抗R1、R2が第1の除電回路62を構成している。
中間接地装置70内の第2の除電回路71は、直流電源部60の外部端子62aに一端部側が接続される隔離リレー73と、直流電源部60の外部端子62bに一端部側が接続される隔離リレー74とを有している。隔離リレー73の他端部側は、電力供給路としての導電路75を介して静電チャック51内の電極52と電気的に接続されている。隔離リレー74の他端部側は、電力供給路としての導電路76を介して静電チャック51内の電極53と電気的に接続されている。
中間接地装置70内の第2の除電回路71において、隔離リレー73と電極52との間における導電路75には、接地リレー77の一端部側が接続され、当該接地リレー77の他端部側は、アース側に接続されている。また隔離リレー74と電極53との間における導電路76には、接地リレー78の一端部側が接続され、当該接地リレー78の他端部側は、アース側に接続されている。これら、接地リレー77系のアース側への導電路、接地リレー78系のアース側への導電路には、抵抗部材は格別設けられておらず、これら導電路の固有抵抗は、極力抑えられている。
前記した直流電源部60における直流電源61のON-OFF、また第1の除電回路62における接地リレー63、64の接続、遮断、すなわちON-OFF、また中間接地装置70内の第2の除電回路71における隔離リレー73、74の接続、遮断、すなわちON-OFF、そして第2の除電回路71における接地リレー73、74の接続、遮断すなわちON-OFFは、制御装置80によって制御される。このような制御は、コンピュータ制御による制御によってなされるが、各リレーのON-OFF自体は、ソレノイド等を使用した専用のメカニカルリレーを用いてハードウェア的に制御するようにしてもよい。もちろんそのようなハードウェア的な制御に限らず、電子的に制御するようにしてもよい。
<除電方法>
本実施の形態にかかる静電吸着装置50は以上の構成を有し、次にこの静電吸着装置50を用いた除電方法の一例について説明する。
本実施の形態にかかる静電吸着装置50は以上の構成を有し、次にこの静電吸着装置50を用いた除電方法の一例について説明する。
図2に示したように、従来は静電チャック51内に内蔵されているヒータ54、55によって、図示のように、各ヒータ54、55と電極52、53との間、並びに電極52、53と静電チャック51の表面との間に、抵抗、コンデンサからなる等価回路が存在する。そのため、電極52、53と直流電源61との間が遮断されても、ヒータ54、55からの漏れ電流によって、ヒータ54、55と電極及び静電チャック51の表面との間の固有抵抗によって、静電チャック51がチャージアップされ、静電チャック51の表面に、電極52側はプラスの電荷、電極53側はマイナスの電荷が集まり、その結果、ウェハWとの間で静電気力が働いて、ウェハWの吸着が解除できないことがあった。
しかしながら実施の形態にかかる静電吸着装置50によれば、そのようなヒータ54,55からの漏れ電流があった場合でも、静電チャック51のチャージアップを防止することができる。以下、そのシーケンスの一例について説明する。
まず図3は、静電チャック51が作動状態にある様子を示している。すなわち、図3に示したように、直流電源部60における第1の除電回路62において、接地リレー63、64は、開放状態(遮断状態)とする。そして中間接地装置70内の第2の除電回路71においては、隔離リレー73、74を閉鎖状態(接続状態)とし、接地リレー77、78は開放状態(遮断状態)とする。
この状態で直流電源部60の直流電源61をONにすると、隔離リレー73から導電路75を介して電極52に直流電流が流れ、プラスの電荷が電極52に集まる。これによって、電極52上方の静電チャック51表面にプラスの電荷が集まる。一方、陰極側については、導電路76を介して電極53上方の静電チャック51表面にマイナスの電荷が集まる。このようにして、静電チャック51表面に領域を分けてプラスの電荷とマイナスの電荷が集まって、ジョンソン-ラーベック力によってウェハWは静電チャック51に吸着される。
次に、静電チャック51の稼働状態を解除する場合、すなわち停止する場合には、まず直流電源部60の直流電源61をOFFにする。そしてそれと同時に、図4に示したように、まず中間接地装置70内の第2の除電回路71において、隔離リレー73、74はそのまま閉鎖状態(接続状態)とし、また接地リレー77、78もそのまま開放状態(遮断状態)とする。一方、直流電源部60における第1の除電回路62においては、接地リレー63、64を閉鎖状態(接続状態)とする。
これによって第1の除電回路による第1の除電ステップが行なわれ、電極52のプラスの電荷は、導電路75を経て、隔離リレー73から第1の除電回路の接地リレー63を経てアース側に流れる。また電極53のマイナスの電荷も、導電路76を経て、隔離リレー73から第1の除電回路の接地リレー64を経てアース側に流れる。
この第1の除電回路の接地リレー63、64を介して電荷を放出する工程を所定時間行った後、第2の除電回路71による第2の除電ステップが行なわれる。すなわち、図5に示したように、第1の除電回路における接地リレー63、64はそのまま閉鎖状態(接続状態)とする。一方、中間接地装置70内の第2の除電回路71においては、隔離リレー73、74を開放状態(遮断状態)とし、接地リレー77、78は閉鎖状態(接続状態)とする。これによって第2の除電回路71による第2の除電ステップが行なわれる。
すなわち、直流電源部60における第1の除電回路62においては、直流電源部60内の残留電荷は、接地リレー63、64を介してアース側へと放出される。一方、中間接地装置70内の第2の除電回路71においては、隔離リレー73、74が開放状態(遮断状態)であるから、直流電源部60と中間接地装置70とは完全に隔離される。
そして中間接地装置70の第2の除電回路71においては、接地リレー77、78は閉鎖状態(接続状態)であり、接地リレー77、78系の導電路には、格別抵抗素子が設けられていないため、電荷が非常に流れやすくなっている。そのため、接地リレー77、78と電気的に接続されている導電路75、76に電荷が流れた場合には、速やかに、接地リレー77、78からアース側に逃がすことができる。
したがって、たとえば静電チャック51中にヒータ54,55からの漏れ電流が流れても、そのときの電荷を速やかに、接地リレー77、78を介してアース側に逃がすことができる。それゆえヒータ54,55からの漏れ電流に起因する静電チャック51のチャージアップは防止される。
前記実施の形態では、第2の除電回路71は中間接地装置70内に設けられているから、中間接地装置70を直流電源部60から切り離し、例えば電圧の異なった他の直流電源を有する直流電源部に接続することで、同様に前記したような第2の除電ステップを実行することができる。したがって、前記実施の形態にかかる静電吸着装置50は汎用性が高い。もちろん第2の除電回路71は、直流電源部60内に設けてもよい。
また以上のような除電のシーケンス、すなわち第1の除電ステップを行ない、所定時間経過後、第2の除電ステップを実行するというシーケンスは、制御装置80によって行われていたが、この制御はたとえば予め設定されたプログラムに基づいてなされてもよい。また当該所定時間は、直流電源61の種類、静電チャック51の材質、電極52、53の配置、ヒータ54、55の種類、配置等に基づいて、設定される。さらにまた前記プログラムは、制御装置80内のプログラム格納部(図示せず)に格納されているが、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御装置80にインストールされたものであってもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)誘電体内に電極とヒータを内蔵した静電チャックを有する静電吸着装置であって、
前記電極に直流電力を供給する直流電源を有する直流電源部と、
前記直流電源と前記電極との間の電力供給路に接続された第1の除電回路と、
前記第1の除電回路と前記電極との間の前記電力供給路に接続された第2の除電回路とを有し、
前記第1の除電回路は、前記電極とアース側とを電圧降下用抵抗部材を介して接続、遮断可能な第1の接地リレーを有し、
前記第2の除電回路は、前記第1の除電回路と前記第2の除電回路の間を接続、遮断可能な隔離リレーと、前記隔離リレーと前記電極との間の前記電力供給路に接続され、前記電極とアース側とを抵抗部材を介することなく接続、遮断可能な第2の接地リレーを有している、静電吸着装置。
(2)前記第1の除電回路は、前記直流電源部に設けられている、(1)に記載の静電吸着装置。
(3)前記第2の除電回路は、前記直流電源部と前記電極との間に設けられた中間接地装置に設けられている、(1)または(2)のいずれかに記載の静電吸着装置。
(4)前記第1の接地リレー、第2の接地リレー及び前記隔離リレーの接続、遮断を制御する制御装置を有する(1)~(3)のいずれか一項に記載の静電吸着装置。
(5)(1)~(4)のいずれかに記載の静電吸着装置を用いた静電チャックの除電方法であって、
前記電極への直流電力の供給を停止と同時またその後に、前記静電チャックの電荷を、前記第1の除電回路によって除電する第1の除電工程と、
前記第1の除電工程の後、前記第1の除電回路を前記電力供給路から隔離し、当該隔離と同時、また所定時間経過後に、前記第2の除電回路によって前記静電チャックの電荷を除電する第2の除電工程と、を有する。
(1)誘電体内に電極とヒータを内蔵した静電チャックを有する静電吸着装置であって、
前記電極に直流電力を供給する直流電源を有する直流電源部と、
前記直流電源と前記電極との間の電力供給路に接続された第1の除電回路と、
前記第1の除電回路と前記電極との間の前記電力供給路に接続された第2の除電回路とを有し、
前記第1の除電回路は、前記電極とアース側とを電圧降下用抵抗部材を介して接続、遮断可能な第1の接地リレーを有し、
前記第2の除電回路は、前記第1の除電回路と前記第2の除電回路の間を接続、遮断可能な隔離リレーと、前記隔離リレーと前記電極との間の前記電力供給路に接続され、前記電極とアース側とを抵抗部材を介することなく接続、遮断可能な第2の接地リレーを有している、静電吸着装置。
(2)前記第1の除電回路は、前記直流電源部に設けられている、(1)に記載の静電吸着装置。
(3)前記第2の除電回路は、前記直流電源部と前記電極との間に設けられた中間接地装置に設けられている、(1)または(2)のいずれかに記載の静電吸着装置。
(4)前記第1の接地リレー、第2の接地リレー及び前記隔離リレーの接続、遮断を制御する制御装置を有する(1)~(3)のいずれか一項に記載の静電吸着装置。
(5)(1)~(4)のいずれかに記載の静電吸着装置を用いた静電チャックの除電方法であって、
前記電極への直流電力の供給を停止と同時またその後に、前記静電チャックの電荷を、前記第1の除電回路によって除電する第1の除電工程と、
前記第1の除電工程の後、前記第1の除電回路を前記電力供給路から隔離し、当該隔離と同時、また所定時間経過後に、前記第2の除電回路によって前記静電チャックの電荷を除電する第2の除電工程と、を有する。
1 成膜装置
10 処理容器
10a 排気口
10b 開口
11 排気装置
12 アダプタ
13 ゲートバルブ
15 載置台
17 載置台駆動機構
18 ガス供給ヘッド
20 ヘッド駆動機構
30、32 金属ターゲット
31、33 ホルダ
38 ガス供給部
39 ガス供給源
50 静電吸着装置
51 静電チャック
52、53 電極
60 直流電源部
61 直流電源
62 第1の除電回路
63、64 接地リレー
70 中間接地装置
71 第2の除電回路
73、74 隔離リレー
75、76 導電路
77、78 接地リレー
80 制御装置
R1、R2 電圧降下用抵抗
S 空間
W ウェハ
10 処理容器
10a 排気口
10b 開口
11 排気装置
12 アダプタ
13 ゲートバルブ
15 載置台
17 載置台駆動機構
18 ガス供給ヘッド
20 ヘッド駆動機構
30、32 金属ターゲット
31、33 ホルダ
38 ガス供給部
39 ガス供給源
50 静電吸着装置
51 静電チャック
52、53 電極
60 直流電源部
61 直流電源
62 第1の除電回路
63、64 接地リレー
70 中間接地装置
71 第2の除電回路
73、74 隔離リレー
75、76 導電路
77、78 接地リレー
80 制御装置
R1、R2 電圧降下用抵抗
S 空間
W ウェハ
Claims (5)
- 誘電体内に電極とヒータを内蔵した静電チャックを有する静電吸着装置であって、
前記電極に直流電力を供給する直流電源を有する直流電源部と、
前記直流電源と前記電極との間の電力供給路に接続された第1の除電回路と、
前記第1の除電回路と前記電極との間の前記電力供給路に接続された第2の除電回路とを有し、
前記第1の除電回路は、前記電極とアース側とを電圧降下用抵抗部材を介して接続、遮断可能な第1の接地リレーを有し、
前記第2の除電回路は、前記第1の除電回路と前記第2の除電回路の間を接続、遮断可能な隔離リレーと、前記隔離リレーと前記電極との間の前記電力供給路に接続され、前記電極とアース側とを抵抗部材を介することなく接続、遮断可能な第2の接地リレーを有している、静電吸着装置。 - 前記第1の除電回路は、前記直流電源部に設けられている、請求項1に記載の静電吸着装置。
- 前記第2の除電回路は、前記直流電源部と前記電極との間に設けられた中間接地装置に設けられている、請求項1または2のいずれか一項に記載の静電吸着装置。
- 前記第1の接地リレー、第2の接地リレー及び前記隔離リレーの接続、遮断を制御する制御装置を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の静電吸着装置。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の静電吸着装置を用いた静電チャックの除電方法であって、
前記電極への直流電力の供給を停止と同時またその後に、前記静電チャックの電荷を、前記第1の除電回路によって除電する第1の除電工程と、
前記第1の除電工程の後、前記第1の除電回路を前記電力供給路から隔離し、当該隔離と同時、また所定時間経過後に、前記第2の除電回路によって前記静電チャックの電荷を除電する第2の除電工程と、を有する。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019058070A JP7169920B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 静電吸着装置及び除電方法 |
CN202080021044.6A CN113574790A (zh) | 2019-03-26 | 2020-03-13 | 静电吸附装置以及除电方法 |
KR1020217033095A KR102648459B1 (ko) | 2019-03-26 | 2020-03-13 | 정전 흡착 장치 및 제전 방법 |
US17/598,191 US12002662B2 (en) | 2019-03-26 | 2020-03-13 | Electrostatic attraction device and neutralization method |
PCT/JP2020/011126 WO2020195959A1 (ja) | 2019-03-26 | 2020-03-13 | 静電吸着装置及び除電方法 |
TW109108740A TWI843824B (zh) | 2019-03-26 | 2020-03-17 | 靜電吸附裝置及除電方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019058070A JP7169920B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 静電吸着装置及び除電方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161590A JP2020161590A (ja) | 2020-10-01 |
JP7169920B2 true JP7169920B2 (ja) | 2022-11-11 |
Family
ID=72608711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019058070A Active JP7169920B2 (ja) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | 静電吸着装置及び除電方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12002662B2 (ja) |
JP (1) | JP7169920B2 (ja) |
KR (1) | KR102648459B1 (ja) |
CN (1) | CN113574790A (ja) |
TW (1) | TWI843824B (ja) |
WO (1) | WO2020195959A1 (ja) |
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JP2004047512A (ja) | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 吸着状態判別方法、離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 |
JP5315942B2 (ja) | 2008-05-21 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台機構、これを用いたプラズマ処理装置及び静電チャックへの電圧印加方法 |
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-
2019
- 2019-03-26 JP JP2019058070A patent/JP7169920B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-13 US US17/598,191 patent/US12002662B2/en active Active
- 2020-03-13 WO PCT/JP2020/011126 patent/WO2020195959A1/ja active Application Filing
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- 2020-03-13 CN CN202080021044.6A patent/CN113574790A/zh not_active Withdrawn
- 2020-03-17 TW TW109108740A patent/TWI843824B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102648459B1 (ko) | 2024-03-15 |
TWI843824B (zh) | 2024-06-01 |
WO2020195959A1 (ja) | 2020-10-01 |
KR20210137187A (ko) | 2021-11-17 |
US20220174803A1 (en) | 2022-06-02 |
CN113574790A (zh) | 2021-10-29 |
US12002662B2 (en) | 2024-06-04 |
JP2020161590A (ja) | 2020-10-01 |
TW202044743A (zh) | 2020-12-01 |
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