CN106997841A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106997841A
CN106997841A CN201710029742.0A CN201710029742A CN106997841A CN 106997841 A CN106997841 A CN 106997841A CN 201710029742 A CN201710029742 A CN 201710029742A CN 106997841 A CN106997841 A CN 106997841A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
deposit
mounting table
board treatment
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710029742.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106997841B (zh
Inventor
松浦伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN106997841A publication Critical patent/CN106997841A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106997841B publication Critical patent/CN106997841B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种使工艺的生产率提高的基板处理装置。基板处理装置(10)包括腔室(1)、载置台(2)、底座(100)、排气口(83)以及沉积物捕集零件(20)。载置台(2)设于腔室(1)内，用于载置半导体晶圆(W)。底座(100)从下方支承载置台(2)。排气口(83)配置于底座(100)的下方。沉积物捕集零件(20)设于底座(100)的下表面，用于收集腔室(1)内的沉积物。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明的各种方面和实施方式涉及基板处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，可利用供给到腔室内的处理气体对被处理基板进行蚀刻、成膜等各种处理。对被处理基板进行的处理的精度较大程度地依赖于腔室内的压力、温度等条件。另外，即使腔室内的压力、温度等是恒定的，若压力、温度等在被处理基板的面上产生偏差，则处理的精度也在被处理基板的面上产生不均。
为了避免这点，公知有针对腔室内的被处理基板对称地配置排气口的技术(例如，参照下述的专利文献1～4)。由此，处理的均匀性在被处理基板的面内得以提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013－179054号公报
专利文献2：日本特开2011－003704号公报
专利文献3：日本特开2015－141908号公报
专利文献4：日本特开2007－242777号公报
发明内容
发明要解决的问题
不过，从腔室内排出的处理气体含有被称为沉积物的反应副产物的颗粒。这样的沉积物在排气的过程中附着于排气路径的侧壁、与排气路径连接的排气泵内。若附着于排气泵的沉积物变多，则排气泵的排气能力降低，难以将腔室内保持在预定的压力。因此，为了清除已附着到排气泵内的沉积物，需要定期地将排气泵分解来进行清洗。若进行排气泵的清洗，则工艺停止直到排气泵的清洗结束为止，工艺的生产率降低。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案是基板处理装置，其具有腔室、载置台、底座、排气口以及收集构件。载置台设于腔室内，用于载置被处理基板。底座从下方支承载置台。排气口配置于底座的下方。收集构件设于底座的下表面，用于收集腔室内的沉积物。
发明的效果
根据本发明的各种技术方案和实施方式，能够使工艺的生产率提高。
附图说明
图1是表示基板处理装置的一个例子的剖视图。
图2是示意性地表示腔室和载置台的位置关系的一个例子的图。
图3是示意性地表示图2所示的腔室的A－A截面的一个例子的图。
图4是示意性地表示图2所示的腔室的B－B截面的一个例子的图。
图5是表示绝缘性构件的下表面上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。
图6是表示沉积屏蔽件上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。
图7是表示挡板上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。
图8是表示设于载置台的外侧壁的沉积屏蔽件上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。
图9是表示沉积物捕集零件的配置的另一例的示意图。
图10是示意性地表示图9所示的腔室的B－B截面的一个例子的图。
图11是表示沉积物捕集零件的配置的又一例的示意图。
附图标记说明
W、半导体晶圆；10、基板处理装置；1、腔室；2、载置台；2a、下部电极；3a、内壁构件；4、基材；5、聚焦环；6、静电卡盘；6b、上表面；16、上部电极；16a、顶板支承部；16b、上部顶板；18、冷却装置；20、沉积物捕集零件；45、绝缘性构件；72、挡板；80、APC；81、盖体；82、支承棒；83、排气口；84、排气装置；85、排气空间；86、排气路径；87、窗；100、底座；101、支承梁；102、空间。
具体实施方式
在1个实施方式中，所公开的基板处理装置具有腔室、载置台、底座、排气口以及收集构件。载置台设于腔室内，用于载置被处理基板。底座从下方支承载置台。排气口配置于底座的下方。收集构件设于底座的下表面，用于收集腔室内的沉积物。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，腔室的内侧壁是大致圆筒形状，也可以是，底座由从腔室的内侧壁向靠近内侧壁的中心轴线的方向延伸的多个支承梁支承。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，收集构件还配置于底座的侧面、支承梁的上表面、侧面和下表面中的至少任一个面。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，载置台具有大致圆筒形状的外侧壁。另外，也可以是，排气口是大致圆筒形状。另外，也可以是，腔室、载置台以及排气口配置成，载置到载置台的被处理基板的中心轴线与腔室的内侧壁的中心轴线、载置台的外侧壁的中心轴线以及排气口的中心轴线一致。另外，也可以是，多个支承梁配置成，载置到载置台的被处理基板的中心轴线经过多个支承梁的配置的中心。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，在腔室的侧壁比底座靠下方的部分形成有在输入或输出收集构件之际能够打开的窗。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，在底座的内部设有冷却底座的下表面的冷却装置。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，冷却装置使用水、空气和盐水中的任一个作为制冷剂来冷却底座的下表面。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，收集构件还配置于腔室的内侧壁和载置台的外侧壁中的、比载置台的载置面靠下方的位置。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，收集构件的表面的粗糙度在6.3μm～25μm的范围内。
另外，在所公开的基板处理装置的1个实施方式中，也可以是，收集构件的材质是金属。
以下，基于附图详细地说明所公开的基板处理装置的实施方式。此外，要公开的基板处理装置并不被本实施方式限定。
【实施例】
[基板处理装置10的构成]
图1是表示基板处理装置10的一个例子的剖视图。本实施例中的基板处理装置10是例如电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。基板处理装置10具有由例如表面被阳极氧化处理的铝形成、在内部形成有大致圆筒形状的空间的腔室1。腔室1被保护性接地。腔室1配置成由腔室1的内侧壁形成的大致圆筒形状的空间的中心轴线与图1所示的Z轴一致。
在腔室1的底部形成有大致圆筒形状的排气口83。在排气口83的上方设有从下方支承载置台2的底座100。底座100由从腔室1的内侧壁向靠近Z轴的方向延伸的多个支承梁101支承。在本实施例中，各支承梁101从腔室1的内侧壁朝向Z轴并向与Z轴正交的方向延伸。在本实施例中，底座100和各支承梁101由与腔室1相同的材料构成。
在本实施例中，载置台2具有大致圆筒形状，以载置台2的外侧壁的中心轴线与Z轴一致的方式配置于腔室1内。载置台2具有下部电极2a、基材4、聚焦环5以及静电卡盘6。基材4由陶瓷等形成为大致圆柱形状，隔着绝缘板3配置于底座100之上。在基材4之上设有由例如铝等形成的下部电极2a。
在下部电极2a的上表面设有利用静电力吸附保持作为被处理基板的一个例子的半导体晶圆W的静电卡盘6。静电卡盘6具有利用一对绝缘层或绝缘片夹着由导电膜形成的电极6a而成的构造。直流电源13与电极6a电连接。半导体晶圆W被载置于静电卡盘6的上表面6b，由利用从直流电源13供给来的直流电压而在静电卡盘6产生的静电力吸附保持于静电卡盘6的上表面6b。半导体晶圆W是大致圆形状。图1所示的Z轴表示吸附保持于静电卡盘6的上表面6b的半导体晶圆W的中心轴线。载置半导体晶圆W的静电卡盘6的上表面6b是载置台2的载置面的一个例子。
在静电卡盘6的周围且是下部电极2a的上表面，以包围静电卡盘6的方式设有由例如单晶硅等形成的导电性的聚焦环5。利用聚焦环5使半导体晶圆W的表面上的蚀刻等等离子体处理的均匀性提高。下部电极2a和基材4的侧面被由例如石英等形成的圆筒形状的内壁构件3a包围。内壁构件3a构成载置台2的外侧壁。
在下部电极2a的内部形成有例如环状的制冷剂室2b。从设于外部的未图示的冷却单元经由配管2c和2d使例如冷却水等预定温度的制冷剂向制冷剂室2b循环供给。利用在制冷剂室2b内循环的制冷剂对下部电极2a、基材4以及静电卡盘6的温度进行控制，静电卡盘6上的半导体晶圆W被控制成预定温度。
另外，例如He气体等传热气体从未图示的传热气体供给机构经由配管17向静电卡盘6的上表面6b与半导体晶圆W的背面之间供给。
高频电源12a经由匹配器11a与下部电极2a连接。另外，高频电源12b经由匹配器11b与下部电极2a连接。高频电源12a将用于等离子体的产生的预定的频率(例如100MHz)的高频电力向下部电极2a供给。另外，高频电源12b将用于离子的引入(偏置)的预定的频率的高频电力且是比高频电源12a低的频率(例如13MHz)的高频电力向下部电极2a供给。
在载置台2的周围以包围载置台2的方式设有排气路径86。在排气路径86内，具有多个贯通孔的挡板72以包围载置台2的方式设于载置台2的周围。挡板72在排气路径86中配置于比静电卡盘6靠下方且比支承梁101靠上方的位置。排气路径86在相邻的支承梁101之间的空间中与形成于底座100的下方的排气空间85连通。
排气口83以大致圆形状的排气口83的中心位于Z轴上的方式形成于腔室1的底面。排气口83与排气装置84连接。排气装置84具有例如涡轮分子泵等真空泵，能够将腔室1内减压到所期望的真空度。另外，在排气口83设有APC(自动压力控制器：Automatic PressureControl)80。APC80具有盖体81和支承棒82。盖体81是大致圆形状的板，以盖体81的中心轴线与Z轴一致的方式配置于排气口83的上方。另外，盖体81配置成与排气口83的开口面大致平行。盖体81的直径比排气口83的开口的直径大。
支承棒82通过对盖体81的高度进行控制，能够对由形成于盖体81与排气口83的周围的腔室1的面之间的间隙形成的排气流导(日文：コンダクタンス)进行控制。图1示出了两个支承棒82，但支承棒82以包围排气口83的方式在排气口83的周围设有3个以上。通过利用支承棒82对盖体81的高度进行控制，APC80能够将腔室1内的压力控制成预定的压力范围。
在底座100和支承梁101这两者的内部形成有空间102。空间102与在腔室1的侧壁形成的开口连通。向载置台2供给的气体、电力等经由在底座100和支承梁101内的空间102通过的配管、配线向载置台2供给。在本实施例中，底座100由3个支承梁101支承。在图1的例中，向载置台2供给气体、电力等的配管、配线经由1个支承梁101与腔室1的外部的设备连接，但公开的技术并不限于此。例如，向载置台2供给气体、电力等的配管、配线也可以分别经由3个支承梁101中的任一个与腔室1的外部的设备连接。
在底座100的内侧的空间102内且是底座100的下表面设有冷却装置18。在冷却装置18的内部形成有供例如冷却水等预定温度的制冷剂流动的制冷剂室。该制冷剂室与配管18a以及配管18b连接。此外，向该制冷剂室循环供给的制冷剂除了冷却水之外，也可以是例如空气、盐水等。通过从设于基板处理装置10的外部的未图示的冷却单元经由配管18a和配管18b向冷却装置18内的制冷剂室循环供给制冷剂，冷却装置18能够冷却底座100的下表面。
在底座100的下表面且是与排气口83相对的面设有沉积物捕集零件20。在本实施例中，沉积物捕集零件20由例如铜等热传导率较高的金属形成。沉积物捕集零件20的下表面且是与排气口83相对的面被加工成预定的粗糙度。在本实施例中，沉积物捕集零件20的表面且是与排气口83相对的面的表面的粗糙度(例如算术平均粗糙度Ra)在例如6.3μm～25μm的范围内。具体而言，优选是通过喷丸处理而获得的表面粗糙度且是表面积可取较大的值、即25μm附近的表面粗糙度。沉积物捕集零件20隔着底座100的下表面被冷却装置18冷却。此外，在图1的例子中，沉积物捕集零件20和冷却装置18是分体的，但作为另一例，沉积物捕集零件20和冷却装置18也可以一体地构成。或者，也可以构成为，在沉积物捕集零件20的内部设有制冷剂室，配管18a以及配管18b与沉积物捕集零件20内的制冷剂室连接，经由配管18a和配管18b向沉积物捕集零件20内的制冷剂室循环供给制冷剂。沉积物捕集零件20是收集构件的一个例子。
在此，经由排气路径86和排气空间85排出的气体含有被称为沉积物的反应副产物的颗粒。这样的沉积物在排气的过程中附着于排气路径86、排气空间85的侧壁，还附着于与排气口83连接的排气装置84的内部。若附着于排气装置84的沉积物变多，则排气装置84的排气能力降低，难以将腔室1内保持在预定的压力。因此，为了清除已附着到排气装置84内的沉积物，需要定期地将排气装置84分解来进行清洗。若进行排气装置84的清洗，则使用了基板处理装置10的工艺停止直到排气装置84的更换或清洗结束为止，工艺的生产率降低。
为了避免这点，在本实施例的基板处理装置10中，在排气空间85内设有沉积物捕集零件20。由此，经由排气路径86和排气空间85排出的气体所含有的沉积物附着于沉积物捕集零件20。因此，能够使附着于排气装置84的内部的沉积物的量减少。由此，能够抑制排气装置84的清洗等所导致的工艺的生产率的降低。
另外，在本实施例中，沉积物捕集零件20被冷却装置18冷却。由此，能够使经由排气路径86和排气空间85排出的处理气体所含有的沉积物更多地附着于沉积物捕集零件20。由此，能够使附着于排气装置84的内部、腔室1的内侧壁的沉积物的量进一步减少。
另外，在本实施例中，暴露于排气空间85的沉积物捕集零件20的表面被加工成预定的粗糙度。由此，能够使经由排气路径86和排气空间85排出的处理气体所含有的沉积物更多地附着于沉积物捕集零件20。由此，能够使附着于排气装置84的内部、腔室1的内侧壁的沉积物的量进一步减少。
另外，在本实施例中，在腔室1的侧壁的比底座100靠下方的部分形成有可在输入或输出沉积物捕集零件20之际打开的窗87。由此，能够将附着有沉积物的沉积物捕集零件20从腔室1内容易地取出。由此，能够削减沉积物捕集零件20的更换所需的维护时间。
另外，在腔室1的侧壁的比静电卡盘6靠上方的位置设有开口部74，在开口部74设有用于对该开口部74进行开闭的闸阀G。另外，在腔室1的内侧壁和载置台2的外侧壁装卸自由地设有沉积屏蔽件76、77。沉积屏蔽件76、77防止沉积物附着于腔室1的内侧壁。在沉积屏蔽件76的与吸附保持到静电卡盘6上的半导体晶圆W大致相同的高度的位置设有直流地连接于接地位的导电性构件(GND模块)79。腔室1内的异常放电被GND模块79抑制。
在下部电极2a的上方以与载置台2相对的方式设有上部电极16。下部电极2a和上部电极16以彼此大致平行的方式设于腔室1内。以下，存在将载置到静电卡盘6上的半导体晶圆W与上部电极16的下表面之间的空间称为处理空间S的情况。
上部电极16借助绝缘性构件45支承于腔室1的上部。此外，在本实施例中，在绝缘性构件45中设有未图示的加热器，在半导体晶圆W的处理过程中能够将绝缘性构件45控制成所期望的范围内的温度。以下，将设于绝缘性构件45的内部的加热器称为第1加热器。此外，在本实施例的基板处理装置10中，在腔室1的侧壁且是相对于与静电卡盘6的位置相同程度的高度位于上方的位置设有未图示的加热器。以下，将设于腔室1的侧壁的加热器称为第2加热器。
上部电极16具有顶板支承部16a和上部顶板16b。顶板支承部16a由例如表面被阳极氧化处理的铝等形成，在其下部装卸自由地支承上部顶板16b。上部顶板16b由例如石英等含硅物质形成。
在顶板支承部16a的内部设有气体扩散室16c。此外，气体扩散室16c是大致圆筒形状，优选其中心轴线与Z轴一致。在顶板支承部16a的底部以位于气体扩散室16c的下部的方式形成有多个气体流通口16e。多个气体流通口16e以Z轴为中心呈同心圆状以大致均等的间隔形成于气体扩散室16c的下部。
在上部顶板16b，以沿着厚度方向贯通上部顶板16b的方式设有多个气体流通口16f。多个气体流通口16f以Z轴为中心呈同心圆状以大致均等的间隔形成于上部顶板16b。各个气体流通口16f与上述的气体流通口16e中的1个连通。供给到气体扩散室16c的处理气体经由多个气体流通口16e和16f呈喷淋状向腔室1内扩散而供给。另外，多个气体流通口16e和16f以Z轴为中心呈同心圆状以大致均等的间隔配置。因此，经由多个气体流通口16e和16f向腔室1内供给的处理气体以Z轴为中心沿着周向以大致均匀的流量向处理空间S内供给。
此外，在顶板支承部16a等设有未图示的加热器、用于使制冷剂循环的未图示的配管等温度调整机构，在半导体晶圆W的处理过程中能够将上部电极16控制成所期望的范围内的温度。
在上部电极16的顶板支承部16a设有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。此外，优选气体导入口16g以Z轴经过气体导入口16g的中心的方式配置。配管15b的一端与气体导入口16g连接。配管15b的另一端经由阀V以及质量流量控制器(MFC)15a与供给用于半导体晶圆W的处理的处理气体的气体供给源15连接。从气体供给源15供给来的处理气体经由配管15b向气体扩散室16c供给，经由气体流通口16e和16f呈喷淋状向腔室1内扩散而供给。
经由低通滤波器(LPF)40和开关41输出负的直流电压的可变直流电源42与上部电极16电连接。开关41对从可变直流电源42向上部电极16的直流电压的施加和阻断进行控制。例如，从高频电源12a和高频电源12b对下部电极2a施加高频电力，在腔室1内的处理空间S生成等离子体之际，根据需要使开关41连通，对上部电极16施加预定的大小的负的直流电压。
另外，在腔室1的周围，呈同心圆状配置有环形磁体90。环形磁体90在上部电极16与载置台2之间的处理空间S内形成磁场。环形磁体90由未图示的旋转机构旋转自由地保持。
如上述那样构成的基板处理装置10的动作由控制部60综合地控制。控制部60包括：具有CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)并对基板处理装置10的各部分进行控制的工艺控制器61；用户接口62；存储部63。
用户接口62包括：键盘，其用于操作者输入指令等，该指令用于对基板处理装置10进行操作；显示器，其使基板处理装置10的运转状况可视化而显示等。
在存储部63储存有用于工艺控制器61实现由基板处理装置10执行的各种处理的控制程序(软件)、存储有处理条件的数据等的制程。工艺控制器61将存储到存储部63内的控制程序读出，基于读出来的控制程序进行动作。并且，工艺控制器61根据经由用户接口62接受到的指示等从存储部63读出制程等，基于读出来的制程等对基板处理装置10进行控制。由此，由基板处理装置10进行所期望的处理。另外，工艺控制器61也能够从该记录介质读出并执行被储存于计算机可读取的记录介质等的控制程序、制程等。计算机可读取的记录介质是例如硬盘、DVD(Digital Versatile Disc，数字多功能光盘)、软盘、半导体存储器等。另外，工艺控制器61也能够经由例如通信线路从该其他装置取得并执行被储存到其他装置的存储部内的控制程序、制程等。
在基板处理装置10中，在对半导体晶圆W进行使用了等离子体的处理的情况下，控制部60对基板处理装置10进行以下的控制。首先，控制部60在半导体晶圆W载置到静电卡盘6上的状态下对阀V和MFC15a进行控制，向气体扩散室16c内供给预定的流量的处理气体。供给到气体扩散室16c内的处理气体经由多个气体流通口16e、16f呈喷淋状向腔室1内扩散而供给。另外，控制部60使排气装置84运转，对APC80进行控制而对排气流导进行控制，从而将腔室1内控制成预定的压力。
并且，控制部60使高频电源12a和高频电源12b分别产生预定的高频电力，对下部电极2a施加，并且将开关41控制成连通，对上部电极16施加预定的直流电压。由此，在静电卡盘6上的半导体晶圆W与上部电极16之间的处理空间S生成处理气体的等离子体。并且，利用生成于处理空间S的等离子体所含有的离子、自由基，对静电卡盘6上的半导体晶圆W进行蚀刻等预定的处理。
[腔室1和载置台2的位置关系]
图2是示意性地表示腔室1与载置台2的位置关系的一个例子的图。图3是示意性地表示图2所示的腔室1的A－A截面的一个例子的图。图4是示意性地表示图2所示的腔室1的B－B截面的一个例子的图。图3和图4所示的腔室1的C－C截面与图2所示的剖视图相对应。
在本实施例中，例如，如图2如所示，腔室1、载置台2以及排气口83以载置到载置台2的半导体晶圆W的中心轴线与腔室1的内侧壁的中心轴线、载置台2的外侧壁的中心轴线以及排气口83的中心轴线一致的方式配置。另外，载置台2由底座100从下方支承，在底座100的下表面配置有沉积物捕集零件20。在本实施例中，沉积物捕集零件20是大致圆形的板状体。沉积物捕集零件20也可以配置于Z轴经过沉积物捕集零件20的中心那样的位置。此外，沉积物捕集零件20的形状并不限于大致圆形，也可以是多边形。另外，在底座100的下表面也可以配置有多个沉积物捕集零件20。在该情况下，各沉积物捕集零件20也可以以Z轴经过多个沉积物捕集零件20的配置的中心的方式配置。
另外，例如，如图3和图4所示，底座100由从腔室1的内侧壁向靠近Z轴的方向延伸的多个支承梁101支承。在本实施例中，多个支承梁101从腔室1的内侧壁沿着与Z轴正交的方向延伸。例如，如图3和图4所示，多个支承梁101相对于Z轴呈轴对称地配置。即，经过多个支承梁101的配置的中心的线与Z轴一致。另外，在本实施例中，例如，如图3和图4所示，底座100由3个支承梁101支承。3个支承梁101相对于Z轴呈轴对称地配置，因此，在从沿着Z轴的方向观察的情况下，相邻的两个支承梁101以Z轴为中心呈120度的角度。
形成于载置台2的周边的排气路径86经由相邻的两个支承梁101之间的空间与底座100的下方的排气空间85连通。多个支承梁101相对于Z轴呈轴对称地配置，因此，例如，如图3和图4如所示，相邻的两个支承梁101之间的空间也相对于Z轴呈轴对称地形成。
在本实施例中，处理气体经由以经过载置到载置台2上的半导体晶圆W的中心的Z轴为中心呈同心圆状以大致均等的间隔形成于上部电极16的多个气体流通口16e、16f向腔室1内供给。另外，由腔室1的内侧壁形成的大致圆筒形状的空间的中心轴线、载置台2的中心轴线、排气口83的中心轴线、经过多个支承梁101的配置的中心的线与Z轴一致。另外，形成于载置台2的周边的排气路径86经由在相邻的两个支承梁101之间相对于Z轴呈轴对称形成的空间与排气空间85连通。因此，从上部电极16供给而从排气口83排出的气体的流动相对于经过载置到载置台2上的半导体晶圆W的中心的Z轴呈轴对称。由此，在载置到载置台2上的半导体晶圆W的周向上，能够减少腔室1内的气体的流动的不均，能够使对半导体晶圆W的处理的面内均匀性提高。
[沉积物的附着量与温度之间的关系]
在此，说明沉积物的附着量与温度之间的关系。图5是表示绝缘性构件45的下表面上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。在本实施例的基板处理装置10中，在绝缘性构件45的内部设有未图示的第1加热器，在腔室1的侧壁且是相对于与静电卡盘6的位置相同程度的高度靠上方的位置设有未图示的第2加热器。另外，在图5～图8中，“60/60℃”等表示“第1加热器的温度/第2加热器的温度”。
另外，在图5中，横轴表示绝缘性构件45的面对处理空间S的下表面中的、以最外周为基准(0mm)、从最外周沿着绝缘性构件45的下表面向靠近Z轴的方向去的情况的位置。另外，图5的纵轴表示每单位时间附着到绝缘性构件45的下表面的沉积物的厚度。
参照图5所示的实验结果，在提高了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于绝缘性构件45的下表面的沉积物减少的倾向。另一方面，若参照图5所示的实验结果，则在降低了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于绝缘性构件45的下表面的沉积物增加的倾向。
图6是表示沉积屏蔽件76上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。在图6中，纵轴表示在沉积屏蔽件76的靠处理空间S侧的面上、以配置有挡板72的位置为基准(0mm)、沿着沉积屏蔽件76的面向上方去的情况的沉积屏蔽件76的位置。另外，图6的横轴表示每单位时间附着到沉积屏蔽件76的靠处理空间S侧的面的沉积物的厚度。
若参照图6所示的实验结果，则在提高了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于沉积屏蔽件76的靠处理空间S侧的面的沉积物减少的倾向。另一方面，若参照图6所示的实验结果，则在降低了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于沉积屏蔽件76的靠处理空间S侧的面的沉积物增加的倾向。
在绝缘性构件45内设有第1加热器，在腔室1的内侧壁设有第2加热器。因此，若提高第1加热器和第2加热器的温度，则绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度上升。在绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度较高的情况下，认为：处理空间S内的气体所含有的颗粒即使与绝缘性构件45或沉积屏蔽件76碰撞，损失的能量也较少，因此，附着于绝缘性构件45或沉积屏蔽件76的沉积物的量较少。因此，例如，如图5和图6如所示，认为：越提高绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度，附着于绝缘性构件45或沉积屏蔽件76的沉积物的厚度越减少。
图7是表示挡板72上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。在图7中，横轴表示在挡板72的上表面上、以挡板72的最外周的位置为基准(0mm)、沿着挡板72的上表面向靠近Z轴的方向去的情况的挡板72的上表面的位置。另外，图7的纵轴表示每单位时间附着到挡板72的上表面的沉积物的厚度。
若参照图7所示的实验结果，则在提高了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于挡板72的上表面的沉积物增加的倾向。另一方面，若参照图7所示的实验结果，则在降低了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于挡板72的上表面的沉积物减少的倾向。
图8是表示设于载置台2的外侧壁的沉积屏蔽件77上的沉积物的附着量与温度之间的关系的实验结果的一个例子的图。在图8中，纵轴表示在沉积屏蔽件77的靠排气路径86侧的面上、以配置有挡板72的位置为基准(0mm)、沿着沉积屏蔽件77的面向上方去的情况的沉积屏蔽件77的位置。另外，图8的横轴表示每单位时间附着到沉积屏蔽件77的靠排气路径86侧的面的沉积物的厚度。
若参照图8所示的实验结果，则在提高了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于沉积屏蔽件77的靠排气路径86侧的面的沉积物增加的倾向。另一方面，若参照图8所示的实验结果，则在降低了第1加热器和第2加热器的温度的情况下，发现附着于沉积屏蔽件77的靠排气路径86侧的面的沉积物减少的倾向。
在挡板72和沉积屏蔽件77不设有第1加热器或第2加热器，因此，即使第1加热器或第2加热器的温度上升，挡板72和沉积屏蔽件77的温度也不上升。若提高第1加热器和第2加热器的温度，则绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度上升，附着于绝缘性构件45或沉积屏蔽件76的沉积物减少。不过，认为：处理空间S内的气体所含有的颗粒的量不变，因此，更多的沉积物附着于比绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度相对较低的温度的构件。因此，例如，如图7和图8如所示，认为：绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度越提高，附着于挡板72和沉积屏蔽件77的沉积物的厚度越增加。
另一方面，若降低第1加热器和第2加热器的温度，则绝缘性构件45和沉积屏蔽件76的温度降低，附着于绝缘性构件45或沉积屏蔽件76的沉积物增加。因此，例如，如图7和图8如所示，认为：附着于挡板72和沉积屏蔽件77的沉积物的厚度相对减少。
若参照图5～图8所示的实验结果，则可知：在暴露于含有使沉积物产生的颗粒的气体的构件中，更多的沉积物附着于温度相对较低的构件。另外，也可知：通过使更多的沉积物附着于预定的构件，能够使附着于其他构件的沉积物的量减少。
因此，在本实施例中，在供气体流通的排气空间85配置沉积物捕集零件20，利用冷却装置18冷却沉积物捕集零件20。由此，经由排气空间85排出的气体所含有的更多的颗粒附着于沉积物捕集零件20的表面，形成沉积物。由此，能够使附着于腔室1的内侧壁、排气装置84的内部的沉积物的量减少。
以上，对基板处理装置10的一实施例进行了说明。根据本实施例的基板处理装置10，通过使排出的气体所含有的颗粒附着于沉积物捕集零件20，能够使附着于排气装置84的内部等的沉积物的量减少。由此，能够减少将排气装置84分解而清洗的频度，使使用了基板处理装置10的工艺的生产率提高。
[其他]
此外，公开的技术并不限定于上述的实施例，能够在其主旨的范围内进行各种变形。
例如，在上述的实施例中，沉积物捕集零件20设于排气口83的上方且是支承梁101的下表面的与排气口83相对的部分，但公开的技术并不限于此。图9和图10是表示沉积物捕集零件20的配置的另一例的示意图。例如，如图9所示，也可以是，还在各个支承梁101的上表面配置有沉积物捕集零件20a。另外，例如，如图9和图10所示，也可以是，还在各个支承梁101的下表面配置有沉积物捕集零件20b。另外，例如，如图9和图10所示，也可以是，还在底座100的侧面配置有沉积物捕集零件20c。另外，例如，如图10所示，也可以是，还在各个支承梁101的侧面配置有沉积物捕集零件20d。
此外，在图9和图10所示的例子中，也可以是，各沉积物捕集零件20a～20d以Z轴经过多个沉积物捕集零件20a～20d的配置的中心的方式配置。另外，在图9和图10所示的例子中，冷却装置18配置于底座100内的底面，但也可以是，冷却装置18分别配置于底座100或支承梁101的内侧的与沉积物捕集零件20a～20d的位置相对应的位置。
另外，也可以是，沉积物捕集零件20还进一步配置于除了底座100或支承梁101以外的构件。图11是表示沉积物捕集零件20的配置的又一例的示意图。例如，如图11所示，也可以是，还在腔室1的内侧壁中的、比供半导体晶圆W载置的静电卡盘6的上表面6b靠下方的区域配置有沉积物捕集零件20e。另外，例如，如图11所示，也可以是，还在载置台2的外侧壁中的、比供半导体晶圆W载置的静电卡盘6的上表面6b靠下方的区域配置有沉积物捕集零件20f。
另外，在上述的实施例所示的基板处理装置10中，由腔室1的内侧壁形成的大致圆筒形状的空间的中心轴线、载置台2的中心轴线、排气口83的中心轴线以及经过多个支承梁101的配置的中心的线与Z轴一致，但所公开的技术并不限于此。例如，在另一例的基板处理装置10中，也可以是，在由腔室1的内侧壁形成的大致圆筒形状的空间的中心轴线、载置台2的中心轴线、排气口83的中心轴线以及经过多个支承梁101的配置的中心的线中，至少任一个与Z轴不一致、或者、全部与Z轴不一致。即使是这样的基板处理装置10，在供气体流通的排气空间85配置有沉积物捕集零件20，利用冷却装置18冷却沉积物捕集零件20，从而能够使经由排气空间85排出的气体所含有的更多的颗粒附着于沉积物捕集零件20，能够使附着于腔室1的内侧壁、排气装置84的内部的沉积物的量减少。
另外，在上述的实施例中，沉积物捕集零件20被冷却装置18冷却，但所公开的技术并不限于此。例如，也可以是，通过对沉积物捕集零件20施加预定的直流电压，使沉积物捕集零件20的表面带电有预定的极性的电荷，利用带电于表面的电荷的静电力使气体所含有的颗粒吸附于沉积物捕集零件20。另外，沉积物捕集零件20的冷却和带电也可以组合来实施。由此，能够使腔室1内的气体所含有的颗粒更高效地附着于沉积物捕集零件20，能够使附着于其他构件的沉积物的量减少。
另外，在上述的实施例中，作为基板处理装置10，以电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置为例进行了说明，但所公开的技术并不限于此。只要是使用等离子体来对半导体晶圆W进行预定的处理的装置，就能够在使用了ICP(Inductively Coupled Plasma感应耦合等离子体)等其他方式的蚀刻装置中也适用公开的技术。另外，只要是使用气体来对半导体晶圆W进行预定的处理的装置，除了蚀刻装置之外，在进行成膜、改性等处理的装置中也能够适用所公开的技术。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
其包括：
腔室；
载置台，其设于所述腔室内，用于载置被处理基板；
底座，其从下方支承所述载置台；
排气口，其配置于所述底座的下方；
收集构件，其用于收集所述腔室内的沉积物，
所述收集构件设于所述底座的下表面。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔室的内侧壁是大致圆筒形状，
所述底座由从所述腔室的内侧壁向靠近所述内侧壁的中心轴线的方向延伸的多个支承梁支承。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述收集构件还配置于所述底座的侧面、所述支承梁的上表面、所述支承梁的侧面以及所述支承梁的下表面中的至少任一个面。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述载置台具有大致圆筒形状的外侧壁，
所述排气口是大致圆筒形状，
所述腔室、所述载置台以及所述排气口配置成，载置到所述载置台的所述被处理基板的中心轴线与所述腔室的内侧壁的中心轴线、所述载置台的外侧壁的中心轴线以及所述排气口的中心轴线一致，
所述多个支承梁配置成，载置到所述载置台的所述被处理基板的中心轴线经过所述多个支承梁的配置的中心。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述腔室的侧壁的比所述底座靠下方的部分形成有在输入或输出所述收集构件之际能够打开的窗。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述底座的内部设有冷却所述底座的下表面的冷却装置。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述冷却装置使用水、空气和盐水中的任一者作为制冷剂来冷却所述底座的下表面。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述收集构件还配置于所述腔室的内侧壁和所述载置台的外侧壁中的、比所述载置台的载置面靠下方的位置。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述收集构件的表面的粗糙度在6.3μm～25μm的范围内。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述收集构件的材质是金属。
CN201710029742.0A 2016-01-25 2017-01-16 基板处理装置 Active CN106997841B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-011403 2016-01-25
JP2016011403A JP6607795B2 (ja) 2016-01-25 2016-01-25 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106997841A true CN106997841A (zh) 2017-08-01
CN106997841B CN106997841B (zh) 2020-02-21

Family

ID=59360654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710029742.0A Active CN106997841B (zh) 2016-01-25 2017-01-16 基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11152196B2 (zh)
JP (1) JP6607795B2 (zh)
KR (1) KR102621517B1 (zh)
CN (1) CN106997841B (zh)
TW (1) TWI719117B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107808838A (zh) * 2017-11-13 2018-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 干刻蚀装置及干刻蚀方法
CN112103166A (zh) * 2019-06-18 2020-12-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN115341198A (zh) * 2022-07-05 2022-11-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种平板式pecvd设备

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105431924B (zh) * 2014-04-09 2020-11-17 应用材料公司 用于解决具有改良的流动均匀性/气体传导性的可变的处理容积的对称腔室主体设计架构
JP6423706B2 (ja) * 2014-12-16 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6903040B2 (ja) 2018-09-21 2021-07-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6921796B2 (ja) * 2018-09-28 2021-08-18 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
JP2021042409A (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び温度制御方法
CN114256046A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其工作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1934684A (zh) * 2004-05-27 2007-03-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN101807509A (zh) * 2006-03-17 2010-08-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和聚焦环
CN102668026A (zh) * 2009-10-09 2012-09-12 韩商Snu精密股份有限公司 基板处理装置及方法
US20160155616A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929139A (en) * 1989-07-26 1990-05-29 The Perkin-Elmer Corporation Passive electrostatic vacuum particle collector
JP3172627B2 (ja) * 1992-09-03 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空形成方法および真空形成装置
US6863835B1 (en) * 2000-04-25 2005-03-08 James D. Carducci Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust
JP4660926B2 (ja) * 2001-01-09 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の処理装置
JP3971603B2 (ja) * 2001-12-04 2007-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法
JP2004079557A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20040040662A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Manabu Edamura Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material
KR100621660B1 (ko) * 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치
JP2007242777A (ja) 2006-03-07 2007-09-20 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
US20080156266A1 (en) * 2006-12-07 2008-07-03 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP5154124B2 (ja) * 2007-03-29 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5135856B2 (ja) * 2007-03-31 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置、排気系及びこれを用いた処理システム
JP2010171286A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5558035B2 (ja) 2009-06-18 2014-07-23 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及び方法
US8450701B2 (en) * 2011-04-19 2013-05-28 Axcelis Technologies, Inc. Vacuum system cold trap filter
TWI638587B (zh) 2011-10-05 2018-10-11 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
JP6293499B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1934684A (zh) * 2004-05-27 2007-03-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN101807509A (zh) * 2006-03-17 2010-08-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和聚焦环
CN102668026A (zh) * 2009-10-09 2012-09-12 韩商Snu精密股份有限公司 基板处理装置及方法
US20160155616A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107808838A (zh) * 2017-11-13 2018-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 干刻蚀装置及干刻蚀方法
CN112103166A (zh) * 2019-06-18 2020-12-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
CN115341198A (zh) * 2022-07-05 2022-11-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种平板式pecvd设备
CN115341198B (zh) * 2022-07-05 2023-08-04 湖南红太阳光电科技有限公司 一种平板式pecvd设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI719117B (zh) 2021-02-21
CN106997841B (zh) 2020-02-21
JP6607795B2 (ja) 2019-11-20
US11152196B2 (en) 2021-10-19
TW201737389A (zh) 2017-10-16
KR102621517B1 (ko) 2024-01-04
US20170213707A1 (en) 2017-07-27
JP2017135145A (ja) 2017-08-03
KR20170088760A (ko) 2017-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106997841A (zh) 基板处理装置
US10734200B2 (en) Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using
CN102117733B (zh) 基板处理装置及其清洁方法
US9087676B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20150107771A1 (en) Trap apparatus and substrate processing apparatus
JP2012064671A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにこれを実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体
JP2005072175A (ja) パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置
TW201308474A (zh) 電漿處理裝置之清潔方法及電漿處理方法
EP3206223A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
CN102347231B (zh) 等离子体处理方法和等离子体处理装置
JP6037292B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN101515540B (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置的挡板
JP2015109249A (ja) プラズマ処理装置
CN107424899A (zh) 等离子体处理方法
KR20100020927A (ko) 포커스 링, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN104508803A (zh) 等离子体处理方法和等离子体处理装置
TWI616946B (zh) 氣體供給方法及電漿處理裝置
KR20180014656A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7066479B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3639868B2 (ja) プラズマ中微粒子ダストの処理方法及びその装置
JP2014232884A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにこれを実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体
JP2015115443A (ja) シリコン層をエッチングする方法、及びプラズマ処理装置
TWI593012B (zh) Plasma processing method and plasma processing device
JP6662249B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016058361A (ja) プラズマ処理装置、及び光を検出する方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant