JP3629862B2 - 基板周縁の不要物除去方法およびその装置 - Google Patents
基板周縁の不要物除去方法およびその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3629862B2 JP3629862B2 JP35559996A JP35559996A JP3629862B2 JP 3629862 B2 JP3629862 B2 JP 3629862B2 JP 35559996 A JP35559996 A JP 35559996A JP 35559996 A JP35559996 A JP 35559996A JP 3629862 B2 JP3629862 B2 JP 3629862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plasma
- plasma generating
- gas
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示基板または半導体ウエハなどの基板の周縁及び裏面に存在する不要物を除去する方法および装置に関する。特に、本発明は、基板上にスピンコーティング法により塗布された塗布物のうち、基板の周縁領域に塗布された塗布物を除去するのに好適な方法および装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
従来より、たとえば液晶パネルのパネル基板上に、スピンコーティング法により薄膜を形成している。あるいは、半導体ウエハに液状のガラス材料（ＳＯＧ；Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、有機レジスト、ポリイミドなどを、スピンコーティング法により塗布して、基板上に絶縁層やマスク層を形成している。塗布された液状の塗布物は、基板が回転駆動されることで、その遠心力に伴い、基板上の中央領域ではほぼ均一厚さに引き延ばされる。しかしながら、基板の輪郭に沿った周縁部（表面，側面および裏面）にも、塗布されてしまうという問題が生じていた。
【０００３】
この場合、たとえば、液晶パネルあるいは半導体ウエハを搬送コンベアにより搬送したり、運搬用カセットに収容して運搬したり、あるいはイオン注入装置、ドライエッチング装置などのステージ上に載置した場合に、基板の周縁領域における塗布物が割れてダストが発生するという問題が生じていた。このダストが原因となって、基板上にパーティクルが付着し、製造工程での歩留りが大幅に低下するという問題があった。
【０００４】
従来より、この種の基板の周縁領域における塗布物を除去するためには、スピンコーティング法による塗布工程の後に、一連のフォトリソグラフィー工程を実施して、基板の周縁領域における塗布物を除去していた。この一連のフォトリソグラフィー工程とは、レジスト塗布工程、周縁露光工程、現像およびベーク工程、ウエットエッチング工程、レジスト除去工程を含んでいる。このため、フォトリソグラフィー工程を実施することに長時間（たとえば１〜３時間程度）を要するため、製造効率が極めて悪化するという問題があった。
【０００５】
一方、特開平５−８２４７８号公報には、大気圧プラズマにより半導体ウエハの端面をエッチングする方法および装置が開示されている。この公報に開示された技術は、半導体ウエハの中央領域を上下のホルダー間に挟持し、ウエハの周縁領域のみをリング状に反応室に露出した状態として反応させるものである。円盤状の上下のホルダーの最外周部分には、それぞれＯリングパッキングが配置される。この上下のＯリングパッキングにより、半導体ウエハを挟持すると共に、半導体ウエハの中央領域と周縁領域との間を気密にシールしている。
【０００６】
上記の公報に開示された技術では、能動素子が形成された半導体ウエハの中央領域にＯリングを密着させる必要があるため、その圧力により能動素子などの表面構造に損傷を与えたり、能動素子が形成されたウエハ中央領域にパーティクルが付着するという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的とするところは、基板の中央領域を被覆材で圧着することなく、すなわち、基板表面の中央領域に影響を与えることなく、基板の周縁領域，側面における不要物を局所的に、かつ確実に除去することのできる不要物除去方法およびその装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、第１プラズマ発生用電極と第２プラズマ発生用電極にて構成され、上記基板の裏面側に配設されたプラズマ発生手段にて、上記第１プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第２プラズマ発生用電極に他方の電位の電圧を印加することで、上記第１プラズマ発生用電極，上記第２プラズマ発生用電極間において大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを生成し、上記基板の周縁領域に沿って上記プラズマ発生手段を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板の裏面側より上記周縁領域に吹きつけて、上記基板周縁の不要物を除去することを特徴とする。
【０００９】
したがって、請求項１記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物がプラズマ処理によって除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。
【００１０】
請求項２記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１の特徴点に加え、上記プラズマ発生手段は、上記基板の上記周縁領域への上記ガスの吹きつけ方向が調整可能であることを特徴とする。
【００１１】
したがって、請求項２記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記ガスの吹きつけ方向を上記基板周縁領域の不要物の付着状況あるいは中央領域の範囲に応じて変化させることにより、効率の良い不要物除去が実現できる。
【００１２】
請求項３記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、上記基板の裏面側に配置され、一方の電位の電圧が印加される第３プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第４プラズマ発生用電極と、により構成されるプラズマ発生手段にて、上記第３プラズマ発生用電極，上記第４プラズマ発生用電極間において、大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを局所的に生成し、上記基板の周縁領域に沿って、上記第３プラズマ発生用電極を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらすことにより、上記基板周縁の不要物を除去することを特徴とする。
【００１３】
したがって、請求項３記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第４プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００１４】
請求項４記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至３のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段により、上記基板が回転可能なことを特徴とする。
【００１５】
したがって、請求項４記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記支持手段により基板を回転させることで、基板の方向を変えることができる。
【００１６】
請求項５記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至４のいずれかの特徴点に加え、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極は、上記基板の側面に対して進退する方向およびこの方向と直行する方向の少なくとも一方に移動が可能な支持部により支持されることを特徴とする。
【００１７】
したがって、請求項５記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の上記周縁領域に沿って、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらす際の、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の移動において、２つの支持部をそれぞれの方向へ移動させることで、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の所望の位置への移動を容易に実現することができる。
【００１８】
請求項６記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至５のいずれかの特徴点に加え、平面形状が矩形である上記基板の不要物除去方法において、まず基板の側面に対して進退する方向に移動が可能な支持部にて、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて基板周縁の不要物の除去開始位置を設定し、ついで上記方向と直行する方向に移動が可能な支持部にて上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて、基板周縁の一辺の不要物を活性化されたガスにさらすことにより該不要物を除去し、上記支持手段にて上記基板を回転させて方向変換を行ない、以後は上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極の移動および基板の回転を繰り返すことにより基板の各辺の周縁領域の不要物を除去することを特徴とする。
【００１９】
したがって、請求項６記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、たとえば、矩形の液晶用基板において、その輪郭に沿って一辺ずつ基板周縁の不要物除去を行なうことができる。
【００２０】
請求項７記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至５のいずれかの特徴点に加え、平面形状が円形あるいは略円形である上記基板の不要物除去方法において、まず基板の側面に対して進退する方向に移動が可能な支持部にて上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて、基板周縁の不要物の除去開始位置を設定し、上記支持手段にて上記基板を所定の速度で回転させ、上記プラズマ発生手段により基板周縁の不要物を活性化されたガスにさらすことを特徴とする。
【００２１】
したがって、請求項７記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、たとえば、ほぼ円形の半導体ウエハにおいて、その輪郭に沿って基板周縁の不要物除去を行なうことができる。
【００２２】
請求項８記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、第５プラズマ発生用電極と、複数の開口部を有する第６プラズマ発生用電極とを有する、上記基板の裏面側に配設されるプラズマ発生手段において、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有し、上記第５プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第６プラズマ発生用電極に他方の電位を印加して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成し、上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板の周縁領域および裏面に吹きつけて、少なくとも上記基板の周縁の不要物を除去することを特徴とする。
【００２３】
したがって、請求項８記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域及び裏面において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。 請求項９記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、上記基板の裏面側に設けられ、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有する第７プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有する第８プラズマ発生用電極と、により構成されるプラズマ発生手段にて、上記第７プラズマ発生用電極に一方の電圧を印加し、上記第８プラズマ発生用電極に他方の電位を印加して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成し、上記プラズマにより活性化されたガスに、上記基板の周縁領域および裏面をさらすことにより、少なくとも上記周縁領域の不要物を除去することを特徴とする。
【００２４】
したがって、請求項９記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域及び裏面において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第４プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００２５】
請求項１０記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項８または９の特徴点に加え、平面的に見て上記基板の径よりも大きい径を有する領域で、上記プラズマによって活性化されたガスを生成することを特徴とする。
【００２６】
したがって、請求項１０記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記生成されたプラズマにより活性化されたガスが上記基板の側面および裏面に確実に接触することができ、周縁領域及び裏面の不要物を除去することができる。
【００２７】
請求項１１記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項８乃至１０のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段により、上記基板が回転可能なことを特徴とする。
【００２８】
したがって、請求項１１記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、基板を回転させることで基板の方向を変えることができる。
【００２９】
請求項１２記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項９の特徴点に加え、上記第８プラズマ発生用電極に設けられた開口部より、上記基板表面にプラズマ発生を抑制するためのガスを供給することを特徴とする。
【００３０】
したがって、請求項１２記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記開口部よりプラズマ生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００３１】
請求項１３記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、一方の電位の電圧が印加される第１プラズマ発生用電極と、他方の電位の電圧が印加される第２プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、を含み、上記プラズマ発生手段を上記基板の周縁領域に沿って相対的に移動させながら、上記基板へ活性化されたガスを吹きつけることを特徴とする。
【００３２】
したがって、請求項１３記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。
【００３３】
請求項１４記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１３の特徴点に加え、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する面を有するカバー部材を有することを特徴とする。
【００３４】
したがって、請求項１４記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域における塗布物が除去でき、更には例えば基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記カバー部材と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面における中央領域へのプラズマにより活性化されたガスの回り込みを抑制できる。
【００３５】
請求項１５記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１４の特徴点に加え、上記カバー部材は開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする。
【００３６】
したがって、請求項１５記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域へのプラズマにより活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００３７】
請求項１６記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、上記基板の裏面側に配置され、一方の電位の電圧が印加される第３プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第４プラズマ発生用電極とにより構成され、大気圧またはその近傍の圧力下で上記電極面に対して局所的にプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、を含み、上記基板の周縁領域に沿って、上記第３プラズマ発生用電極を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域にさらすことを特徴とする。
【００３８】
したがって、請求項１６記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第４プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００３９】
請求項１７記載の基板周縁の不要物除去装置は、請求項１６の特徴点に加え、上記第４プラズマ発生用電極は、開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする。
【００４０】
したがって、請求項１７記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００４１】
請求項１８記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１３乃至１７のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段は、基板を回転させる回転部を含むことを特徴とする。
【００４２】
したがって、請求項１８記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記支持手段により上記基板を回転させることで基板表面の方向を変えてやることができる。
【００４３】
請求項１９記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１３乃至１８のいずれかの特徴点に加え、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極は、上記基板の側面に対して進退する方向およびこの方向と直行する方向の少なくとも一方に移動が可能な支持部により支持されることを特徴とする。
【００４４】
したがって、請求項１９記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の上記周縁領域に沿って、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらす際の、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の移動において、２つの支持部をそれぞれの方向へ移動させることで、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の所望の位置への移動を容易に実現することができる。
【００４５】
請求項２０記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、一方の電位の電圧が印加される第５プラズマ発生用電極と、複数の開口部を有し、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第６プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマ生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマの処理時に上記処理室を排気する排気手段と、を含むことを特徴とする基板周縁の不要物除去装置であることを特徴とする。
【００４６】
したがって、請求項２０記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域及び裏面において形成された塗布物が除去でき、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。
【００４７】
請求項２１記載の基板周縁の不要物除去装置は、請求項２０の特徴点に加え、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する面を有する、カバー部材を有することを特徴とする。
【００４８】
したがって、請求項２１記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域および裏面における塗布物が除去でき、更に、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記カバー部材と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面における中央領域へのプラズマにより活性化されたガスの回り込みを抑制できる。
【００４９】
請求項２２記載の基板周縁の不要物除去装置は、請求項２１の特徴点に加え、上記カバー部材は開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする。
【００５０】
したがって、請求項２２記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域への上記活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００５１】
請求項２３記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と上記基板の裏面側に設けられて、少なくとも基板の裏面に対向する電極面を有し、一方の電位の電圧が印加される第７プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第８プラズマ発生用電極と、により構成され、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマ生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマの処理時に上記処理室を排気する排気手段と、を含むことを特徴とする。
【００５２】
したがって、請求項２３記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域および裏面において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第８プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００５３】
請求項２４記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項２０乃至２３のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段は、基板を回転させる回転部を含むことを特徴とする。
【００５４】
したがって、請求項２４記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記支持手段により上記基板を回転させることで基板の方向を変えることができる。
【００５５】
請求項２５記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項２０乃至２４のいずれかの特徴点に加え、上記プラズマ発生手段は、そのプラズマ発生領域の外縁が上記基板の側面部よりも外側に位置することを特徴とする。
【００５６】
したがって、請求項２５記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記生成されたプラズマにより活性化されたガスが上記基板の側面および裏面に確実に接触することができ、周縁領域および裏面の不要物を除去しやすくすることができる。
【００５７】
請求項２６記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項２３乃至２５のいずれかの特徴点に加え、上記第８プラズマ発生用電極は、開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑制するガスを供給することを特徴とする。
【００５８】
したがって、請求項２６記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００５９】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１には本発明による基板周縁の不要物除去装置の一部を破断した概略図が、図２には図１に示す不要物除去装置の要部の斜視図が示されている。
【００６０】
基板１２は、被処理体であって、たとえば、各種層、例えば、透明導電膜，能動素子，カラーフィルタ等のパターニング工程で作成されるスピンコーティング法によるレジスト塗布後の液晶基板である。図１２に示すように、上記基板１２において、周縁領域１３は、少なくとも基板の側面及び表面、裏面側のテーパー部分、かつ中央領域１１を除く領域を指すものである。中央領域１１は、基板端面から内側へ３ｍｍの領域以外の部分に形成されている素子パターン部分を指すものである。
【００６１】
この不要物除去装置は、大別して、上記基板１２を載置して支持するステージ１５と、一対の対向電極を含むプラズマ発生源１８と、上記基板１２の裏面側から周縁領域１３に向けてガスを供給するガス供給装置２８と、除去された塗布物などを含む処理後のガスを強制排気する排気装置３４とを有する。
【００６２】
上記ステージ１５は、基板１２の裏面側の中心部を真空吸着して保持する吸着治具１４と接続されている。上記ステージ１５は、吸着治具１４を介して回転テーブル１６に支持され、該回転テーブル１６の図示しない回転駆動手段により吸着治具１４を一定の方向に所定の速度にて回転させることにより、上記基板１２を回転させることができる。この基板１２の回転は、後に述べるＸ−Ｙテーブル３０によるプラズマ発生源１８の方向移動と組み合わせて、上記周縁領域１３に沿った不要物除去を行うのに用いられる。このことについては、後に詳細に説明する。
【００６３】
ガス供給装置２８は、図１に示すガス供給路２９ａを介して処理室１０内にガスを供給する。ここで、図には簡略化させて示したが、上記ガス供給装置２８は、処理に必要なガス種を供給することができ、例えば上記ガス供給装置２８はガス種に対応したガスボンベを有する。図には省略して示したが、該ガスボンベはそれぞれ異なるガス供給路と接続されており、上記ガス供給路２９ａを介して処理室１０内のプラズマ発生源１８に導入される。上記ガスは大気圧プラズマ励起用ガスあるいは反応ガスとして使用される。上記ガスには、たとえば、プラズマ励起用ガスとしてＨｅ，Ａｒ等の希ガス、エッチングあるいはアッシング用としてフッ素化合物，塩素化合物等のハロゲンを含むガス、酸素，窒素等の反応ガスを選択することができる。また、特に図示しないが、上記プラズマ励起用ガス、エッチングガス等のガスの上記処理室１８への供給量は、たとえばガス流量調整用バルブ等により制御される。
【００６４】
プラズマ発生源１８は第１電極２０，第２電極２２，上記第１電極２０−第２電極２２間に設けられた誘電体管２３により構成される。ここで、上記誘電体管２３は、たとえば、ガラス，アルミナ等のような誘電体によって構成される。上記誘電体管２３は、ガス供給路２９ａを介して上記ガス供給装置２８により、上述したようなガスを上記第１電極２０−第２電極２２間に供給する。上記第１電極２０には接地電位が接続され、上記第２電極２２にはたとえば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源２４が接続される。このことにより、上記第１電極２０−第２電極２２間で大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマが励起される。また、上記第２電極２２と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆うための絶縁体２６が設けられる。この絶縁体２６は、たとえば、セラミックス，ゴム等により構成される。
【００６５】
ここで、本実施の形態においては、上記第１電極を接地電位に接続し、上記第２電極を高周波電源に接続した例について記載したが、これに限定されることなく、上記第１電極を高周波電源に接続し、上記第２電極を接地電位に接続することもできる。つまり、上記第１電極−第２電極間にプラズマ放電させるため、上記第１電極と上記第２電極のそれぞれの接続電位が異なる電位であれば特に限定されない。
【００６６】
Ｘ−Ｙテーブル３０は上記プラズマ発生源１８を支持し、該プラズマ発生源１８を横方向（Ｘ方向）つまり基板１２に対して進退する方向、あるいは縦方向つまり横方向と直行する方向（Ｙ方向）に移動させるためのものである。図２に示すように、このＸ−Ｙテーブル３０は、横方向（Ｘ方向）に移動する第１パーツ３０ａと、縦方向（Ｙ方向）に移動する第２パーツ３０ｂの２つのパーツにより構成されている。上記Ｘ−Ｙテーブル３０は、上記第１パーツ３０ａと上記第２パーツ３０ｂが、垂直方向に接続されることにより構成されている。そして、横方向（Ｘ方向）に移動する第１パーツ３０ａに上記プラズマ発生源１８が取り付けられている。上記第２パーツ３０ｂは、処理室１０の底面に固定されたＹ方向に伸びるガイド体３６ｂと、このガイド体３６ｂに案内されてスライドする移動体３７ｂとから構成されている。また、上記第１パーツ３０ａは、上記移動体３７ｂに固定された、Ｘ方向に伸びるガイド体３６ａと、このガイド体３６ａに案内されてスライドする移動体３７ａと上記プラズマ発生源１８が取り付けられる支持部３８と、この支持部３８を上記移動体３７ａに固定する基台３９と、を有する。そして、Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａおよび第２パーツ３０ｂにおいて、移動体３７ａ，３７ｂをそれぞれ移動させることにより、プラズマ発生源１８の位置を定めることができる。
【００６７】
上記横方向（Ｘ方向）に移動する第１パーツ３０ａは、処理開始の位置決めの際に用いられる。また、縦方向（Ｙ方向）に移動する第２パーツ３０ｂは、プラズマ放電中における、上記基板１２の輪郭に沿った直線的な移動に用いられる。そして、上述した回転テーブル１６と上記Ｘ−Ｙテーブル３０とを組み合わせて使用することにより、上記基板１２の輪郭に沿った周縁領域１３全面に対してプラズマ処理を行うことができる。つまり、上記Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａを、横方向（Ｘ方向）に移動させることにより処理開始の位置決めを行い、ついでＸ−Ｙテーブル３０の第２パーツ３０ｂを縦方向（Ｙ方向）に移動させつつ、上記プラズマ発生源１８にてプラズマ放電させる。このことにより、該プラズマ放電によって発生した活性な処理ガスが上記基板１２の側面に沿って吹きつけられ、上記基板１２の輪郭に沿ったプラズマ処理を直線的に行うことができる。そして、処理面を変更する際に、上記回転テーブル１６を使用して基板１２を回転させる。
【００６８】
たとえば、液晶基板のような四角形に形成された基板については、Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａにより処理開始位置を決定し、上記プラズマ発生源１８による処理領域が上記基板１２の周縁の直下になるよう設定にする。そして、上記Ｘ−Ｙテーブルの第２パーツ３０ｂを直線的に移動させることにより、上記基板１２において４辺ある辺のうち、１辺に沿って処理を行い、処理終了後に上記回転テーブル１６によって基板１２を９０度回転させる。このことにより、上記基板１２における上記処理を行なった辺と隣り合った辺がセットされ、さらに上述した手順にて処理を基板１２の輪郭に沿って直線的に行うことができる。この場合、４つの辺に沿ってプラズマ放電を行うことになるため、全体で基板を３回，１回につき９０度ずつ回転させることにより、上記基板１２のそれぞれの辺に対する周縁領域１３でプラズマ処理を行うことができる。
【００６９】
また、たとえば、半導体基板のような略円形の基板についてはオリエンテーションフラット以外の領域に角部が存在しないため、上記Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａを処理開始の位置決めの際に固定し、上記回転テーブル１６にて上記基板１２を所望の角度分，一定の速度で回転させることのみで、上記基板１２の周縁領域１３におけるプラズマ処理を行うことができる。
【００７０】
排気装置３４は、図１に示すように、上記ステージ１５上に支持された基板１２の近傍に設けられた排気路３２と接続され、プラズマ放電及び処理により発生した反応生成物を含むガスを強制的に排除するため、プラズマ発生源１８近傍に設けられることが好ましい。上記排気装置３４は、たとえば、排気ファン等のような装置を用いることができる。そして、特に図示しないが、排気バルブにより処理室１８の排気量が調整される。
【００７１】
次に、本発明の不要物除去方法について、図１および図２を用いて説明する。まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。また、予め上記基板１２における周縁領域１３および中央領域１１を特定し、上記基板１２の周縁領域上での不要物のみを除去し、中央領域１１に影響を与えないよう、上記基板１２における処理開始位置を予め設定しておく。そして、Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａを図の横方向（Ｘ方向）に移動させることにより、上記誘電体管２３の上方先端部が、予め設定した上記処理開始位置の直下となるようにする。
【００７２】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介して、上記誘電体管２３にガスを供給する。一方、プラズマ発生源１８において第１電極２０の電位を接地し、第２電極２２に、高周波電源２４による高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第１電極２０−第２電極２２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の裏面側から側面に沿って吹きつけられる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物Ｃが除去される。たとえば、基板側面及び裏面については上記塗布物Ｃはほぼ完全に除去され、基板表面については、活性種が側面から回り込んだ分だけ除去される。
【００７３】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して、排気装置３４により、処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れ剥離によるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【００７４】
また、本実施の形態として上記プラズマ発生源による基板へのプラズマ活性種の照射角度が裏面に対して垂直である例を記載したが、上記プラズマ発生源１８の支持部３８と、これを支持する基台３９とは、たとえば、ねじ等の角度調整手段により調整されて固定されているため、ねじにより調整することによりプラズマ発生源１８を基台３９に対して任意の角度をもって構成することができる。このことにより、上記基板に対するプラズマにより活性化されたガスの照射方向を調整することができる。この場合、上記周縁領域における塗布物の形状あるいは基板表面への影響を考慮して、上記角度を選択することができ、効率かつ信頼性の高い処理が可能となる。
【００７５】
次に、本発明をＴＦＴの製造工程中に応用した場合の適用実験例、および本発明を適用しない場合の比較実験例について説明する。ここで、本適用実験例，比較実験例のいずれにおいても、基板として１２５×１１５×１．２ｍｍの石英ガラスを使用し、電極形成工程における、特にレジストを使用したパターニング工程に本発明を適用した適用実験例を示す。ここで、アッシングの処理条件として、ヘリウムの流量を５０００ＣＣＭ，酸素の流量を５００ＣＣＭとし、電力を５００Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとし、誘電体管として外径３ｍｍ，内径１．７ｍｍの石英ガラス管を使用した。
【００７６】
まず、石英ガラス基板上において、広く知られている減圧ＣＶＤにより、ポリシリコンを上記基板の全面（表面，裏面及び側面）に膜厚約１００ｎｍにて形成した。
【００７７】
そして、上記ポリシリコンを所望の形状にエッチングして電極を形成するために、上記ポリシリコン上に全面的にスピンコーティング法にて、ポジレジストを塗布した。このとき、基板の中央領域における膜厚を約１マイクロメートルで形成したが、上記基板表面，側面の周縁領域においては、膜厚が１マイクロメートルよりも大きく形成された。
【００７８】
そして、上記ポジレジストのポリシリコンへの密着性を向上させるために、プレベークを行い、電極形成部をマスクして露光を行い現像した。
【００７９】
そして、上記レジスト中のガスを取り除き、硬化させ、上記ポリシリコンとの密着性を向上するために、ポストベークを行った。一般に、この後のエッチング工程時に搬送が行われるが、比較実験例においては、治具等により、上記周縁領域の、特に、側面部におけるレジストがこすれてダストとなり、該ダストが基板表面，側面及び裏面にも再付着した。
【００８０】
そして、電極を所望の形状にパターニングするために、フッ酸にてエッチングを行ったが、基板表面，側面または基板裏面においてもエッチングすべき部分が一部残存してしまった。また、上記レジストの露光は基板裏面にて行われなかったため、基板裏面でのポリシリコンの残りにより、組み立て後のバックライトで点灯すると、点欠陥が生じ、良品を生産することができなかった。
【００８１】
ところが、本発明を上記ポストベーク工程とエッチング工程の間に適用したところ、基板の周縁領域のレジストを除去することができた。基板表面への回り込みは、端面から約２．５ｍｍのところまでアッシングされ、中央領域には影響を与えなかった。この基板を前記同様にエッチングを行なったところ、エッチングすべき部分にポリシリコンのエッチング残りは発生せず、良好な製品が得られた。
【００８２】
本実験では、基板側面と誘電体管との角度を約０度に設定したが、これは中央領域への回り込みを抑制するためであり、これに限定されるものではない。たとえば、上記角度を裏面側から約４５度に設定した場合は、基板表面において端面から約５ｍｍ程度アッシングされた。中央領域がこれ以上内側に形成されている場合は、このような角度設定でも構わない。
【００８３】
このように、上述した実験により、本発明による不要物除去装置を用いた不要物の除去に関する効果を定量的に確認することができた。
【００８４】
（実施の形態２）
図３には、本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。本発明は、プラズマ処理の範囲が、基板表面の能動素子が形成された中央領域に延びることを防止し、基板の周縁領域のみに処理の範囲を限定するための遮へい手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態１と異なる点は、基板上方に平行に配置させてカバー部材を設け、基板の周縁領域における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態１と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００８５】
上記カバー部材３８は、たとえば、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものを使用し、上記基板１２の上方に一定の間隔をもって実質的に平行に配置される。このとき、上記基板１２は平面的に見てその表面が上記カバー部材３８に完全に覆われるように配置される。
【００８６】
次に本発明の不要物除去方法について図３を用いて説明する。以下、簡単のため実施の形態１と同一の点については説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００８７】
まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。また、予め上記基板１２における周縁領域１３および中央領域１１を特定し、上記基板１２における周縁領域１３の不要物を除去し、中央領域１１に影響を与えないように、上記基板１２における処理開始位置を予め設定しておく。そして、Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａを図の横方向（Ｘ方向）に移動させることにより、上記プラズマ発生源１８の上方先端部が、予め設定された上記処理開始位置の直下となるようにする。
【００８８】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介して上記誘電体管２３にガスを供給する。一方、プラズマ発生源１８において上記第１電極２０の電位を接地し、第２電極２２に、高周波電源２４による高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で、上記第１電極２０−第２電極２２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスが上記基板１２の裏面側から吹きつけられる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量を規定できる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３の塗布物に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態１よりも小さくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３において形成された塗布物Ｃが除去される。基板側面及び裏面については、上記塗布物はほぼ完全に除去され、基板表面については活性ガスの回り込みが小さいため、中央領域１１はほとんど影響を受けない。
【００８９】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。
【００９０】
このようにして、上記基板１２における周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生がさらに防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。さらに、プラズマにより活性されたガスの基板表面への供給を抑制することで、基板表面の少なくとも中央領域への影響をほとんどなくすことができる。従って、素子領域が基板端から近い場合には、非常に有効である。
【００９１】
（実施の形態３）
図４には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【００９２】
本発明は、処理の範囲を周縁領域のみにより確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を周縁領域のみに限定するための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態２と異なる点は、基板上方に平行配置させたカバー部材３８のほぼ中央に貫通させて開口部３９を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されている。そして、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記第１電極２０−上記第２電極２２間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態２と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００９３】
プラズマ放電に関しては実施の形態２と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第１電極２０−第２電極２２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の周縁領域１３に向かって流れる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガス量を規定できる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３の塗布物に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態１よりも小さくなる。ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置されたカバー部材３８に設けられたガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。
【００９４】
また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給するガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２の表面とカバー部材３８との間にてプラズマ放電させないようにするため、ヘリウムのようなプラズマ励起し易い不活性ガス以外のガスを使用するものである。つまり、たとえば、基板をアッシングする場合、反応ガスとして酸素ガスを用い、エッチングする場合はフッ素系化合物を使用しているので、バリアガスとしてはガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用することができる。このため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等のガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。これらの方式については、上記ガス流の調整を鑑みた上で最適の方式を選択することができる。
【００９５】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の表面，側面および裏面の周縁領域１３の塗布物と上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物が除去される。基板側面及び裏面については、上記塗布物はほぼ完全に除去され、基板表面については活性ガスの回り込みが小さいため、中央領域１１は実質的にほとんど影響を受けない。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【００９６】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【００９７】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【００９８】
（実施の形態４）
図５には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。本発明は、プラズマを基板の周縁領域に限定して発生させ、該周縁領域を直接プラズマ中にさらすことを特徴とするものである。つまり、実施の形態１と異なる点は、基板の表面側に実質的に平行に第３電極を配置し、上記基板の裏面側の周縁領域近傍に第４電極を設け、上記第３電極−第４電極間でプラズマ放電させて、基板の周縁領域における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態１と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００９９】
上記第３電極４０は、たとえば、アルミニウム，ステンレススチール等の金属により構成され、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものを使用し、上記基板１２の上方に一定の間隔をもって平行に配置される。このとき、上記基板１２はその表面が平面的に見て上記第３電極４０に完全にカバーされるように配置され、上記第３電極４０は接地電位と接続される。
【０１００】
そして、上記第４電極４２は、その軸方向が上記第３電極４０に対して約９０度の角度をもって配置されるとともに、上記第４電極４２の先端部が上記基板１２の周縁領域近傍となるように配置される。また、上記第４電極４２は、その先端部を除き、誘電体管２３により囲まれて設けられており、該誘電体管にガス供給路２９ａが接続され、該ガス供給路２９ａへガス供給装置２８によりプラズマ処理のためのガスが供給される。ここで、上記ガスについては上述した実施の形態１と同様にして、処理に必要なガス種をもって構成される。そして、上記第４電極４２は絶縁体２６ａを介して高周波電源と接続され、たとえば、その周波数は１３．５６ＭＨｚに設定される。上記第４電極４２の下部は、たとえば、セラミックス等の絶縁体２６ｂと密着される。上記絶縁体２６ａは、上記第４電極４２と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆うために設けられる。上記絶縁体２６ｂは上記Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａに固定されて支持され、実施の形態１に示したように、上記第４電極４２の処理開始の位置決めおよび第４電極４２の移動に使用される。
【０１０１】
次に本発明の不要物除去方法について図５を用いて説明する。以下、簡単のため実施の形態１と同一の点については説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１０２】
まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。また、予め上記基板１２における周縁領域１３および中央領域１１を特定し、上記基板１２の周縁領域１３の不要物を除去し、中央領域１１に影響を与えないように、上記基板１２における処理開始位置を予め設定しておく。そして、Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａを図の横方向（Ｘ方向）に移動させることにより、上記第４電極４２の上方先端部が、予め設定された上記処理開始位置の直下となるようにする。
【０１０３】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介して上記誘電体管２３にガスを供給する。一方、上記第４電極４２に、高周波電源２４により高電圧を印加し、第３電極４０に接地電圧を印加する。このことにより、大気圧あるいはその近傍の圧力下で、上記第３電極４０−第４電極４２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスに上記基板１２の周縁領域１３がさらされる。そして、上記基板１２表面側に設けられた第３電極４０により、上記基板１２表面と上記第４電極底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記活性ガスの量を抑制でき、基板の表面側でのプラズマの発生を抑制できる。
【０１０４】
すなわち、プラズマにより活性化されたガスが基板表面の中央領域１１上へ到達しにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１にてプラズマ活性ガスの影響はほとんどなくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の表面，側面および裏面の周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３において形成された塗布物が除去される。つまり、たとえば、基板１２の側面及び裏面の周縁領域においては、上記塗布物Ｃがほぼ完全に除去され、表面においては、中央領域１１はプラズマ放電の影響をほとんど受けず、周縁領域のみ除去される。
【０１０５】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。
【０１０６】
このようにして、上記基板１２における周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１０７】
次に、本発明をＴＦＴの製造工程中に応用した場合の適用実験例および本発明を適用しない場合の比較実験例について説明する。ここで、本適用実験例、比較実験例のいずれにおいても、基板として１２５×１１５×１．２ｍｍの石英ガラスを使用し、電極形成工程における、特にレジストを使用したパターニング工程に本発明を適用した適用実験例を示す。ここで、アッシングの処理条件として、ヘリウムの流量を５０００ＣＣＭ，酸素の流量を５０ＣＣＭとし、電力を２００Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとした。
【０１０８】
まず、石英ガラス基板上において、広く知られている減圧ＣＶＤにより、ポリシリコンを上記基板の全面（表面，裏面及び側面）に膜厚約１００ｎｍにて形成した。
【０１０９】
そして、上記ポリシリコンを所望の形状にエッチングして電極を形成するために、上記ポリシリコン上に全面的にスピンコーティング法にて、ポジレジストを塗布した。このとき、基板の中央領域における膜厚を約１マイクロメートルで形成したが、上記基板表面，側面の周縁領域においては、膜厚が１マイクロメートルよりも大きく形成された。
【０１１０】
そして、上記ポジレジストのポリシリコンへの密着性を向上させるために、プレベークを行い、電極形成部をマスクして露光を行い現像した。
【０１１１】
そして、上記レジスト中のガスを取り除き、硬化させ、上記ポリシリコンとの密着性を向上するために、ポストベークを行った。一般に、この後のエッチング工程時に搬送が行われるが、比較実験例においては、治具等により、上記周縁領域の、特に、側面部におけるレジストがこすれてダストとなり、該ダストが基板表面，側面及び裏面にも再付着した。
【０１１２】
そして、電極を所望の形状にパターニングするために、フッ酸にてエッチングを行ったが、基板表面，側面または基板裏面においてもエッチングすべき部分が一部残存してしまった。また、上記レジストの露光は基板裏面にて行われなかったため、基板裏面でのポリシリコンの残りにより、組み立て後のバックライトで点灯すると、点欠陥が生じ、良品を生産することができなかった。
【０１１３】
ところが、本発明を上記ポストベーク工程とエッチング工程の間に適用したところ、基板の周縁領域のレジストを除去することができた。基板表面への回り込みは、端面から約２．５ｍｍのところまでアッシングされ、中央領域には影響を与えなかった。この基板を前記同様にエッチングを行なったところ、エッチングすべき部分にエッチング残りは発生せず、良好な製品が得られた。
【０１１４】
このように、上述した実験により、本発明による不要物除去装置を用いた不要物の除去に関する効果を定性的に確認することができた。
【０１１５】
（実施の形態５）
図６には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【０１１６】
本発明は、処理の範囲を周縁領域のみにより確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を周縁領域のみに限定にするための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態４と異なる点は、基板上方に平行配置させた第３電極４０のほぼ中央に貫通させて開口部４１を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されている。そして、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記第３電極４０−上記第４電極４２間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態４と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１１７】
プラズマ放電に関しては実施の形態４と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第３電極４０−第４電極４２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスに上記基板１２の周縁領域１３がさらされる。そして、上記基板１２表面側に設けられた第３電極４０により、上記基板１２表面と上記第３電極４０の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記活性ガスを抑制でき、基板表面側でのプラズマの発生を抑制できる。すなわち、プラズマにより活性化されたガスが、基板表面の中央領域１１上へ到達しにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１にてプラズマ活性ガスの影響はほとんどなくなる。
【０１１８】
ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置された第３電極４０に設けられたがガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。
【０１１９】
また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給するガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２と上記第３電極４０との間でプラズマを発生させないようにするため、たとえば、ヘリウムのような放電開始電圧の低いガスは使用しないようにするものである。たとえば、アッシングの場合は、反応ガスとして酸素を用い、エッチングの場合でフッ素化合物を用いるが、それぞれの場合、バリアガスとしては酸素，フッ素化合物を用いることができる。いずれもガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用することができため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等からガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。これらの方式については、上記ガス流量の調整を鑑みた上で最適の方式を選択することができる。
【０１２０】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物と上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物が除去される。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【０１２１】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１２２】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【０１２３】
（実施の形態６）
図７には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施形態の概略図が示されている。
【０１２４】
基板１２は、被処理体であって、たとえば、各種層，例えば透明導電膜，能動素子，カラーフィルタ等のパターニング工程で作成されるスピンコーティング法によるレジスト塗布後の液晶基板である。
【０１２５】
この塗布物除去装置は、大別して、上記基板１２を載置して支持するステージ１５と、一対の対向電極を含むプラズマ発生源１８と、該プラズマ発生源１８内にガスを供給するガス供給装置２８と、除去された塗布物などを含む処理後のガスを強制排気する排気装置３４とを有する。
【０１２６】
上記ステージ１５は、基板１２の裏面側の中心部を真空吸着して保持する吸着治具１４に接続されている。上記ステージ１５は、吸着治具１４を介して回転テーブル１６に支持され、該回転テーブル１６の図示しない回転駆動手段により吸着治具１４を一定の方向に所定の速度にて回転させることにより上記基板１２を回転させることができる。そして、プラズマ発生源１８により上記基板１２の周縁領域１３及び裏面に対して処理を行う。このことについては、後に詳細に説明する。
【０１２７】
ガス供給装置２８は、ガス供給路２９ａを介して処理室１０内のプラズマ発生源１８にガスを導入する。ここで、図には簡略化させて示したが、上記ガス供給装置２８は、処理に必要なガス種を供給することができ、例えば、上記ガス供給装置２８はガス種に対応したガスボンベを有する。図７には省略して示したが、該ガスボンベはそれぞれ異なるガス供給路と接続されており、上記ガス供給路２９ａを介して処理室１０内のプラズマ発生源１８に導入される。上記ガスは大気圧プラズマ励起用ガスあるいは反応ガスとして使用される。上記ガスには、たとえば、プラズマ励起用ガスとしてＨｅ，Ａｒ等のような希ガス、エッチングあるいはアッシング用としてフッ素化合物，塩素化合物等のハロゲンを含むガス，酸素，窒素等の反応ガスを選択することができる。また、特に図示しないが、上記プラズマ励起用ガス、エッチングガス等の上記プラズマ発生源１８への導入量は、たとえばガス流量調整用バルブ等により制御される。
【０１２８】
プラズマ発生源１８は、多孔質の第５電極５０及びメッシュ状電極５２を有し、上記第５電極５０と上記メッシュ状電極５２は平行に配置されている。上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間には誘電体多孔板５４が設けられ、上記誘電体多孔板５４を介して上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間にてプラズマ放電が発生する。
【０１２９】
また、上記第５電極５０側面および誘電体多孔板５４側面には絶縁体２６ｃが、上記第５電極５０に高周波電圧を印加するための配線と、上記プラズマ発生源１８壁との接触部には絶縁体２６ａが設けられることで、上記プラズマ発生源１８壁部及び上記メッシュ状電極５２−上記第５電極５０間を電気的に絶縁する。さらに、上記第５電極５０と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆って絶縁体２６ｂが設けられる。ここで、たとえば、上記第５電極５０は多孔質のステンレススチール等のような金属多孔板により構成される。上記誘電体多孔板５４は、たとえば、ガラス，アルミナ等のような誘電体によって構成される。ここで、上記第５電極５０上に誘電体多孔板５４を設けることによって、上記第５電極５０，誘電体多孔板５４の通気孔を介して、上記プラズマ発生源１８下方から導入されたガスが、上記メッシュ状電極５２下部に供給されることにより、上記ガスが均一化される。このような構成により、上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間に均一な放電を形成することができる。
【０１３０】
このようにして、上記ガス供給路２９ａを介して上述したようなガスを、上記プラズマ発生源１８内に導入し、上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間に供給する。上記メッシュ状電極５２には接地電位が印加され、上記第５電極５０にはたとえば、１３．５６ＭＨｚで発振する高周波電源２４が接続される。このことによって、上記メッシュ状電極５２−第５電極５０間で大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマ放電が発生する。そして、上記メッシュ状電極５２下方にて形成されたプラズマ活性種が、メッシュ状電極５２における通気孔を通して、基板１２の裏面全体および周縁領域１３に吹きつけられ、該当部分の不要物除去が行われる。
【０１３１】
また、上記基板１２の周縁領域における不要物を除去するためには、上記プラズマ放電によって活性化されたガスに上記基板１２の側面を確実にさらさなければならない。よって、上記プラズマ発生源１８，すなわち上記メッシュ状電極５２，誘電体多孔板５４，第５電極５０は、上記基板１２の側面部よりも外方に所定長さＬだけ張り出させて配置させる。つまり、プラズマ放電は平面的に見て上記基板１２の径よりも大きい径を有する領域で行われる。
【０１３２】
また、上記基板の裏面については、上記基板１２直下に吸着治具１４と接触しない程度に上記プラズマ発生源１８が設けられているため、基板の裏面側のほぼ全面で不要物が除去できる。
【０１３３】
排気装置３４は、図７に示すように、排気路３２と接続され、処理室１０内のプラズマ放電及び処理により発生した反応生成物を含むガスを排除する。上記排気装置３４は、たとえば、排気ファン等のような装置を用いることができる。そして、特に図示しないが、排気バルブにより処理室１０の排気量が調整される。
【０１３４】
次に、本発明の不要物除去方法について、図７を用いて説明する。
【０１３５】
まず、基板１２が処理室１８内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。
【０１３６】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介してプラズマ発生源１８に上記ガスを導入する。一方、プラズマ発生源１８においてメッシュ状電極５２の電位を接地し、第５電極５０に高周波電源２４により高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の裏面及び周縁領域１３に向かって流れる。そして、上記基板１２裏面全体および周縁領域１３の塗布物Ｃと上記活性ガスとが反応する。この反応は使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の輪郭に沿った周縁領域１３および裏面全体における塗布物が除去される。
【０１３７】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４にて処理室１０内が排気されることにより除去される。このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の裏面全体および周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを大幅に向上することができる。
【０１３８】
加えて、本発明においては、特に基板裏面の不要物が全面的に除去できるため、組み立て後のバックライトで点灯したときの点欠陥をなくすことができ、製品の生産性を向上することができる。たとえば、レジスト等の塗布物をスピンコーティングで塗布した際、基板裏面に塗布物が回り込んだり、飛び散ったとしても、裏面を全面的に除去できるため、これに起因するＴＦＴパネル点灯時の点欠陥等の不良をなくすことができる。
【０１３９】
（実施の形態７）
図８には、本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。本発明は、プラズマ処理の範囲が、基板表面の能動素子が形成された中央領域に延びることを防止し、基板の周縁領域および裏面全体のみに処理の範囲を限定するための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態６と異なる点は、基板上方に平行に配置させてカバー部材３８を設け、上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間でプラズマ放電させて、基板の裏面全体および周縁領域１３における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態６と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１４０】
上記カバー部材３８は、たとえば、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものを使用し、上記基板１２の上方に一定の間隔をもって平行に配置される。このとき、上記基板１２はその表面が平面的に見て上記カバー部材３８に完全に覆われるように配置される。
【０１４１】
そして、実施の形態６と同様に、プラズマ発生源１８は、多孔質の第５電極５０及びメッシュ状電極５２を有し、上記第５電極５０と上記メッシュ状電極５２は平行に配置されている。上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間には誘電体多孔板５４が設けられ、上記誘電体多孔板５４を介して上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間にて、プラズマ放電が発生する。
【０１４２】
次に本発明の不要物除去方法について図８を用いて説明する。以下、簡単のため実施の形態６と同一の点については説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１４３】
まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。
【０１４４】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介してプラズマ発生源１８にガスを供給する。一方、プラズマ発生源１８において上記メッシュ状電極５２の電位を接地し、第５電極５０に、高周波電源２４による高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で、上記メッシュ状電極５２−第５電極５０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の裏面及び周縁領域１３に向かって流れる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量を規定できる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材３８と基板１２の表面における周縁領域１３に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態６よりも小さくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面において形成された塗布物Ｃが除去される。
【０１４５】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。
【０１４６】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の側面および裏面全体かつ表面の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１４７】
加えて、本発明においては、特に基板裏面の不要物が全面的に除去できるため組み立て後のバックライトで点灯したときの点欠陥をなくすことができ、製品の生産性を向上することができる。たとえば、レジスト等の塗布物をスピンコーティングで塗布した際、基板裏面に塗布物が回り込んだり、飛び散ったとしても、裏面を全体的に除去できるため、これに起因するＴＦＴパネル点灯時の点欠陥等の不良をなくすことができる。
【０１４８】
（実施の形態８）
図９には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【０１４９】
本発明は、処理の範囲を基板の裏面全体および周縁領域のみに、より確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を基板の周縁領域及び裏面のみに限定にするための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態７と異なる点は、基板上方に平行配置させたカバー部材３８のほぼ中央に貫通させて開口部３９を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されており、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記メッシュ状電極５２−上記第５電極５０間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態７と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１５０】
プラズマ放電に関しては実施の形態６および７と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記メッシュ状電極５２−第５電極５０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の周縁領域１３及び裏面に向かって流れる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量の規定ができる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態６よりも小さくなる。
【０１５１】
ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置されたカバー部材３８に設けられたガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給されるガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２の表面と上記第５電極５０との間にてプラズマ放電させないようにするため、ヘリウムのようなプラズマ励起用である不活性ガスを使用しないようにするものである。つまり、たとえば、基板１２をアッシングする場合、反応ガスとして酸素ガスを用い、エッチングする場合はフッ素系化合物を使用しているので、バリアガスとしてはガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用するとができる。このため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等からのガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。
【０１５２】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３の塗布物Ｃと上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３における塗布物が除去される。基板側面及び裏面については、上記塗布物はほぼ完全に除去され、基板表面については、活性ガスの回り込みが小さいため、中央領域１１はほとんど影響を受けない。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【０１５３】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去できるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の裏面全体及び周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１５４】
加えて、本発明においては、特に基板裏面の不要物が全面的に除去できるため組み立て後のバックライトで点灯したときの点欠陥をなくすことができ、製品の生産性を向上することができる。たとえば、レジスト等の塗布物をスピンコーティングで塗布した際、基板裏面に塗布物が回り込んだり、飛び散ったとしても、裏面を全体的に除去できるため、これに起因するＴＦＴパネル点灯時の点欠陥等の不良をなくすことができる。
【０１５５】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【０１５６】
（実施の形態９）
図１０には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。
【０１５７】
本発明は、基板の周縁領域および裏面にのみプラズマを発生させ、該領域を直接プラズマにさらすことを特徴とするものである。つまり、基板の表面側に平行に配置させて第６電極を設け、上記基板の裏面側に平行に配置させて第５電極を設け、上記第６電極−上記第５電極間でプラズマ放電させて、上記基板の周縁領域及び裏面における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態１と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１５８】
上記第６電極６０は、たとえば、アルミニウム，ステンレススチールなどの金属により構成され、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものが使用され、上記基板１２の表面側に一定の間隔をもって平行に配置される。このとき、上記基板１２表面は上記第６電極６０にその表面が完全にカバーされるように配置され、上記第６電極６０は接地電位と接続される。
【０１５９】
基板１２の裏面側には、第５電極５０および誘電体多孔板５４が設けられ、上記誘電体多孔板５４を介して上記第５電極５０−第６電極電極６０間にて、上記プラズマ放電が発生する。そして、上記第５電極５０と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆って絶縁体２６が設けられる。ここで、たとえば、上記第５電極５０は多孔質のステンレススチール等のような金属多孔板により構成される。上記誘電体多孔板５４は、たとえば、ガラス，アルミナ等のような絶縁物によって構成される。ここで、上記第５電極５０上に誘電体多孔板５４を設けることによって、上記第５電極５０，誘電体多孔板５４の通気孔を介して、上記プラズマ発生源１８下方から導入されたガスが、基板１２下部および上記第６電極下部に供給されることにより、上記ガスが均一化される。このような構成により、上記第５電極５０−第６電極６０間に均一な放電を形成することができる。
【０１６０】
このようにして、上記ガス供給路２９ａを介して上述したようなガスを、上記第５電極５０−第６電極６０間に供給する。上記第６電極６０には接地電位が印加され、上記第５電極５０にはたとえば、１３．５６ＭＨｚで発振する高周波電源２４が接続される。このことによって、上記第６電極６０−第５電極５０間で大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマ放電が発生する。そして、プラズマ放電によって形成された活性ガスに、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面がさらされ、該当部分の不要物が除去される。
【０１６１】
ここで、本実施の形態においては、第６電極６０を接地電位に接続し、上記第５電極５０を高周波電源２４に接続した例について記載したが、これに限定されることなく、上記第６電極６０を高周波電源２４に接続し、上記第５電極５０を接地電位に接続することもできる。
【０１６２】
また、上記基板１２の周縁領域における不要物を除去するためには、上記プラズマ放電に上記基板１２の側面を確実にさらさなければならない。よって、上記プラズマ発生源１８，すなわち上記第６電極６０，上記誘電体多孔板５４，第５電極５０は、上記基板１２の側面部よりも張り出させて配置される。
【０１６３】
プラズマ放電の形態に関して以下に説明する。大気圧またはその近傍の圧力下で上記第５電極５０−第６電極６０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電で発生した活性ガスに上記基板１２の裏面及び周縁領域１３がさらされる。そして、上記基板表面側に設けられた第６電極６０により、上記基板１２表面と上記第５電極５０の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記活性ガスの量を抑制でき、基板の表面側でのプラズマの発生を抑制できる。すなわち、プラズマにより活性化されたガスが基板表面の中央領域１１上へ到達しにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１にてプラズマ活性ガスの影響はほとんどなくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面において形成された塗布物が除去される。基板１２の側面及び裏面においては、上記塗布物Ｃがほぼ完全に除去され、表面においては、中央領域１１は影響をほとんど受けず、裏面及び周縁領域のみ除去される。
【０１６４】
そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１８内が排気されることにより除去される。
【０１６５】
このようにして、上記基板１２における周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域及び裏面における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１６６】
次に、本発明をＴＦＴの製造工程中に応用した場合の適用実験例および本発明を適用しない場合の比較実験例について説明する。ここで、本適用実験例，比較実験例のいずれにおいても、基板として１２５×１１５×１．２ｍｍの石英ガラスを使用し、電極形成工程における、特にレジストを使用したパターニング工程に本発明を適用した適用実験例を示す。ここで、アッシングの処理条件として、ヘリウムの流量を２０００ＣＣＭ，酸素の流量を５００ＣＣＭとし、電力を２５００Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとし、第５電極として多孔質のステンレススチールを使用し、誘電体としてアルミナ多孔質を使用し、第６電極としてアルミニウム，ステンレススチール等の金属を使用した。また、第６電極−基板表面の距離を０．４ｍｍ，基板裏面−メッシュ状電極の距離を１ｍｍ，Ｌを１５ｍｍに設定して実験を行なった。
【０１６７】
まず、石英ガラス基板上において、広く知られた減圧ＣＶＤにより、ポリシリコンを上記基板の全面（表面，裏面，側面）に膜厚約１００ｎｍにて形成した。
【０１６８】
そして、上記ポリシリコンを所望の形状にエッチングして電極を形成するために、上記ポリシリコン上に全面的にスピンコーティング法にて、たとえばポジレジストを塗布した。このとき、基板の中央領域における膜厚を約１マイクロメートルで形成したが、上記基板表面，側面の周縁領域においては、部分的に膜厚が１マイクロメートルよりも大きく形成された。裏面においては、周縁領域にレジストの回り込み及び飛び散ったレジストが再付着した。
【０１６９】
そして、上記レジストのポリシリコンへの密着性を向上させるために、プレベークを行い、電極形成部をマスクして露光を行い現像した。
【０１７０】
そして、上記レジスト中のガスを取り除き、硬化させ、上記ポリシリコンとの密着性を向上するために、ポストベークを行った。一般に、この後のエッチング工程時に搬送が行われるが、比較実験例においては、このとき治具等により、上記周縁領域の特に、側面部におけるレジストがこすれてダストとなり、該ダストが基板表面，側面及び裏面に付着した。また、裏面においては、スピンコーティングの際飛び散ったレジストが残存していた。
【０１７１】
そして、電極を所望の形状にパターニングするために、フッ酸にてエッチングを行ったが、基板表面，側面または基板裏面においてもエッチングすべき部分が一部残存してしまった。また、上記レジストの露光は基板裏面にて行われなかったため、基板裏面でのポリシリコン残りにより、組み立て後のバックライトで点灯すると、点欠陥が生じ、良品を生産することができなかった。
【０１７２】
ところが、本発明を上記ポストベーク工程とエッチング工程の間に適用したところ、基板の周縁領域及び裏面のレジストを除去することができた。この基板を前記同様にエッチングを行なったところ、エッチングすべき部分においてポリシリコンの残りは発生せず、良好な製品が得られた。
【０１７３】
このように、上述した実験により、本発明による不要物除去装置を用いた不要物の除去に関する効果を定性的に確認することができた。本発明による不要物除去においては、上述したように、特に基板におけるアッシングの信頼性を向上できることが確認された。
【０１７４】
（実施の形態１０）
図１１には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【０１７５】
本発明は、処理の範囲を周縁領域及び裏面のみにより確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を裏面及び周縁領域のみに限定にするための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態９と異なる点は、基板上方に平行配置させた第７電極７０のほぼ中央に貫通させて開口部７２を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されている。そして、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記第７電極７０−上記第５電極５０間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態９と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１７６】
プラズマ放電に関しては実施の形態９と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第５電極５０−第７電極７０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスに上記基板１２の周縁領域１３及び裏面がさらされる。そして、上記基板１２表面側に設けられた第７電極７０により、上記基板１２表面と上記第７電極の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量を規定することができる。
【０１７７】
すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３に衝突し、中央領域１１上へ流れ込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態８よりも小さくなる。ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置された第７電極７０に設けられたガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。
【０１７８】
また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給するガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２と上記第７電極７０との間でプラズマを発生させないようにするため、たとえば、ヘリウムのような放電開始電圧の低いガスは使用しないようにするものである。たとえば、アッシングの場合は、反応ガスとして酸素を用い、エッチングの場合で、フッ素化合物を用いるが、それぞれの場合、バリアガスとしては酸素，フッ素化合物を用いることができる。いずれも、ガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用することができるため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等からガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。これらの方式については、上記ガス流の調整を鑑みた上で最適の方式を選択することができる。
【０１７９】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域及び裏面における塗布物と上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の裏面及び周縁領域における塗布物が除去される。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【０１８０】
このようにして、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３の塗布物Ｃが除去できるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１８１】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【０１８２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１の不要物除去装置の概略図である。
【図２】本発明による第１の不要物除去装置の要部斜視図である。
【図３】本発明による第２の不要物除去装置の概略図である。
【図４】本発明による第３の不要物除去装置の概略図である。
【図５】本発明による第４の不要物除去装置の概略図である。
【図６】本発明による第５の不要物除去装置の概略図である。
【図７】本発明による第６の不要物除去装置の概略図である。
【図８】本発明による第７の不要物除去装置の要部斜視図である。
【図９】本発明による第８の不要物除去装置の概略図である。
【図１０】本発明による第９の不要物除去装置の概略図である。
【図１１】本発明による第１０の不要物除去装置の概略図である。
【図１２】基板の周縁領域を説明するための図である。
【符号の説明】
１０ 処理室
１１ 中央領域
１２ 基板
１３ 周縁領域
１４ 吸着治具
１５ ステージ
１６ 回転テーブル
１８ プラズマ発生源
２０ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 誘電体管
２４ 高周波電源
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ 絶縁体
２８ ガス供給装置
２９ａ，２９ｂ ガス供給路
３０ Ｘ−Ｙテーブル
３０ａ 第１パーツ
３０ｂ 第２パーツ
３２ 排気路
３４ 排気装置
３６ａ，３６ｂ 移動体
３７ａ，３７ｂ ガイド
３８ カバー部材
３９ 開口部
４０ 第３電極
４１ 開口部
４２ 第４電極
５０ 第５電極
５２ メッシュ状電極
５４ 誘電体多孔板
６０ 第６電極
７０ 第７電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示基板または半導体ウエハなどの基板の周縁及び裏面に存在する不要物を除去する方法および装置に関する。特に、本発明は、基板上にスピンコーティング法により塗布された塗布物のうち、基板の周縁領域に塗布された塗布物を除去するのに好適な方法および装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
従来より、たとえば液晶パネルのパネル基板上に、スピンコーティング法により薄膜を形成している。あるいは、半導体ウエハに液状のガラス材料（ＳＯＧ；Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、有機レジスト、ポリイミドなどを、スピンコーティング法により塗布して、基板上に絶縁層やマスク層を形成している。塗布された液状の塗布物は、基板が回転駆動されることで、その遠心力に伴い、基板上の中央領域ではほぼ均一厚さに引き延ばされる。しかしながら、基板の輪郭に沿った周縁部（表面，側面および裏面）にも、塗布されてしまうという問題が生じていた。
【０００３】
この場合、たとえば、液晶パネルあるいは半導体ウエハを搬送コンベアにより搬送したり、運搬用カセットに収容して運搬したり、あるいはイオン注入装置、ドライエッチング装置などのステージ上に載置した場合に、基板の周縁領域における塗布物が割れてダストが発生するという問題が生じていた。このダストが原因となって、基板上にパーティクルが付着し、製造工程での歩留りが大幅に低下するという問題があった。
【０００４】
従来より、この種の基板の周縁領域における塗布物を除去するためには、スピンコーティング法による塗布工程の後に、一連のフォトリソグラフィー工程を実施して、基板の周縁領域における塗布物を除去していた。この一連のフォトリソグラフィー工程とは、レジスト塗布工程、周縁露光工程、現像およびベーク工程、ウエットエッチング工程、レジスト除去工程を含んでいる。このため、フォトリソグラフィー工程を実施することに長時間（たとえば１〜３時間程度）を要するため、製造効率が極めて悪化するという問題があった。
【０００５】
一方、特開平５−８２４７８号公報には、大気圧プラズマにより半導体ウエハの端面をエッチングする方法および装置が開示されている。この公報に開示された技術は、半導体ウエハの中央領域を上下のホルダー間に挟持し、ウエハの周縁領域のみをリング状に反応室に露出した状態として反応させるものである。円盤状の上下のホルダーの最外周部分には、それぞれＯリングパッキングが配置される。この上下のＯリングパッキングにより、半導体ウエハを挟持すると共に、半導体ウエハの中央領域と周縁領域との間を気密にシールしている。
【０００６】
上記の公報に開示された技術では、能動素子が形成された半導体ウエハの中央領域にＯリングを密着させる必要があるため、その圧力により能動素子などの表面構造に損傷を与えたり、能動素子が形成されたウエハ中央領域にパーティクルが付着するという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的とするところは、基板の中央領域を被覆材で圧着することなく、すなわち、基板表面の中央領域に影響を与えることなく、基板の周縁領域，側面における不要物を局所的に、かつ確実に除去することのできる不要物除去方法およびその装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、第１プラズマ発生用電極と第２プラズマ発生用電極にて構成され、上記基板の裏面側に配設されたプラズマ発生手段にて、上記第１プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第２プラズマ発生用電極に他方の電位の電圧を印加することで、上記第１プラズマ発生用電極，上記第２プラズマ発生用電極間において大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを生成し、上記基板の周縁領域に沿って上記プラズマ発生手段を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板の裏面側より上記周縁領域に吹きつけて、上記基板周縁の不要物を除去することを特徴とする。
【０００９】
したがって、請求項１記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物がプラズマ処理によって除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。
【００１０】
請求項２記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１の特徴点に加え、上記プラズマ発生手段は、上記基板の上記周縁領域への上記ガスの吹きつけ方向が調整可能であることを特徴とする。
【００１１】
したがって、請求項２記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記ガスの吹きつけ方向を上記基板周縁領域の不要物の付着状況あるいは中央領域の範囲に応じて変化させることにより、効率の良い不要物除去が実現できる。
【００１２】
請求項３記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、上記基板の裏面側に配置され、一方の電位の電圧が印加される第３プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第４プラズマ発生用電極と、により構成されるプラズマ発生手段にて、上記第３プラズマ発生用電極，上記第４プラズマ発生用電極間において、大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを局所的に生成し、上記基板の周縁領域に沿って、上記第３プラズマ発生用電極を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらすことにより、上記基板周縁の不要物を除去することを特徴とする。
【００１３】
したがって、請求項３記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第４プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００１４】
請求項４記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至３のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段により、上記基板が回転可能なことを特徴とする。
【００１５】
したがって、請求項４記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記支持手段により基板を回転させることで、基板の方向を変えることができる。
【００１６】
請求項５記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至４のいずれかの特徴点に加え、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極は、上記基板の側面に対して進退する方向およびこの方向と直行する方向の少なくとも一方に移動が可能な支持部により支持されることを特徴とする。
【００１７】
したがって、請求項５記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の上記周縁領域に沿って、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらす際の、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の移動において、２つの支持部をそれぞれの方向へ移動させることで、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の所望の位置への移動を容易に実現することができる。
【００１８】
請求項６記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至５のいずれかの特徴点に加え、平面形状が矩形である上記基板の不要物除去方法において、まず基板の側面に対して進退する方向に移動が可能な支持部にて、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて基板周縁の不要物の除去開始位置を設定し、ついで上記方向と直行する方向に移動が可能な支持部にて上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて、基板周縁の一辺の不要物を活性化されたガスにさらすことにより該不要物を除去し、上記支持手段にて上記基板を回転させて方向変換を行ない、以後は上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極の移動および基板の回転を繰り返すことにより基板の各辺の周縁領域の不要物を除去することを特徴とする。
【００１９】
したがって、請求項６記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、たとえば、矩形の液晶用基板において、その輪郭に沿って一辺ずつ基板周縁の不要物除去を行なうことができる。
【００２０】
請求項７記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項１乃至５のいずれかの特徴点に加え、平面形状が円形あるいは略円形である上記基板の不要物除去方法において、まず基板の側面に対して進退する方向に移動が可能な支持部にて上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて、基板周縁の不要物の除去開始位置を設定し、上記支持手段にて上記基板を所定の速度で回転させ、上記プラズマ発生手段により基板周縁の不要物を活性化されたガスにさらすことを特徴とする。
【００２１】
したがって、請求項７記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、たとえば、ほぼ円形の半導体ウエハにおいて、その輪郭に沿って基板周縁の不要物除去を行なうことができる。
【００２２】
請求項８記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、第５プラズマ発生用電極と、複数の開口部を有する第６プラズマ発生用電極とを有する、上記基板の裏面側に配設されるプラズマ発生手段において、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有し、上記第５プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第６プラズマ発生用電極に他方の電位を印加して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成し、上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板の周縁領域および裏面に吹きつけて、少なくとも上記基板の周縁の不要物を除去することを特徴とする。
【００２３】
したがって、請求項８記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域及び裏面において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。 請求項９記載の基板周縁の不要物除去方法は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、上記基板の裏面側に設けられ、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有する第７プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有する第８プラズマ発生用電極と、により構成されるプラズマ発生手段にて、上記第７プラズマ発生用電極に一方の電圧を印加し、上記第８プラズマ発生用電極に他方の電位を印加して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成し、上記プラズマにより活性化されたガスに、上記基板の周縁領域および裏面をさらすことにより、少なくとも上記周縁領域の不要物を除去することを特徴とする。
【００２４】
したがって、請求項９記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域及び裏面において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第４プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００２５】
請求項１０記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項８または９の特徴点に加え、平面的に見て上記基板の径よりも大きい径を有する領域で、上記プラズマによって活性化されたガスを生成することを特徴とする。
【００２６】
したがって、請求項１０記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記生成されたプラズマにより活性化されたガスが上記基板の側面および裏面に確実に接触することができ、周縁領域及び裏面の不要物を除去することができる。
【００２７】
請求項１１記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項８乃至１０のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段により、上記基板が回転可能なことを特徴とする。
【００２８】
したがって、請求項１１記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、基板を回転させることで基板の方向を変えることができる。
【００２９】
請求項１２記載の基板周縁の不要物除去方法は、上述した請求項９の特徴点に加え、上記第８プラズマ発生用電極に設けられた開口部より、上記基板表面にプラズマ発生を抑制するためのガスを供給することを特徴とする。
【００３０】
したがって、請求項１２記載の基板周縁の不要物除去方法によれば、上記開口部よりプラズマ生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００３１】
請求項１３記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、一方の電位の電圧が印加される第１プラズマ発生用電極と、他方の電位の電圧が印加される第２プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、を含み、上記プラズマ発生手段を上記基板の周縁領域に沿って相対的に移動させながら、上記基板へ活性化されたガスを吹きつけることを特徴とする。
【００３２】
したがって、請求項１３記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。
【００３３】
請求項１４記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１３の特徴点に加え、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する面を有するカバー部材を有することを特徴とする。
【００３４】
したがって、請求項１４記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域における塗布物が除去でき、更には例えば基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記カバー部材と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面における中央領域へのプラズマにより活性化されたガスの回り込みを抑制できる。
【００３５】
請求項１５記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１４の特徴点に加え、上記カバー部材は開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする。
【００３６】
したがって、請求項１５記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域へのプラズマにより活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００３７】
請求項１６記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、上記基板の裏面側に配置され、一方の電位の電圧が印加される第３プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第４プラズマ発生用電極とにより構成され、大気圧またはその近傍の圧力下で上記電極面に対して局所的にプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、を含み、上記基板の周縁領域に沿って、上記第３プラズマ発生用電極を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域にさらすことを特徴とする。
【００３８】
したがって、請求項１６記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第４プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００３９】
請求項１７記載の基板周縁の不要物除去装置は、請求項１６の特徴点に加え、上記第４プラズマ発生用電極は、開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする。
【００４０】
したがって、請求項１７記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００４１】
請求項１８記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１３乃至１７のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段は、基板を回転させる回転部を含むことを特徴とする。
【００４２】
したがって、請求項１８記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記支持手段により上記基板を回転させることで基板表面の方向を変えてやることができる。
【００４３】
請求項１９記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項１３乃至１８のいずれかの特徴点に加え、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極は、上記基板の側面に対して進退する方向およびこの方向と直行する方向の少なくとも一方に移動が可能な支持部により支持されることを特徴とする。
【００４４】
したがって、請求項１９記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の上記周縁領域に沿って、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらす際の、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の移動において、２つの支持部をそれぞれの方向へ移動させることで、上記プラズマ発生手段あるいは上記第３プラズマ発生用電極の所望の位置への移動を容易に実現することができる。
【００４５】
請求項２０記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、一方の電位の電圧が印加される第５プラズマ発生用電極と、複数の開口部を有し、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第６プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマ生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマの処理時に上記処理室を排気する排気手段と、を含むことを特徴とする基板周縁の不要物除去装置であることを特徴とする。
【００４６】
したがって、請求項２０記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域及び裏面において形成された塗布物が除去でき、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。
【００４７】
請求項２１記載の基板周縁の不要物除去装置は、請求項２０の特徴点に加え、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する面を有する、カバー部材を有することを特徴とする。
【００４８】
したがって、請求項２１記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域および裏面における塗布物が除去でき、更に、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記カバー部材と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面における中央領域へのプラズマにより活性化されたガスの回り込みを抑制できる。
【００４９】
請求項２２記載の基板周縁の不要物除去装置は、請求項２１の特徴点に加え、上記カバー部材は開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする。
【００５０】
したがって、請求項２２記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域への上記活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００５１】
請求項２３記載の基板周縁の不要物除去装置は、表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と上記基板の裏面側に設けられて、少なくとも基板の裏面に対向する電極面を有し、一方の電位の電圧が印加される第７プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第８プラズマ発生用電極と、により構成され、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、上記プラズマ生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、上記基板へのプラズマの処理時に上記処理室を排気する排気手段と、を含むことを特徴とする。
【００５２】
したがって、請求項２３記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記基板の表面，側面及び裏面の輪郭に沿った周縁領域および裏面において形成された塗布物が除去でき、たとえば、基板搬送におけるダストの発生を防止することができる。そして、上記第８プラズマ発生用電極の電極面と基板表面との間隔を規定することにより、上記基板表面の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの回り込みを抑制することができる。
【００５３】
請求項２４記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項２０乃至２３のいずれかの特徴点に加え、上記支持手段は、基板を回転させる回転部を含むことを特徴とする。
【００５４】
したがって、請求項２４記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記支持手段により上記基板を回転させることで基板の方向を変えることができる。
【００５５】
請求項２５記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項２０乃至２４のいずれかの特徴点に加え、上記プラズマ発生手段は、そのプラズマ発生領域の外縁が上記基板の側面部よりも外側に位置することを特徴とする。
【００５６】
したがって、請求項２５記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記生成されたプラズマにより活性化されたガスが上記基板の側面および裏面に確実に接触することができ、周縁領域および裏面の不要物を除去しやすくすることができる。
【００５７】
請求項２６記載の基板周縁の不要物除去装置は、上述した請求項２３乃至２５のいずれかの特徴点に加え、上記第８プラズマ発生用電極は、開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑制するガスを供給することを特徴とする。
【００５８】
したがって、請求項２６記載の基板周縁の不要物除去装置によれば、上記開口部よりプラズマの生成を抑制するガスを導入して、上記基板表面に該ガスを供給することで、基板の中央領域におけるプラズマの発生及び活性化されたガスの侵入をより確実に抑止することができる。
【００５９】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１には本発明による基板周縁の不要物除去装置の一部を破断した概略図が、図２には図１に示す不要物除去装置の要部の斜視図が示されている。
【００６０】
基板１２は、被処理体であって、たとえば、各種層、例えば、透明導電膜，能動素子，カラーフィルタ等のパターニング工程で作成されるスピンコーティング法によるレジスト塗布後の液晶基板である。図１２に示すように、上記基板１２において、周縁領域１３は、少なくとも基板の側面及び表面、裏面側のテーパー部分、かつ中央領域１１を除く領域を指すものである。中央領域１１は、基板端面から内側へ３ｍｍの領域以外の部分に形成されている素子パターン部分を指すものである。
【００６１】
この不要物除去装置は、大別して、上記基板１２を載置して支持するステージ１５と、一対の対向電極を含むプラズマ発生源１８と、上記基板１２の裏面側から周縁領域１３に向けてガスを供給するガス供給装置２８と、除去された塗布物などを含む処理後のガスを強制排気する排気装置３４とを有する。
【００６２】
上記ステージ１５は、基板１２の裏面側の中心部を真空吸着して保持する吸着治具１４と接続されている。上記ステージ１５は、吸着治具１４を介して回転テーブル１６に支持され、該回転テーブル１６の図示しない回転駆動手段により吸着治具１４を一定の方向に所定の速度にて回転させることにより、上記基板１２を回転させることができる。この基板１２の回転は、後に述べるＸ−Ｙテーブル３０によるプラズマ発生源１８の方向移動と組み合わせて、上記周縁領域１３に沿った不要物除去を行うのに用いられる。このことについては、後に詳細に説明する。
【００６３】
ガス供給装置２８は、図１に示すガス供給路２９ａを介して処理室１０内にガスを供給する。ここで、図には簡略化させて示したが、上記ガス供給装置２８は、処理に必要なガス種を供給することができ、例えば上記ガス供給装置２８はガス種に対応したガスボンベを有する。図には省略して示したが、該ガスボンベはそれぞれ異なるガス供給路と接続されており、上記ガス供給路２９ａを介して処理室１０内のプラズマ発生源１８に導入される。上記ガスは大気圧プラズマ励起用ガスあるいは反応ガスとして使用される。上記ガスには、たとえば、プラズマ励起用ガスとしてＨｅ，Ａｒ等の希ガス、エッチングあるいはアッシング用としてフッ素化合物，塩素化合物等のハロゲンを含むガス、酸素，窒素等の反応ガスを選択することができる。また、特に図示しないが、上記プラズマ励起用ガス、エッチングガス等のガスの上記処理室１８への供給量は、たとえばガス流量調整用バルブ等により制御される。
【００６４】
プラズマ発生源１８は第１電極２０，第２電極２２，上記第１電極２０−第２電極２２間に設けられた誘電体管２３により構成される。ここで、上記誘電体管２３は、たとえば、ガラス，アルミナ等のような誘電体によって構成される。上記誘電体管２３は、ガス供給路２９ａを介して上記ガス供給装置２８により、上述したようなガスを上記第１電極２０−第２電極２２間に供給する。上記第１電極２０には接地電位が接続され、上記第２電極２２にはたとえば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源２４が接続される。このことにより、上記第１電極２０−第２電極２２間で大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマが励起される。また、上記第２電極２２と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆うための絶縁体２６が設けられる。この絶縁体２６は、たとえば、セラミックス，ゴム等により構成される。
【００６５】
ここで、本実施の形態においては、上記第１電極を接地電位に接続し、上記第２電極を高周波電源に接続した例について記載したが、これに限定されることなく、上記第１電極を高周波電源に接続し、上記第２電極を接地電位に接続することもできる。つまり、上記第１電極−第２電極間にプラズマ放電させるため、上記第１電極と上記第２電極のそれぞれの接続電位が異なる電位であれば特に限定されない。
【００６６】
Ｘ−Ｙテーブル３０は上記プラズマ発生源１８を支持し、該プラズマ発生源１８を横方向（Ｘ方向）つまり基板１２に対して進退する方向、あるいは縦方向つまり横方向と直行する方向（Ｙ方向）に移動させるためのものである。図２に示すように、このＸ−Ｙテーブル３０は、横方向（Ｘ方向）に移動する第１パーツ３０ａと、縦方向（Ｙ方向）に移動する第２パーツ３０ｂの２つのパーツにより構成されている。上記Ｘ−Ｙテーブル３０は、上記第１パーツ３０ａと上記第２パーツ３０ｂが、垂直方向に接続されることにより構成されている。そして、横方向（Ｘ方向）に移動する第１パーツ３０ａに上記プラズマ発生源１８が取り付けられている。上記第２パーツ３０ｂは、処理室１０の底面に固定されたＹ方向に伸びるガイド体３６ｂと、このガイド体３６ｂに案内されてスライドする移動体３７ｂとから構成されている。また、上記第１パーツ３０ａは、上記移動体３７ｂに固定された、Ｘ方向に伸びるガイド体３６ａと、このガイド体３６ａに案内されてスライドする移動体３７ａと上記プラズマ発生源１８が取り付けられる支持部３８と、この支持部３８を上記移動体３７ａに固定する基台３９と、を有する。そして、Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａおよび第２パーツ３０ｂにおいて、移動体３７ａ，３７ｂをそれぞれ移動させることにより、プラズマ発生源１８の位置を定めることができる。
【００６７】
上記横方向（Ｘ方向）に移動する第１パーツ３０ａは、処理開始の位置決めの際に用いられる。また、縦方向（Ｙ方向）に移動する第２パーツ３０ｂは、プラズマ放電中における、上記基板１２の輪郭に沿った直線的な移動に用いられる。そして、上述した回転テーブル１６と上記Ｘ−Ｙテーブル３０とを組み合わせて使用することにより、上記基板１２の輪郭に沿った周縁領域１３全面に対してプラズマ処理を行うことができる。つまり、上記Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａを、横方向（Ｘ方向）に移動させることにより処理開始の位置決めを行い、ついでＸ−Ｙテーブル３０の第２パーツ３０ｂを縦方向（Ｙ方向）に移動させつつ、上記プラズマ発生源１８にてプラズマ放電させる。このことにより、該プラズマ放電によって発生した活性な処理ガスが上記基板１２の側面に沿って吹きつけられ、上記基板１２の輪郭に沿ったプラズマ処理を直線的に行うことができる。そして、処理面を変更する際に、上記回転テーブル１６を使用して基板１２を回転させる。
【００６８】
たとえば、液晶基板のような四角形に形成された基板については、Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａにより処理開始位置を決定し、上記プラズマ発生源１８による処理領域が上記基板１２の周縁の直下になるよう設定にする。そして、上記Ｘ−Ｙテーブルの第２パーツ３０ｂを直線的に移動させることにより、上記基板１２において４辺ある辺のうち、１辺に沿って処理を行い、処理終了後に上記回転テーブル１６によって基板１２を９０度回転させる。このことにより、上記基板１２における上記処理を行なった辺と隣り合った辺がセットされ、さらに上述した手順にて処理を基板１２の輪郭に沿って直線的に行うことができる。この場合、４つの辺に沿ってプラズマ放電を行うことになるため、全体で基板を３回，１回につき９０度ずつ回転させることにより、上記基板１２のそれぞれの辺に対する周縁領域１３でプラズマ処理を行うことができる。
【００６９】
また、たとえば、半導体基板のような略円形の基板についてはオリエンテーションフラット以外の領域に角部が存在しないため、上記Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａを処理開始の位置決めの際に固定し、上記回転テーブル１６にて上記基板１２を所望の角度分，一定の速度で回転させることのみで、上記基板１２の周縁領域１３におけるプラズマ処理を行うことができる。
【００７０】
排気装置３４は、図１に示すように、上記ステージ１５上に支持された基板１２の近傍に設けられた排気路３２と接続され、プラズマ放電及び処理により発生した反応生成物を含むガスを強制的に排除するため、プラズマ発生源１８近傍に設けられることが好ましい。上記排気装置３４は、たとえば、排気ファン等のような装置を用いることができる。そして、特に図示しないが、排気バルブにより処理室１８の排気量が調整される。
【００７１】
次に、本発明の不要物除去方法について、図１および図２を用いて説明する。まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。また、予め上記基板１２における周縁領域１３および中央領域１１を特定し、上記基板１２の周縁領域上での不要物のみを除去し、中央領域１１に影響を与えないよう、上記基板１２における処理開始位置を予め設定しておく。そして、Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａを図の横方向（Ｘ方向）に移動させることにより、上記誘電体管２３の上方先端部が、予め設定した上記処理開始位置の直下となるようにする。
【００７２】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介して、上記誘電体管２３にガスを供給する。一方、プラズマ発生源１８において第１電極２０の電位を接地し、第２電極２２に、高周波電源２４による高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第１電極２０−第２電極２２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の裏面側から側面に沿って吹きつけられる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物Ｃが除去される。たとえば、基板側面及び裏面については上記塗布物Ｃはほぼ完全に除去され、基板表面については、活性種が側面から回り込んだ分だけ除去される。
【００７３】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して、排気装置３４により、処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れ剥離によるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【００７４】
また、本実施の形態として上記プラズマ発生源による基板へのプラズマ活性種の照射角度が裏面に対して垂直である例を記載したが、上記プラズマ発生源１８の支持部３８と、これを支持する基台３９とは、たとえば、ねじ等の角度調整手段により調整されて固定されているため、ねじにより調整することによりプラズマ発生源１８を基台３９に対して任意の角度をもって構成することができる。このことにより、上記基板に対するプラズマにより活性化されたガスの照射方向を調整することができる。この場合、上記周縁領域における塗布物の形状あるいは基板表面への影響を考慮して、上記角度を選択することができ、効率かつ信頼性の高い処理が可能となる。
【００７５】
次に、本発明をＴＦＴの製造工程中に応用した場合の適用実験例、および本発明を適用しない場合の比較実験例について説明する。ここで、本適用実験例，比較実験例のいずれにおいても、基板として１２５×１１５×１．２ｍｍの石英ガラスを使用し、電極形成工程における、特にレジストを使用したパターニング工程に本発明を適用した適用実験例を示す。ここで、アッシングの処理条件として、ヘリウムの流量を５０００ＣＣＭ，酸素の流量を５００ＣＣＭとし、電力を５００Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとし、誘電体管として外径３ｍｍ，内径１．７ｍｍの石英ガラス管を使用した。
【００７６】
まず、石英ガラス基板上において、広く知られている減圧ＣＶＤにより、ポリシリコンを上記基板の全面（表面，裏面及び側面）に膜厚約１００ｎｍにて形成した。
【００７７】
そして、上記ポリシリコンを所望の形状にエッチングして電極を形成するために、上記ポリシリコン上に全面的にスピンコーティング法にて、ポジレジストを塗布した。このとき、基板の中央領域における膜厚を約１マイクロメートルで形成したが、上記基板表面，側面の周縁領域においては、膜厚が１マイクロメートルよりも大きく形成された。
【００７８】
そして、上記ポジレジストのポリシリコンへの密着性を向上させるために、プレベークを行い、電極形成部をマスクして露光を行い現像した。
【００７９】
そして、上記レジスト中のガスを取り除き、硬化させ、上記ポリシリコンとの密着性を向上するために、ポストベークを行った。一般に、この後のエッチング工程時に搬送が行われるが、比較実験例においては、治具等により、上記周縁領域の、特に、側面部におけるレジストがこすれてダストとなり、該ダストが基板表面，側面及び裏面にも再付着した。
【００８０】
そして、電極を所望の形状にパターニングするために、フッ酸にてエッチングを行ったが、基板表面，側面または基板裏面においてもエッチングすべき部分が一部残存してしまった。また、上記レジストの露光は基板裏面にて行われなかったため、基板裏面でのポリシリコンの残りにより、組み立て後のバックライトで点灯すると、点欠陥が生じ、良品を生産することができなかった。
【００８１】
ところが、本発明を上記ポストベーク工程とエッチング工程の間に適用したところ、基板の周縁領域のレジストを除去することができた。基板表面への回り込みは、端面から約２．５ｍｍのところまでアッシングされ、中央領域には影響を与えなかった。この基板を前記同様にエッチングを行なったところ、エッチングすべき部分にポリシリコンのエッチング残りは発生せず、良好な製品が得られた。
【００８２】
本実験では、基板側面と誘電体管との角度を約０度に設定したが、これは中央領域への回り込みを抑制するためであり、これに限定されるものではない。たとえば、上記角度を裏面側から約４５度に設定した場合は、基板表面において端面から約５ｍｍ程度アッシングされた。中央領域がこれ以上内側に形成されている場合は、このような角度設定でも構わない。
【００８３】
このように、上述した実験により、本発明による不要物除去装置を用いた不要物の除去に関する効果を定量的に確認することができた。
【００８４】
（実施の形態２）
図３には、本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。本発明は、プラズマ処理の範囲が、基板表面の能動素子が形成された中央領域に延びることを防止し、基板の周縁領域のみに処理の範囲を限定するための遮へい手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態１と異なる点は、基板上方に平行に配置させてカバー部材を設け、基板の周縁領域における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態１と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００８５】
上記カバー部材３８は、たとえば、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものを使用し、上記基板１２の上方に一定の間隔をもって実質的に平行に配置される。このとき、上記基板１２は平面的に見てその表面が上記カバー部材３８に完全に覆われるように配置される。
【００８６】
次に本発明の不要物除去方法について図３を用いて説明する。以下、簡単のため実施の形態１と同一の点については説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００８７】
まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。また、予め上記基板１２における周縁領域１３および中央領域１１を特定し、上記基板１２における周縁領域１３の不要物を除去し、中央領域１１に影響を与えないように、上記基板１２における処理開始位置を予め設定しておく。そして、Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａを図の横方向（Ｘ方向）に移動させることにより、上記プラズマ発生源１８の上方先端部が、予め設定された上記処理開始位置の直下となるようにする。
【００８８】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介して上記誘電体管２３にガスを供給する。一方、プラズマ発生源１８において上記第１電極２０の電位を接地し、第２電極２２に、高周波電源２４による高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で、上記第１電極２０−第２電極２２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスが上記基板１２の裏面側から吹きつけられる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量を規定できる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３の塗布物に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態１よりも小さくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３において形成された塗布物Ｃが除去される。基板側面及び裏面については、上記塗布物はほぼ完全に除去され、基板表面については活性ガスの回り込みが小さいため、中央領域１１はほとんど影響を受けない。
【００８９】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。
【００９０】
このようにして、上記基板１２における周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生がさらに防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。さらに、プラズマにより活性されたガスの基板表面への供給を抑制することで、基板表面の少なくとも中央領域への影響をほとんどなくすことができる。従って、素子領域が基板端から近い場合には、非常に有効である。
【００９１】
（実施の形態３）
図４には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【００９２】
本発明は、処理の範囲を周縁領域のみにより確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を周縁領域のみに限定するための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態２と異なる点は、基板上方に平行配置させたカバー部材３８のほぼ中央に貫通させて開口部３９を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されている。そして、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記第１電極２０−上記第２電極２２間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態２と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００９３】
プラズマ放電に関しては実施の形態２と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第１電極２０−第２電極２２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の周縁領域１３に向かって流れる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガス量を規定できる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３の塗布物に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態１よりも小さくなる。ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置されたカバー部材３８に設けられたガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。
【００９４】
また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給するガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２の表面とカバー部材３８との間にてプラズマ放電させないようにするため、ヘリウムのようなプラズマ励起し易い不活性ガス以外のガスを使用するものである。つまり、たとえば、基板をアッシングする場合、反応ガスとして酸素ガスを用い、エッチングする場合はフッ素系化合物を使用しているので、バリアガスとしてはガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用することができる。このため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等のガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。これらの方式については、上記ガス流の調整を鑑みた上で最適の方式を選択することができる。
【００９５】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の表面，側面および裏面の周縁領域１３の塗布物と上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物が除去される。基板側面及び裏面については、上記塗布物はほぼ完全に除去され、基板表面については活性ガスの回り込みが小さいため、中央領域１１は実質的にほとんど影響を受けない。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【００９６】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【００９７】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【００９８】
（実施の形態４）
図５には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。本発明は、プラズマを基板の周縁領域に限定して発生させ、該周縁領域を直接プラズマ中にさらすことを特徴とするものである。つまり、実施の形態１と異なる点は、基板の表面側に実質的に平行に第３電極を配置し、上記基板の裏面側の周縁領域近傍に第４電極を設け、上記第３電極−第４電極間でプラズマ放電させて、基板の周縁領域における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態１と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【００９９】
上記第３電極４０は、たとえば、アルミニウム，ステンレススチール等の金属により構成され、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものを使用し、上記基板１２の上方に一定の間隔をもって平行に配置される。このとき、上記基板１２はその表面が平面的に見て上記第３電極４０に完全にカバーされるように配置され、上記第３電極４０は接地電位と接続される。
【０１００】
そして、上記第４電極４２は、その軸方向が上記第３電極４０に対して約９０度の角度をもって配置されるとともに、上記第４電極４２の先端部が上記基板１２の周縁領域近傍となるように配置される。また、上記第４電極４２は、その先端部を除き、誘電体管２３により囲まれて設けられており、該誘電体管にガス供給路２９ａが接続され、該ガス供給路２９ａへガス供給装置２８によりプラズマ処理のためのガスが供給される。ここで、上記ガスについては上述した実施の形態１と同様にして、処理に必要なガス種をもって構成される。そして、上記第４電極４２は絶縁体２６ａを介して高周波電源と接続され、たとえば、その周波数は１３．５６ＭＨｚに設定される。上記第４電極４２の下部は、たとえば、セラミックス等の絶縁体２６ｂと密着される。上記絶縁体２６ａは、上記第４電極４２と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆うために設けられる。上記絶縁体２６ｂは上記Ｘ−Ｙテーブル３０の第１パーツ３０ａに固定されて支持され、実施の形態１に示したように、上記第４電極４２の処理開始の位置決めおよび第４電極４２の移動に使用される。
【０１０１】
次に本発明の不要物除去方法について図５を用いて説明する。以下、簡単のため実施の形態１と同一の点については説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１０２】
まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。また、予め上記基板１２における周縁領域１３および中央領域１１を特定し、上記基板１２の周縁領域１３の不要物を除去し、中央領域１１に影響を与えないように、上記基板１２における処理開始位置を予め設定しておく。そして、Ｘ−Ｙテーブルの第１パーツ３０ａを図の横方向（Ｘ方向）に移動させることにより、上記第４電極４２の上方先端部が、予め設定された上記処理開始位置の直下となるようにする。
【０１０３】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介して上記誘電体管２３にガスを供給する。一方、上記第４電極４２に、高周波電源２４により高電圧を印加し、第３電極４０に接地電圧を印加する。このことにより、大気圧あるいはその近傍の圧力下で、上記第３電極４０−第４電極４２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスに上記基板１２の周縁領域１３がさらされる。そして、上記基板１２表面側に設けられた第３電極４０により、上記基板１２表面と上記第４電極底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記活性ガスの量を抑制でき、基板の表面側でのプラズマの発生を抑制できる。
【０１０４】
すなわち、プラズマにより活性化されたガスが基板表面の中央領域１１上へ到達しにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１にてプラズマ活性ガスの影響はほとんどなくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の表面，側面および裏面の周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３において形成された塗布物が除去される。つまり、たとえば、基板１２の側面及び裏面の周縁領域においては、上記塗布物Ｃがほぼ完全に除去され、表面においては、中央領域１１はプラズマ放電の影響をほとんど受けず、周縁領域のみ除去される。
【０１０５】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。
【０１０６】
このようにして、上記基板１２における周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１０７】
次に、本発明をＴＦＴの製造工程中に応用した場合の適用実験例および本発明を適用しない場合の比較実験例について説明する。ここで、本適用実験例、比較実験例のいずれにおいても、基板として１２５×１１５×１．２ｍｍの石英ガラスを使用し、電極形成工程における、特にレジストを使用したパターニング工程に本発明を適用した適用実験例を示す。ここで、アッシングの処理条件として、ヘリウムの流量を５０００ＣＣＭ，酸素の流量を５０ＣＣＭとし、電力を２００Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとした。
【０１０８】
まず、石英ガラス基板上において、広く知られている減圧ＣＶＤにより、ポリシリコンを上記基板の全面（表面，裏面及び側面）に膜厚約１００ｎｍにて形成した。
【０１０９】
そして、上記ポリシリコンを所望の形状にエッチングして電極を形成するために、上記ポリシリコン上に全面的にスピンコーティング法にて、ポジレジストを塗布した。このとき、基板の中央領域における膜厚を約１マイクロメートルで形成したが、上記基板表面，側面の周縁領域においては、膜厚が１マイクロメートルよりも大きく形成された。
【０１１０】
そして、上記ポジレジストのポリシリコンへの密着性を向上させるために、プレベークを行い、電極形成部をマスクして露光を行い現像した。
【０１１１】
そして、上記レジスト中のガスを取り除き、硬化させ、上記ポリシリコンとの密着性を向上するために、ポストベークを行った。一般に、この後のエッチング工程時に搬送が行われるが、比較実験例においては、治具等により、上記周縁領域の、特に、側面部におけるレジストがこすれてダストとなり、該ダストが基板表面，側面及び裏面にも再付着した。
【０１１２】
そして、電極を所望の形状にパターニングするために、フッ酸にてエッチングを行ったが、基板表面，側面または基板裏面においてもエッチングすべき部分が一部残存してしまった。また、上記レジストの露光は基板裏面にて行われなかったため、基板裏面でのポリシリコンの残りにより、組み立て後のバックライトで点灯すると、点欠陥が生じ、良品を生産することができなかった。
【０１１３】
ところが、本発明を上記ポストベーク工程とエッチング工程の間に適用したところ、基板の周縁領域のレジストを除去することができた。基板表面への回り込みは、端面から約２．５ｍｍのところまでアッシングされ、中央領域には影響を与えなかった。この基板を前記同様にエッチングを行なったところ、エッチングすべき部分にエッチング残りは発生せず、良好な製品が得られた。
【０１１４】
このように、上述した実験により、本発明による不要物除去装置を用いた不要物の除去に関する効果を定性的に確認することができた。
【０１１５】
（実施の形態５）
図６には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【０１１６】
本発明は、処理の範囲を周縁領域のみにより確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を周縁領域のみに限定にするための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態４と異なる点は、基板上方に平行配置させた第３電極４０のほぼ中央に貫通させて開口部４１を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されている。そして、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記第３電極４０−上記第４電極４２間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態４と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１１７】
プラズマ放電に関しては実施の形態４と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第３電極４０−第４電極４２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスに上記基板１２の周縁領域１３がさらされる。そして、上記基板１２表面側に設けられた第３電極４０により、上記基板１２表面と上記第３電極４０の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記活性ガスを抑制でき、基板表面側でのプラズマの発生を抑制できる。すなわち、プラズマにより活性化されたガスが、基板表面の中央領域１１上へ到達しにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１にてプラズマ活性ガスの影響はほとんどなくなる。
【０１１８】
ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置された第３電極４０に設けられたがガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。
【０１１９】
また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給するガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２と上記第３電極４０との間でプラズマを発生させないようにするため、たとえば、ヘリウムのような放電開始電圧の低いガスは使用しないようにするものである。たとえば、アッシングの場合は、反応ガスとして酸素を用い、エッチングの場合でフッ素化合物を用いるが、それぞれの場合、バリアガスとしては酸素，フッ素化合物を用いることができる。いずれもガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用することができため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等からガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。これらの方式については、上記ガス流量の調整を鑑みた上で最適の方式を選択することができる。
【０１２０】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物と上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の周縁領域１３における塗布物が除去される。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【０１２１】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１２２】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【０１２３】
（実施の形態６）
図７には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施形態の概略図が示されている。
【０１２４】
基板１２は、被処理体であって、たとえば、各種層，例えば透明導電膜，能動素子，カラーフィルタ等のパターニング工程で作成されるスピンコーティング法によるレジスト塗布後の液晶基板である。
【０１２５】
この塗布物除去装置は、大別して、上記基板１２を載置して支持するステージ１５と、一対の対向電極を含むプラズマ発生源１８と、該プラズマ発生源１８内にガスを供給するガス供給装置２８と、除去された塗布物などを含む処理後のガスを強制排気する排気装置３４とを有する。
【０１２６】
上記ステージ１５は、基板１２の裏面側の中心部を真空吸着して保持する吸着治具１４に接続されている。上記ステージ１５は、吸着治具１４を介して回転テーブル１６に支持され、該回転テーブル１６の図示しない回転駆動手段により吸着治具１４を一定の方向に所定の速度にて回転させることにより上記基板１２を回転させることができる。そして、プラズマ発生源１８により上記基板１２の周縁領域１３及び裏面に対して処理を行う。このことについては、後に詳細に説明する。
【０１２７】
ガス供給装置２８は、ガス供給路２９ａを介して処理室１０内のプラズマ発生源１８にガスを導入する。ここで、図には簡略化させて示したが、上記ガス供給装置２８は、処理に必要なガス種を供給することができ、例えば、上記ガス供給装置２８はガス種に対応したガスボンベを有する。図７には省略して示したが、該ガスボンベはそれぞれ異なるガス供給路と接続されており、上記ガス供給路２９ａを介して処理室１０内のプラズマ発生源１８に導入される。上記ガスは大気圧プラズマ励起用ガスあるいは反応ガスとして使用される。上記ガスには、たとえば、プラズマ励起用ガスとしてＨｅ，Ａｒ等のような希ガス、エッチングあるいはアッシング用としてフッ素化合物，塩素化合物等のハロゲンを含むガス，酸素，窒素等の反応ガスを選択することができる。また、特に図示しないが、上記プラズマ励起用ガス、エッチングガス等の上記プラズマ発生源１８への導入量は、たとえばガス流量調整用バルブ等により制御される。
【０１２８】
プラズマ発生源１８は、多孔質の第５電極５０及びメッシュ状電極５２を有し、上記第５電極５０と上記メッシュ状電極５２は平行に配置されている。上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間には誘電体多孔板５４が設けられ、上記誘電体多孔板５４を介して上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間にてプラズマ放電が発生する。
【０１２９】
また、上記第５電極５０側面および誘電体多孔板５４側面には絶縁体２６ｃが、上記第５電極５０に高周波電圧を印加するための配線と、上記プラズマ発生源１８壁との接触部には絶縁体２６ａが設けられることで、上記プラズマ発生源１８壁部及び上記メッシュ状電極５２−上記第５電極５０間を電気的に絶縁する。さらに、上記第５電極５０と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆って絶縁体２６ｂが設けられる。ここで、たとえば、上記第５電極５０は多孔質のステンレススチール等のような金属多孔板により構成される。上記誘電体多孔板５４は、たとえば、ガラス，アルミナ等のような誘電体によって構成される。ここで、上記第５電極５０上に誘電体多孔板５４を設けることによって、上記第５電極５０，誘電体多孔板５４の通気孔を介して、上記プラズマ発生源１８下方から導入されたガスが、上記メッシュ状電極５２下部に供給されることにより、上記ガスが均一化される。このような構成により、上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間に均一な放電を形成することができる。
【０１３０】
このようにして、上記ガス供給路２９ａを介して上述したようなガスを、上記プラズマ発生源１８内に導入し、上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間に供給する。上記メッシュ状電極５２には接地電位が印加され、上記第５電極５０にはたとえば、１３．５６ＭＨｚで発振する高周波電源２４が接続される。このことによって、上記メッシュ状電極５２−第５電極５０間で大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマ放電が発生する。そして、上記メッシュ状電極５２下方にて形成されたプラズマ活性種が、メッシュ状電極５２における通気孔を通して、基板１２の裏面全体および周縁領域１３に吹きつけられ、該当部分の不要物除去が行われる。
【０１３１】
また、上記基板１２の周縁領域における不要物を除去するためには、上記プラズマ放電によって活性化されたガスに上記基板１２の側面を確実にさらさなければならない。よって、上記プラズマ発生源１８，すなわち上記メッシュ状電極５２，誘電体多孔板５４，第５電極５０は、上記基板１２の側面部よりも外方に所定長さＬだけ張り出させて配置させる。つまり、プラズマ放電は平面的に見て上記基板１２の径よりも大きい径を有する領域で行われる。
【０１３２】
また、上記基板の裏面については、上記基板１２直下に吸着治具１４と接触しない程度に上記プラズマ発生源１８が設けられているため、基板の裏面側のほぼ全面で不要物が除去できる。
【０１３３】
排気装置３４は、図７に示すように、排気路３２と接続され、処理室１０内のプラズマ放電及び処理により発生した反応生成物を含むガスを排除する。上記排気装置３４は、たとえば、排気ファン等のような装置を用いることができる。そして、特に図示しないが、排気バルブにより処理室１０の排気量が調整される。
【０１３４】
次に、本発明の不要物除去方法について、図７を用いて説明する。
【０１３５】
まず、基板１２が処理室１８内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。
【０１３６】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介してプラズマ発生源１８に上記ガスを導入する。一方、プラズマ発生源１８においてメッシュ状電極５２の電位を接地し、第５電極５０に高周波電源２４により高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の裏面及び周縁領域１３に向かって流れる。そして、上記基板１２裏面全体および周縁領域１３の塗布物Ｃと上記活性ガスとが反応する。この反応は使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の輪郭に沿った周縁領域１３および裏面全体における塗布物が除去される。
【０１３７】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４にて処理室１０内が排気されることにより除去される。このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の裏面全体および周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを大幅に向上することができる。
【０１３８】
加えて、本発明においては、特に基板裏面の不要物が全面的に除去できるため、組み立て後のバックライトで点灯したときの点欠陥をなくすことができ、製品の生産性を向上することができる。たとえば、レジスト等の塗布物をスピンコーティングで塗布した際、基板裏面に塗布物が回り込んだり、飛び散ったとしても、裏面を全面的に除去できるため、これに起因するＴＦＴパネル点灯時の点欠陥等の不良をなくすことができる。
【０１３９】
（実施の形態７）
図８には、本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。本発明は、プラズマ処理の範囲が、基板表面の能動素子が形成された中央領域に延びることを防止し、基板の周縁領域および裏面全体のみに処理の範囲を限定するための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態６と異なる点は、基板上方に平行に配置させてカバー部材３８を設け、上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間でプラズマ放電させて、基板の裏面全体および周縁領域１３における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態６と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１４０】
上記カバー部材３８は、たとえば、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものを使用し、上記基板１２の上方に一定の間隔をもって平行に配置される。このとき、上記基板１２はその表面が平面的に見て上記カバー部材３８に完全に覆われるように配置される。
【０１４１】
そして、実施の形態６と同様に、プラズマ発生源１８は、多孔質の第５電極５０及びメッシュ状電極５２を有し、上記第５電極５０と上記メッシュ状電極５２は平行に配置されている。上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間には誘電体多孔板５４が設けられ、上記誘電体多孔板５４を介して上記第５電極５０−メッシュ状電極５２間にて、プラズマ放電が発生する。
【０１４２】
次に本発明の不要物除去方法について図８を用いて説明する。以下、簡単のため実施の形態６と同一の点については説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１４３】
まず、基板１２が処理室１０内のステージ１５上に載置される。このとき、上記基板１２は、その裏面が吸着治具１４により真空吸着にて保持される。
【０１４４】
次に、ガス供給装置２８によりガス供給路２９ａを介してプラズマ発生源１８にガスを供給する。一方、プラズマ発生源１８において上記メッシュ状電極５２の電位を接地し、第５電極５０に、高周波電源２４による高電圧を印加する。このことにより、大気圧またはその近傍の圧力下で、上記メッシュ状電極５２−第５電極５０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の裏面及び周縁領域１３に向かって流れる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量を規定できる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材３８と基板１２の表面における周縁領域１３に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態６よりも小さくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、エッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面において形成された塗布物Ｃが除去される。
【０１４５】
そして、上記塗布物と反応して形成された反応生成物は、上記プラズマ放電領域近傍に設けられた排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が強制的に排気されることにより除去される。
【０１４６】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の側面および裏面全体かつ表面の周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１４７】
加えて、本発明においては、特に基板裏面の不要物が全面的に除去できるため組み立て後のバックライトで点灯したときの点欠陥をなくすことができ、製品の生産性を向上することができる。たとえば、レジスト等の塗布物をスピンコーティングで塗布した際、基板裏面に塗布物が回り込んだり、飛び散ったとしても、裏面を全体的に除去できるため、これに起因するＴＦＴパネル点灯時の点欠陥等の不良をなくすことができる。
【０１４８】
（実施の形態８）
図９には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【０１４９】
本発明は、処理の範囲を基板の裏面全体および周縁領域のみに、より確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を基板の周縁領域及び裏面のみに限定にするための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態７と異なる点は、基板上方に平行配置させたカバー部材３８のほぼ中央に貫通させて開口部３９を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されており、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記メッシュ状電極５２−上記第５電極５０間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態７と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１５０】
プラズマ放電に関しては実施の形態６および７と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記メッシュ状電極５２−第５電極５０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスは上記基板１２の周縁領域１３及び裏面に向かって流れる。そして、上記基板１２表面側に設けられたカバー部材３８により、上記基板１２表面と上記カバー部材３８の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量の規定ができる。すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３に衝突し、中央領域１１上へ回り込みにくくなるため、上記基板１２表面の中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態６よりも小さくなる。
【０１５１】
ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置されたカバー部材３８に設けられたガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給されるガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２の表面と上記第５電極５０との間にてプラズマ放電させないようにするため、ヘリウムのようなプラズマ励起用である不活性ガスを使用しないようにするものである。つまり、たとえば、基板１２をアッシングする場合、反応ガスとして酸素ガスを用い、エッチングする場合はフッ素系化合物を使用しているので、バリアガスとしてはガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用するとができる。このため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等からのガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。
【０１５２】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３の塗布物Ｃと上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３における塗布物が除去される。基板側面及び裏面については、上記塗布物はほぼ完全に除去され、基板表面については、活性ガスの回り込みが小さいため、中央領域１１はほとんど影響を受けない。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【０１５３】
このようにして、上記基板１２における上記周縁領域１３の塗布物Ｃを除去できるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の裏面全体及び周縁領域における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１５４】
加えて、本発明においては、特に基板裏面の不要物が全面的に除去できるため組み立て後のバックライトで点灯したときの点欠陥をなくすことができ、製品の生産性を向上することができる。たとえば、レジスト等の塗布物をスピンコーティングで塗布した際、基板裏面に塗布物が回り込んだり、飛び散ったとしても、裏面を全体的に除去できるため、これに起因するＴＦＴパネル点灯時の点欠陥等の不良をなくすことができる。
【０１５５】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【０１５６】
（実施の形態９）
図１０には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の一部を破断した概略図が示されている。
【０１５７】
本発明は、基板の周縁領域および裏面にのみプラズマを発生させ、該領域を直接プラズマにさらすことを特徴とするものである。つまり、基板の表面側に平行に配置させて第６電極を設け、上記基板の裏面側に平行に配置させて第５電極を設け、上記第６電極−上記第５電極間でプラズマ放電させて、上記基板の周縁領域及び裏面における不要物を除去するものである。以下、簡単のため実施の形態１と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１５８】
上記第６電極６０は、たとえば、アルミニウム，ステンレススチールなどの金属により構成され、上記基板１２よりも底面の面積が大きいものが使用され、上記基板１２の表面側に一定の間隔をもって平行に配置される。このとき、上記基板１２表面は上記第６電極６０にその表面が完全にカバーされるように配置され、上記第６電極６０は接地電位と接続される。
【０１５９】
基板１２の裏面側には、第５電極５０および誘電体多孔板５４が設けられ、上記誘電体多孔板５４を介して上記第５電極５０−第６電極電極６０間にて、上記プラズマ放電が発生する。そして、上記第５電極５０と上記高周波電源２４の間に処理室１０への高電圧の通電を防止するため、上記処理室１０と、上記高周波電源２４からの配線との接触部においては、上記配線を覆って絶縁体２６が設けられる。ここで、たとえば、上記第５電極５０は多孔質のステンレススチール等のような金属多孔板により構成される。上記誘電体多孔板５４は、たとえば、ガラス，アルミナ等のような絶縁物によって構成される。ここで、上記第５電極５０上に誘電体多孔板５４を設けることによって、上記第５電極５０，誘電体多孔板５４の通気孔を介して、上記プラズマ発生源１８下方から導入されたガスが、基板１２下部および上記第６電極下部に供給されることにより、上記ガスが均一化される。このような構成により、上記第５電極５０−第６電極６０間に均一な放電を形成することができる。
【０１６０】
このようにして、上記ガス供給路２９ａを介して上述したようなガスを、上記第５電極５０−第６電極６０間に供給する。上記第６電極６０には接地電位が印加され、上記第５電極５０にはたとえば、１３．５６ＭＨｚで発振する高周波電源２４が接続される。このことによって、上記第６電極６０−第５電極５０間で大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマ放電が発生する。そして、プラズマ放電によって形成された活性ガスに、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面がさらされ、該当部分の不要物が除去される。
【０１６１】
ここで、本実施の形態においては、第６電極６０を接地電位に接続し、上記第５電極５０を高周波電源２４に接続した例について記載したが、これに限定されることなく、上記第６電極６０を高周波電源２４に接続し、上記第５電極５０を接地電位に接続することもできる。
【０１６２】
また、上記基板１２の周縁領域における不要物を除去するためには、上記プラズマ放電に上記基板１２の側面を確実にさらさなければならない。よって、上記プラズマ発生源１８，すなわち上記第６電極６０，上記誘電体多孔板５４，第５電極５０は、上記基板１２の側面部よりも張り出させて配置される。
【０１６３】
プラズマ放電の形態に関して以下に説明する。大気圧またはその近傍の圧力下で上記第５電極５０−第６電極６０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電で発生した活性ガスに上記基板１２の裏面及び周縁領域１３がさらされる。そして、上記基板表面側に設けられた第６電極６０により、上記基板１２表面と上記第５電極５０の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記活性ガスの量を抑制でき、基板の表面側でのプラズマの発生を抑制できる。すなわち、プラズマにより活性化されたガスが基板表面の中央領域１１上へ到達しにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１にてプラズマ活性ガスの影響はほとんどなくなる。そして、該プラズマ放電により、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３の塗布物Ｃと上記ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面において形成された塗布物が除去される。基板１２の側面及び裏面においては、上記塗布物Ｃがほぼ完全に除去され、表面においては、中央領域１１は影響をほとんど受けず、裏面及び周縁領域のみ除去される。
【０１６４】
そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１８内が排気されることにより除去される。
【０１６５】
このようにして、上記基板１２における周縁領域１３の塗布物Ｃを除去することができるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の周縁領域及び裏面における塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１６６】
次に、本発明をＴＦＴの製造工程中に応用した場合の適用実験例および本発明を適用しない場合の比較実験例について説明する。ここで、本適用実験例，比較実験例のいずれにおいても、基板として１２５×１１５×１．２ｍｍの石英ガラスを使用し、電極形成工程における、特にレジストを使用したパターニング工程に本発明を適用した適用実験例を示す。ここで、アッシングの処理条件として、ヘリウムの流量を２０００ＣＣＭ，酸素の流量を５００ＣＣＭとし、電力を２５００Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとし、第５電極として多孔質のステンレススチールを使用し、誘電体としてアルミナ多孔質を使用し、第６電極としてアルミニウム，ステンレススチール等の金属を使用した。また、第６電極−基板表面の距離を０．４ｍｍ，基板裏面−メッシュ状電極の距離を１ｍｍ，Ｌを１５ｍｍに設定して実験を行なった。
【０１６７】
まず、石英ガラス基板上において、広く知られた減圧ＣＶＤにより、ポリシリコンを上記基板の全面（表面，裏面，側面）に膜厚約１００ｎｍにて形成した。
【０１６８】
そして、上記ポリシリコンを所望の形状にエッチングして電極を形成するために、上記ポリシリコン上に全面的にスピンコーティング法にて、たとえばポジレジストを塗布した。このとき、基板の中央領域における膜厚を約１マイクロメートルで形成したが、上記基板表面，側面の周縁領域においては、部分的に膜厚が１マイクロメートルよりも大きく形成された。裏面においては、周縁領域にレジストの回り込み及び飛び散ったレジストが再付着した。
【０１６９】
そして、上記レジストのポリシリコンへの密着性を向上させるために、プレベークを行い、電極形成部をマスクして露光を行い現像した。
【０１７０】
そして、上記レジスト中のガスを取り除き、硬化させ、上記ポリシリコンとの密着性を向上するために、ポストベークを行った。一般に、この後のエッチング工程時に搬送が行われるが、比較実験例においては、このとき治具等により、上記周縁領域の特に、側面部におけるレジストがこすれてダストとなり、該ダストが基板表面，側面及び裏面に付着した。また、裏面においては、スピンコーティングの際飛び散ったレジストが残存していた。
【０１７１】
そして、電極を所望の形状にパターニングするために、フッ酸にてエッチングを行ったが、基板表面，側面または基板裏面においてもエッチングすべき部分が一部残存してしまった。また、上記レジストの露光は基板裏面にて行われなかったため、基板裏面でのポリシリコン残りにより、組み立て後のバックライトで点灯すると、点欠陥が生じ、良品を生産することができなかった。
【０１７２】
ところが、本発明を上記ポストベーク工程とエッチング工程の間に適用したところ、基板の周縁領域及び裏面のレジストを除去することができた。この基板を前記同様にエッチングを行なったところ、エッチングすべき部分においてポリシリコンの残りは発生せず、良好な製品が得られた。
【０１７３】
このように、上述した実験により、本発明による不要物除去装置を用いた不要物の除去に関する効果を定性的に確認することができた。本発明による不要物除去においては、上述したように、特に基板におけるアッシングの信頼性を向上できることが確認された。
【０１７４】
（実施の形態１０）
図１１には本発明による基板周縁の不要物除去装置の別の実施の形態の概略図が示されている。
【０１７５】
本発明は、処理の範囲を周縁領域及び裏面のみにより確実に限定し、基板表面側からプラズマ処理用ガスの侵入を抑制できるバリアガスを供給することで、基板裏面側から供給される処理用ガスの流路を裏面及び周縁領域のみに限定にするための手段を設けたことを特徴とするものである。つまり、実施の形態９と異なる点は、基板上方に平行配置させた第７電極７０のほぼ中央に貫通させて開口部７２を設け、ガス供給路２９ｂを設ける。このガス供給路２９ｂは、ガス供給装置２８に接続されている。そして、該ガス供給路２９ｂより放電開始電圧の高いガスを基板１２の表面に供給するものである。すなわち、本発明は、上記ガス供給装置２８より２系統のガス供給路２９ａ，２９ｂを使用して処理室１０内にガスを上方ならびに下方から供給するものである。つまり、一方のガス供給路２９ａからプラズマ処理用ガスをプラズマ発生源１８に導入することにより、上記第７電極７０−上記第５電極５０間でプラズマ放電させて、上記基板１２の周縁領域１３及び裏面における不要物を除去する。そして、他方のガス供給経路２９ｂからの基板１２表面にバリアガスを供給することによって、そのガス流を利用して、強制的に上記基板１２表面の中央領域１１上に上記ガス供給路２９ａにより供給されたプラズマ処理用ガスが回り込まないようにするものである。以下、簡単のため実施の形態９と同一のものについては説明を省略し、本発明の特徴となる部分に関する点のみを説明する。
【０１７６】
プラズマ放電に関しては実施の形態９と同様のため説明を省略するが、大気圧またはその近傍の圧力下で上記第５電極５０−第７電極７０間にプラズマ放電が発生し、該プラズマ放電によって発生した活性ガスに上記基板１２の周縁領域１３及び裏面がさらされる。そして、上記基板１２表面側に設けられた第７電極７０により、上記基板１２表面と上記第７電極の底面との距離を所定値に設定することにより、基板１２表面に流れ込む上記ガスの量を規定することができる。
【０１７７】
すなわち、上記活性ガスは、上記カバー部材と基板１２の表面における周縁領域１３に衝突し、中央領域１１上へ流れ込みにくくなるため、上記基板１２表面の上記中央領域１１に対して、活性ガスの影響は実施の形態８よりも小さくなる。ここで、本実施の形態においては、さらに上記プラズマ処理用ガスのガス流をコントロールすることを特徴としている。つまり、本発明においては、上記基板１２上方に平行配置された第７電極７０に設けられたガス供給路２９ｂにより、放電開始電圧の高いバリアガスを導入して、基板表面に吹きつけている。つまり、上記ガス供給路２９ｂからの基板１２表面へのガス流量は、上記ガス供給路２９ａからのガス流量を鑑みて調整されるとともに、上記基板１２表面における基板１２の塗布物Ｃの除去状態を元に設定される。
【０１７８】
また、先に述べたように、上記ガス供給路２９ｂから供給するガスは、放電開始電圧の高いガスが使用される。すなわち、基板１２と上記第７電極７０との間でプラズマを発生させないようにするため、たとえば、ヘリウムのような放電開始電圧の低いガスは使用しないようにするものである。たとえば、アッシングの場合は、反応ガスとして酸素を用い、エッチングの場合で、フッ素化合物を用いるが、それぞれの場合、バリアガスとしては酸素，フッ素化合物を用いることができる。いずれも、ガス供給装置２８より処理室１０に供給する上記反応ガスと同一のガスを使用することができるため、ガス供給路２９ａ，２９ｂに対し、同一のガスボンベ等からガス供給ができ、また、途中から分割させて設けることもできる。これらの方式については、上記ガス流の調整を鑑みた上で最適の方式を選択することができる。
【０１７９】
このようにして、該プラズマ放電により、上記基板１２の周縁領域及び裏面における塗布物と上記反応性ガスとが反応する。この反応は、使用ガスにより異なるが、基板１２のエッチングまたはアッシング等を行うことで、上記塗布物と上記反応性ガスとが反応し、上記基板１２の裏面及び周縁領域における塗布物が除去される。そして、上記基板１２と反応して形成された反応生成物は、排気路３２を介して排気装置３４により処理室１０内が排気されることにより除去される。
【０１８０】
このようにして、上記基板１２の裏面及び周縁領域１３の塗布物Ｃが除去できるため、基板の搬送コンベアによる搬送、運搬用カセットに収容することによる運搬の際に、基板の塗布物の割れによるダスト発生が防止できる。このため、基板上のパーティクル付着を抑止し、基板製造工程での歩留りを向上することができる。
【０１８１】
以上本発明を簡単に説明したが、本発明はいずれの実施の形態の不要物除去においても、液晶製造技術のみでなく半導体製造技術等、基板表面の不要物を除去することが必要な工程を含む技術において適用することができる。
【０１８２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１の不要物除去装置の概略図である。
【図２】本発明による第１の不要物除去装置の要部斜視図である。
【図３】本発明による第２の不要物除去装置の概略図である。
【図４】本発明による第３の不要物除去装置の概略図である。
【図５】本発明による第４の不要物除去装置の概略図である。
【図６】本発明による第５の不要物除去装置の概略図である。
【図７】本発明による第６の不要物除去装置の概略図である。
【図８】本発明による第７の不要物除去装置の要部斜視図である。
【図９】本発明による第８の不要物除去装置の概略図である。
【図１０】本発明による第９の不要物除去装置の概略図である。
【図１１】本発明による第１０の不要物除去装置の概略図である。
【図１２】基板の周縁領域を説明するための図である。
【符号の説明】
１０ 処理室
１１ 中央領域
１２ 基板
１３ 周縁領域
１４ 吸着治具
１５ ステージ
１６ 回転テーブル
１８ プラズマ発生源
２０ 第１電極
２２ 第２電極
２３ 誘電体管
２４ 高周波電源
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ 絶縁体
２８ ガス供給装置
２９ａ，２９ｂ ガス供給路
３０ Ｘ−Ｙテーブル
３０ａ 第１パーツ
３０ｂ 第２パーツ
３２ 排気路
３４ 排気装置
３６ａ，３６ｂ 移動体
３７ａ，３７ｂ ガイド
３８ カバー部材
３９ 開口部
４０ 第３電極
４１ 開口部
４２ 第４電極
５０ 第５電極
５２ メッシュ状電極
５４ 誘電体多孔板
６０ 第６電極
７０ 第７電極
Claims (30)
- 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の、周縁の不要物を除去する方法において、
処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して該基板を回転可能に支持する支持手段にて上記基板を支持し、
第１プラズマ発生用電極と第２プラズマ発生用電極にて構成され、上記基板の裏面側に配設されたプラズマ発生手段にて、上記第１プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第２プラズマ発生用電極に他方の電位の電圧を印加することで、上記第１プラズマ発生用電極，上記第２プラズマ発生用電極間において大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを生成し、
上記プラズマ発生手段を上記基板と平行に移動させることにより、上記基板の周縁領域に沿って上記プラズマ発生手段を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板の裏面側より上記周縁領域に吹きつけて、上記基板周縁の不要物を除去することを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の、周縁の不要物を除去する方法において、
処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して該基板を回転可能に支持する支持手段にて上記基板を支持し、
第１プラズマ発生用電極と第２プラズマ発生用電極にて構成され、上記基板の裏面側に配設されたプラズマ発生手段にて、上記第１プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第２プラズマ発生用電極に他方の電位の電圧を印加することで、上記第１プラズマ発生用電極，上記第２プラズマ発生用電極間において大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを生成し、
上記プラズマ発生手段を上記基板と平行に移動させることにより、上記基板の周縁領域に沿って上記プラズマ発生手段を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板の裏面側より上記周縁領域に吹きつけて、上記基板周縁の不要物を除去するとともに、上記基板の表面側に上記活性化されたガスが回りこむことを規制するための、カバー部材を設けたことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項２において、
上記カバー部材の開口部から上記基板の表面側にガスを供給し、上記基板の表面側に、上記活性化されたガスが回りこむことを規制したことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
上記プラズマ発生手段は、上記基板の上記周縁領域への上記ガスの吹きつけ方向が調整可能であることを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の、周縁の不要物を除去する方法において、
処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して該基板を回転可能に支持する支持手段にて上記基板を支持し、
上記基板の裏面側に配置され、一方の電位の電圧が印加される第３プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第４プラズマ発生用電極と、により構成されるプラズマ発生手段にて、上記第３プラズマ発生用電極，上記第４プラズマ発生用電極間において、大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを局所的に生成し、
上記第３プラズマ発生用電極を上記基板と平行に移動させることにより、上記基板の周縁領域に沿って上記第３プラズマ発生用電極を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらすことにより、上記基板周縁の不要物を除去することを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項５において、
上記第４プラズマ発生用電極の開口部から上記基板の表面側にガスを供給し、上記基板 の表面側に、上記活性化されたガスが回りこむことを規制したことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極は、上記基板の側面に対して進退する方向およびこの方向と直行する方向の少なくとも一方に移動が可能な支持部により支持されることを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
平面形状が矩形である上記基板の不要物除去方法において、
まず、基板の側面に対して進退する方向に移動が可能な支持部にて、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて基板周縁の不要物の除去開始位置を設定し、
ついで、上記方向と直行する方向に移動が可能な支持部にて上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極を移動させて、基板周縁の一辺の不要物を活性化されたガスにさらすことにより該不要物を除去し、
ついで、上記支持手段にて上記基板を回転させて方向変換を行ない、
以後は上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極の移動および基板の回転を繰り返すことにより基板の各辺の周縁領域の不要物を除去することを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
平面形状が円形あるいは略円形である上記基板の不要物除去方法において、
まず、基板の側面に対して進退する方向に移動が可能な支持部にて上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生電極を移動させて、基板周縁の不要物の除去開始位置を設定し、
ついで、上記支持手段にて上記基板を所定の速度で回転させ、上記プラズマ発生手段により基板周縁の不要物を活性化されたガスにさらすことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、
処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して該基板を回転可能に支持する支持手段にて上記基板を支持し、
誘電体多孔体を有する第５プラズマ発生用電極と、複数の開口部を有する第６プラズマ発生用電極とを有する、上記基板の裏面側に配設されるプラズマ発生手段において、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有し、上記第５プラズマ発生用電極に一方の電位の電圧を印加し、上記第６プラズマ発生用電極に他方の電位を印加して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成し、
上記プラズマにより活性化されたガスを上記基板を回転させながら周縁領域および裏面に吹きつけて、少なくとも上記基板の周縁の不要物を除去することを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１０において、
上記基板の表面側に、上記活性化されたガスが回りこむことを規制するための、カバー部材を設けたことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１１において、
上記カバー部材の開口部から上記基板の表面側にガスを供給し、上記基板の表面側に、上記活性化されたガスが回りこむことを規制したことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する方法において、
処理室内に設けられ、上記基板の裏面側のみと接触して支持する支持手段にて上記基板を支持し、
上記基板の裏面側に設けられ、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有する第７プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有する第８プラズマ発生用電極と、により構成されるプラズマ発生手段にて、上記第７プラズマ発生用電極に一方の電圧を印加し、上記第８プラズマ発生用電極に他方の電位を印加して、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成し、
上記プラズマにより活性化されたガスに、上記基板の周縁領域および裏面をさらすことにより、少なくとも上記周縁領域の不要物を除去するとともに、上記第８プラズマ発生用電極により上記活性化されたガスが、上記基板表面に回りこむことを規制したことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１３において、
上記第８プラズマ発生用電極の開口部から上記基板の表面側にガスを供給し、上記基板の表面側に、上記活性化されたガスが回りこむことを規制したことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１０乃至１４のいずれかにおいて、
平面的に見て上記基板の径よりも大きい径を有する領域で、上記プラズマによって活性化されたガスを生成することを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 請求項１３乃至１５のいずれかにおいて
上記支持手段により、上記基板が回転可能なことを特徴とする基板周縁の不要物除去方法。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、
処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を回転可能に支持する支持手段と、
一方の電位の電圧が印加される第１プラズマ発生用電極と、他方の電位の電圧が印加される第２プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、
上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、
上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、を含み、
上記プラズマ発生手段は、上記基板と平行に移動が可能な支持部により支持され、
上記プラズマ発生手段を上記基板の周縁領域に沿って相対的に移動させながら、上記基板へ活性化されたガスを吹きつけることを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、
処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を回転可能に支持する支持手段と、
一方の電位の電圧が印加される第１プラズマ発生用電極と、他方の電位の電圧が印加される第２プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、
上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、
上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、
上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する面を有するカバー部材と、を含み、
上記プラズマ発生手段は、上記基板と平行に移動が可能な支持部により支持され、
上記プラズマ発生手段を上記基板の周縁領域に沿って相対的に移動させながら、上記基板へ活性化されたガスを吹きつけるとともに、上記基板の表面側に上記活性化されたガスが回り込むことを規制することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項１８において、
上記カバー部材は開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項１７乃至１９のいずれかにおいて、
上記プラズマ発生手段は、角度調節手段によって、上記基板の上記周縁領域への上記ガ スの吹きつけ方向が調整可能であることを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、
処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を回転可能に支持する支持手段と、
上記基板の裏面側に配置され、一方の電位の電圧が印加される第３プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第４プラズマ発生用電極とにより構成され、大気圧またはその近傍の圧力下で上記電極面に対して局所的にプラズマを生成するプラズマ発生手段と、
上記プラズマの生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、
上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を強制的に排気する排気手段と、を含み、
上記プラズマ発生手段は、上記基板と平行に移動が可能な支持部により支持され、
上記基板の周縁領域に沿って、上記第３プラズマ発生用電極を相対的に移動させながら、上記プラズマにより活性化されたガスに上記周縁領域をさらすことを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項２１において、
上記第４プラズマ発生用電極は、開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項１７乃至２２のいずれかにおいて、移動可能な、上記プラズマ発生手段または上記第３プラズマ発生用電極は、上記基板の側面に対して進退する方向およびこの方向と直交する方向の少なくとも一方に移動が可能な支持部により支持されることを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。
- 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、
処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を回転可能に支持する支持手段と、
一方の電位の電圧が印加され、かつ誘電体多孔体を有する第５プラズマ発生用電極と、複数の開口部を有し、少なくとも上記基板の裏面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第６プラズマ発生用電極とにより構成され、上記基板の裏面側に配設される、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、
上記プラズマ生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、
上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を排気する排気手段と、を含むことを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項２４において、
上記基板の表面側に設けられ、少なくとも上記基板の表面に対向する面を有するカバー部材を有することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項２５において、
上記カバー部材は開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 表面側中央領域に有効な層が形成された基板の周縁の不要物を除去する不要物除去装置であって、
処理室内に配置され、上記基板の裏面側のみと接触して、上記基板を支持する支持手段と、
上記基板の裏面側に設けられ、少なくとも基板の裏面に対向する電極面を有し、一方の電位の電圧が印加される第７プラズマ発生用電極と、上記基板の表面側に設けられて、少なくとも上記基板の表面に対向する電極面を有し、他方の電位の電圧が印加される第８プラズマ発生用電極と、により構成され、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを生成するプラズマ発生手段と、
上記プラズマ生成に使用するガスを供給するガス供給手段と、
上記基板へのプラズマ処理時に上記処理室を排気する排気手段と、を含み、
上記第８プラズマ発生電極により前記活性化されたガスが、前記基板表面に回りこむことを規制したことを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項２７において、
上記支持手段は、基板を回転させる回転部を含むことを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項２４乃至２８のいずれかにおいて、
上記プラズマ発生手段は、そのプラズマ発生領域の外縁が上記基板の側面部よりも外側に位置することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。 - 請求項２７乃至２９のいずれかにおいて、上記第８プラズマ発生用電極は、開口部を有し、この開口部を介して上記基板表面にプラズマの生成を抑止するガスを供給することを特徴とする基板周縁の不要物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35559996A JP3629862B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 基板周縁の不要物除去方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35559996A JP3629862B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 基板周縁の不要物除去方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189515A JPH10189515A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3629862B2 true JP3629862B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=18444811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35559996A Expired - Lifetime JP3629862B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 基板周縁の不要物除去方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3629862B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002016049A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP2002334862A (ja) | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造方法に用いる半導体基板の洗浄装置 |
| US6936546B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-08-30 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates |
| CN100511583C (zh) | 2003-03-06 | 2009-07-08 | 积水化学工业株式会社 | 等离子加工装置 |
| EP1833078B1 (en) * | 2004-07-09 | 2013-03-20 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Apparatus and method for processing the outer periphery of a substrate |
| US8083890B2 (en) * | 2005-09-27 | 2011-12-27 | Lam Research Corporation | Gas modulation to control edge exclusion in a bevel edge etching plasma chamber |
| JP5016223B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2012-09-05 | 積水化学工業株式会社 | 基材外周処理装置 |
| US7967996B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Process for wafer backside polymer removal and wafer front side photoresist removal |
| US20080179007A1 (en) | 2007-01-30 | 2008-07-31 | Collins Kenneth S | Reactor for wafer backside polymer removal using plasma products in a lower process zone and purge gases in an upper process zone |
| JP5048552B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
| WO2009009606A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for centering a substrate in a process chamber |
| US8329593B2 (en) * | 2007-12-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing polymer from the wafer backside and edge |
| CN102197463B (zh) * | 2008-11-13 | 2015-09-30 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP35559996A patent/JP3629862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10189515A (ja) | 1998-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100375080B1 (ko) | 기판주변의 불필요물 제거 방법 및 장치와 이를이용한도포방법 | |
| JP3629862B2 (ja) | 基板周縁の不要物除去方法およびその装置 | |
| US7056416B2 (en) | Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus | |
| JPWO2003071591A1 (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
| EP0416646A2 (en) | Apparatus and method for processing substrates | |
| JPH08222548A (ja) | プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法 | |
| KR101094679B1 (ko) | 기판 프로세싱 장치 및 방법 | |
| KR100712224B1 (ko) | 냉각 유로 | |
| JP2002170815A (ja) | 表面処理装置及び表面処理方法 | |
| WO2020188958A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US6792957B2 (en) | Wet etching apparatus and method | |
| JP4111375B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| TWI807413B (zh) | 基板處理方法 | |
| TWI810825B (zh) | 一種清潔晶圓、等離子體處理裝置和處理方法 | |
| JPS61141144A (ja) | ウエハ−処理装置におけるクリ−ニング機構 | |
| WO2024024922A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| KR100712225B1 (ko) | 정전척 | |
| JP2506389B2 (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 | |
| JPH07302745A (ja) | 塗布方法および装置 | |
| JPH0159734B2 (ja) | ||
| JP3251439B2 (ja) | エッチング方法 | |
| KR960008894B1 (ko) | 애슁(Ashing)방법 | |
| KR101676765B1 (ko) | 마스크 프리 건식 식각 장치 및 건식 식각 방법 | |
| CN115963700A (zh) | 一种消除金属层光刻返工印迹的方法 | |
| KR100297152B1 (ko) | 반도체장치의제조방법및그제조방법에사용되는장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040615 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040812 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041124 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041207 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |