CN107424899A - 等离子体处理方法 - Google Patents

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Abstract

等离子体处理装置的等离子体处理方法目的在于在容许范围内降低倾斜角度的变化量。该等离子体处理装置包括：可真空排气的处理容器；载置被处理基板的下部电极；配置于下部电极周围的聚焦环；与下部电极相对设置的内侧上部电极；与内侧上部电极电绝缘且配置于其外侧的外侧上部电极；在内侧与外侧上部电极之间配置于聚焦环的上方的石英部件；向内侧和外侧上部电极与下部电极之间的处理空间供给处理气体的气体供给部；通过高频放电向下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极施加用于生成处理气体的等离子体的第一高频电力的第一高频供电部；向外侧上部电极施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；和控制第一直流电压以降低倾斜角度变化量的控制部。

Description

等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及等离子体处理方法。
背景技术
在等离子体处理装置中，生成均匀的等离子体并实现均匀的处理是重要的。因此，提案了例如在平行平板型的等离子体处理装置中，将上部电极分为外侧和内侧，分别施加直流电压，控制等离子体密度而实现均匀的处理的技术(例如，参照专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009－239012号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
在即使对等离子体密度进行控制、处理也会变得不均匀的一个现象中，存在所谓的倾斜(Tilting)。倾斜是在等离子体处理装置中对被对象膜进行蚀刻时，应该被蚀刻成垂直的孔或线的形状发生倾斜的现象。倾斜的发生原因在于：因被处理基板的外周部和设置于被处理基板的外侧的环状的聚焦环的结构和材质的不同，在被处理基板的外周部的上部和聚焦环的上部形成的等离子体鞘层(以下，称为“鞘层”。)的厚度不同。即，因鞘层的厚度不同而在等离子体与鞘层的界面发生倾斜，在倾斜部分，离子的入射角变倾斜，因此孔等的蚀刻形状的垂直性受到妨碍，发生倾斜。
进一步而言，由于聚焦环的消耗的经时变化，被处理基板的外周部的上部与聚焦环的上部的鞘层的界面的倾斜发生变动，从而离子的入射角发生变动，倾斜的状态改变。倾斜的倾斜角度超过容许值时，由于蚀刻形状恶化，因而成品率降低。因此，需要在倾斜的倾斜角度超过容许值之前更换聚焦环。换言之，当倾斜角度的变化量变小时，即使存在聚焦环的消耗的经时变化也不需要更换聚焦环。其结果是，聚焦环的寿命延长。
针对上述课题，在一个方面，本发明的目的在于：在容许范围内降低倾斜角度的变化量。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种用于等离子体处理装置的等离子体处理方法，该等离子体处理装置包括：能够真空排气的处理容器；在上述处理容器内载置被处理基板的下部电极；配置于上述下部电极的周围的聚焦环；在上述处理容器内与上述下部电极相对配置的内侧上部电极；在上述处理容器内与上述内侧上部电极电绝缘且配置于该内侧上部电极的外侧的外侧上部电极；配置在上述内侧上部电极与上述外侧上部电极之间且配置于上述聚焦环的上方的石英部件；向上述内侧上部电极和上述外侧上部电极与上述下部电极之间的处理空间供给处理气体的气体供给部，通过高频放电向上述下部电极或者上述内侧上部电极和上述外侧上部电极施加用于生成上述处理气体的等离子体的第一高频电力的第一高频供电部；向上述外侧上部电极施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；和对上述第一直流电压进行控制的控制部，上述控制部对上述第一直流电压进行控制以降低倾斜角度的变化量。
发明效果
根据一个方面，能够在容许范围内降低倾斜角度的变化量。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的纵剖面的一个例子的图。
图2是表示一个实施方式所涉及的石英部件的有无和倾斜的结果的一个例子的图。
图3是表示一个实施方式所涉及的外侧DC的控制和倾斜的结果的一个例子的图。
图4是表示一个实施方式所涉及的与外侧DC的控制相对应的等离子体的电子密度的一个例子的图。
图5是表示一个实施方式所涉及的与外侧DC的控制相对应的蚀刻速率的一个例子的图。
图6是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理方法的一个例子的流程图。
图7是表示一个实施方式所涉及的使处理与倾斜的容许角度对应而存储的表的一个例子的图。
附图标记说明
1 等离子体处理装置
10 处理容器
11 载置台(下部电极)
14 静电卡盘
15 聚焦环
21 气体喷头(上部电极)
21i 内侧上部电极
21o 外侧上部电极
21d 电极板
21u 电极支承体
21b 电极板
21t 电极支承体
22 石英部件
32 第一高频电源
34 第二高频电源
39 气体供给部
100 控制部。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。其中，在本说明书和附图中，对于实质上相同的构成，标注相同的附图标记而省略重复的说明。
[等离子体处理装置]
首先，参照图1的等离子体处理装置1的纵剖面的一个例子对本发明的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1的构成的一个例子进行说明。在本实施方式中，列举电容耦合型等离子体处理装置作为等离子体处理装置1的一个例子进行说明。利用本实施方式所涉及的等离子体处理装置1执行的等离子体处理没有特别地限定，可以列举对半导体晶片(以下，称为“晶片”。)的蚀刻处理和利用CVD(Chemical Vapor Deposition)法的成膜处理。
等离子体处理装置1具有例如由铝等的导电性材料构成的处理容器10。处理容器10电接地。在处理容器10的内部配置有载置台11。载置台11的台12由支承体13支承，在其上部位置设置有用于静电吸附晶片W的静电卡盘14。静电卡盘14成为在绝缘体14b之间夹着卡盘电极14a的结构。直流电源30与卡盘电极14a连接。从直流电源30向卡盘电极14a供给直流时，会产生库仑力，晶片W被静电卡盘14静电吸附，由此，晶片W被保持在载置台11上。从直流电源30供给的直流电流的接通、断开由开关31控制。
为了提高蚀刻的面内均匀性，在静电卡盘14的外缘部配置有环状的聚焦环15。聚焦环15例如由硅Si形成。
从经由匹配器33连接的第一高频电源32向载置台11施加例如40MHz的第一高频电力。第一高频电力有助于等离子体的生成。另外，从经由匹配器35连接的第二高频电源34向载置台11施加例如13.56MHz的第二高频电力。第二高频电力有助于对晶片W的离子的引入。利用如上的构成，载置台11作为下部电极发挥作用。
匹配器33使第一高频电源32的内部(或者输出)阻抗与来自等离子体侧的负载阻抗匹配。匹配器35使第二高频电源34的内部(或者输出)阻抗与来自等离子体侧的负载阻抗匹配。由此，在处理容器10内生成等离子体时，关于第一高频电源32和第二高频电源34的内部阻抗与负载阻抗表观上是一致的。
在处理容器10的顶面设置有将气体喷淋状地供给处理容器10的内部的气体喷头21。气体喷头21设置有与载置台11平行相对的圆盘状的内侧上部电极21i。在内侧上部电极21i的外侧，与内侧上部电极21i同心状地设置有环状的外侧上部电极21o。内侧上部电极21i位于晶片W的上方，具有与晶片W相同程度的直径。
在内侧上部电极21i与外侧上部电极21o之间，例如插入有环状的石英部件22。通过石英部件22，内侧上部电极21i与外侧上部电极21o相互电绝缘。石英部件22位于聚焦环15的上方，具有与聚焦环15相同程度或其以下的宽度w。外侧上部电极21o比聚焦环15更靠外侧。
在气体喷头21的内部形成有扩散室24和多个气体流路25。从气体供给部39输出的气体通过气体导入口23向扩散室24导入。在扩散室24中扩散的气体通过多个气体流路25从多个气孔26向处理容器10的内部导入。与内侧上部电极21i同样，可以在外侧上部电极21o的内部形成气体流路，也能够从外侧上部电极21o供给气体。
气体喷头21与载置台11相对地平行配置，相对于载置台11的下部电极具有上部电极的作用。在上部电极中，内侧上部电极21i具有与载置台11正面相对的电极板21d和从上可拆卸地支承电极板21d的电极支承体21u。电极板21d的材质优选对处理的影响小并且能够维持良好的DC施加特性的Si或者SiC等的含硅导电材料。电极支承体21u可以由氧化铝膜处理的铝构成。
同样地，外侧上部电极21o具有在电极板21d的外周侧且设置于同一平面内的电极板21b和从上可拆卸地支承电极板21b的电极支承体21t。电极板21b和电极支承体21t的材质可以分别与内侧上部电极21i的电极板21d和电极支承体21u相同。
在处理容器10的外部设置有向外侧上部电极21o输出可变的第一直流电压(以下，也称为“外侧DC”或“Outer DC”。)的可变直流电源40和向内侧上部电极21i输出可变的第二直流电压(以下，也称为“内侧DC”或“Inner DC”。)的可变直流电源41。
可变直流电源40的输出端子经由接通、断开切换开关42和滤波器电路43与外侧上部电极21o电连接。可变直流电源40输出的外侧DC通过滤波器电路43施加给外侧上部电极21o。另一方面，滤波器电路43以使从载置台11通过处理空间P和外侧上部电极21o进入直流供电线路46的高频流向接地线而不流向可变直流电源40侧的方式发挥作用。
可变直流电源41的输出端子经由接通、断开切换开关44和滤波器电路45与内侧上部电极21i电连接。可变直流电源41输出的内侧DC通过滤波器电路45施加给内侧上部电极21i。另一方面，滤波器电路45以使从载置台11通过处理空间P和内侧上部电极21i进入直流供电线路47的高频流向接地线而不流向可变直流电源41侧的方式发挥作用。
其中，可变直流电源40是向外侧上部电极21o施加可变的第一直流电压的第一直流供电部的一个例子。可变直流电源41是向内侧上部电极21i施加可变的第二直流电压的第二直流供电部的一个例子。
在处理容器10的底面形成有排气口28，通过与排气口28连接的排气装置36对处理容器10的内部进行排气。由此，将处理容器10的内部控制在规定的真空度。
在处理容器10的侧壁设置有闸阀27。闸阀27在进行向处理容器10搬入晶片W和从处理容器10搬出晶片W时进行开闭。
等离子体处理装置1设置有对装置整体的动作进行控制的控制部100。控制部100具有CPU(Central Processing Unit)101、ROM(Read Only Memory)102、RAM(RandomAccess Memory)103和HDD(Hard Disk Drive)104。
CPU101按照存储在RAM103或HDD104中的方案执行后述的蚀刻等的所希望的处理。在方案中记载了与处理条件相对的作为装置的控制信息的处理时间、压力(气体的排气)、高频的电力或电压、各种气体流量、腔室内温度(上部电极温度、腔室的侧壁温度、静电卡盘温度等)、冷却器的温度等。其中，这些程序或表示处理条件的方案可以存储在硬盘或半导体存储器中。另外，方案也可以以收容在CD－ROM、DVD等的可移动的能够由计算机读取的存储介质中的状态设置于存储区域的规定位置。
在如上构成的等离子体处理装置1中进行蚀刻处理时，首先，晶片W被以保持在搬送臂上的状态从打开的闸阀27向处理容器10内搬入。闸阀27在搬入晶片W后关闭。处理容器10内的压力利用排气装置36进行减压，由此，处理容器10成为规定的真空状态。
晶片W由推进销保持在静电卡盘14的上方，通过推进销下降而被载置在静电卡盘14上。从直流电源30向静电卡盘14的卡盘电极14a供给所希望的电流，由此，晶片W被静电吸附在静电卡盘14上。
另外，所希望的气体被从气体喷头21向处理容器10内导入，从高频电源32、34向载置台11施加各频率的高频电力。另外，从可变直流电源40向外侧上部电极21o施加外侧DC，从可变直流电源41向内侧上部电极21i施加内侧DC。
导入的蚀刻气体利用高频电力发生解离和电离，由此，生成等离子体。利用生成的等离子体的作用对晶片W进行所希望的等离子体处理。在蚀刻结束后，晶片W被保持在搬送臂上，从打开的闸阀27向处理容器10的外部搬出。
[聚焦环上方的石英部件]
在本实施方式所涉及的等离子体处理装置1中，在聚焦环15的上方设置有石英部件22。图2表示石英部件22的有无与倾斜的结果的一个例子。图2的右侧表示在内侧上部电极21i与外侧上部电极21o之间设置有10mm的石英部件22的本实施方式的构成的聚焦环15的消耗与倾斜的结果的一个例子。图2的左侧表示在内侧上部电极21i与外侧上部电极21o之间不设置石英部件22的比较例的构成的聚焦环15的消耗与倾斜的结果的一个例子。
作为本实验的处理条件，将频率为40MHz的第一高频电力和3.2MHz的第二高频电力施加到下部电极，供给含氟气体而生成等离子体，利用等离子体的作用对氧化硅膜(SiO2)进行蚀刻。另外，向外侧上部电极21o施加500V的外侧DC，向内侧上部电极21i施加500V的内侧DC。
其中，如图2所示，倾斜角度θ是连结孔的剖面形状的开口部的直径(顶部CD：TOPCD)的中心TC和底部的直径(底部CD：BTM CD)的中心BC的线与孔的垂直方向的线所成的角度。当倾斜角度θ为负值时，表示蚀刻形状相对于蚀刻的垂直方向向内侧倾斜，当倾斜角度θ为正值时，表示蚀刻形状相对于蚀刻的垂直方向向外侧倾斜。
在图2的右侧所示的本实施方式所涉及的具有石英部件22时的蚀刻结果中，聚焦环15的消耗时间为0h(新的聚焦环15)时的倾斜角度θ为－0.02(deg)。另外，聚焦环15的消耗时间为200h时的倾斜角度θ为－0.43(deg)。
与之相对，在图2的左侧所示的比较例所涉及的没有石英部件时的蚀刻结果中，聚焦环15的消耗时间为0h时的倾斜角度θ为0.00(deg)，聚焦环15的消耗时间为200h时的倾斜角度θ为－0.63(deg)。另外，在此，计测了晶片W的外周部的半径150mm的附近的倾斜角度θ。
根据以上的说明可知，在聚焦环15的上方设置有石英部件22的本实施方式的结构中，与不设置石英部件22的比较例的结构相比，在聚焦环15消耗的情况下，倾斜角度θ也变小。即可知，在聚焦环15的上方设置有石英部件22的本实施方式的构成中，容易保持孔的蚀刻形状的垂直性。
根据以上的说明，在本实施方式所涉及的等离子体处理装置1中，通过在聚焦环15的上方设置石英部件22，能够使倾斜角度的变化量变小。由此，能够延迟聚焦环15的更换时期。即，根据本实施方式所涉及的等离子体处理装置1，通过在聚焦环15的上方设置石英部件22，能够延长聚焦环15的寿命。
[外侧DC的控制]
接着，对可变地控制外侧DC时的倾斜的结果进行说明。图3表示将向外侧上部电极21o施加的外侧DC(Outer CD)控制为150V、500V、1000V时的倾斜角度θ的结果的一个例子。其中，在本实验中，对外侧DC进行可变地控制，但将向内侧上部电极21i施加的内侧DC固定地控制为500V。
图3的图的横轴表示聚焦环15的消耗时间(h)，纵轴表示晶片外周部的倾斜角度θ。另外，在此，计测了晶片W外周部(半径150mm的附近)的倾斜角度θ(deg)。
图3的直线a表示在聚焦环15的上方不设置石英部件22的比较例(外侧DC500V、内侧DC500V)的情况下的聚焦环15的消耗与倾斜角度θ的关系。
图3的直线b、c、d表示在聚焦环15的上方设置有宽度w为10mm的石英部件22的本实施方式的的情况下的聚焦环15的消耗与倾斜角度的关系。其中，直线b表示将外侧DC控制为500V、将内侧DC控制为500V的情况。直线c表示将外侧DC控制为150V、将内侧DC控制为500V的情况。直线d表示将外侧DC控制为1000V、将内侧DC控制为500V的情况。
从该结果可知，通过对外侧DC进行可变地控制，能够控制倾斜角度。还可知通过对外侧DC进行可变地控制，能够控制倾斜角度的变化量。即，可知在将内侧DC控制为固定电压值的情况下，外侧DC越大，倾斜角度的变化量越小。即，通过对外侧DC进行控制，即使聚焦环15消耗，也能够降低倾斜角度的变动。
因此，考虑到根据处理所容许的倾斜角度不同，控制部100通过在每个处理中改变外侧DC的设定值而在每个处理的容许范围内对倾斜角度进行控制，由此，能够拖延聚焦环15的更换时期，使聚焦环15的寿命变长。
[利用外侧DC的控制的处理控制]
接着，参照图4和图5对利用外侧DC的控制的处理控制进行说明。图4表示本实施方式所涉及的与向外侧上部电极21o施加的外侧DC的控制相对应的等离子体的电子密度Ne的一个例子。图5表示本实施方式所涉及的与向外侧上部电极21o施加的外侧DC的控制相对应的蚀刻速率的一个例子。
作为图4和图5的实验中的处理条件，将频率为40MHz的第一高频电力和3.2MHz的第二高频电力施加给下部电极，并供给含氟气体，生成等离子体，利用等离子体的作用对氧化硅膜进行蚀刻。另外，在向外侧上部电极21o施加500V的外侧DC并向内侧上部电极21i施加500V的内侧DC后，在固定地控制内侧DC的状态下，使外侧DC从500V向1000V发生变化。
图4的图的横轴表示晶片W的径向的位置，纵轴表示等离子体的电子密度Ne。在从中心0mm至半径150mm的位置载置有晶片W。晶片W的外周部为150mm附近。在从中心0mm至半径150mm～175mm的位置设置有环状的聚焦环。从该结果可知，如图4所示，表示设置石英部件22时的等离子体的电子密度Ne的线f1、f2与表示不设置石英部件22时的等离子体的电子密度的线e相比，在晶片W的中心侧(特别在图4的区域A)，在提高外侧DC时变动少，保持了等离子体的电子密度Ne的均匀性。即可知，通过设置石英部件22，能够抑制提高外侧DC时的晶片W的中心侧的等离子体的电子密度Ne的变动，并且能够从晶片W的外周部控制外侧的等离子体的电子密度Ne。
另外，在石英部件22的宽度w为10mm和20mm的任意情况下，对等离子体的电子密度Ne的控制性都能够获得大致相同的效果。
图5的图的横轴表示晶片W的径向的位置，纵轴表示氧化硅膜的蚀刻速率ER。从该结果可知，表示设置石英部件22时的蚀刻速率ER的线h1、h2与表示不设置石英部件22时的蚀刻速率ER的线g相比，在晶片W的中心侧(特别在图5的区域B)，在提高外侧DC时变动少，保持了蚀刻速率ER的均匀性。即可知，通过设置石英部件22，能够抑制提高外侧DC时的晶片W的中心侧的蚀刻速率ER的变动，并且能够控制晶片W的外周部的蚀刻速率ER。
另外，在石英部件22的宽度w为10mm和20mm的任意情况下，对蚀刻速率ER的控制性都能够获得大致相同的效果。
在上述实验中，将向内侧上部电极21i施加的内侧DC控制为500V。这样，通过向内侧上部电极21i施加内侧DC，能够使向外侧上部电极21o施加外侧DC时的对向晶片W的中心侧的蚀刻速率ER和等离子体的电子密度Ne的影响变小。
[等离子体处理方法]
接着，参照图6和图7对使用本实施方式所涉及的等离子体处理装置1进行的等离子体处理方法进行说明。图6是表示本实施方式所涉及的等离子体处理方法的一个例子的流程图。图7是使本实施方式所涉及的处理与倾斜的容许角度对应的表的一个例子。
以下所说明的等离子体处理方法由控制部100的CPU101执行。图7的表存储在控制部100的RAM103或HDD104中，在CPU101执行执行本处理时由CPU101进行参照。
开始图6的处理时，控制部100读取存储在RAM103或HDD104的方案和表(步骤S10)。由此，控制部100对接下来执行的处理和与该处理相对应的倾斜的容许角度进行判定。
接着，控制部100以在与接下来执行的处理对应的倾斜的容许角度内降低倾斜角度θ的变化量的方式，对向外侧上部电极21o施加的外侧DC进行控制(步骤S12)。此时，如图3所示，优选倾斜的容许角度的范围越小，控制部100将向外侧上部电极21o施加的外侧DC控制得越大。
接着，控制部100对向内侧上部电极21i施加的内侧DC进行控制(步骤S14)。在本实施方式中，控制部100对内侧DC进行固定地控制，但也可以进行可变地控制。接着，控制部100对气体的供给、第一和第二高频的电力进行控制(步骤S16)。
接着，控制部100搬入晶片W，执行等离子体处理(步骤S18)。例如，在本实施方式中执行等离子体蚀刻。接着，控制部100对是否结束等离子体处理进行判定(步骤S20)，如果判定为结束，则进入步骤S22。
在步骤S22中，控制部100对倾斜角度θ是否在容许范围内进行判定。在判定为倾斜角度θ在容许范围外的情况下，控制部100输出促使进行聚焦环15的更换的警报，结束本次处理。
另一方面，在步骤S22中，在判定为倾斜角度在容许范围内的情况下，控制部100对是否存在下一个处理进行判定(步骤S24)。在判定为没有下一个处理的情况下，控制部100结束本次处理。另一方面，在判定为存在下一个处理的情况下，控制部100对是否与前一个处理相同进行判定(步骤S26)。在判定为与前一个处理相同的情况下，控制部100返回步骤S14，重复步骤S14以后的处理，实施下一个处理。
另一方面，在步骤S26中判定为与前一个处理不同的情况下，控制部100返回步骤S12。以在对应于接下来执行的处理的倾斜的容许角度内降低倾斜角度θ的变化量的方式，控制部100参照表对向外侧上部电极21o施加的外侧DC进行控制(步骤S12)。接着，控制部100重复步骤S14以后的处理，实施下一个处理。
如以上所说明的那样，利用本实施方式所涉及的等离子体处理方法，控制部100使用在聚焦环15的上方设置有石英部件22的本实施方式所涉及的等离子体处理装置1，以降低倾斜角度θ的变化量的方式对外侧DC进行控制。由此，即使聚焦环15因消耗而发生经时变化，通过使倾斜角度θ的变化量变小，也能够延长聚焦环15的寿命。
另外，利用聚焦环15的上方的石英部件22，通过外侧DC的控制，能够抑制晶片W的中心侧的等离子体的电子密度Ne和蚀刻速率ER发生变动。通过内侧DC的控制，还能够进一步抑制晶片W的中心侧的蚀刻速率ER和等离子体的电子密度Ne分布的变动。
即，根据使用本实施方式所涉及的等离子体处理装置1的等离子体处理方法，主要通过外侧DC的控制，能够抑制晶片W的中心侧的等离子体的均匀性和蚀刻速率的变动，并且能够提高晶片W的外周侧的等离子体的电子密度Ne和蚀刻速率的控制性。另外，通过降低倾斜角度θ的变化量，能够提高蚀刻的垂直性，延迟聚焦环的更换时期，并能够延长聚焦环的寿命。
以上，通过上述实施方式对等离子体处理方法进行了说明，但本发明所涉及的等离子体处理方法并不限定于上述实施方式，在本发明的范围内能够有各种变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内进行组合。
例如，本发明所涉及的等离子体处理方法不仅能够适用于电容耦合型等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)处理装置，而且能够适用于其他的等离子体处理装置。作为其他的等离子体处理装置，可以为电感耦合型等离子体(ICP：InductivelyCoupled Plasma)处理装置、使用径向线隙缝天线的等离子体处理装置、螺旋波激发型等离子体(HWP：Helicon Wave Plasma)处理装置、电子回旋共振等离子体(ECR：ElectronCyclotron Resonance Plasma)处理装置等。
在本说明书中，作为蚀刻对象的基板对晶片W进行了说明，但并不限于此，也可以为用于LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)等的各种基板、光掩模、CD基板、印制电路板等。

Claims (3)

1.一种用于等离子体处理装置的等离子体处理方法，其特征在于：
所述等离子体处理装置包括：
能够真空排气的处理容器；
在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极；
配置于所述下部电极的周围的聚焦环；
在所述处理容器内与所述下部电极相对配置的内侧上部电极；
在所述处理容器内与所述内侧上部电极电绝缘且配置于该内侧上部电极的外侧的外侧上部电极；
配置在所述内侧上部电极与所述外侧上部电极之间且配置于所述聚焦环的上方的石英部件；
向所述内侧上部电极和所述外侧上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体的气体供给部；
通过高频放电向所述下部电极或所述内侧上部电极和所述外侧上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的第一高频电力的第一高频供电部；
向所述外侧上部电极施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；和
对所述第一直流电压进行控制的控制部，
所述控制部对所述第一直流电压进行控制以降低倾斜角度的变化量。
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述等离子体处理装置包括向所述内侧上部电极施加可变的第二直流电压的第二直流供电部。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述控制部参照将处理的种类和倾斜的容许角度建立了对应的存储部，对所述第一直流电压进行控制以在与执行的处理对应的所述倾斜的容许角度内降低倾斜角度的变化量。
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