JPS5837924A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPS5837924A JPS5837924A JP13582581A JP13582581A JPS5837924A JP S5837924 A JPS5837924 A JP S5837924A JP 13582581 A JP13582581 A JP 13582581A JP 13582581 A JP13582581 A JP 13582581A JP S5837924 A JPS5837924 A JP S5837924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- gas
- etching
- electrode
- etching gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマエツチング装置の改良に関するもので
ある。
ある。
半導体装置のＩＣやＬＳＩ等を製造する場合、製造工程
で一般にフォトマスクが用いられている。
で一般にフォトマスクが用いられている。
このようなフォトマスクを製造する場合、まずガラス基
板上にクロム（Ｃｒ）等の金属膜を蒸着によって被着形
成する。その後肢基板上に例えばネガ型のフォトレジス
ト膜を塗布したのち所定パターンに該ホトレジスト膜を
電子ビーム露光法等を用いて露光する。その後未露光部
分のホトレジスト膜をホトレジスト膜除去液で除去し所
望のパターンのホトレジスト膜を形成する。その後該パ
ターンニングしたホトレジスト膜をマスクとして下部の
Ｃｒの金属膜の不要部分をエツチングして所定パターン
のＣｒの金属膜を形成してマスクパターンを得ている。
板上にクロム（Ｃｒ）等の金属膜を蒸着によって被着形
成する。その後肢基板上に例えばネガ型のフォトレジス
ト膜を塗布したのち所定パターンに該ホトレジスト膜を
電子ビーム露光法等を用いて露光する。その後未露光部
分のホトレジスト膜をホトレジスト膜除去液で除去し所
望のパターンのホトレジスト膜を形成する。その後該パ
ターンニングしたホトレジスト膜をマスクとして下部の
Ｃｒの金属膜の不要部分をエツチングして所定パターン
のＣｒの金属膜を形成してマスクパターンを得ている。
ところでこのようなマスクの製造工程において微細な空
気中の塵や、あるいは金属膜をエツチングする際にエツ
チングによって除去されたＣｒの金属膜のガラス基板へ
の再付着といった現象が生じ、これらが原因となって異
物となってマスクのガラス基板上に付着する不都合が生
じる。
気中の塵や、あるいは金属膜をエツチングする際にエツ
チングによって除去されたＣｒの金属膜のガラス基板へ
の再付着といった現象が生じ、これらが原因となって異
物となってマスクのガラス基板上に付着する不都合が生
じる。
そこでこれらのＣｒの金属等の異物を除去するために例
えばＣｒの金属膜のマスクパターンと前記異物を有する
ガラス基板上に例えばポジ型のホトレジスト膜を塗布し
たのち、前記異物が付着している部分上のホトレジスト
族を局部的に露光してから該露光したレジスト膜を除去
して、異物を露出させ該異物を四塩化炭素＜ＣＣｔρガ
スをエツチングガスとして前記異物を露光したホトレジ
スト膜と共にプラズマエツチング法で除去していた。
えばＣｒの金属膜のマスクパターンと前記異物を有する
ガラス基板上に例えばポジ型のホトレジスト膜を塗布し
たのち、前記異物が付着している部分上のホトレジスト
族を局部的に露光してから該露光したレジスト膜を除去
して、異物を露出させ該異物を四塩化炭素＜ＣＣｔρガ
スをエツチングガスとして前記異物を露光したホトレジ
スト膜と共にプラズマエツチング法で除去していた。
しかしこのような方法であると、プラズマエ。
チングの際に正規なマスクパターン上に被着しているホ
トレジスト膜が硬化し、該硬化したホトレジスト膜をレ
ジスト除去剤で除去しようとしても除去できないといっ
た欠点を生じていた。
トレジスト膜が硬化し、該硬化したホトレジスト膜をレ
ジスト除去剤で除去しようとしても除去できないといっ
た欠点を生じていた。
本発明は上述した欠点を除去し、試料のエツチングした
い箇所のみ選択的にエツチングできるような新規なプラ
ズマエツチング装置の提供を目的とするものである。
い箇所のみ選択的にエツチングできるような新規なプラ
ズマエツチング装置の提供を目的とするものである。
かかる目的を達成するためのプラズマエツチング装置は
試料を設置する試料設置台と該試料設置台に対向配置さ
れている電極と、前記試料設置台と電極とを収容する密
閉容器とがらなり、前記試料設置台に試料を設置してか
ら電極と共に密閉容器に収容し、該容器内を真空に排気
してから試料をエツチングするエツチングガスを導入し
、前記試料設置台と電極間に高電圧を印加して導入した
ガスをプラズマ化して試料をエツチングするプラズマエ
ツチング装置において、前記電極を構成する部材に複数
のエツチングガスの通過孔を設け、前記試料のエツチン
グすべき所定の箇所にのみ、前記通過孔を介してエツチ
ングガスを導入して前記試料を選択的にエツチングする
ことを特徴とするものである。
試料を設置する試料設置台と該試料設置台に対向配置さ
れている電極と、前記試料設置台と電極とを収容する密
閉容器とがらなり、前記試料設置台に試料を設置してか
ら電極と共に密閉容器に収容し、該容器内を真空に排気
してから試料をエツチングするエツチングガスを導入し
、前記試料設置台と電極間に高電圧を印加して導入した
ガスをプラズマ化して試料をエツチングするプラズマエ
ツチング装置において、前記電極を構成する部材に複数
のエツチングガスの通過孔を設け、前記試料のエツチン
グすべき所定の箇所にのみ、前記通過孔を介してエツチ
ングガスを導入して前記試料を選択的にエツチングする
ことを特徴とするものである。
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明のプラズマエツチングｉｔの概略図で、
第２図は該装置を構成する電極を下部方向から見た平面
図である。
第２図は該装置を構成する電極を下部方向から見た平面
図である。
図示するように本発明のプラズマエツチング装置はペル
ジャー等の密閉容ＩＩＩ内に円板状の例えば銅のような
金属製の電極２とやは９円板状の例えば鋼のような金属
製の試料設置台３とが対向配置して設置されている。前
記電極にはペルジャー内に導入されるエツチングガスが
通過する通過孔４Ａ、 ４Ｂ、 ４Ｃ，４Ｄ・・・・・
・が所定のパターンで形成され、該円板状の電極の底面
から途中で屈曲して側面へ延びるようにして形成されて
いる。
ジャー等の密閉容ＩＩＩ内に円板状の例えば銅のような
金属製の電極２とやは９円板状の例えば鋼のような金属
製の試料設置台３とが対向配置して設置されている。前
記電極にはペルジャー内に導入されるエツチングガスが
通過する通過孔４Ａ、 ４Ｂ、 ４Ｃ，４Ｄ・・・・・
・が所定のパターンで形成され、該円板状の電極の底面
から途中で屈曲して側面へ延びるようにして形成されて
いる。
ここで正規な金属膜のマスクパターン５と不要なＣｒの
金属よりなる異物６とを有するガラス基板７上に例えば
ポジ型のホトレジスト膜８を塗布し異物６上のホトレジ
スト膜を局部的に露光してから該露光したホトレジスト
膜を除去して異物を露出してから該ガラス基板を試料設
置台３上に設置する。その後肢べｐジャー内を排気パル
プ９を開いて真空ポンプ（図示せず）によって１０−’
Ｔｏｒｒの真空度になるまで排気してから排気パルプ
９を閉じる。
金属よりなる異物６とを有するガラス基板７上に例えば
ポジ型のホトレジスト膜８を塗布し異物６上のホトレジ
スト膜を局部的に露光してから該露光したホトレジスト
膜を除去して異物を露出してから該ガラス基板を試料設
置台３上に設置する。その後肢べｐジャー内を排気パル
プ９を開いて真空ポンプ（図示せず）によって１０−’
Ｔｏｒｒの真空度になるまで排気してから排気パルプ
９を閉じる。
その後エツチングガス通過孔４ＤよりＣＣｔ４ガスを導
入するようにして該電極と試料設置台間に高周波電圧を
印加して導入されたＣＣｔ、ガスをガスプラズマ化し該
ガスプラズマを異物６上に照射するようにして該異物を
プラズマエツチングして除去する。
入するようにして該電極と試料設置台間に高周波電圧を
印加して導入されたＣＣｔ、ガスをガスプラズマ化し該
ガスプラズマを異物６上に照射するようにして該異物を
プラズマエツチングして除去する。
このようにガス通過孔４ＤのみからＣＣｔ４ガスを照射
するには電極の底面から側面に開孔されたガス通過孔４
Ａ、 ４Ｂ、 ４Ｃ，４Ｄ・・−・・に適当な配管を接
続してペルジャー１の外部に導きソレノイドパルプを介
してＣｃｔ４ガスボンベと連結し、例えばガス通過孔４
ＤＧ二連なるソレノイドパルプのみを選択的に動作させ
て通過孔４ＤよりＣＣ２４ガスを異物６上に選択的に照
射するとよい。
するには電極の底面から側面に開孔されたガス通過孔４
Ａ、 ４Ｂ、 ４Ｃ，４Ｄ・・−・・に適当な配管を接
続してペルジャー１の外部に導きソレノイドパルプを介
してＣｃｔ４ガスボンベと連結し、例えばガス通過孔４
ＤＧ二連なるソレノイドパルプのみを選択的に動作させ
て通過孔４ＤよりＣＣ２４ガスを異物６上に選択的に照
射するとよい。
このようをこすれば基板上に形成された不要な異物の部
分のみがエツチングされるようになって容易に異物が除
去できる。
分のみがエツチングされるようになって容易に異物が除
去できる。
また本発明のプラズマエツチング装置はエツチングガス
の種類を変えるごとでアルミニウム（Ａ４のような酸線
膜や、二酸化シリコン（Ｓｉｎ、） 膜等も所望の箇処
のみ選択的にエツチングできるので半導体装置の製造工
程に利用できる利点がある。
の種類を変えるごとでアルミニウム（Ａ４のような酸線
膜や、二酸化シリコン（Ｓｉｎ、） 膜等も所望の箇処
のみ選択的にエツチングできるので半導体装置の製造工
程に利用できる利点がある。
第１図は本発明のプラズマエツチング装置の概略図で第
２図は該装置を構成する電極を下部方向から見た平面図
である。 図において１は密閉容器、２は電極、３は試料支持台、
４Ａ、 ４Ｂ、 ４Ｃ，４Ｄ・・曲は通過孔、５はマス
クパターン、６は異物、７はガラス基板、８はホトレジ
スト膜、９は排気パルプを示す。 第１閃 第２閃
２図は該装置を構成する電極を下部方向から見た平面図
である。 図において１は密閉容器、２は電極、３は試料支持台、
４Ａ、 ４Ｂ、 ４Ｃ，４Ｄ・・曲は通過孔、５はマス
クパターン、６は異物、７はガラス基板、８はホトレジ
スト膜、９は排気パルプを示す。 第１閃 第２閃
Claims (1)
- 内配置されている電極と前記試料設置台と電極とを収容
する密閉容器とからなり、前記試料設置台に試料を設置
してから電極と共に密閉容器に収容し、該容器内を真空
に排気してから試料をエツチングするエツチングガスを
導入し、前記試料設置台と電極間に高電圧を印加して導
入したガスをガｘ ７’ ９ スｖ化して試料をエツチ
ングするプラズマエツチング装置において、前記電極を
構成する部材に複数のエツチングガスの通過孔を設け、
前記試料のエツチングすべき所定の箇処にのみ、前記通
過孔を介してエツチングガスな導入して前記試料を選択
的にエツチングすることを特徴とするプラズマエツチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13582581A JPS5837924A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13582581A JPS5837924A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837924A true JPS5837924A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0159734B2 JPH0159734B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15160667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13582581A Granted JPS5837924A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837924A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56118208A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Furukawa Electric Co Ltd | Aerial transmission line |
| JPS63157422A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Tokyo Electron Ltd | アッシング処理装置 |
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
| JP2009241862A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo (Shi) Construction Machinery Co Ltd | 建設機械の熱交換装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13582581A patent/JPS5837924A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56118208A (en) * | 1980-02-22 | 1981-09-17 | Furukawa Electric Co Ltd | Aerial transmission line |
| JPS63157422A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Tokyo Electron Ltd | アッシング処理装置 |
| US5837093A (en) * | 1992-01-17 | 1998-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for performing plain etching treatment |
| JP2009241862A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo (Shi) Construction Machinery Co Ltd | 建設機械の熱交換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0159734B2 (ja) | 1989-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4886565A (en) | Reactive ion etching apparatus | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| US4489146A (en) | Reverse process for making chromium masks using silicon dioxide dry etch mask | |
| JPS5837924A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| US6864182B2 (en) | Method of producing large-area membrane masks by dry etching | |
| JPH01166044A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| US20060084274A1 (en) | Edge protection process for semiconductor device fabrication | |
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| US4826754A (en) | Method for anisotropically hardening a protective coating for integrated circuit manufacture | |
| US4122335A (en) | Method and apparatus for mask to wafer gap control in X-ray lithography | |
| JPH02187025A (ja) | エッチング方法及びｘ線リソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| JPH08186100A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPS6110241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6358446A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS59172236A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPH09246235A (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| JP2003068615A (ja) | 転写マスクブランクス、その製造方法、転写マスク、その製造方法及び露光方法 | |
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 | |
| JPH06104287A (ja) | ゲート電極の形成方法 | |
| JPH01306583A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JP3175276B2 (ja) | 反応処理装置 | |
| JPH02236548A (ja) | フォトマスク基板のエッチング方法およびエッチング装置 | |
| JPS59208835A (ja) | 密着露光方法 | |
| JPH0131292B2 (ja) | ||
| JPH01124218A (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 |