JPH01124218A - マスク基板のドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体基板などを製造するマスクやレチクルのドライエ
ツチング方法の改良に関し、 放電電極間のプラズマイオンの分布密度を均一化し、高
精度のパターンを形成することを目的とし、 乾板を搭載する電極上に乾板と、該乾板周縁から上記電
極の露出面を覆う形状を有する絶縁体とを搭載し、上記
電極に高周波を印加し、プラズマエツチングするように
構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体基板などを製造するマスクやレチクルの
ドライエツチング方法の改良に関する。

減圧された反応室内に反応ガスを供給する噴出孔を備え
るアース電極と、高周波が印加される搭載電極とを対向
配置したドライエツチング装置を用いてプラズマエツチ
ングする方法において、放電の起こり易さはマスク基板
の置かれていない面の方がマスク基板面に比べて高い。

したがってイオンの発生密度も高くマスク基板の周縁部
がエツチングされ易いという問題を生じている。

そのため、イオンの分布密度を均一化してエツチングす
る方法が要望されている。

〔従来の技術〕

第４図は従来のドライエツチング装置の概略構造を示す
側断面図、第５図は第４図のＡ−Ａ矢視を示す平面図（
反応室及びレジスト膜は図示路）である。

図示されるように、ドライエツチング装置１は、図示さ
れない真空ポンプにより排気減圧される反応室２の上部
にアース電極３を、下部に高周波電源５により高周波が
印加される搭載電極４が対向配置されている。

搭載電極４は、図示されない回転駆動装置により回転さ
れる。

反応ガス６は、アース電極３の中を通ってアース電極３
の下面のガス噴出孔７から反応室内に導入される。

搭載電極４に載置する乾板８は、第６図の側断面図に示
すように、透明なマスク基板８ａ、例えば石英ガラス基
板に遮光パターン形成膜８ｂ、例えばクロム膜やチタン
、モリブテン、タングステンなどのシリサイドを被着し
、更にその上にバターニングされたレジスト膜９を形成
したものである。

反応ガス６は、例えばクロム膜に対しては四塩化炭素を
、上記シリサイドに対しては四塩化炭素やフレオンが用
いられる。

エツチングは、搭載電極４に乾板８を載置し、画電極３
．４間のプラズマ放電により、反応ガス６をイオン化し
て行う。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、このような上記方法によれば、乾板が置
かれた部分は搭載電極が絶縁材で覆われた状態となって
おり、平行平板電極でのプラズマ放電の起こり易さは、
乾板の置かれていない面の方が乾板面に比べて高くなり
、しかってイオンの発生密度も高く、第５図に示すよう
に、乾板周縁の斜線部がエツチングされ易いといった問
題があった。

上記問題点に鑑み、本発明は放電電極間のイオンの分布
密度を均一化し、高精度のパターンを形成するドライエ
ツチング方法を提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

従来方法における上記問題点は、乾板を搭載する電極上
に乾板と、該乾板周縁から上記電極の露出面を覆う形状
を有する絶縁体とを搭載し、上記電極に高周波を印加し
、プラズマエツチングすることによって解決される。

〔作用〕

乾板を搭載した電極の露出面を絶縁体で覆うことにより
、両電極間の放電条件がどの位置においても同一化され
るため、少なくともエツチング面上のイオンの分布密度
を均一化され、均一なエツチングができることになる。

〔実施例〕

以下図面に示す一実施例により本発明の要旨を具体的に
説明する。

第１図は搭載電極に乾板を載せた状態の側断面図を、第
２図は第１図の平面図（レジスト膜は図示路）を示す。

図中、従来と同一符号は従来と同一部品または部分を示
す。

図示されるように、ドライエツチング装置（図示路）の
搭載電極４上にバターニングされたレジスト膜９を形成
した角形の乾板８と、乾板周縁直近から搭載電極４の乾
板８のない露出面（第２図に示す斜線部分）の全面を覆
う形状をなし、かつ乾板８のマスク基板８ａと同等の材
質を有する絶縁体１０とを同時に搭載する。絶縁体１０
の厚さは、乾板８のマスク基板８ａの厚さとほぼ同じ厚
さとする。

また、絶縁体１０の内寸法はマスク基板８ａの外形寸法
より約０．５〜１龍大きい寸法とする。

第３図の平面図は、上記乾板８が円形の乾板８−１の場
合を示す。この場合の絶縁体１０−１はリング状をなし
て露出面（斜線部分）を覆い、その厚さはほぼ同じ厚さ
とし、内径はマスク基板８ａの外径より約０．５〜１１
１ＩＬ大きい寸法とする。

そして、搭載電極４に高周波電圧を印加し、プラズマエ
ツチングを行う。

本ドライエツチング方法によれば、搭載電極を乾板と絶
縁体とで覆うことにより、両電極間のどの位置において
も放電条件が一様になるため、少なくともエツチング面
上のイオンの分布密度が均一化され、乾板周縁において
も均一なエツチングが可能となる。

なお、上記説明の付加する絶縁体は、搭載電極の露出面
の全面を覆う形状としたが、例えば乾板の大きさが搭載
電極の大きさに比べて比較的小さい場合、乾板のエツチ
ング面上のイオンの分布が均一になる程度に乾板周縁直
近から近傍の露出面を覆う形状に縮小しても差支えない
ことは言うまでもない。また、絶縁体の厚さは、同様に
イオンの分布が均一になる程度であれば、必ずしもマス
ク基板の厚さとほぼ同じ厚さにする必要はない。

〔発明の効果〕

以上、詳述したように本発明によれば、乾板外側の搭載
電極の露出面を絶縁体を付加して覆うことにより、乾板
周縁まで均一なエツチングができ、高精度のパターンを
有するマスクやレチクルなどが製作できるといった実用
上極めて有用な効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による一実施例の側断面図、第２図は第
１図のレジスト膜を除く平面図、第３図は本発明による
他の実施例の平面図、第４図は従来技術によるドライエ
ツチング装置の側断面図、 第５図は第４図のＡ−Ａ矢視の反応室及びレジスト膜を
除く平面図、 第６図は第４図の搭載した乾板の側断面図、である。 図において、 ４は搭載電極、 ８．８−１は乾板、 ８ａはマスク基板、 ８ｂは遮光パターン形成膜、 ９はレジスト膜、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　乾板を搭載する電極（４）上に乾板（８）と、該乾板
   周縁から上記電極の露出面を覆う形状を有する絶縁体（
   １０）とを搭載し、上記電極に高周波を印加し、プラズ
   マエッチングすることを特徴とするドライエッチング方
   法。