JPH09199578A - 静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置 - Google Patents
静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH09199578A JPH09199578A JP711196A JP711196A JPH09199578A JP H09199578 A JPH09199578 A JP H09199578A JP 711196 A JP711196 A JP 711196A JP 711196 A JP711196 A JP 711196A JP H09199578 A JPH09199578 A JP H09199578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- electrode
- electrostatic adsorption
- wafer
- transition metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ等により処理されるウエハを静電吸着
力により支持する静電吸着電極において、広い温度範囲
にわって適用可能な静電吸着電極を提供する。 【解決手段】静電吸着電極１５を、Ａｌ製の電極１３と
Ａｌ製の電極１３にＳｉＯ2を添加して安定化させＺｒ
Ｏ2にＴｉＯ2を添加して形成した絶縁膜１４とで構成す
る。これにより、広い温度範囲にわって良好にウエハを
吸着保持できる。
力により支持する静電吸着電極において、広い温度範囲
にわって適用可能な静電吸着電極を提供する。 【解決手段】静電吸着電極１５を、Ａｌ製の電極１３と
Ａｌ製の電極１３にＳｉＯ2を添加して安定化させＺｒ
Ｏ2にＴｉＯ2を添加して形成した絶縁膜１４とで構成す
る。これにより、広い温度範囲にわって良好にウエハを
吸着保持できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は静電吸着電極および
それを用いたプラズマ処理装置に係り、特にプラズマ等
により処理されるウエハを静電吸着力により支持するの
に好適な静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理
装置に関するものである。
それを用いたプラズマ処理装置に係り、特にプラズマ等
により処理されるウエハを静電吸着力により支持するの
に好適な静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の静電吸着電極は、静電吸着電極に
用いられている絶縁膜として、次の４つがある。第１
は、特公平６−９７６７５号公報に記載のようにＡｌ2
Ｏ3にＴｉＯ2を０．５〜２重量％添加し、これを還元雰
囲気中で焼成したものである。第２は、特開平６−２９
１１７５号公報に記載のように単結晶サファイアの焼結
体を用いたものである。第３は、特開平４−２０６９４
８号公報に記載のようにＣａＴｉＯ3，ＢａＴｉＯ3等の
焼結体を用いたものである。第４は、スパッタ，ＣＶＤ
等の気相法により形成したＡｌＮ膜を用いたものであ
る。
用いられている絶縁膜として、次の４つがある。第１
は、特公平６−９７６７５号公報に記載のようにＡｌ2
Ｏ3にＴｉＯ2を０．５〜２重量％添加し、これを還元雰
囲気中で焼成したものである。第２は、特開平６−２９
１１７５号公報に記載のように単結晶サファイアの焼結
体を用いたものである。第３は、特開平４−２０６９４
８号公報に記載のようにＣａＴｉＯ3，ＢａＴｉＯ3等の
焼結体を用いたものである。第４は、スパッタ，ＣＶＤ
等の気相法により形成したＡｌＮ膜を用いたものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、プラ
ズマエッチング装置の被エッチング材であるウエハを載
置する電極に適用した場合、次の問題がある。通常のエ
ッチング処理では、処理するウエハの対象膜種によって
電極温度が異なっており、例えば、Ａｌ配線膜のエッチ
ング処理では、室温より高い２０〜６０℃の範囲が用い
られ、ゲ−ト膜であるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜および絶縁膜で
あるＳｉＯ2膜のエッチング処理では、室温より低い−
２０〜−４０℃の範囲が用いられている。したがって、
一種類の静電吸着電極でこのような広い電極温度範囲を
カバーするためには、絶縁膜として固有抵抗値の温度依
存性の小さい材料を用いる必要がある。従来の絶縁膜
は、固有抵抗値の温度依存性について考慮されておら
ず、例えば、第１の従来技術のＡｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添
加した絶縁膜では、電極温度を２０℃から−５０℃に低
くすると固有抵抗値が約３０倍高くなり、これに伴っ
て、残留吸着力が大きくなって、適用できる温度範囲が
狭くなるという問題があることが実験によりわかった。
また、この問題を解決するために、適用する最低の電極
温度において残留吸着力に問題が生じないように固有抵
抗値をあらかじめ低くする方法が考えられる。しかし、
逆に電極温度が高くなると固有抵抗値が低くなるために
処理中にウエハを流れるリ-ク電流が増加し、処理され
る絶縁膜の耐圧破壊の点で問題があった。
ズマエッチング装置の被エッチング材であるウエハを載
置する電極に適用した場合、次の問題がある。通常のエ
ッチング処理では、処理するウエハの対象膜種によって
電極温度が異なっており、例えば、Ａｌ配線膜のエッチ
ング処理では、室温より高い２０〜６０℃の範囲が用い
られ、ゲ−ト膜であるＰｏｌｙ−Ｓｉ膜および絶縁膜で
あるＳｉＯ2膜のエッチング処理では、室温より低い−
２０〜−４０℃の範囲が用いられている。したがって、
一種類の静電吸着電極でこのような広い電極温度範囲を
カバーするためには、絶縁膜として固有抵抗値の温度依
存性の小さい材料を用いる必要がある。従来の絶縁膜
は、固有抵抗値の温度依存性について考慮されておら
ず、例えば、第１の従来技術のＡｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添
加した絶縁膜では、電極温度を２０℃から−５０℃に低
くすると固有抵抗値が約３０倍高くなり、これに伴っ
て、残留吸着力が大きくなって、適用できる温度範囲が
狭くなるという問題があることが実験によりわかった。
また、この問題を解決するために、適用する最低の電極
温度において残留吸着力に問題が生じないように固有抵
抗値をあらかじめ低くする方法が考えられる。しかし、
逆に電極温度が高くなると固有抵抗値が低くなるために
処理中にウエハを流れるリ-ク電流が増加し、処理され
る絶縁膜の耐圧破壊の点で問題があった。
【０００４】本発明の目的は、絶縁膜の固有抵抗値の温
度依存性を低減して、広い電極温度範囲で使用すること
のできる静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理
装置を提供することにある。
度依存性を低減して、広い電極温度範囲で使用すること
のできる静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理
装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、プラズマに
より処理されるウエハを絶縁膜との間に発生させた静電
吸着力により支持する静電吸着電極において、絶縁膜を
ＺｒＯ2に遷移金属を添加して形成することにより、達
成される。
より処理されるウエハを絶縁膜との間に発生させた静電
吸着力により支持する静電吸着電極において、絶縁膜を
ＺｒＯ2に遷移金属を添加して形成することにより、達
成される。
【０００６】絶縁膜は、ＳｉＯ2，ＭｇＯまたはＹ2Ｏ3
を単独あるいは混合して添加し安定化させたＺｒＯ2に
遷移金属であるＴｉＯ2を添加して形成する。また、こ
のようにして形成された絶縁膜の表面に該絶縁膜と抵抗
値が同等かそれより低い値を有するＳｉＣのコーティン
グ膜を形成する。
を単独あるいは混合して添加し安定化させたＺｒＯ2に
遷移金属であるＴｉＯ2を添加して形成する。また、こ
のようにして形成された絶縁膜の表面に該絶縁膜と抵抗
値が同等かそれより低い値を有するＳｉＣのコーティン
グ膜を形成する。
【０００７】
【発明の実施の形態】プラズマ処理装置に用いられる静
電吸着電極用の絶縁膜である各種のセラミックスについ
て固有抵抗値の温度依存性を温度２０〜−５０℃の範囲
で検討した。その結果、固有抵抗値が従来のＡｌ2Ｏ3に
ＴｉＯ2を添加した絶縁膜では、約３０倍変化するのに
対して、ＳｉＯ2，ＭｇＯ，Ｙ2Ｏ3等を添加して安定化
させたＺｒＯ2に ＴｉＯ2を添加した絶縁膜では、約３
倍と小さいことがわかった。これは、 Ａｌ2Ｏ3に比
べてＺｒＯ2の方が電気伝導の活性化エネルギ-が小さい
ためであると考えられる。さらに、固有抵抗値は、Ｚｒ
Ｏ2に対するＴｉＯ2の添加量をコントロールすることに
より任意の値に調整することが可能である。また、残留
吸着力の点から固有抵抗値は、１０9Ω-ｃｍ以下が最適
であった。また、この絶縁膜表面に抵抗値のさらに低い
ＳｉＣをコ-ティングすることにより、前述した固有抵
抗値の温度依存性に影響を及ぼすことなくＺｒＯ2、Ｔ
ｉＯ2等がウエハ裏面に付着してウエハを汚染すること
を防止できる。
電吸着電極用の絶縁膜である各種のセラミックスについ
て固有抵抗値の温度依存性を温度２０〜−５０℃の範囲
で検討した。その結果、固有抵抗値が従来のＡｌ2Ｏ3に
ＴｉＯ2を添加した絶縁膜では、約３０倍変化するのに
対して、ＳｉＯ2，ＭｇＯ，Ｙ2Ｏ3等を添加して安定化
させたＺｒＯ2に ＴｉＯ2を添加した絶縁膜では、約３
倍と小さいことがわかった。これは、 Ａｌ2Ｏ3に比
べてＺｒＯ2の方が電気伝導の活性化エネルギ-が小さい
ためであると考えられる。さらに、固有抵抗値は、Ｚｒ
Ｏ2に対するＴｉＯ2の添加量をコントロールすることに
より任意の値に調整することが可能である。また、残留
吸着力の点から固有抵抗値は、１０9Ω-ｃｍ以下が最適
であった。また、この絶縁膜表面に抵抗値のさらに低い
ＳｉＣをコ-ティングすることにより、前述した固有抵
抗値の温度依存性に影響を及ぼすことなくＺｒＯ2、Ｔ
ｉＯ2等がウエハ裏面に付着してウエハを汚染すること
を防止できる。
【０００８】以下、本発明の第１の実施例を図１ないし
図３により説明する。図１に静電吸着装置の詳細を示
し、図２に該静電吸着電極を搭載したプラズマ処理装
置、この場合、有磁場マイクロ波プラズマエッチング装
置を示す。１はウエハで、２は石英等のマイクロ波を透
過する材料で成る放電管で、３はウエハ１の処理に用い
られるプロセスガスで、４はプロセスガスをプラズマ化
するためのマイクロ波で、５は放電管２内に磁場を形成
するためのソレノイドコイルで、６はプロセスガス３の
プラズマで、７は真空処理室を形成するチャンバで、８
はチャンバ７との電気絶縁を取るための絶縁物で、９は
チャンバ７内に設けられ絶縁物８を介してチャンバ７に
取り付けられた下部電極で、１０は回路を電気的にオン
・オフするスイッチで、１１は下部電極９にスイッチ１
０を介して接続された高周波電源で、１２は下部電極９
に設けられ下部電極９に配置されるウエハ１を載置・除
去するためのウエハ押し上げ装置で、１３は電気の良導
体でかつ温度の良伝導体である材料、この場合Ａｌで形
成された電極で、１４はＺｒＯ2に遷移金属であるＴｉ
Ｏ2を添加して形成、さらにはＳｉＯ2を添加して安定化
させたＺｒＯ2に遷移金属であるＴｉＯ2を添加して形成
され、電極１３の表面を覆って設けた絶縁膜で、１５は
電極１３および絶縁膜１４から成り下部電極９上に固定
された静電吸着電極で、１６はローパスフィルタで、１
７はスイッチで、１８は下部電極９にローパスフィルタ
１６およびスイッチ１７を介して接続された静電吸着用
の直流電源で、１９および２０はスイッチ１７の端子
で、２１は下部電極９と接地電位との間にローパスフィ
ルタ１６およびスイッチ１７を介して接続された抵抗
で、２２はマスフローコントローラで、２３は静電吸着
電極１５上に保持されるウエハ１の裏面にマスフローコ
ントローラ２２を介してＨｅガスを供給するための伝熱
ガス供給ラインで、２４はサーキュレータで、２５はサ
ーキュレータ２４からの温度制御された冷媒を下部電極
９に供給および下部電極９から回収するための冷媒ライ
ンである。
図３により説明する。図１に静電吸着装置の詳細を示
し、図２に該静電吸着電極を搭載したプラズマ処理装
置、この場合、有磁場マイクロ波プラズマエッチング装
置を示す。１はウエハで、２は石英等のマイクロ波を透
過する材料で成る放電管で、３はウエハ１の処理に用い
られるプロセスガスで、４はプロセスガスをプラズマ化
するためのマイクロ波で、５は放電管２内に磁場を形成
するためのソレノイドコイルで、６はプロセスガス３の
プラズマで、７は真空処理室を形成するチャンバで、８
はチャンバ７との電気絶縁を取るための絶縁物で、９は
チャンバ７内に設けられ絶縁物８を介してチャンバ７に
取り付けられた下部電極で、１０は回路を電気的にオン
・オフするスイッチで、１１は下部電極９にスイッチ１
０を介して接続された高周波電源で、１２は下部電極９
に設けられ下部電極９に配置されるウエハ１を載置・除
去するためのウエハ押し上げ装置で、１３は電気の良導
体でかつ温度の良伝導体である材料、この場合Ａｌで形
成された電極で、１４はＺｒＯ2に遷移金属であるＴｉ
Ｏ2を添加して形成、さらにはＳｉＯ2を添加して安定化
させたＺｒＯ2に遷移金属であるＴｉＯ2を添加して形成
され、電極１３の表面を覆って設けた絶縁膜で、１５は
電極１３および絶縁膜１４から成り下部電極９上に固定
された静電吸着電極で、１６はローパスフィルタで、１
７はスイッチで、１８は下部電極９にローパスフィルタ
１６およびスイッチ１７を介して接続された静電吸着用
の直流電源で、１９および２０はスイッチ１７の端子
で、２１は下部電極９と接地電位との間にローパスフィ
ルタ１６およびスイッチ１７を介して接続された抵抗
で、２２はマスフローコントローラで、２３は静電吸着
電極１５上に保持されるウエハ１の裏面にマスフローコ
ントローラ２２を介してＨｅガスを供給するための伝熱
ガス供給ラインで、２４はサーキュレータで、２５はサ
ーキュレータ２４からの温度制御された冷媒を下部電極
９に供給および下部電極９から回収するための冷媒ライ
ンである。
【０００９】このように構成された本装置では、ウエハ
１のエッチング処理は、図示を省略した搬送装置および
ウエハ押し上げ装置１２によりチャンバ７内の下部電極
９上にウエハ１を配置し、放電管２内に導入したプロセ
スガス３をマイクロ波４とソレノイド５による磁場の相
互作用によってプラズマ６化して行われる。この際、ス
イッチ１０をオンし高周波電源１１により高周波電力を
下部電極９に印加して、ウエハ１に入射するイオンのエ
ネルギ−を制御しながら行う。
１のエッチング処理は、図示を省略した搬送装置および
ウエハ押し上げ装置１２によりチャンバ７内の下部電極
９上にウエハ１を配置し、放電管２内に導入したプロセ
スガス３をマイクロ波４とソレノイド５による磁場の相
互作用によってプラズマ６化して行われる。この際、ス
イッチ１０をオンし高周波電源１１により高周波電力を
下部電極９に印加して、ウエハ１に入射するイオンのエ
ネルギ−を制御しながら行う。
【００１０】ウエハ１のエッチングが終了するとエッチ
ング済みのウエハ１は、ウエハ押し上げ装置１２の作動
により下部電極９から図示を省略した搬送装置に渡さ
れ、その後、該搬送装置により他の場所に搬送される。
ング済みのウエハ１は、ウエハ押し上げ装置１２の作動
により下部電極９から図示を省略した搬送装置に渡さ
れ、その後、該搬送装置により他の場所に搬送される。
【００１１】なお、本装置において、エッチング処理開
始時にウエハ１を静電吸着電極１５に吸着させるときに
は、プラズマ６を生成した状態でスイッチ１７を端子１
９と接続させ、静電吸着電極１５に直流電圧を印加して
行う。エッチング処理終了後、ウエハ１を静電吸着電極
１５から解放するときには、プラズマ６を生成した状態
でスイッチ１７を端子２０と接続させ、抵抗２１を介し
て静電吸着電極１５を接地させて行う。
始時にウエハ１を静電吸着電極１５に吸着させるときに
は、プラズマ６を生成した状態でスイッチ１７を端子１
９と接続させ、静電吸着電極１５に直流電圧を印加して
行う。エッチング処理終了後、ウエハ１を静電吸着電極
１５から解放するときには、プラズマ６を生成した状態
でスイッチ１７を端子２０と接続させ、抵抗２１を介し
て静電吸着電極１５を接地させて行う。
【００１２】一方、エッチングされるウエハ１の冷却
は、ウエハ１を静電吸着電極１５上に静電吸着・保持さ
せた状態で、マスフローコントローラ２２を開いて伝熱
ガス供給ライン２３からＨｅガスをウエハ１裏面に導入
することにより行う。このとき、下部電極９はサーキュ
レータ２４により冷媒ライン２５を循環する温調された
冷媒によって温度コントロールされる。
は、ウエハ１を静電吸着電極１５上に静電吸着・保持さ
せた状態で、マスフローコントローラ２２を開いて伝熱
ガス供給ライン２３からＨｅガスをウエハ１裏面に導入
することにより行う。このとき、下部電極９はサーキュ
レータ２４により冷媒ライン２５を循環する温調された
冷媒によって温度コントロールされる。
【００１３】次に、絶縁膜１４の固有抵抗値の温度依存
性を測定した結果を図３に示す。また、図３は、同時に
Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添加して形成した従来の絶縁膜の
場合も合わせて示した。Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添加して
形成した従来の絶縁膜では、電極温度を２０℃から−５
０℃に低くすると固有抵抗値は約３０倍高くなるのに比
べて、本実施例のＳｉＯ2を添加して安定化させたＺｒ
Ｏ2にＴｉＯ2を添加して形成した絶縁膜１４では約３倍
の増加に留まっている。これは、Ａｌ2Ｏ3に比べてＺｒ
Ｏ2の方が電気伝導の活性化エネルギ−が小さいためで
あると考えられる。これにより、本実施例の絶縁膜１４
では従来の絶縁膜に比べて適用できる電極温度の範囲を
約３．１倍広くすることが可能となった。また、ＴｉＯ
2の添加量を最適化して固有抵抗値を１０9Ω−ｃｍ以下
とすることにより、電極温度２０〜−５０℃の範囲で残
留吸着力およびリ−ク電流ともに問題となる値は生じな
かった。
性を測定した結果を図３に示す。また、図３は、同時に
Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添加して形成した従来の絶縁膜の
場合も合わせて示した。Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を添加して
形成した従来の絶縁膜では、電極温度を２０℃から−５
０℃に低くすると固有抵抗値は約３０倍高くなるのに比
べて、本実施例のＳｉＯ2を添加して安定化させたＺｒ
Ｏ2にＴｉＯ2を添加して形成した絶縁膜１４では約３倍
の増加に留まっている。これは、Ａｌ2Ｏ3に比べてＺｒ
Ｏ2の方が電気伝導の活性化エネルギ−が小さいためで
あると考えられる。これにより、本実施例の絶縁膜１４
では従来の絶縁膜に比べて適用できる電極温度の範囲を
約３．１倍広くすることが可能となった。また、ＴｉＯ
2の添加量を最適化して固有抵抗値を１０9Ω−ｃｍ以下
とすることにより、電極温度２０〜−５０℃の範囲で残
留吸着力およびリ−ク電流ともに問題となる値は生じな
かった。
【００１４】次に、本発明の静電吸着電極の第２の実施
例を図４により説明する。本図において、図１と同符号
は同一部材を示し説明を省略する。本図が前述の第１の
実施例と異なるところは、ＳｉＯ2を添加して安定化さ
せたＺｒＯ2にＴｉＯ2を添加して形成した絶縁膜１４の
表面に、絶縁膜１４と同等かもしくは絶縁膜１４よりも
抵抗値の小さい絶縁膜２６を設けた点である。絶縁膜２
６は、この場合、絶縁膜１４よりも抵抗値の小さいＳｉ
Ｃのコ−ティング膜で形成してある。このようにするこ
とにより、前述した固有抵抗値の温度依存性に影響を及
ぼすことなくＺｒＯ2，ＴｉＯ2等がウエハ１裏面に付着
してウエハ１を汚染することを防止できる。
例を図４により説明する。本図において、図１と同符号
は同一部材を示し説明を省略する。本図が前述の第１の
実施例と異なるところは、ＳｉＯ2を添加して安定化さ
せたＺｒＯ2にＴｉＯ2を添加して形成した絶縁膜１４の
表面に、絶縁膜１４と同等かもしくは絶縁膜１４よりも
抵抗値の小さい絶縁膜２６を設けた点である。絶縁膜２
６は、この場合、絶縁膜１４よりも抵抗値の小さいＳｉ
Ｃのコ−ティング膜で形成してある。このようにするこ
とにより、前述した固有抵抗値の温度依存性に影響を及
ぼすことなくＺｒＯ2，ＴｉＯ2等がウエハ１裏面に付着
してウエハ１を汚染することを防止できる。
【００１５】以上、本実施例によれば、ウエハの処理温
度範囲が変わっても実用上の残留吸着力および耐圧破壊
に影響を与えることなく、安定してウエハを静電吸着す
ることができる。また、絶縁膜１４表面に抵抗値のさら
に低いＳｉＣをコ-ティングすることにより、固有抵抗
値の温度依存性に影響を及ぼすことなくＺｒＯ2、Ｔｉ
Ｏ2等がウエハ裏面に付着してウエハを汚染するのを防
止することができるので、歩留まりの良いウエハ処理を
行うことができる。
度範囲が変わっても実用上の残留吸着力および耐圧破壊
に影響を与えることなく、安定してウエハを静電吸着す
ることができる。また、絶縁膜１４表面に抵抗値のさら
に低いＳｉＣをコ-ティングすることにより、固有抵抗
値の温度依存性に影響を及ぼすことなくＺｒＯ2、Ｔｉ
Ｏ2等がウエハ裏面に付着してウエハを汚染するのを防
止することができるので、歩留まりの良いウエハ処理を
行うことができる。
【００１６】なお、本実施例では、絶縁膜１４にＳｉＯ
2を添加して安定化させたＺｒＯ2に遷移金属であるＴｉ
Ｏ2を添加して形成したものについて述べたが、ＺｒＯ2
を安定化さる添加物としてＳｉＯ2の他にＭｇＯまたは
Ｙ2Ｏ3を単独で添加、あるいはＳｉＯ2，ＭｇＯまたは
Ｙ2Ｏ3のいづれかを混合して添加しても良い。
2を添加して安定化させたＺｒＯ2に遷移金属であるＴｉ
Ｏ2を添加して形成したものについて述べたが、ＺｒＯ2
を安定化さる添加物としてＳｉＯ2の他にＭｇＯまたは
Ｙ2Ｏ3を単独で添加、あるいはＳｉＯ2，ＭｇＯまたは
Ｙ2Ｏ3のいづれかを混合して添加しても良い。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、広い温度範囲に渡って
適用できる静電吸着電極とすることができるという効果
がある。
適用できる静電吸着電極とすることができるという効果
がある。
【図１】本発明の静電吸着電極の第１の実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の静電吸着電極を用いたプラズマ処理装置
の一実施例である概略構成を示す縦断面図である。
の一実施例である概略構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明および従来技術の静電吸着電極の絶縁膜
の固有抵抗値の温度依存性を示し図である。
の固有抵抗値の温度依存性を示し図である。
【図４】本発明の静電吸着電極の第２の実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
１…ウエハ、６…プラズマ、７…チャンバ、９…下部電
極、１４，２６…絶縁膜、１５，１５ａ…静電吸着電
極、１８…直流電源。
極、１４，２６…絶縁膜、１５，１５ａ…静電吸着電
極、１８…直流電源。
Claims (12)
- 【請求項１】処理によって温度の異なる試料を絶縁膜と
の間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着電
極において、前記絶縁膜をＺｒＯ2に遷移金属を添加し
て形成したことを特徴とする静電吸着電極。 - 【請求項２】請求項１記載の前記ＺｒＯ2はＳｉＯ2，Ｍ
ｇＯまたはＹ2Ｏ3を単独あるいは混合して添加し安定化
させて成る静電吸着電極。 - 【請求項３】請求項１記載の前記遷移金属はＴｉＯ2で
ある静電吸着電極。 - 【請求項４】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、前記絶縁膜を、ＳｉＯ2，ＭｇＯまたは
Ｙ2Ｏ3を単独あるいは混合して添加し安定化させたＺｒ
Ｏ2に遷移金属を添加して形成したことを特徴とする静
電吸着電極。 - 【請求項５】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、前記絶縁膜をＺｒＯ2にＴｉＯ2を添加し
て形成したことを特徴とする静電吸着電極。 - 【請求項６】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、前記絶縁膜を、ＳｉＯ2，ＭｇＯまたは
Ｙ2Ｏ3を単独あるいは混合して添加し安定化させたＺｒ
Ｏ2にＴｉＯ2を添加して形成したことを特徴とする静電
吸着電極。 - 【請求項７】プラズマにより処理されるウエハを絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極において、前記絶縁膜をＺｒＯ2に遷移金属を添加
して形成し、前記絶縁膜表面に前記絶縁膜と同等かそれ
より抵抗値の低い他の絶縁膜を被覆して成ることを特徴
とする静電吸着電極。 - 【請求項８】請求項７記載の前記絶縁膜表面に被覆する
前記他の絶縁膜をＳｉＣとした静電吸着電極。 - 【請求項９】請求項８記載の前記絶縁膜表面に被覆され
るＳｉＣは、コーティングによって被覆された静電吸着
電極。 - 【請求項１０】試料の温度を所定の温度に保って処理す
るプラズマ処理装置において、真空処理室内に設けられ
た試料台に前記試料を静電吸着保持する手段を具備し、
該手段に用いられる直流電源が接続された静電吸着電極
の前記試料が配置される面に設けられる絶縁膜を、Ｚｒ
Ｏ2に遷移金属を添加して形成したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項１１】請求項１０記載の前記ＺｒＯ2はＳｉ
Ｏ2，ＭｇＯまたはＹ2Ｏ3を単独あるいは混合して添加
し安定化させて成り、前記遷移金属はＴｉＯ2であるプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項１２】請求項１０記載の前記絶縁膜の前記試料
配置面にＳｉＣをコーティングして被覆したプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP711196A JPH09199578A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP711196A JPH09199578A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199578A true JPH09199578A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11656987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP711196A Pending JPH09199578A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199578A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6631062B1 (en) | 1999-04-13 | 2003-10-07 | Nihon Ceratec Co., Ltd. | Electrically conductive ceramic material, a process of producing same, and an electrostatic chuck |
| JP2008258374A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-10-23 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ載置用電極 |
| US10607818B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-03-31 | Semes Co., Ltd. | Support unit, apparatus and method for treating a substrate |
| JP2020514237A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-05-21 | コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド | 高い腐食性又は浸食性産業用途に使用するためのセラミック材料アセンブリ |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP711196A patent/JPH09199578A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6631062B1 (en) | 1999-04-13 | 2003-10-07 | Nihon Ceratec Co., Ltd. | Electrically conductive ceramic material, a process of producing same, and an electrostatic chuck |
| JP2008258374A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-10-23 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ載置用電極 |
| US10607818B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-03-31 | Semes Co., Ltd. | Support unit, apparatus and method for treating a substrate |
| US11127573B2 (en) | 2016-05-27 | 2021-09-21 | Semes Co., Ltd. | Support unit, apparatus and method for treating a substrate |
| JP2020514237A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-05-21 | コンポーネント リ−エンジニアリング カンパニー インコーポレイテッド | 高い腐食性又は浸食性産業用途に使用するためのセラミック材料アセンブリ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5063520B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| US5460684A (en) | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same | |
| JP4421874B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP5584517B2 (ja) | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US5880924A (en) | Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate | |
| US8513563B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| KR101695037B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP4101299B2 (ja) | ウェハ昇降システムによるウェハ放電制御 | |
| JPH08236602A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2002198355A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2005191056A (ja) | 処理装置 | |
| JPH10275694A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| JP2003109946A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2017103389A (ja) | 静電チャック及び半導体製造装置 | |
| JPH10154745A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JPH09199578A (ja) | 静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JPH1027780A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP4070974B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH06244147A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1064883A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH1079417A (ja) | 静電吸着電極及びプラズマ処理装置 | |
| JPH03204924A (ja) | 試料保持装置 | |
| JPH1012713A (ja) | 静電吸着電極及びそれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JPH02130915A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09129716A (ja) | 静電吸着装置とその製造方法、ウエハ処理方法 |