JP2002198355A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2002198355A JP2002198355A JP2000395138A JP2000395138A JP2002198355A JP 2002198355 A JP2002198355 A JP 2002198355A JP 2000395138 A JP2000395138 A JP 2000395138A JP 2000395138 A JP2000395138 A JP 2000395138A JP 2002198355 A JP2002198355 A JP 2002198355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- wafer
- focus ring
- plasma
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォーカスリング５の影響によるウエハＷの
外周縁部とその内側との間の電界強度の差を解消でき
ず、ウエハＷの外周縁部のエッチングレートが低下し、
エッチングレートが不均一になる。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置１０は、処理
室１１内に配設された上下の電極１２、１３と、上部電
極１３に高周波電力を印加する第２の高周波電源１５
と、この高周波電源１５からの高周波電力の印加により
発生するプラズマで処理するウエハＷを囲み且つ下部電
極１２に配置されたフォーカスリング１７とを備え、上
記フォーカスリング１７は、第２の高周波電力の印加に
よりプラズマをウエハＷ上に封じ込める誘電性材料から
形成されている。
外周縁部とその内側との間の電界強度の差を解消でき
ず、ウエハＷの外周縁部のエッチングレートが低下し、
エッチングレートが不均一になる。 【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置１０は、処理
室１１内に配設された上下の電極１２、１３と、上部電
極１３に高周波電力を印加する第２の高周波電源１５
と、この高周波電源１５からの高周波電力の印加により
発生するプラズマで処理するウエハＷを囲み且つ下部電
極１２に配置されたフォーカスリング１７とを備え、上
記フォーカスリング１７は、第２の高周波電力の印加に
よりプラズマをウエハＷ上に封じ込める誘電性材料から
形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
し、更に詳しくは、被処理体全面に均一なエッチング等
のプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置に
関する。
し、更に詳しくは、被処理体全面に均一なエッチング等
のプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置は、例えば図６
に示すように、チャンバー（図示せず）内に昇降可能に
配置された下部電極１と、この下部電極１と対向して互
いに平行に配置された上部電極２と、これらの両電極
１、２に周波数を異にする高周波電力を整合器３Ａ、４
Ａを介して印加する第１、第２の高周波電源３、４とを
備え、第１、第２の高周波電源３、４からそれぞれの高
周波電力を上下の両電極１、２に印加してプラズマを発
生させ、被処理体であるウエハＷ表面のシリコン酸化膜
をエッチングするように構成されている。また、下部電
極１上面の外周縁部にはウエハＷを囲むフォーカスリン
グ５が配置され、上下両電極１、３間で発生したプラズ
マをウエハＷへ集束するようにしている。
に示すように、チャンバー（図示せず）内に昇降可能に
配置された下部電極１と、この下部電極１と対向して互
いに平行に配置された上部電極２と、これらの両電極
１、２に周波数を異にする高周波電力を整合器３Ａ、４
Ａを介して印加する第１、第２の高周波電源３、４とを
備え、第１、第２の高周波電源３、４からそれぞれの高
周波電力を上下の両電極１、２に印加してプラズマを発
生させ、被処理体であるウエハＷ表面のシリコン酸化膜
をエッチングするように構成されている。また、下部電
極１上面の外周縁部にはウエハＷを囲むフォーカスリン
グ５が配置され、上下両電極１、３間で発生したプラズ
マをウエハＷへ集束するようにしている。
【０００３】ところで、従来のプラズマ処理装置の場合
には、エッチング等のプラズマ処理に際し、ウエハＷを
載置した下部電極１と上部電極２の間には電界が形成さ
れるが、下部電極１ではウエハＷの部分とフォーカスリ
ング５の部分が不連続で高周波電源３、４に対する回路
が等価になっていないため、フォーカスリング５の影響
によりウエハＷの外周縁部とその内側との間に電界強度
に差が生じ、ウエハＷの外周縁部のエッチングレートが
低下し、エッチングレートが不均一になるという課題が
あった。
には、エッチング等のプラズマ処理に際し、ウエハＷを
載置した下部電極１と上部電極２の間には電界が形成さ
れるが、下部電極１ではウエハＷの部分とフォーカスリ
ング５の部分が不連続で高周波電源３、４に対する回路
が等価になっていないため、フォーカスリング５の影響
によりウエハＷの外周縁部とその内側との間に電界強度
に差が生じ、ウエハＷの外周縁部のエッチングレートが
低下し、エッチングレートが不均一になるという課題が
あった。
【０００４】そのため、従来から下部電極における電界
の乱れを防止する対策が種々提案されている。例えば、
特願平６−１６８９１１号公報には下部電極の周辺に反
応性イオンの密度分布を変化させる周辺リングを設けた
半導体製造装置が提案されている。また、特願昭６３−
２２９７１９号公報にはウエハの外周を取り囲む高さ調
整可能なリング補助板を設けたドライエッチング装置が
提案されている。更に、特願平５−３３５２８３号公報
には下部電極上のウエハの周縁部近傍に導電性リングを
設け、この導電性リングを介して下部電極と導通させ或
いはほぼ同電位に制御したプラズマ処理装置が提案され
ている。
の乱れを防止する対策が種々提案されている。例えば、
特願平６−１６８９１１号公報には下部電極の周辺に反
応性イオンの密度分布を変化させる周辺リングを設けた
半導体製造装置が提案されている。また、特願昭６３−
２２９７１９号公報にはウエハの外周を取り囲む高さ調
整可能なリング補助板を設けたドライエッチング装置が
提案されている。更に、特願平５−３３５２８３号公報
には下部電極上のウエハの周縁部近傍に導電性リングを
設け、この導電性リングを介して下部電極と導通させ或
いはほぼ同電位に制御したプラズマ処理装置が提案され
ている。
【０００５】しかしながら、上記各公報において提案さ
れている対策でも電界強度の均一性を高めることができ
てもせいぜい±１０％の均一性を出すのが精一杯で、フ
ォーカスリング５の影響によるウエハＷの外周縁部とそ
の内側との間の電界強度の差を解消できず、ウエハＷの
外周縁部のエッチングレートが低下を免れず、エッチン
グレートが不均一になるという課題があった。
れている対策でも電界強度の均一性を高めることができ
てもせいぜい±１０％の均一性を出すのが精一杯で、フ
ォーカスリング５の影響によるウエハＷの外周縁部とそ
の内側との間の電界強度の差を解消できず、ウエハＷの
外周縁部のエッチングレートが低下を免れず、エッチン
グレートが不均一になるという課題があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、被処理体の外周縁部とその内部との電界強
度の差を低減させ、被処理体全面でエッチング等のプラ
ズマ処理を均一に行うことができるプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
れたもので、被処理体の外周縁部とその内部との電界強
度の差を低減させ、被処理体全面でエッチング等のプラ
ズマ処理を均一に行うことができるプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、プラズマ処
理条件について種々検討した結果、フォーカスリングを
特定の材料で作製することにより被処理体の外周縁部と
その内部との電界強度の差を低減することができること
を知見した。
理条件について種々検討した結果、フォーカスリングを
特定の材料で作製することにより被処理体の外周縁部と
その内部との電界強度の差を低減することができること
を知見した。
【０００８】本発明は上記知見に基づいてなされたもの
で、本発明の請求項１に記載のプラズマ処理装置は、処
理容器内に互いに平行に配置された第１、第２の電極
と、これらの両電極のいずれか一方に高周波電力を印加
する高周波電源と、この高周波電源からの高周波電力の
印加により発生するプラズマで処理する被処理体を囲み
且つ上記いずれか一方の電極に配置されたフォーカスリ
ングとを備えたプラズマ処理装置において、上記フォー
カスリングは、上記高周波電力の印加により上記プラズ
マを上記被処理体に封じ込める誘電性材料から形成され
ていることを特徴とするものである。
で、本発明の請求項１に記載のプラズマ処理装置は、処
理容器内に互いに平行に配置された第１、第２の電極
と、これらの両電極のいずれか一方に高周波電力を印加
する高周波電源と、この高周波電源からの高周波電力の
印加により発生するプラズマで処理する被処理体を囲み
且つ上記いずれか一方の電極に配置されたフォーカスリ
ングとを備えたプラズマ処理装置において、上記フォー
カスリングは、上記高周波電力の印加により上記プラズ
マを上記被処理体に封じ込める誘電性材料から形成され
ていることを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項２に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記誘電
性材料は、インピーダンスが１〜２５Ωで比誘電率が２
１〜３０、またはインピーダンスが１２〜２５Ωで比誘
電率が１２〜２５であることを特徴とするものである。
処理装置は、請求項１に記載の発明において、上記誘電
性材料は、インピーダンスが１〜２５Ωで比誘電率が２
１〜３０、またはインピーダンスが１２〜２５Ωで比誘
電率が１２〜２５であることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項３に記載のプラズマ
処理装置は、請求項２に記載の発明において、上記誘電
性材料は、複数の材料を含む複合材料からなることを特
徴とすることを特徴とするものである。
処理装置は、請求項２に記載の発明において、上記誘電
性材料は、複数の材料を含む複合材料からなることを特
徴とすることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項４に記載のプラズマ
処理装置は、請求項２に記載の発明において、上記誘電
性材料は、酸化ジルコニウムを含む複合材料、窒化アル
ミニウムを含む複合材料及び炭化珪素を含む複合材料の
中から選択されるいずれか一つの複合材料からなること
を特徴とするものである。
処理装置は、請求項２に記載の発明において、上記誘電
性材料は、酸化ジルコニウムを含む複合材料、窒化アル
ミニウムを含む複合材料及び炭化珪素を含む複合材料の
中から選択されるいずれか一つの複合材料からなること
を特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項５に記載のプラズマ
処理装置は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載
の発明において、上記プラズマ処理が酸化膜のエッチン
グであることを特徴とするるものである。
処理装置は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載
の発明において、上記プラズマ処理が酸化膜のエッチン
グであることを特徴とするるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のプラズマ処
理装置１０は、例えば図１に示すように、アルミニウム
等の導電性材料からなる処理室１１と、この処理室１１
内の底面に配設され且つ被処理体としてのウエハＷを載
置するアルミニウムからなる下部電極１２と、この下部
電極１２と対向して平行に配設され且つ処理用ガスの供
給部を兼ねた上部電極１３とを備えている。下部電極１
２には第１の高周波電源１４が整合器１４Ａを介して接
続され、上部電極１３には第１の高周波電源より周波数
の高い第２の高周波電源１５が整合器１５Ａを介して接
続されている。上部電極１３にはガス供給源１６がバル
ブ１６Ａ、マスフローコントローラ１６Ｂを介して接続
され、ガス供給源１６から上部電極１３へ処理用ガスを
供給する。また、処理室１１の底面には排気口１１Ａが
形成され、排気口１１Ａに接続された図示しない排気装
置を介して処理室１１内を排気して処理用ガスで所定の
真空度を維持する。
に基づいて本発明を説明する。本実施形態のプラズマ処
理装置１０は、例えば図１に示すように、アルミニウム
等の導電性材料からなる処理室１１と、この処理室１１
内の底面に配設され且つ被処理体としてのウエハＷを載
置するアルミニウムからなる下部電極１２と、この下部
電極１２と対向して平行に配設され且つ処理用ガスの供
給部を兼ねた上部電極１３とを備えている。下部電極１
２には第１の高周波電源１４が整合器１４Ａを介して接
続され、上部電極１３には第１の高周波電源より周波数
の高い第２の高周波電源１５が整合器１５Ａを介して接
続されている。上部電極１３にはガス供給源１６がバル
ブ１６Ａ、マスフローコントローラ１６Ｂを介して接続
され、ガス供給源１６から上部電極１３へ処理用ガスを
供給する。また、処理室１１の底面には排気口１１Ａが
形成され、排気口１１Ａに接続された図示しない排気装
置を介して処理室１１内を排気して処理用ガスで所定の
真空度を維持する。
【００１４】従って、例えば処理室１１内を処理用ガス
で所定の真空度を維持した状態で第１の高周波電源１４
から下部電極１２に２ＭＨｚの第１の高周波電力を印加
すると共に第２の高周波電源１５から上部電極１３に６
０ＭＨｚの第２高周波電力を印加すると、第２の高周波
電力の働きで下部電極１２と上部電極１３の間で処理用
ガスのプラズマを発生すると共に第１の高周波電力の働
きで下部電極１２にバイアス電位が発生し、下部電極１
２上のウエハＷに対して例えば反応性イオンエッチング
等のプラズマ処理を行うことができる。
で所定の真空度を維持した状態で第１の高周波電源１４
から下部電極１２に２ＭＨｚの第１の高周波電力を印加
すると共に第２の高周波電源１５から上部電極１３に６
０ＭＨｚの第２高周波電力を印加すると、第２の高周波
電力の働きで下部電極１２と上部電極１３の間で処理用
ガスのプラズマを発生すると共に第１の高周波電力の働
きで下部電極１２にバイアス電位が発生し、下部電極１
２上のウエハＷに対して例えば反応性イオンエッチング
等のプラズマ処理を行うことができる。
【００１５】また、下部電極１２の上面外周縁部にはウ
エハＷの外周を囲むフォーカスリング１７が配設され、
フォーカスリング１７の作用によってウエハＷにプラズ
マを集めるようにしている。下部電極１２の上面には高
圧直流電源１８Ａに接続された静電チャック１８が配設
され、静電チャック１８は高圧直流電源１８Ａからの印
加された高圧直流電圧でウエハＷを静電吸着する。ま
た、下部電極１２には冷却機構１９及び加熱機構（図示
せず）が内蔵され、これらの冷却機構１９及び加熱機構
を介してウエハＷを所定の温度に調整する。更に、下部
電極１２内にはその上面の複数箇所で開口する熱伝達媒
体（例えば、Ｈｅガス）が流通するガス通路１２Ａが形
成され、また、静電チャック１８にガス通路１２Ａの開
口に対応する孔１８Ｂが形成され、ＨｅガスをウエハＷ
と静電チャック１８間の細隙に供給することにより下部
電極１２とウエハＷ間の熱伝達を促進する。また、下部
電極１２の下面と処理室１１の底面間には例えばアルミ
ニウム製ベローズ２０が介在し、図示しない昇降機構を
介して下部電極１２が昇降し、プラズマ処理の種類に応
じて上部電極１３との隙間を適宜設定できるようになっ
ている。
エハＷの外周を囲むフォーカスリング１７が配設され、
フォーカスリング１７の作用によってウエハＷにプラズ
マを集めるようにしている。下部電極１２の上面には高
圧直流電源１８Ａに接続された静電チャック１８が配設
され、静電チャック１８は高圧直流電源１８Ａからの印
加された高圧直流電圧でウエハＷを静電吸着する。ま
た、下部電極１２には冷却機構１９及び加熱機構（図示
せず）が内蔵され、これらの冷却機構１９及び加熱機構
を介してウエハＷを所定の温度に調整する。更に、下部
電極１２内にはその上面の複数箇所で開口する熱伝達媒
体（例えば、Ｈｅガス）が流通するガス通路１２Ａが形
成され、また、静電チャック１８にガス通路１２Ａの開
口に対応する孔１８Ｂが形成され、ＨｅガスをウエハＷ
と静電チャック１８間の細隙に供給することにより下部
電極１２とウエハＷ間の熱伝達を促進する。また、下部
電極１２の下面と処理室１１の底面間には例えばアルミ
ニウム製ベローズ２０が介在し、図示しない昇降機構を
介して下部電極１２が昇降し、プラズマ処理の種類に応
じて上部電極１３との隙間を適宜設定できるようになっ
ている。
【００１６】また、上部電極１３は、板状の電極材１３
Ａと、この電極材１３Ａを着脱可能に支持する中空状の
支持体１３Ｂとを有している。電極材１３Ａ及び支持体
１３Ｂの下面には互いに一致する孔１３Ｃがそれぞれ分
散して形成され、ガス供給源１６から上部電極１３で受
給した処理用ガスを処理室１１内全体へ均等に分散供給
する。尚、図１において、２１は第２の高周波電源１５
からの下部電極１２に流入した高周波電流を濾過するフ
ィルタ回路、２２は第１の高周波電源１４からの上部電
極１３に流入した高周波電流を濾過するフィルタ回路で
ある。
Ａと、この電極材１３Ａを着脱可能に支持する中空状の
支持体１３Ｂとを有している。電極材１３Ａ及び支持体
１３Ｂの下面には互いに一致する孔１３Ｃがそれぞれ分
散して形成され、ガス供給源１６から上部電極１３で受
給した処理用ガスを処理室１１内全体へ均等に分散供給
する。尚、図１において、２１は第２の高周波電源１５
からの下部電極１２に流入した高周波電流を濾過するフ
ィルタ回路、２２は第１の高周波電源１４からの上部電
極１３に流入した高周波電流を濾過するフィルタ回路で
ある。
【００１７】ところで、第２の高周波電力によって下部
電極１２と上部電極１３間に形成される電界はフォーカ
スリング１７の材料によって分布状態が変わる。このこ
とはウエハＷとフォーカスリング１７に対する第２の高
周波電流の抜け易さが変わるために起こる現象であると
考えられる。高周波電流に対するインピーダンスが高い
場合には、第２の高周波電流がフォーカスリング１７を
抜け難く、フォーカスリング１７上方でプラズマが生成
されないためプラズマの拡散が抑制されてウエハＷ内に
封じ込めることができ、ウエハＷ外周縁部のプラズマ密
度を高めて電子密度を高めることができ、ひいてはウエ
ハＷ外周縁部のエッチングレートがその内側のエッチン
グレートまで高め、エッチングレートの均一化に寄与す
ると考えられる。ところが、インピーダンスが低い場合
には、第２の高周波電流がフォーカスリング１７を抜け
易く、フォーカスリング１７上方においてもプラズマを
生成し、プラズマがフォーカスリング１７の外方向（横
方向）へ拡散し易くなってウエハＷ外周縁部でのプラズ
マ密度が低下し、エッチングレートがその内側よりも低
下する。従って、本実施形態で用いられるフォーカスリ
ング１７はインピーダンスの高い材料、即ち、ウエハＷ
上にプラズマを封じ込める材料によって形成されてい
る。
電極１２と上部電極１３間に形成される電界はフォーカ
スリング１７の材料によって分布状態が変わる。このこ
とはウエハＷとフォーカスリング１７に対する第２の高
周波電流の抜け易さが変わるために起こる現象であると
考えられる。高周波電流に対するインピーダンスが高い
場合には、第２の高周波電流がフォーカスリング１７を
抜け難く、フォーカスリング１７上方でプラズマが生成
されないためプラズマの拡散が抑制されてウエハＷ内に
封じ込めることができ、ウエハＷ外周縁部のプラズマ密
度を高めて電子密度を高めることができ、ひいてはウエ
ハＷ外周縁部のエッチングレートがその内側のエッチン
グレートまで高め、エッチングレートの均一化に寄与す
ると考えられる。ところが、インピーダンスが低い場合
には、第２の高周波電流がフォーカスリング１７を抜け
易く、フォーカスリング１７上方においてもプラズマを
生成し、プラズマがフォーカスリング１７の外方向（横
方向）へ拡散し易くなってウエハＷ外周縁部でのプラズ
マ密度が低下し、エッチングレートがその内側よりも低
下する。従って、本実施形態で用いられるフォーカスリ
ング１７はインピーダンスの高い材料、即ち、ウエハＷ
上にプラズマを封じ込める材料によって形成されてい
る。
【００１８】フォーカスリング１７の高周波電流に対す
るインピーダンスＺは抵抗（Ｒ）成分とリアクタンス
（Ｘ）成分とからなっている。抵抗成分は式で示すよ
うに抵抗率と厚みと面積で規定され、リアクタンス成分
は式で示すように誘電率と厚みと面積で規定される
（但し、ρは抵抗率、ｄは厚み、Ｓは面積、ε０は真空
の誘電率、εｒは比誘電率）。 Ｒ＝ρ*ｄ／Ｓ・・・・ Ｘ＝−１／Ｃ*ω＝−１／（ε０*εｒ*Ｓ／ｄ）*ω・・・・ また、フォーカスリング１７の材料はＲ成分とＸ成分が
混在しているため、図２に示す等価回路として表すこと
ができる。この等価回路では並列回路で電流経路が２つ
あるため、電流経路が一つの直列に変換して正規化す
る。材料の並列回路における抵抗値をＲＰ、静電容量を
ＣＰ、リアクタンスをＸＰと定義し、正規化後の抵抗値
をＲＳ、リアクタンスをＸＳと定義すると、変換式、
式で表される。 ＲＳ＝ＲＰ／（１＋ω２ＣＰ ２ＲＰ ２）・・・・ ＸＳ＝−ωＣＰＲＰ ２／（１＋ω２ＣＰ ２ＲＰ ２）・・・・
るインピーダンスＺは抵抗（Ｒ）成分とリアクタンス
（Ｘ）成分とからなっている。抵抗成分は式で示すよ
うに抵抗率と厚みと面積で規定され、リアクタンス成分
は式で示すように誘電率と厚みと面積で規定される
（但し、ρは抵抗率、ｄは厚み、Ｓは面積、ε０は真空
の誘電率、εｒは比誘電率）。 Ｒ＝ρ*ｄ／Ｓ・・・・ Ｘ＝−１／Ｃ*ω＝−１／（ε０*εｒ*Ｓ／ｄ）*ω・・・・ また、フォーカスリング１７の材料はＲ成分とＸ成分が
混在しているため、図２に示す等価回路として表すこと
ができる。この等価回路では並列回路で電流経路が２つ
あるため、電流経路が一つの直列に変換して正規化す
る。材料の並列回路における抵抗値をＲＰ、静電容量を
ＣＰ、リアクタンスをＸＰと定義し、正規化後の抵抗値
をＲＳ、リアクタンスをＸＳと定義すると、変換式、
式で表される。 ＲＳ＝ＲＰ／（１＋ω２ＣＰ ２ＲＰ ２）・・・・ ＸＳ＝−ωＣＰＲＰ ２／（１＋ω２ＣＰ ２ＲＰ ２）・・・・
【００１９】そこで、表１に示す物性値（抵抗率、誘電
率、静電容量）を有する材料、即ち、シリコン（Ｓ
ｉ）、抵抗率の異なる二種類の炭化硅素（ＳｉＣ−１、
ＳｉＣ−２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を用いて異なるインピーダンスの
フォーカスリングを作製し、正規化後の各材料のインピ
ーダンスＺを求め、表１に示した。尚、表１にはウエハ
Ｗに関する物性値及びインピーダンスも併せて示した。
率、静電容量）を有する材料、即ち、シリコン（Ｓ
ｉ）、抵抗率の異なる二種類の炭化硅素（ＳｉＣ−１、
ＳｉＣ−２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）を用いて異なるインピーダンスの
フォーカスリングを作製し、正規化後の各材料のインピ
ーダンスＺを求め、表１に示した。尚、表１にはウエハ
Ｗに関する物性値及びインピーダンスも併せて示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】そして、表１に示す材料からなるフォーカ
スリングを用いて下記のプロセス条件でブランケット−
シリコン酸化膜をエッチングし、ウエハＷの各部位のエ
ッチングレートを測定し、この測定結果を図３に示し
た。 〔プロセス条件〕 ウエハ：２００ｍｍ 被エッチング膜：ブランケット−シリコン酸化膜 上部電極：電源周波数＝６０ＭＨｚ、電源電力＝１５０
０Ｗ 下部電極：電源高周波数＝２ＭＨｚ、電源電力＝１６０
０Ｗ 電極間ギャップ：２５ｍｍ 処理圧力：２０ｍTorr プロセスガス：Ｃ４Ｆ８＝８sccm、Ａｒ＝３００sccm、
Ｏ２＝８sccm
スリングを用いて下記のプロセス条件でブランケット−
シリコン酸化膜をエッチングし、ウエハＷの各部位のエ
ッチングレートを測定し、この測定結果を図３に示し
た。 〔プロセス条件〕 ウエハ：２００ｍｍ 被エッチング膜：ブランケット−シリコン酸化膜 上部電極：電源周波数＝６０ＭＨｚ、電源電力＝１５０
０Ｗ 下部電極：電源高周波数＝２ＭＨｚ、電源電力＝１６０
０Ｗ 電極間ギャップ：２５ｍｍ 処理圧力：２０ｍTorr プロセスガス：Ｃ４Ｆ８＝８sccm、Ａｒ＝３００sccm、
Ｏ２＝８sccm
【００２２】図３に示す結果によれば、同図に示すよう
に従来公知のＳｉはウエハＷの外周縁部ではエッチング
レートが低下している。これに対してＳｉ以外の材料
は、表１からも明かなようにＳｉと比較していずれもイ
ンピーダンスＺがいずれも２〜３桁高く高周波電流が流
れ難くなっており、ウエハＷ外周縁部のエッチングレー
トがいずれもＳｉと比較して高くなって改善されてい
る。ＳｉＣ−１とＳｉＣ−２を観てみると、後者は前者
よりも抵抗ＲＳが３桁高くなっているが、エッチングレ
ートは殆ど変化していない。この場合には抵抗ＲＳより
も容量性（誘電性）を規定するリアクタンス−ＸＳが高
周波電流の流れを左右し、インピーダンスが変化しない
ためエッチングレートがそれほど変わっていないものと
考えられる。ＺｒＯ２はＳｉＣ−２と比較してインピー
ダンスＺが少し低いが、ウエハＷ外周縁部のエッチング
レートは逆に高くなっている。また、ＡｌＮはインピー
ダンスＺが最も高いがウエハＷ外周縁部のエッチングレ
ートは逆に低下する傾向にある。これらはインピーダン
スＺ以外にリアクタンス−ＸＳが別の作用によりエッチ
ングレートに寄与していることによると考えられる。
に従来公知のＳｉはウエハＷの外周縁部ではエッチング
レートが低下している。これに対してＳｉ以外の材料
は、表１からも明かなようにＳｉと比較していずれもイ
ンピーダンスＺがいずれも２〜３桁高く高周波電流が流
れ難くなっており、ウエハＷ外周縁部のエッチングレー
トがいずれもＳｉと比較して高くなって改善されてい
る。ＳｉＣ−１とＳｉＣ−２を観てみると、後者は前者
よりも抵抗ＲＳが３桁高くなっているが、エッチングレ
ートは殆ど変化していない。この場合には抵抗ＲＳより
も容量性（誘電性）を規定するリアクタンス−ＸＳが高
周波電流の流れを左右し、インピーダンスが変化しない
ためエッチングレートがそれほど変わっていないものと
考えられる。ＺｒＯ２はＳｉＣ−２と比較してインピー
ダンスＺが少し低いが、ウエハＷ外周縁部のエッチング
レートは逆に高くなっている。また、ＡｌＮはインピー
ダンスＺが最も高いがウエハＷ外周縁部のエッチングレ
ートは逆に低下する傾向にある。これらはインピーダン
スＺ以外にリアクタンス−ＸＳが別の作用によりエッチ
ングレートに寄与していることによると考えられる。
【００２３】ここでリアクタンス−ＸＳの影響について
考察する。フォーカスリング１７とウエハＷのプラズマ
との間に形成されるシースでは図４に示す等価回路が考
えられる。ウエハＷの電圧Ｖ＝０としたのは、ウエハＷ
の抵抗ＲＰが他の材料と比較して極めて小さいため、下
部電極１２に殆ど短絡していると考えられるからであ
る。尚、図４において、Ｖｓ１はウエハＷ上のシース電
圧、Ｖｓ２はフォーカスリング上のシース電圧、Ｖｆｒ
はフォーカスリングの電圧である。図４からも明らかな
ように、下部電極１２におけるウエハＷの部分とフォー
カスリング１７の部分における電圧には式が成り立
つ。 Ｖｓ１＝Ｖｓ２＋Ｖｆｒ・・・・ ここで、Ｖ＝Ｑ／Ｃ（Ｑは下部電極１２に飛び込む電子
による電荷で一定）の関係からフォーカスリング１７の
静電容量Ｃが大きいほどＶｆｒが小さくなり、逆に静電
容量Ｃが大きいほどＶｓ２が大きくなってＶｓ１に近く
なる。ウエハＷの外周縁部のシース電圧ＶｅｄｇｅはＶ
ｓ１とＶｓ２の中間の値になるため、フォーカスリング
１７の静電容量が大きいほどＶｅｄｇｅが高くなり、ひ
いてはエッチングレートが高くなる。従って、フォーカ
スリング１７の容量性が高くなるほどエッチングレート
が改善されることがこのことからも判る。従って、フォ
ーカスリング１７は、材料のインピーダンスＺのみなら
ず、リアクタンス−ＸＳがエッチングレートの改善に寄
与していることが判る。つまり、フォーカスリング１７
の材料としては高周波電流下で誘電性を示す材料が好ま
しい。
考察する。フォーカスリング１７とウエハＷのプラズマ
との間に形成されるシースでは図４に示す等価回路が考
えられる。ウエハＷの電圧Ｖ＝０としたのは、ウエハＷ
の抵抗ＲＰが他の材料と比較して極めて小さいため、下
部電極１２に殆ど短絡していると考えられるからであ
る。尚、図４において、Ｖｓ１はウエハＷ上のシース電
圧、Ｖｓ２はフォーカスリング上のシース電圧、Ｖｆｒ
はフォーカスリングの電圧である。図４からも明らかな
ように、下部電極１２におけるウエハＷの部分とフォー
カスリング１７の部分における電圧には式が成り立
つ。 Ｖｓ１＝Ｖｓ２＋Ｖｆｒ・・・・ ここで、Ｖ＝Ｑ／Ｃ（Ｑは下部電極１２に飛び込む電子
による電荷で一定）の関係からフォーカスリング１７の
静電容量Ｃが大きいほどＶｆｒが小さくなり、逆に静電
容量Ｃが大きいほどＶｓ２が大きくなってＶｓ１に近く
なる。ウエハＷの外周縁部のシース電圧ＶｅｄｇｅはＶ
ｓ１とＶｓ２の中間の値になるため、フォーカスリング
１７の静電容量が大きいほどＶｅｄｇｅが高くなり、ひ
いてはエッチングレートが高くなる。従って、フォーカ
スリング１７の容量性が高くなるほどエッチングレート
が改善されることがこのことからも判る。従って、フォ
ーカスリング１７は、材料のインピーダンスＺのみなら
ず、リアクタンス−ＸＳがエッチングレートの改善に寄
与していることが判る。つまり、フォーカスリング１７
の材料としては高周波電流下で誘電性を示す材料が好ま
しい。
【００２４】更に、表１に示す各種の材料からなるフォ
ーカスリングのインピーダンスＺと比誘電率εｒとエッ
チングレートの均一性との関係を求め、この結果を図５
に示した。図５のマイナスの数値はウエハＷ外周縁部の
エッチングレートがセンターよりも高いことを示し、プ
ラスの数値はウエハＷ外周縁部のエッチングレートがセ
ンターよりも低いことを示している。図５に示す結果に
よれば、上記材料の中ではＺｒＯ２の均一性が最も良
く、−２．０％と−３．０％の間であった。また、Ａｌ
Ｎの均一性はＺｒＯ２に次いで良く、−３．０％と−
４．０％の間であった。ところが、ＳｉＣの均一性はほ
ぼ＋５．０％で前二者と比較して劣っていた。更に、従
来公知のＳｉの均一性は８．０％を超えていることが判
る。今後の更なる微細化を勘案すれば、エッチングレー
トの均一性は、±４．０％以下が好ましく、±３．０％
以下がより好ましい。従って、フォーカスリング１７と
しては、図５に示すように、インピーダンスＺが１〜２
５Ωの範囲で比誘電率εｒが２１〜３０の破線で囲む範
囲、あるいはインピーダンスＺが１２〜２５Ωで比誘電
率εｒが５〜３０の破線で囲む範囲にある材料が用いら
れ、より好ましくは、インピーダンスＺが１〜２１Ωの
範囲で比誘電率εｒが２３〜２９の実線で囲む範囲、あ
るいはインピーダンスＺが１３〜２１Ωで比誘電率εｒ
が５〜２９の実線で囲む範囲にある材料が用いられる。
また、所望のインピーダンスを実現するためにフォーカ
スリング１７の面積Ｓ及び／または厚みｄを適宜設定す
ることもできる。
ーカスリングのインピーダンスＺと比誘電率εｒとエッ
チングレートの均一性との関係を求め、この結果を図５
に示した。図５のマイナスの数値はウエハＷ外周縁部の
エッチングレートがセンターよりも高いことを示し、プ
ラスの数値はウエハＷ外周縁部のエッチングレートがセ
ンターよりも低いことを示している。図５に示す結果に
よれば、上記材料の中ではＺｒＯ２の均一性が最も良
く、−２．０％と−３．０％の間であった。また、Ａｌ
Ｎの均一性はＺｒＯ２に次いで良く、−３．０％と−
４．０％の間であった。ところが、ＳｉＣの均一性はほ
ぼ＋５．０％で前二者と比較して劣っていた。更に、従
来公知のＳｉの均一性は８．０％を超えていることが判
る。今後の更なる微細化を勘案すれば、エッチングレー
トの均一性は、±４．０％以下が好ましく、±３．０％
以下がより好ましい。従って、フォーカスリング１７と
しては、図５に示すように、インピーダンスＺが１〜２
５Ωの範囲で比誘電率εｒが２１〜３０の破線で囲む範
囲、あるいはインピーダンスＺが１２〜２５Ωで比誘電
率εｒが５〜３０の破線で囲む範囲にある材料が用いら
れ、より好ましくは、インピーダンスＺが１〜２１Ωの
範囲で比誘電率εｒが２３〜２９の実線で囲む範囲、あ
るいはインピーダンスＺが１３〜２１Ωで比誘電率εｒ
が５〜２９の実線で囲む範囲にある材料が用いられる。
また、所望のインピーダンスを実現するためにフォーカ
スリング１７の面積Ｓ及び／または厚みｄを適宜設定す
ることもできる。
【００２５】従って、フォーカスリング１７の材料とし
ては、例えば、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウムが
好ましく用いられる。また、酸化ジルコニウム製リング
と窒化アルミニウム製リングの接合体、あるいは酸化ジ
ルコニウムと炭化硅素を混合した複合材料、窒化アルミ
ニウムと炭化硅素を混合した複合材料等も用いられる。
複合材料には単一材料からなるリングを少なくとも二種
類接合した上記接合体は勿論のこと、複数の材料からな
る複合材料を二種類接合した接合体も含まれる。また、
所望のインピーダンスを実現するためにフォーカスリン
グの面積Ｓ及び／また厚みｄを適宜設定することもでき
る。
ては、例えば、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウムが
好ましく用いられる。また、酸化ジルコニウム製リング
と窒化アルミニウム製リングの接合体、あるいは酸化ジ
ルコニウムと炭化硅素を混合した複合材料、窒化アルミ
ニウムと炭化硅素を混合した複合材料等も用いられる。
複合材料には単一材料からなるリングを少なくとも二種
類接合した上記接合体は勿論のこと、複数の材料からな
る複合材料を二種類接合した接合体も含まれる。また、
所望のインピーダンスを実現するためにフォーカスリン
グの面積Ｓ及び／また厚みｄを適宜設定することもでき
る。
【００２６】以上説明したように本実施形態によれば、
プラズマ発生用の高周波電力の印加によりプラズマをウ
エハＷ上に封じ込める誘電性材料から形成されているた
め、ウエハＷの外周縁部とその内部との電界強度の差を
低減させ、ウエハＷ外周縁部のエッチングレートをその
内部のエッチングレートに近づけてエッチングレートの
均一性を高め、均一なエッチングを行うことができる。
プラズマ発生用の高周波電力の印加によりプラズマをウ
エハＷ上に封じ込める誘電性材料から形成されているた
め、ウエハＷの外周縁部とその内部との電界強度の差を
低減させ、ウエハＷ外周縁部のエッチングレートをその
内部のエッチングレートに近づけてエッチングレートの
均一性を高め、均一なエッチングを行うことができる。
【００２７】また、本実施形態によれば、インピーダン
スが１〜２５Ωで比誘電率が２１〜３０、またはインピ
ーダンスが１２〜２５Ωで比誘電率が１２〜２５に調整
された誘電性材料を使用することにより、ウエハＷのエ
ッチングレートの均一性を少なくとも±４．０％以内に
抑制することができ、従来と比較してエッチングレート
の均一性を格段に改善することができる。
スが１〜２５Ωで比誘電率が２１〜３０、またはインピ
ーダンスが１２〜２５Ωで比誘電率が１２〜２５に調整
された誘電性材料を使用することにより、ウエハＷのエ
ッチングレートの均一性を少なくとも±４．０％以内に
抑制することができ、従来と比較してエッチングレート
の均一性を格段に改善することができる。
【００２８】尚、本発明に用いられるフォーカスリング
を形成する材料は、上記実施形態に何等制限されるもの
ではなく、必要に応じて各種の添加物を混合した複合材
料であっても良い。要は、高周波電力の印加によりプラ
ズマを被処理体に封じ込める誘電性材料として構成され
ているものであれば良い。また、上記実施形態ではエッ
チング処理を例に挙げて説明したが、その他のプラズマ
処理についても本発明を適用することができる。
を形成する材料は、上記実施形態に何等制限されるもの
ではなく、必要に応じて各種の添加物を混合した複合材
料であっても良い。要は、高周波電力の印加によりプラ
ズマを被処理体に封じ込める誘電性材料として構成され
ているものであれば良い。また、上記実施形態ではエッ
チング処理を例に挙げて説明したが、その他のプラズマ
処理についても本発明を適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項５に記載の発
明によれば、被処理体の外周縁部とその内部との電界強
度の差を低減させ、被処理体全面でエッチング等のプラ
ズマ処理を均一に行うことができるプラズマ処理装置を
提供することができる。
明によれば、被処理体の外周縁部とその内部との電界強
度の差を低減させ、被処理体全面でエッチング等のプラ
ズマ処理を均一に行うことができるプラズマ処理装置を
提供することができる。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】図１に示すフォーカスリングの等価回路を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置のフォーカスリン
グの材料を種々変更してウエハのエッチング処理を行っ
た場合のウエハの径方向のエッチングレートを示すグラ
フである。
グの材料を種々変更してウエハのエッチング処理を行っ
た場合のウエハの径方向のエッチングレートを示すグラ
フである。
【図４】図１に示すプラズマ処理装置の下部電極上のウ
エハ、フォーカスリングとシースの関係を示す等価回路
図である。
エハ、フォーカスリングとシースの関係を示す等価回路
図である。
【図５】フォーカスリングの材料を種々変更した場合の
各材料のインピーダンスと比誘電率とエッチングレート
の均一性の関係を示すグラフである。
各材料のインピーダンスと比誘電率とエッチングレート
の均一性の関係を示すグラフである。
【図６】従来のプラズマ処理装置の一例を示す構成図で
ある。
ある。
１０ プラズマ処理装置 １１ 処理室 １２ 下部電極（第１の電極） １３ 上部電極（第２の電極） １４ 第１の高周波電源 １５ 第２の高周波電源（高周波電源） １７ フォーカスリング Ｗ ウエハ（被処理体）
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC06 CA25 CA47 DA02 EB01 EC21 EE02 FB04 FC15 5F004 AA01 BA09 BB18 BB22 BB23 BB24 BB25 BB28 BC08
Claims (5)
- 【請求項１】 処理容器内に互いに平行に配置された第
１、第２の電極と、これらの両電極のいずれか一方に高
周波電力を印加する高周波電源と、この高周波電源から
の高周波電力の印加により発生するプラズマで処理する
被処理体を囲み且つ上記いずれか一方の電極に配置され
たフォーカスリングとを備えたプラズマ処理装置におい
て、上記フォーカスリングは、上記高周波電力の印加に
より上記プラズマを上記被処理体に封じ込める誘電性材
料から形成されていることを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項２】 上記誘電性材料は、インピーダンスが１
〜２５Ωで比誘電率が２１〜３０、またはインピーダン
スが１２〜２５Ωで比誘電率が１２〜２５であることを
特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 上記誘電性材料は、複数の材料を含む複
合材料からなることを特徴とする請求項２に記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項４】 上記誘電性材料は、酸化ジルコニウムを
含む複合材料、窒化アルミニウムを含む複合材料及び炭
化珪素を含む複合材料の中から選択されるいずれか一つ
の複合材料からなることを特徴とする請求項２に記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項５】 上記プラズマ処理が酸化膜のエッチング
であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか
１項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395138A JP2002198355A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | プラズマ処理装置 |
| KR1020037008581A KR100842947B1 (ko) | 2000-12-26 | 2001-12-20 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| PCT/JP2001/011207 WO2002052628A1 (fr) | 2000-12-26 | 2001-12-20 | Procede et appareil de traitement au plasma |
| US10/451,852 US20040040931A1 (en) | 2000-12-26 | 2001-12-20 | Plasma processing method and plasma processor |
| TW090132213A TWI250550B (en) | 2000-12-26 | 2001-12-25 | Plasma processing method and plasma processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000395138A JP2002198355A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198355A true JP2002198355A (ja) | 2002-07-12 |
Family
ID=18860650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000395138A Pending JP2002198355A (ja) | 2000-12-26 | 2000-12-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040040931A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002198355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| WO2019032787A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | DISTRIBUTED ELECTRODE NETWORK FOR PLASMA PROCESSING |
| JP2021009932A (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7289494B2 (en) * | 2001-12-06 | 2007-10-30 | Pulse-Link, Inc. | Systems and methods for wireless communication over a wide bandwidth channel using a plurality of sub-channels |
| KR100465877B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2005-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각 장치 |
| US20050241579A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Russell Kidd | Face shield to improve uniformity of blanket CVD processes |
| US7276135B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-10-02 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor including control in response to DC bias voltage |
| US7851368B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-12-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for igniting a low pressure plasma |
| US20070224709A1 (en) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus, control program and storage medium |
| US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
| JP2010278166A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置 |
| CN103794460B (zh) * | 2012-10-29 | 2016-12-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于半导体装置性能改善的涂层 |
| US9017513B2 (en) * | 2012-11-07 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Plasma monitoring probe assembly and processing chamber incorporating the same |
| US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
| US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
| JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
| US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
| US20210249232A1 (en) * | 2020-02-10 | 2021-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method for etching |
| US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
| US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
| US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
| US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
| US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186100A (ja) * | 1995-01-06 | 1996-07-16 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH1064883A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | プラズマ装置 |
| JPH1174099A (ja) * | 1997-05-01 | 1999-03-16 | Applied Materials Inc | 自己クリーニングフォーカスリング |
| JP2000311859A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォーカスリングおよびその製造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532401Y2 (ja) * | 1991-04-16 | 1997-04-16 | ソニー株式会社 | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
| KR100324792B1 (ko) * | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
| US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| US5716534A (en) * | 1994-12-05 | 1998-02-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma etching method |
| TW434745B (en) * | 1995-06-07 | 2001-05-16 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus |
| US5783102A (en) * | 1996-02-05 | 1998-07-21 | International Business Machines Corporation | Negative ion deductive source for etching high aspect ratio structures |
| EP0805475B1 (en) * | 1996-05-02 | 2003-02-19 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US5993916A (en) * | 1996-07-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for substrate processing with improved throughput and yield |
| US6284093B1 (en) * | 1996-11-29 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
| TW418461B (en) * | 1997-03-07 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma etching device |
| US6364957B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
| US6063441A (en) * | 1997-12-02 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber and method for confining plasma |
| US6464843B1 (en) * | 1998-03-31 | 2002-10-15 | Lam Research Corporation | Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
| EP1083219B1 (en) * | 1998-05-26 | 2006-08-30 | Tokyo Electron Limited | Cleaning fluid and cleaning method for component of semiconductor-treating apparatus |
| US6296716B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-02 | Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | Process for cleaning ceramic articles |
| US6413382B1 (en) * | 2000-11-03 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Pulsed sputtering with a small rotating magnetron |
| US6837966B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
-
2000
- 2000-12-26 JP JP2000395138A patent/JP2002198355A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-20 US US10/451,852 patent/US20040040931A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186100A (ja) * | 1995-01-06 | 1996-07-16 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JPH1064883A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | プラズマ装置 |
| JPH1174099A (ja) * | 1997-05-01 | 1999-03-16 | Applied Materials Inc | 自己クリーニングフォーカスリング |
| JP2000311859A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォーカスリングおよびその製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US8057634B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
| US8366870B2 (en) | 2004-04-14 | 2013-02-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
| US8632637B2 (en) | 2004-04-14 | 2014-01-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
| WO2019032787A1 (en) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | DISTRIBUTED ELECTRODE NETWORK FOR PLASMA PROCESSING |
| US10312056B2 (en) | 2017-08-10 | 2019-06-04 | Applied Materials, Inc. | Distributed electrode array for plasma processing |
| US10373807B2 (en) | 2017-08-10 | 2019-08-06 | Applied Materials, Inc. | Distributed electrode array for plasma processing |
| US10418225B2 (en) | 2017-08-10 | 2019-09-17 | Applied Materials, Inc. | Distributed electrode array for plasma processing |
| US10615004B2 (en) | 2017-08-10 | 2020-04-07 | Applied Materials, Inc. | Distributed electrode array for plasma processing |
| JP2021009932A (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| JP7278160B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040040931A1 (en) | 2004-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002198355A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20200312681A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US11264208B2 (en) | Plasma processing apparatus and method for controlling radio-frequency power supply of plasma processing apparatus | |
| US7658816B2 (en) | Focus ring and plasma processing apparatus | |
| US10109462B2 (en) | Dual radio-frequency tuner for process control of a plasma process | |
| JP4454718B2 (ja) | プラズマ処理装置およびそれに用いられる電極 | |
| US9190302B2 (en) | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit | |
| JP4713352B2 (ja) | プラズマを閉じ込めかつ流動コンダクタンスを高める方法および装置 | |
| JP4454781B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US8264813B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
| KR100803253B1 (ko) | 결합 전극을 구비한 플라즈마 챔버 지지 부재 | |
| TWI488236B (zh) | Focusing ring and plasma processing device | |
| JP4640922B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US10026636B2 (en) | Electrostatic chuck having reduced power loss | |
| KR102036950B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| US20100203736A1 (en) | Plasma Processing Method | |
| TWI408744B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| JP7154119B2 (ja) | 制御方法及びプラズマ処理装置 | |
| US20220037129A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US11923171B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| CN107424899A (zh) | 等离子体处理方法 | |
| JP2003109946A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20200067104A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
| JPH11283940A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP4467667B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110510 |