JPH08186100A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理基体の中央部と周辺部で電界強度を略
等しくすることができ、均一なエッチングを行い得るプ
ラズマ処理装置を提供すること。 【構成】 被処理基板１７が載置される電極１５を収容
した容器１１と、この容器１１内に反応性ガスを導入す
るためのガス導入口１２と、容器１１内のガスを排気す
るためのガス排気口１３と、電極１５に高周波電力を印
加するための高周波電源１４とを備え、容器１１内にプ
ラズマを発生させて基板１７をエッチングするプラズマ
処理装置において、電極１５は平板体の中央部に基板設
置領域となる凸部を形成してなり、この凸部表面以外が
絶縁カバー１６で覆われており、かつ電極１５の凸部は
基板１７よりも僅かに小さく、該凸部の全体が基板１７
により覆われることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
においてエッチングや膜形成に使用されるプラズマ処理
装置に係わり、特にフォトマスクや液晶表示装置の製造
に適したプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の製造において
は、回路を構成する素子や配線の高集積化、またパター
ンの微細化が進められている。フォトリソグラフィ技術
では、パターン微細化を進める上で一つの手法として、
位相シフトマスクが開発されている。

【０００３】位相シフトマスクの一つであるレベンソン
型位相シフトマスクの製造方法として、例えば特開平２
−２１１４５０公報で述べられているように、透明基板
上に金属或いは金属酸化物よりなる遮光膜パターンを形
成し、次にレジスト膜を塗布し、位相変化領域を形成す
るための第２のパターンを例えば電子ビーム描画装置に
よりパターン転写し、次に透明基板本体をドライエッチ
ングすることにより位相シフタを形成する。

【０００４】一方、パターンの微細化技術に対してデバ
イスの高集積化はそれ以上に速い速度で進められてお
り、チップ面積が増大してきている。さらに、工程スル
ープットの向上の必要から、デバイスのチップパターン
を露光用マスク基板内に複数個配置する技術も注目され
ている。

【０００５】このため、露光用マスク基板のパターン面
積、さらにはマスク自体のサイズが大きくなり、マスク
基板上にパターンを形成する際のパターニング精度を確
保するために、サイズが小さいマスク基板と同等に十分
な機械的強度、剛性を保つ必要が出てきた。この課題に
対して、現状では基板（材質は例えば石英）の厚さを厚
くすることで機械的強度を補償している。

【０００６】ところで、ドライエッチング工程では、例
えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置によりＣＦ
₄ ＋Ｏ₂ ガスを用いて、平行平板電極間に例えば１３．
５６ＭＨｚの高周波電力を印加する手法が採用されてい
る。

【０００７】ここで、試料載置の電極としては、図８
（ａ）〜（ｃ）に示す構造がある。１は容器の一部、４
は高周波電源、５は電極、６は絶縁カバー、７は基板、
８はフックを示している。

【０００８】図８（ａ）の例では、電極５の側面及び裏
面が絶縁カバー６で覆われている。図８（ｂ）の例で
は、電極５の基板設置領域の外側領域も絶縁カバー６で
覆われている。図８（ｃ）の例では、エッチング中に基
板７の温度を調整するために、基板７をフック８により
固定した状態で基板下に冷却用のガスを導入し、電極５
と基板７との熱伝達を良くしている。

【０００９】しかしながら、この種の電極構造にあって
は次のような問題があった。即ち、剛性を保つために基
板７の厚みが増すと、基板７が絶縁体であるため高周波
電流が透過しにくくなってくる。そして、エッチング中
に高周波電流が抜け易い部分があるとその部分に電界が
集中する現象が生じる。

【００１０】図８（ａ）の電極構造においては、基板７
が設置されずに電極５が露出している部分に電界が集中
する。この影響で反応ガスプラズマ中の活性イオンが入
射するエネルギーが基板７の外縁部分では基板７の中央
部分に対して大きく、ひいてはエッチングの速度が大き
くなる。

【００１１】図８（ｂ）の電極構造においても、基板５
と基板横の絶縁カバー６との間に隙間を生じ、その隙間
部分を高周波電流が抜けて電界が集中する現象を生じ
る。従って、程度の違いはあるものの図８（ａ）の構造
における現象と同様に基板外縁部分のエッチング速度が
基板中央部分と比較して大きくなる。

【００１２】図８（ｃ）の電極構造においては、通常フ
ック８を絶縁材料で構成する。この場合には、フック８
の高さが基板７の表面に対して高いために、基板外縁部
分の上空で電界に歪みを生じ、基板外縁部分のエッチン
グ速度が基板中央部分と比較して小さくなる。フック８
を絶縁材料で構成しない場合には、図８（ａ）の場合と
同様に基板７の外縁部分のエッチング速度が中央部分に
比べて大きくなる。

【００１３】位相シフトマスクをエッチングにより形成
する場合には、エッチング速度が直接位相差に関係しパ
ターン解像性能と密接に係わるために、その均一性を確
保することは極めて重要である。さらに、液晶表示装置
を製造する場合にもその性能を確保するためには、電極
配線の加工におけるエッチングの均一性を確保する必要
がある。ところが、従来の電極構造では電極中央部と周
辺部に電界強度の差が生じ、エッチングの均一性を十分
に確保することは困難であった。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、位相
シフトマスクや液晶表示装置を製造する場合、エッチン
グの均一性を十分に確保することが極めて重要である
が、従来の電極構成では電極中央部と周辺部に電界強度
の差が生じ、これがエッチングの均一性を妨げる要因と
なっていた。また、上記の問題はエッチングに限らず、
プラズマＣＶＤ等の膜形成に関しても同様に言えること
である。

【００１５】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、被処理基体の中央部と
周辺部で電界強度を略等しくすることができ、均一なエ
ッチング又は均一な膜形成を行い得るプラズマ処理装置
及びプラズマ処理方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち、本
発明（請求項１）は、被処理基体が載置される電極を収
容した容器と、この容器内に所定のガスを導入する手段
と、前記容器内のガスを排気する手段と、前記電極に高
周波電力を印加する手段とを備え、容器内にプラズマを
発生させて被処理基体をエッチング若しくは被処理基体
上に膜を形成するプラズマ処理装置において、前記電極
の被処理基体設置領域外を覆うように絶縁カバーが設け
られ、かつ前記電極の被処理基体設置領域は被処理基体
よりも僅かに小さく、該領域の全体が被処理基体により
覆われることを特徴とする。

【００１７】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 絶縁カバーは、被処理基体よりも高周波の透過率が
小さいものであること。 (2) 電極は、被処理基体設置領域と同じ大きさであり、
被処理基体を設置したときに該基体で全体が覆われるこ
と。 (3) 電極は、平板体の中央部に被処理基体設置領域とな
る凸部が形成され、この凸部表面以外が絶縁カバーで覆
われていること。 (4) 電極の被処理基体設置領域は、被処理基体の端部よ
りも２〜１０ｍｍ内側であること。

【００１８】また、本発明（請求項４）は、被処理基体
が載置される電極を収容した容器と、この容器内に所定
のガスを導入する手段と、前記容器内のガスを排気する
手段と、前記電極に高周波電力を印加する手段とを備
え、容器内にプラズマを発生させて被処理基体をエッチ
ング若しくは被処理基体上に膜を形成するプラズマ処理
装置において、前記電極上の被処理基体設置領域の外側
に絶縁カバーが設けられ、かつ被処理基体と絶縁カバー
との隙間に露出する電極部分に絶縁材が埋め込まれてい
ることを特徴とする。

【００１９】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 絶縁カバーは、被処理基体よりも高周波の透過率が
小さいものであること。 (2) 絶縁材の幅は、被処理基体と絶縁カバーとの隙間に
対して＋２ｍｍ以上の幅を有すること。 (3) 絶縁材は、被処理基体上に形成すべきデバイスパタ
ーン部分より外側に位置すること。

【００２０】また、本発明（請求項６）は、被処理基体
が載置される電極を収容した容器と、この容器内に所定
のガスを導入する手段と、前記容器内のガスを排気する
手段と、前記電極に高周波電力を印加する手段とを備
え、容器内にプラズマを発生させて被処理基体をエッチ
ング若しくは被処理基体上に膜を形成するプラズマ処理
装置において、前記電極は被処理基体設置領域に比して
該領域の外側領域が高く形成され、被処理基体設置領域
の外側及び被処理基体の周辺部上を覆うように絶縁カバ
ーが設けられていることを特徴とする。

【００２１】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 絶縁カバーは、被処理基体よりも高周波の透過率が
小さいものであること。 (2) 被処理基体の表面と被処理基体周辺部における電極
表面との相対的高さｈを、４〜６ｍｍに設定したこと。

【００２２】また、本発明（請求項８）は、容器内に配
置された電極上に被処理基体を載置し、容器内に所定の
ガスを導入すると共に該容器内のガスを排気し、電極に
高周波電力を印加して容器内にプラズマを発生させ、被
処理基体をエッチング若しくは被処理基体上に膜を形成
するプラズマ処理方法において、前記電極の被処理基体
設置領域の周辺部を絶縁カバーで覆い、前記電極の被処
理基体設置領域と周辺領域との構造的な違いを利用し
て、前記被処理基体上の中央部と周辺部の高周波電界強
度が略等しくなる条件でエッチング若しくは膜形成を行
うことを特徴とする。

【００２３】

【作用】本発明（請求項１）によれば、高周波が導入さ
れる電極の絶縁カバーに覆われていない領域の面積が、
被処理基体に対して小さく構成される。従って、被処理
基体を加工する際には該基体を電極上に設置するが、こ
のとき電極は被処理基体と絶縁カバーで完全に覆われ
る。

【００２４】前述したように図８に示す従来構造では、
被処理基体の周辺部に電界が集中する現象、又は周辺部
の電界が弱くなる現象を生じていた。例えば、図８
（ｂ）では、被処理基体と絶縁カバーの間の隙間を高周
波電流が通ることにより、その近傍に電界が集中する現
象を生じていた。

【００２５】電界は、被処理基体の上空では該基体を透
過してくる高周波電流により印加される。しかし、被処
理基体が絶縁物であるため、電極が露出している部分が
あると高周波が透過しやすく、その部分に高周波電流が
集中する。つまり、被処理基体と絶縁カバーの間の隙間
部分に高周波電流が集中し、ひいては電界が集中する現
象が生じる。そこで、被処理基体の外縁部分ではプラズ
マ中のイオンが被処理基体に入射するエネルギーが基体
中央部分と比較して増加しており、エッチング速度が中
央部分より大きくなる。

【００２６】これに対して本発明では、隙間部分を高周
波電流が通過しにくいように隙間部分の下に電極が露出
しない構造とすることにより、図８（ｂ）に見られる電
界集中を消すことが可能である。これにより、エッチン
グ速度や膜形成速度が基体外縁部分と中央で均一にな
る。

【００２７】ここで、電極は望ましくは基体の面積に対
して２〜１０ｍｍ程度内側に位置するように構成する。
２ｍｍ以下の場合には、絶縁カバーがあるにも拘らず高
周波電流がそれを透過し隙間部分を抜けて電界に影響を
及ぼす。また、１０ｍｍ以上では、基体の外縁部分では
下に電極が存在しなくなるために、基体を透過して基体
表面に電界を印加する高周波電流が小さくなりエッチン
グ速度が逆に低下するからである。

【００２８】また、本発明（請求項４）によれば、被処
理基体と絶縁カバーとの隙間にあたる部分の電極に絶縁
材を埋め込んだ構造とすることにより、隙間から高周波
電流が通ることを防止し、請求項１と同様に電界集中の
ない均一な電界分布を得ることができ、エッチング速度
や膜形成速度の均一性を向上させる。

【００２９】また、本発明（請求項６）によれば、プロ
セス中に被処理基体の温度を調整するために該基体下よ
りヘリウム等の冷却ガスを導入する。冷却ガスがプロセ
ス中に容器内に漏れ出さないように基板と電極間をＯリ
ング等により気密すると共に電極上に被処理基体を固定
するようにフックを設ける。

【００３０】ここで、フックは高周波電流が透過しにく
いように絶縁材料で構成する。フックの表面が被処理基
体表面の高さに比べて高い位置にあるために、図８
（ｃ）のような電界の分布となる。この場合には、フッ
クによって電極が完全に隠されていると被処理基体の外
縁部分のエッチング速度は中央に比べて小さくなる。

【００３１】これに対し本発明では、被処理基体とフッ
クの高周波透過率の差により電界の分布を調節してい
る。即ち、電極の被処理基体設置領域に比して該領域の
外側領域を高く形成することにより被処理基体の横に電
極表面を設定し、これによりフック及び被処理基体を透
過する高周波電流を調節する。電極表面が高く、また絶
縁材料の高周波透過率が大きくなるほど、外縁部分の電
界強度が中央部のそれに比べて大きくなる。従って、電
極表面の高さを最適化することにより、電界強度の差を
低減し、エッチング速度や膜形成速度の均一性を向上さ
せることが可能となる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係わるプ
ラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
図中１１は例えばアルミニウムやステンレスからなる気
密容器であり、この容器１１内にはガス導入口１２から
反応性ガスが導入され、また容器１１内のガスはガス排
気口１３から排気されるものとなっている。

【００３３】容器１１内には、基板（被処理基体）を載
置する電極１５が配置されている。電極１５には高周波
電源１４より高周波電力が印加されており、容器１１は
接地されている。ここで、電極１５に対する容器１１の
上壁部分１１ａが対向電極として機能しており、平行平
板電極構成となっている。

【００３４】電極１５の構成を具体的に説明する。電極
１５は平板体の中央部を除く部分を表面から数ミリ除去
され、中央部に凸部を形成したものとなっている。そし
て、この凸部上に基板１７を載置するが、凸部領域は基
板１７の端に対して３ｍｍ内側とした。電極１５の凸部
表面を除く部分は絶縁カバー１６で覆われている。絶縁
カバー１６にはアルミナを用い、その厚さ５ｍｍとし
た。なお、電極１５の下面には電極１５の一部を容器外
まで導くための導出部が設けられている。

【００３５】このような構成であれば、電極１５がプラ
ズマ側に露出しない構造となっているので、基板１７と
絶縁カバー１６との隙間における電界集中を防止するこ
とができ、図２に示すように基板表面上に均一な電界分
布を形成することができる。なお、図２では基板１７の
外側領域において電界が僅かに小さくなっているが、少
なくとも基板設置領域においては均一な電界分布となっ
ている。従って、本装置を用いて基板１７をエッチング
すると、均一なエッチングを行うことが可能となる。

【００３６】ここで、本実施例では、電極１５の一部に
基板よりも僅かに小さい凸部を設けてその上に基板１７
を設置する構成としているが、電極全体を基板１７より
も僅かに小さく形成してもよい。しかし、本実施例のよ
うに構成すれば、基板設置領域の外側にも電極が存在す
ることになり、これで周辺の電界を持ち上げる効果を持
たせることができ、電界分布の均一化により有効であ
る。

【００３７】本実施例装置を用いて、レベンソン型位相
シフトマスクの加工を行った。基板は一辺６インチの正
方形で厚さは６．３５ｍｍである。レベンソンマスクは
図３に示す方法で作成した。

【００３８】まず、図３（ａ）に示すように、石英基板
３１上にＣｒの遮光膜パターン３２を形成する。次い
で、図３（ｂ）に示すように、レジスト３３を全面に被
覆した後、開口部の一つ毎に光描画装置により描画を行
い、現像してレジスト開口を形成する。次いで、図３
（ｃ）に示すように、レジスト３３をマスクとして用
い、露出した石英基板本体をエッチングする。最後に、
図３（ｄ）に示すように、レジスト３３を剥離して、開
口部の一つ毎にシフタ部３５を有するレベンソン型位相
シフトマスク作成する。

【００３９】この石英基板（ＳｉＯ₂ ）本体のエッチン
グに本実施例のエッチング装置を用いた。加工条件はＣ
Ｆ₄ ガスを用いて圧力４０ｍTorr、高周波パワー１５０
Ｗでエッチングした。図４に従来と本実施例のエッチン
グ速度の面内均一性を示す。従来基板の外縁部分で中央
部分に対して２０％程度エッチング速度が大きかった
（３６度に相当）が、本発明では±３％以内に収まり均
一になっていることが分かる。これは、レベンソンマス
クの位相差にして５度に相当する。

【００４０】従来のエッチング装置で作成したレベンソ
ンマスクではマスク中央部分で位相差を１８０度に調整
すると外縁部分では位相差２１６度になる。この位相差
のずれによりｉ線ステッパ（波長３６５ｎｍ，ＮＡ＝
０．５７，σ＝０．４）で露光すると、０．２５μｍラ
イン＆スペースパターンにおいて中央部分のパターンで
は焦点深度が１．２μｍ以上あるものの、外縁部分では
焦点深度０．２μｍしか得られなかった。

【００４１】これに対し本実施例により作成したマスク
では、ｉ線ステッパ（波長３６５ｎｍ，ＮＡ＝０．５
７，σ＝０．４）を用いて露光を行い、マスク上１２０
ｍｍ角内の０．２５μｍライン＆スペースパターン全て
に関して焦点深度１．０μｍ以上を得ることができた。 （実施例２）図５は、本発明の第２の実施例に係わるプ
ラズマエッチング装置の電極構成を示す断面図である。
なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳し
い説明は省略する。

【００４２】この実施例では、電極表面は基板１７より
も十分広い平坦なものとし、基板１７と絶縁カバー１６
との隙間に露出する電極部分に絶縁材５１を埋込み形成
している。具体的には、基板１７と絶縁カバー１６の隙
間よりも僅かに広い幅で、電極１５の表面にリング状の
凹部を形成し、その凹部内に絶縁材５１を埋込み形成し
た。なお、絶縁材５１は絶縁カバー１６と同じ材料でも
よいし、他の材料でもよい。

【００４３】このような構成であれば、基板１７と絶縁
カバー１６との隙間に電界強度の強い領域が形成される
ことはなく、基板１７の中央部と周辺部で電界強度を均
一に保つことができる。従って、第１の引用例と同様の
効果が得られる。 （実施例３）図６は、本発明の第３の実施例に係わるプ
ラズマエッチング装置の電極構成を示す断面図である。
なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳し
い説明は省略する。

【００４４】プロセス中に基板１７の温度を調節するた
めに、基板１７の下面にヘリウム等の冷却ガスを導入す
る。この冷却ガスがプロセス中に気密容器１１内に漏れ
出さないように基板１７と電極１５との間をＯリング６
３により気密すると共に、電極１５上に基板１７を固定
するようにフック６１を設ける。

【００４５】なお、図には示さないが、電極１５の内部
には冷媒通路が設けられており、この通路に流す冷媒に
より電極１５は冷却される。さらに、電極１５には基板
１７の下面に冷却ガスを流すための貫通穴が設けられて
いる。また、図中の６２はフック６１による基板固定を
解除するための支持棒である。

【００４６】ここで、フック６１は高周波電流が透過し
にくいように絶縁材料で構成する。フック６１の表面を
基板表面の高さに比べて高い位置にすると、前記図８
（ｃ）のような電界の分布となる。フック６１によって
電極１５が完全に隠されていると基板１７の外縁の部分
のエッチング速度は中央に比べて小さくなる。そこで、
基板１７の横に電極表面を設定して、フック６１及び基
板１７を透過する高周波電流を調節することによりエッ
チング速度の均一性を向上せしめる。そのために本実施
例では、電極１５の基板設置領域を凹状に形成してい
る。

【００４７】基板表面と電極表面との相対的な高さ関係
によりエッチング速度の均一性（ここでは基板１７の外
縁部分と中央部分におけるエッチング速度の比率）を図
７に示す。ここで、フック材質としてアルミナを選択
し、基板１７と接触する部分は硬度の小さい有機材料を
使用している。エッチングにはマグネトロンＲＩＥ装置
を使用し、石英基板上のＳｉＯ₂ 膜をエッチングした。
エッチング条件はＣＦ₄ガスを用い、圧力４０ｍTorrで
行った。

【００４８】相対的高さｈが約６〜８ｍｍの場合には、
基板１７よりもフック６１の方が高周波の透過率が小さ
く、かつフック６１の表面の高さが基板１７に対して大
きくなる。この場合には、基板外縁部分のエッチング速
度が中央部分より小さくなる。逆に、ｈが２ｍｍの場合
には、基板１７よりもフック６１で高周波の透過率が大
きく、この影響で基板の外縁部分表面の電位が中央部分
に比較して大きくなる。従って、基板１７の外縁部分の
方が中央部分よりもエッチング速度が大きくなる。

【００４９】ｈが４〜６ｍｍ、特に４ｍｍの場合には、
基板表面よりもフック表面で高さが高いことにより電界
が曲げられる影響と、フック６１で高周波透過率が大き
いことによる影響が相殺して、丁度エッチング速度が等
しくなっている。従って、フック６１を設ける場合に
は、ｈを約４〜６ｍｍに最適化して構成するのが望まし
い。但し、フック６１の材質，厚さ，基板の厚さ等に左
右される。

【００５０】また、ここで電極１５は気密容器１１の下
側に設置するものに限定されず、上側に電極１５を設置
し、その下に加工面を下向きに基板１７を固定してもよ
い。この構成では、気密容器内壁に付着したダスト若し
くは堆積物が剥離し加工面上に降下するのを防止するこ
とができる。フック６１の材質としては絶縁材質でエッ
チング耐性があるものが望ましい。アルミナの他にＳｉ
Ｃ，ＡｌＮ等のセラミックや高温に耐性がある樹脂等で
もよい。

【００５１】本装置を石英基板のエッチングに用いてレ
ベンソンマスクの作成を行い、ｉ線ステッパ（波長３６
５ｎｍ，ＮＡ＝０．５７，σ＝０．４）を用いて露光を
行うことで、０．２５μｍライン＆スペースパターンに
おいて焦点深度１．０μｍを得ることができた。

【００５２】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、プラズマエッチング装
置について説明したが、これに限らず、例えばマグネト
ロン式のＲＩＥ装置やヘリコンプラズマによるプロセス
装置等プラズマの発生方式に係わらず、基板下部より高
周波電圧を印加するプロセス装置全般に用いることがで
きる。

【００５３】また実施例では、レベンソン型位相シフト
マスクの作成に関して述べたが、通常マスクの遮光膜エ
ッチング或いはハーフトーンマスクのハーフトーン膜の
エッチング或いは膜形成等フォトマスク全般に適用でき
る。さらに、フォトマスク以外で絶縁物、例えばガラス
基板，蛍石，アルミナ等を被加工物とする、例えば液晶
基板等に関しても同様に、金属配線のエッチング等にお
いて本発明を適用しエッチング速度均一性の向上を達成
することができる。

【００５４】また、本発明は被処理基体のエッチングに
限るものではなく、プラズマＣＶＤ等の膜形成に適用す
ることもできる。この場合、前述した装置構成を変える
必要はなく、容器内に導入するガスを原料ガスとすれば
よい。さらに、スパッタや表面処理等に適用することも
可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
処理基体を載置するための電極構造の改良によって、被
処理基体の中央部と周辺部で電界強度を略等しくするこ
とができ、これにより均一なエッチング又は均一な膜形
成を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係わるプラズマエッチング装置
の概略構成を示す断面図。

【図２】第１の実施例に用いた電極構造を示す断面図。

【図３】第１の実施例装置を用いたレベンソン型マスク
の製造工程を示す断面図。

【図４】第１の実施例における基板位置とエッチング速
度との関係を示す図。

【図５】第２の実施例に係わるプラズマエッチング装置
の電極構造を示す断面図。

【図６】第３の実施例に係わるプラズマエッチング装置
の電極構造を示す断面図。

【図７】第３の実施例における相対的高さｈとエッチン
グ速度との関係を示す図。

【図８】従来の電極構造及び電界分布を示す図。

【符号の説明】

１１…気密容器 １２…ガス導入口 １３…ガス排気口 １４…高周波電源 １５…電極 １６…絶縁カバー １７…基板（被処理基体） ５１…絶縁材 ６１…フック ６２…支持棒 ６３…Ｏリング ３１…石英基板 ３２…遮光膜パターン ３３…レジスト ３５…シフタ部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被処理基体が載置される電極を収容した容
   器と、この容器内に所定のガスを導入する手段と、前記
   容器内のガスを排気する手段と、前記電極に高周波電力
   を印加する手段とを備え、容器内にプラズマを発生させ
   て被処理基体をエッチング若しくは被処理基体上に膜を
   形成するプラズマ処理装置において、 前記電極の被処理基体設置領域外を覆うように絶縁カバ
   ーが設けられ、かつ前記電極の被処理基体設置領域は被
   処理基体よりも僅かに小さく、該領域の全体が被処理基
   体により覆われることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】前記電極は、平板体の中央部に被処理基体
   設置領域となる凸部が形成され、この凸部表面以外が絶
   縁カバーで覆われていることを特徴とする請求項１記載
   のプラズマ処理装置。
3. 【請求項３】前記電極の被処理基体設置領域は、被処理
   基体の端部よりも２〜１０ｍｍ内側であることを特徴と
   する請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】被処理基体が載置される電極を収容した容
   器と、この容器内に所定のガスを導入する手段と、前記
   容器内のガスを排気する手段と、前記電極に高周波電力
   を印加する手段とを備え、容器内にプラズマを発生させ
   て被処理基体をエッチング若しくは被処理基体上に膜を
   形成するプラズマ処理装置において、 前記電極上の被処理基体設置領域の外側に絶縁カバーが
   設けられ、かつ被処理基体と絶縁カバーとの隙間に露出
   する電極部分に絶縁材が埋め込まれていることを特徴と
   するプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】前記絶縁材の幅は、被処理基体と絶縁カバ
   ーとの隙間に対して＋２ｍｍ以上の幅を有することを特
   徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】被処理基体が載置される電極を収容した容
   器と、この容器内に所定のガスを導入する手段と、前記
   容器内のガスを排気する手段と、前記電極に高周波電力
   を印加する手段とを備え、容器内にプラズマを発生させ
   て被処理基体をエッチング若しくは被処理基体上に膜を
   形成するプラズマ処理装置において、 前記電極は被処理基体設置領域に比して該領域の外側領
   域が高く形成され、被処理基体設置領域の外側及び被処
   理基体の周辺部上を覆うように絶縁カバーが設けられて
   いることを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 【請求項７】前記被処理基体の表面と被処理基体周辺部
   における電極表面との相対的高さｈを、４〜６ｍｍに設
   定したことを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理装
   置。
8. 【請求項８】容器内に配置された電極上に被処理基体を
   載置し、容器内に所定のガスを導入すると共に該容器内
   のガスを排気し、電極に高周波電力を印加して容器内に
   プラズマを発生させ、被処理基体をエッチング若しくは
   被処理基体上に膜を形成するプラズマ処理方法におい
   て、 前記電極の被処理基体設置領域の周辺部を絶縁カバーで
   覆い、前記電極の被処理基体設置領域と周辺領域との構
   造的な違いを利用して、前記被処理基体上の中央部と周
   辺部の高周波電界強度が略等しくなる条件でエッチング
   若しくは膜形成を行うことを特徴とするプラズマ処理方
   法。