TWI719117B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI719117B
TWI719117B TW106101487A TW106101487A TWI719117B TW I719117 B TWI719117 B TW I719117B TW 106101487 A TW106101487 A TW 106101487A TW 106101487 A TW106101487 A TW 106101487A TW I719117 B TWI719117 B TW I719117B
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松浦伸
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提高製程之產能。 本發明之基板處理裝置10具備腔室1、載置台2、台座100、排氣口83、及積存物捕集部件20。載置台2設於腔室1內，載置半導體晶圓W。台座100自下方支持載置台2。排氣口83配置於台座100之下方。積存物捕集部件20設於台座100之下表面，收集腔室1內之積存物。

Description

基板處理裝置
本發明之各種態樣及實施形態係關於一種基板處理裝置。
於半導體裝置之製造步驟中，藉由供給至腔室內之處理氣體，對被處理基板進行蝕刻或成膜等各種處理。對被處理基板所進行之處理之精度於很大程度上相關於腔室內之壓力或溫度等條件。又，即使腔室內之壓力或溫度等固定，若於被處理基板之面上壓力或溫度等產生不均，則於被處理基板之面上處理之精度產生不均。 為避免此種情況，已知有將排氣口相對於腔室內之被處理基板對稱地配置之技術(例如，參照下述專利文獻1～4)。藉此，於被處理基板之面內處理之均一性提高。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2013-179054號公報 [專利文獻2]日本專利特開2011-003704號公報 [專利文獻3]日本專利特開2015-141908號公報 [專利文獻4]日本專利特開2007-242777號公報
[發明所欲解決之問題] 且說，於自腔室內被排氣之處理氣體中含有被稱為積存物(depot)之反應副產物之粒子。此類積存物於排氣過程中，附著於排氣通路之側壁或與排氣通路連接之排氣泵內。若附著於排氣泵之積存物變多，則排氣泵之排氣能力降低，難以將腔室內保持為特定之壓力。因此，為了去掉附著於排氣泵內之積存物，需定期地將排氣泵分解而進行清洗。若進行排氣泵之清洗，則製程便需停止直至排氣泵之清洗結束為止，從而製程之產能降低。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣為一種基板處理裝置，其具備腔室、載置台、台座、排氣口、及收集構件。載置台設於腔室內，載置被處理基板。台座自下方支持載置台。排氣口配置於台座之下方。收集構件設於台座之下表面，收集腔室內之積存物。 [發明之效果] 根據本發明之各種態樣及實施形態，能夠提高製程之產能。
所揭示之基板處理裝置於1個實施形態中，具備腔室、載置台、台座、排氣口、及收集構件。載置台設於腔室內，載置被處理基板。台座自下方支持載置台。排氣口配置於台座之下方。收集構件設於台座之下表面，收集腔室內之積存物。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，腔室之內側壁亦可為大致圓筒形狀，台座亦可由自腔室之內側壁向靠近內側壁之中心軸之方向延伸之複數個支持樑予以支持。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，收集構件亦可進而配置於台座之側面、以及支持樑之上表面、側面、及下表面中之至少任一面。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，載置台亦可具有大致圓筒形狀之外側壁。又，排氣口亦可為大致圓筒形狀。又，腔室、載置台、及排氣口亦能以載置於載置台之被處理基板之中心軸與腔室之內側壁之中心軸、載置台之外側壁之中心軸、及排氣口之中心軸一致之方式配置。又，複數個支持樑亦能以載置於載置台之被處理基板之中心軸穿過複數個支持樑之配置中心之方式配置。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，亦可於較台座更下方之腔室之側壁形成有於搬入或搬出收集構件時打開之窗口。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，亦可於台座之內部設有冷卻台座之下表面之冷卻裝置。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，冷卻裝置亦可使用水、空氣、或鹽水中之任一者作為冷媒而冷卻台座之下表面。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，收集構件亦可進而配置於腔室之內側壁及載置台之外側壁之較載置台之載置面更下方之位置。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，收集構件之表面之粗糙度亦可為6.3 μm至25 μm之範圍內。 又，於所揭示之基板處理裝置之一個實施形態中，收集構件之材質亦可為金屬。 以下，基於圖式對所揭示之基板處理裝置之實施形態進行詳細說明。再者，並非藉由本實施形態而限定所揭示之基板處理裝置。 [實施例] [基板處理裝置10之構成] 圖1係表示基板處理裝置10之一例之剖視圖。本實施例中之基板處理裝置10例如為電容耦合型平行板電漿蝕刻裝置。基板處理裝置10具有腔室1，該腔室1例如係藉由表面經陽極氧化處理之鋁而形成，且於內部形成有大致圓筒形狀之空間。腔室1被保安接地。腔室1係以由腔室1之內側壁所形成之大致圓筒形狀之空間之中心軸與圖1所示之Z軸一致之方式配置。 於腔室1之底部形成有大致圓筒形狀之排氣口83。於排氣口83之上方設有自下方支持載置台2之台座100。台座100係藉由自腔室1之內側壁向靠近Z軸之方向延伸之複數個支持樑101而支持。於本實施例中，各支持樑101自腔室1之內側壁朝向Z軸沿與Z軸正交之方向延伸。於本實施例中，台座100及各支持樑101係由與腔室1相同之材料所構成。 於本實施例中，載置台2具有大致圓筒形狀，以載置台2之外側壁之中心軸與Z軸一致之方式配置於腔室1內。載置台2具有下部電極2a、基材4、聚焦環5、及靜電吸盤6。基材4係藉由陶瓷等呈大致圓柱形狀而形成，介隔絕緣板3而配置於台座100之上。於基材4之上設有例如包含鋁等之下部電極2a。 於下部電極2a之上表面設有將作為被處理基板之一例之半導體晶圓W以靜電力吸附保持之靜電吸盤6。靜電吸盤6具有藉由一對絕緣層或絕緣片而夾持包含導電膜之電極6a之構造。於電極6a電性連接有直流電源13。半導體晶圓W載置於靜電吸盤6之上表面6b，並藉由自直流電源13所供給之直流電壓，且藉由於靜電吸盤6所產生之靜電力，而吸附保持於靜電吸盤6之上表面6b。半導體晶圓W為大致圓形狀。圖1所示之Z軸表示吸附保持於靜電吸盤6之上表面6b之半導體晶圓W之中心軸。載置半導體晶圓W之靜電吸盤6之上表面6b為載置台2之載置面之一例。 於靜電吸盤6之周圍且下部電極2a之上表面，以包圍靜電吸盤6之方式設有例如包含單晶矽等之導電性之聚焦環5。藉由聚焦環5，於半導體晶圓W之表面，蝕刻等電漿處理之均一性提高。下部電極2a及基材4之側面由例如包含石英等之圓筒形狀之內壁構件3a所包圍。內壁構件3a構成載置台2之外側壁。 於下部電極2a之內部形成有例如環狀之冷媒室2b。自設於外部之未圖示之冷卻單元經由配管2c及2d而向冷媒室2b循環供給例如冷卻水等特定溫度之冷媒。藉由於冷媒室2b內循環之冷媒，下部電極2a、基材4、及靜電吸盤6之溫度得到控制，靜電吸盤6上之半導體晶圓W被控制為特定溫度。 又，自未圖示之傳熱氣體供給機構經由配管17而向靜電吸盤6之上表面6b與半導體晶圓W之背面之間供給例如氦(He)氣等傳熱氣體。 於下部電極2a經由整合器11a而連接有高頻電源12a。又，於下部電極2a經由整合器11b而連接有高頻電源12b。高頻電源12a將用於電漿之產生之特定頻率(例如100 MHz)之高頻電力供給至下部電極2a。又，高頻電源12b將用於離子之提取(偏壓)之特定頻率之高頻電力且頻率較高頻電源12a低(例如13 MHz)之高頻電力供給至下部電極2a。 於載置台2之周圍，以包圍載置台2之方式設有排氣通路86。於排氣通路86內，具有複數個貫通孔之隔板72以包圍載置台2之方式設於載置台2之周圍。隔板72於排氣通路86中，配置於較靜電吸盤6更下方且較支持樑101更上方之位置。排氣通路86於相鄰支持樑101之間之空間處，與形成於台座100之下方之排氣空間85連通。 排氣口83以大致圓形狀之排氣口83之中心位於Z軸上之方式，形成於腔室1之底面。於排氣口83連接有排氣裝置84。排氣裝置84具有例如渦輪分子泵等真空泵，能夠將腔室1內減壓至所需之真空度。又，於排氣口83設有APC(Automatic Pressure Control，自動壓力控制器)80。APC80具有蓋體81及支持棒82。蓋體81為大致圓形狀之板，以蓋體81之中心軸與Z軸一致之方式配置於排氣口83之上方。又，蓋體81係以與排氣口83之開口面大致平行之方式配置。蓋體81之直徑比排氣口83之開口之直徑長。 支持棒82能夠藉由控制蓋體81之高度而控制排氣導流，該排氣導流係藉由形成於蓋體81與排氣口83之周圍之腔室1之面之間的間隙而形成。雖然於圖1中圖示出2個支持棒82，但以包圍排氣口83之方式於排氣口83之周圍設有3個以上支持棒82。藉由利用支持棒82控制蓋體81之高度，APC80能夠將腔室1內之壓力控制於特定之壓力範圍內。 於台座100及支持樑101之內部形成有空間102。空間102與形成於腔室1之側壁之開口連通。向載置台2供給之氣體或電力等經由穿過台座100及支持樑101內之空間102之配管或配線而供給至載置台2。於本實施例中，台座100係藉由3個支持樑101而支持。於圖1之例中，將氣體或電力等供給至載置台2之配管或配線係經由1個支持樑101而與腔室1之外部之設備連接，但揭示之技術並不限於此。例如，將氣體或電力等供給至載置台2之配管或配線亦可為分別經由3個支持樑101中之任一者而與腔室1之外部之設備連接。 於台座100之內側之空間102內且台座100之下表面設有冷卻裝置18。於冷卻裝置18之內部形成有供例如冷卻水等特定溫度之冷媒流動之冷媒室。該冷媒室與配管18a及配管18b連接。再者，循環供給至該冷媒室之冷媒除冷卻水之外，例如亦可為空氣或鹽水等。藉由自設於基板處理裝置10之外部之未圖示之冷卻單元經由配管18a及配管18b而向冷卻裝置18內之冷媒室循環供給冷媒，冷卻裝置18能夠冷卻台座100之下表面。 於台座100之下表面且與排氣口83對向之面設置積存物捕集部件20。於本實施例中，積存物捕集部件20係以例如銅等熱導率較高之金屬構成。積存物捕集部件20之下表面且與排氣口83對向之面係以成為特定之粗糙度之方式加工。於本實施例中，積存物捕集部件20之表面且與排氣口83對向之面之表面之粗糙度(例如算術平均粗糙度Ra)例如為6.3 μm至25 μm之範圍內。具體而言，較佳為藉由噴擊處理而得之表面粗糙度且表面積較大之取值、即25 μm左右之表面粗糙度。積存物捕集部件20經由台座100之下表面藉由冷卻裝置18而冷卻。再者，於圖1之例中，積存物捕集部件20與冷卻裝置18為獨立個體，但作為另一例，積存物捕集部件20與冷卻裝置18亦可構成為一體。或者，亦能以如下之方式構成：於積存物捕集部件20之內部設置冷媒室，配管18a及配管18b連接於積存物捕集部件20內之冷媒室，冷媒經由配管18a及配管18b而循環供給至積存物捕集部件20內之冷媒室。積存物捕集部件20為收集構件之一例。 此處，於經由排氣通路86及排氣空間85而排放之氣體中，含有被稱為積存物之反應副產物之粒子。此類積存物於排氣過程中，附著於排氣通路86或排氣空間85之側壁，進而附著於與排氣口83連接之排氣裝置84之內部。若附著於排氣裝置84之積存物變多，則排氣裝置84之排氣能力降低，難以將腔室1內保持為特定之壓力。因此，為了去掉附著於排氣裝置84內之積存物，需定期地將排氣裝置84分解而進行清洗。若進行排氣裝置84之清洗，則使用基板處理裝置10之製程便需停止直至排氣裝置84之更換或清洗結束為止，從而製程之產能降低。 為避免此種情況，於本實施例之基板處理裝置10中，於排氣空間85內設置積存物捕集部件20。藉此，經由排氣通路86及排氣空間85而排放之氣體中所含之積存物附著於積存物捕集部件20。因此，能夠減少附著於排氣裝置84之內部之積存物之量。藉此，能夠抑制伴隨排氣裝置84之清洗等而發生之製程之產能之降低。 又，於本實施例中，積存物捕集部件20係藉由冷卻裝置18而冷卻。藉此，能夠使經由排氣通路86及排氣空間85而排放之處理氣體中所含之積存物更多地附著於積存物捕集部件20。藉此，能夠進一步減少附著於排氣裝置84之內部或腔室1之內側壁之積存物之量。 又，於本實施例中，暴露於排氣空間85之積存物捕集部件20之表面係以成為特定之粗糙度之方式加工。藉此，能夠使經由排氣通路86及排氣空間85而排放之處理氣體中所含之積存物更多地附著於積存物捕集部件20。藉此，能夠進一步減少附著於排氣裝置84之內部或腔室1之內側壁之積存物之量。 又，於本實施例中，於較台座100更下方之腔室1之側壁形成有於搬入或搬出積存物捕集部件20時打開之窗口87。藉此，能夠將附著有積存物之積存物捕集部件20容易地自腔室1內取出。藉此，能夠縮減更換積存物捕集部件20所需之維護時間。 又，於較靜電吸盤6更上方之腔室1之側壁設有開口部74，於開口部74設有用以打開及關閉該開口部74之閘閥G。又，於腔室1之內側壁及載置台2之外側壁裝卸自由地設有積存物遮罩76及77。積存物遮罩76及77係防止積存物附著於腔室1之內側壁。於與吸附保持於靜電吸盤6上之半導體晶圓W大致相同之高度之積存物遮罩76之位置，設有與接地直流連接之導電性構件(GND組塊)79。藉由GND組塊79，腔室1內之異常放電得到抑制。 於下部電極2a之上方，以與載置台2對向之方式設有上部電極16。下部電極2a與上部電極16以相互大致平行之方式設於腔室1內。以下，有時將載置於靜電吸盤6上之半導體晶圓W與上部電極16之下表面之間之空間稱為處理空間S。 上部電極16介隔絕緣性構件45而支持於腔室1之上部。再者，於本實施例中，於絕緣性構件45設有未圖示之加熱器，從而能夠於半導體晶圓W之處理中將絕緣性構件45控制為所需之範圍內之溫度。以下，將設於絕緣性構件45之內部之加熱器稱為第1加熱器。再者，於本實施例之基板處理裝置10中，於腔室1之側壁且自與靜電吸盤6之位置相同程度之高度往上之位置，設有未圖示之加熱器。以下，將設於腔室1之側壁之加熱器稱為第2加熱器。 上部電極16具有頂板支持部16a及上部頂板16b。頂板支持部16a例如係藉由表面經陽極氧化處理之鋁等而形成，於其下部裝卸自由地支持上部頂板16b。上部頂板16b例如包含石英等含矽物質。 於頂板支持部16a之內部設有氣體擴散室16c。再者，氣體擴散室16c為大致圓筒形狀，其中心軸較佳為與Z軸一致。於頂板支持部16a之底部，以位於氣體擴散室16c之下部之方式形成有複數個氣體流通口16e。複數個氣體流通口16e係以Z軸為中心呈同心圓狀隔開大致均等之間隔而形成於氣體擴散室16c之下部。 於上部頂板16b，以於厚度方向上貫通上部頂板16b之方式設有複數個氣體流通口16f。複數個氣體流通口16f係以Z軸為中心呈同心圓狀隔開大致均等之間隔而形成於上部頂板16b。各氣體流通口16f與上述氣體流通口16e中之一者連通。供給至氣體擴散室16c之處理氣體經由複數個氣體流通口16e及16f，呈噴淋狀擴散而供給至腔室1內。又，複數個氣體流通口16e及16f係以Z軸為中心呈同心圓狀隔開大致均等之間隔而配置。因此，經由複數個氣體流通口16e及16f而向腔室1內供給之處理氣體以Z軸為中心於圓周方向上以大致均一之流量供給至處理空間S內。 再者，於頂板支持部16a等設有未圖示之加熱器、或用以使冷媒循環之未圖示之配管等溫度調整機構，從而能夠於半導體晶圓W之處理中將上部電極16控制為所需之範圍內之溫度。 於上部電極16之頂板支持部16a設有用以向氣體擴散室16c導入處理氣體之氣體導入口16g。再者，氣體導入口16g較佳為以Z軸穿過氣體導入口16g之中心之方式配置。於氣體導入口16g連接有配管15b之一端。配管15b之另一端經由閥V及質量流量控制器(MFC，Mass Flow Controller)15a，而與供給用於半導體晶圓W之處理之處理氣體之氣體供給源15連接。自氣體供給源15所供給之處理氣體經由配管15b而供給至氣體擴散室16c，經由氣體流通口16e及16f呈噴淋狀擴散而供給至腔室1內。 於上部電極16，經由低通濾波器(LPF，Low Pass Filter)40及開關41而電性連接有輸出負直流電壓之可變直流電源42。開關41控制直流電壓自可變直流電源42向上部電極16之施加及阻斷。例如，於需自高頻電源12a及高頻電源12b向下部電極2a施加高頻電力而於腔室1內之處理空間S產生電漿時，視需要將開關41打開，而對上部電極16施加特定大小之負直流電壓。 又，於腔室1之周圍，呈同心圓狀配置有環狀磁鐵90。環狀磁鐵90於上部電極16與載置台2之間之處理空間S內形成磁場。環狀磁鐵90藉由未圖示之旋轉機構而旋轉自由地得到保持。 以如上方式構成之基板處理裝置10係藉由控制部60而統括地控制其動作。控制部60具備：製程控制器61，其具有CPU(Central Processing Unit，中央處理器)，控制基板處理裝置10之各部；使用者介面62；及記憶部63。 使用者介面62包含鍵盤、顯示器等，該鍵盤用於供操作員輸入用以操作基板處理裝置10之指令等，該顯示器將基板處理裝置10之運轉狀況可視化地加以顯示。 於記憶部63，存儲有用以供製程控制器61實現於基板處理裝置10中執行之各種處理之控制程式(軟體)、及記憶有處理條件之資料等之配方。製程控制器61讀出記憶於記憶部63內之控制程式，基於所讀出之控制程式而動作。並且，製程控制器61根據經由使用者介面62而受理之指示等，自記憶部63讀出配方等，基於所讀出之配方等而控制基板處理裝置10。藉此，藉由基板處理裝置10而進行所需之處理。又，製程控制器61亦能夠將存儲於可利用電腦進行讀取之記錄媒體等中之控制程式及配方等，自該記錄媒體讀出並加以執行。所謂可利用電腦進行讀取之記錄媒體，例如為硬碟、DVD(Digital Versatile Disc，數位影音光碟)、軟碟、半導體記憶體等。又，製程控制器61亦能夠將存儲於其他裝置之記憶部內之控制程式及配方等，例如經由通信線路自該其他裝置取得並加以執行。 於在基板處理裝置10中使用電漿對半導體晶圓W進行處理之情形時，控制部60對基板處理裝置10進行以下之控制。首先，控制部60於在靜電吸盤6上載置有半導體晶圓W之狀態下，控制閥V及MFC15a，向氣體擴散室16c內供給特定流量之處理氣體。供給至氣體擴散室16c內之處理氣體經由複數個氣體流通口16e及16f，呈噴淋狀擴散而供給至腔室1內。又，控制部60使排氣裝置84運轉，並控制APC80以控制排氣導流，藉此將腔室1內控制為特定之壓力。 然後，控制部60使高頻電源12a及高頻電源12b分別產生特定之高頻電力而施加於下部電極2a，並將開關41控制為打開而對上部電極16施加特定之直流電壓。藉此，於靜電吸盤6上之半導體晶圓W與上部電極16之間之處理空間S產生處理氣體之電漿。然後，藉由產生於處理空間S之電漿中所含之離子或自由基，而對靜電吸盤6上之半導體晶圓W進行蝕刻等特定之處理。 [腔室1與載置台2之位置關係] 圖2係模式性表示腔室1與載置台2之位置關係之一例之圖。圖3係模式性表示圖2所示之腔室1之A-A截面之一例之圖。圖4係模式性表示圖2所示之腔室1之B-B截面之一例之圖。圖3及圖4所示之腔室1之C-C截面與圖2所示之剖視圖相對應。 於本實施例中，腔室1、載置台2、及排氣口83例如如圖2所示，係以載置於載置台2之半導體晶圓W之中心軸與腔室1之內側壁之中心軸、載置台2之外側壁之中心軸、及排氣口83之中心軸一致之方式配置。又，載置台2係由台座100自下方而支持，於台座100之下表面配置有積存物捕集部件20。於本實施例中，積存物捕集部件20為大致圓形之板狀體。積存物捕集部件20亦可配置於Z軸穿過積存物捕集部件20之中心之位置。再者，積存物捕集部件20之形狀並不限於大致圓形，亦可為多角形。又，於台座100之下表面亦可配置有複數個積存物捕集部件20。於此情形時，各積存物捕集部件20亦能以Z軸穿過複數個積存物捕集部件20之配置中心之方式配置。 又，台座100例如如圖3及圖4所示，藉由自腔室1之內側壁向靠近Z軸之方向延伸之複數個支持樑101而支持。於本實施例中，複數個支持樑101係自腔室1之內側壁沿與Z軸正交之方向延伸。複數個支持樑101例如如圖3及圖4所示，相對於Z軸成軸對稱而配置。即，穿過複數個支持樑101之配置中心之線與Z軸一致。又，於本實施例中，台座100例如如圖3及圖4所示，藉由3個支持樑101而支持。由於3個支持樑101相對於Z軸成軸對稱而配置，故而於自沿Z軸之方向觀察之情形時，相鄰2個支持樑101以Z軸為中心形成120度之角度。 形成於載置台2之周邊之排氣通路86經由相鄰2個支持樑101之間之空間而與台座100之下方之排氣空間85連通。由於複數個支持樑101相對於Z軸成軸對稱而配置，故而相鄰2個支持樑101之間之空間例如如圖3及圖4所示，亦相對於Z軸成軸對稱而形成。 於本實施例中，處理氣體係經由複數個氣體流通口16e及16f而供給至腔室1內，該等氣體流通口16e及16f係以穿過載置於載置台2上之半導體晶圓W之中心之Z軸為中心呈同心圓狀隔開大致均等之間隔而形成於上部電極16。又，由腔室1之內側壁所形成之大致圓筒形狀之空間之中心軸、載置台2之中心軸、排氣口83之中心軸、及穿過複數個支持樑101之配置中心之線與Z軸一致。又，形成於載置台2之周邊之排氣通路86係經由於相鄰2個支持樑101之間相對於Z軸成軸對稱而形成之空間與排氣空間85連通。因此，自上部電極16供給且自排氣口83排氣之氣體之流動相對於穿過載置於載置台2上之半導體晶圓W之中心的Z軸成軸對稱。藉此，能夠於載置於載置台2上之半導體晶圓W之圓周方向上，減小腔室1內之氣體之流動之不均，能夠提高對半導體晶圓W所實施之處理之面內均一性。 [積存物之附著量與溫度之關係] 此處，對積存物之附著量與溫度之關係進行說明。圖5係表示絕緣性構件45之下表面上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。於本實施例之基板處理裝置10中，於絕緣性構件45之內部設有未圖示之第1加熱器，於腔室1之側壁且自與靜電吸盤6之位置相同程度之高度往上之位置設有未圖示之第2加熱器。又，於圖5～圖8中，「60/60℃」等表示「第1加熱器之溫度/第2加熱器之溫度」。 又，於圖5中，橫軸表示面向處理空間S之絕緣性構件45之下表面以最外周為基準(0 mm)、自最外周沿絕緣性構件45之下表面朝靠近Z軸之方向前進的情形之位置。又，圖5之縱軸表示每單位時間附著於絕緣性構件45之下表面之積存物之厚度。 參照圖5所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度升高之情形時，附著於絕緣性構件45之下表面之積存物減少。另一方面，參照圖5所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度降低之情形時，附著於絕緣性構件45之下表面之積存物增加。 圖6係表示積存物遮罩76上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。於圖6中，縱軸表示積存物遮罩76之處理空間S側之面以配置有隔板72之位置為基準(0 mm)、沿積存物遮罩76之面朝上方前進的情形之積存物遮罩76之位置。又，圖6之橫軸表示每單位時間附著於積存物遮罩76之處理空間S側之面之積存物之厚度。 參照圖6所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度升高之情形時，附著於積存物遮罩76之處理空間S側之面之積存物減少。另一方面，參照圖6所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度降低之情形時，附著於積存物遮罩76之處理空間S側之面之積存物增加。 於絕緣性構件45設有第1加熱器，於腔室1之內側壁設有第2加熱器。因此，若將第1加熱器及第2加熱器之溫度升高，則絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度上升。於絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度較高之情形時，即使處理空間S內之氣體中所含之粒子碰撞到絕緣性構件45或積存物遮罩76，所損失之能量亦較少，故而認為附著於絕緣性構件45或積存物遮罩76之積存物之量較少。因此認為，例如，如圖5及圖6所示，越將絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度升高，則附著於絕緣性構件45或積存物遮罩76之積存物之厚度越為減少。 圖7係表示隔板72上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。於圖7中，橫軸表示隔板72之上表面以隔板72之最外周之位置為基準(0 mm)、沿隔板72之上表面朝靠近Z軸之方向前進的情形之隔板72之上表面之位置。又，圖7之縱軸表示每單位時間附著於隔板72之上表面之積存物之厚度。 參照圖7所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度升高之情形時，附著於隔板72之上表面之積存物增加。另一方面，參照圖7所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度降低之情形時，附著於隔板72之上表面之積存物減少。 圖8係表示設於載置台2之外側壁之積存物遮罩77上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。於圖8中，縱軸表示積存物遮罩77之排氣通路86側之面以配置有隔板72之位置為基準(0 mm)、沿積存物遮罩77之面朝上方前進的情形之積存物遮罩77之位置。又，圖8之橫軸表示每單位時間附著於積存物遮罩77之排氣通路86側之面之積存物之厚度。 參照圖8所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度升高之情形時，附著於積存物遮罩77之排氣通路86側之面之積存物增加。另一方面，參照圖8所示之實驗結果，可發現如下傾向：於將第1加熱器及第2加熱器之溫度降低之情形時，附著於積存物遮罩77之排氣通路86側之面之積存物減少。 於隔板72及積存物遮罩77未設第1加熱器或第2加熱器，故而即使第1加熱器或第2加熱器之溫度上升，隔板72及積存物遮罩77之溫度亦不上升。若將第1加熱器及第2加熱器之溫度升高，則絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度上升，附著於絕緣性構件45或積存物遮罩76之積存物減少。但處理空間S內之氣體中所含之粒子之量不變，故而認為更多積存物附著於與絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度相比溫度相對較低之構件。因此，認為：例如，如圖7及圖8所示，使絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度越高，則附著於隔板72及積存物遮罩77之積存物之厚度越大。 另一方面，若將第1加熱器及第2加熱器之溫度降低，則絕緣性構件45及積存物遮罩76之溫度下降，附著於絕緣性構件45或積存物遮罩76之積存物增加。因此，認為：例如，如圖7及圖8所示，附著於隔板72及積存物遮罩77之積存物之厚度相對減小。 參照圖5～圖8所示之實驗結果，可知：於暴露於包含產生積存物之粒子之氣體的構件中溫度相對較低之構件附著更多積存物。又，亦可知：藉由使特定之構件附著更多積存物，能夠減少附著於其他構件之積存物之量。 因此，於本實施例中，於供氣體流通之排氣空間85配置積存物捕集部件20，並藉由冷卻裝置18來冷卻積存物捕集部件20。藉此，經由排氣空間85而被排氣之氣體中所含之更多粒子附著於積存物捕集部件20之表面，從而形成積存物。藉此，能夠減少附著於腔室1之內側壁或排氣裝置84之內部之積存物之量。 以上，對基板處理裝置10之一實施例進行了說明。根據本實施例之基板處理裝置10，藉由使被排氣之氣體中所含之粒子附著於積存物捕集部件20，能夠減少附著於排氣裝置84之內部等之積存物之量。藉此，能夠減少將排氣裝置84分解而進行清洗之頻度，提高使用基板處理裝置10之製程之產能。 [其他] 再者，揭示之技術並不限定於上述實施例，於其主旨之範圍內能夠進行多種變形。 例如，於上述實施例中，積存物捕集部件20設於排氣口83之上方且與排氣口83對向之支持樑101之下表面，但揭示之技術並不限於此。圖9及圖10係表示積存物捕集部件20之配置之另一例之模式圖。例如，亦可如圖9所示，於各支持樑101之上表面進而配置積存物捕集部件20a。又，例如，亦可如圖9及圖10所示，於各支持樑101之下表面進而配置積存物捕集部件20b。又，例如，亦可如圖9及圖10所示，於台座100之側面進而配置積存物捕集部件20c。又，例如，亦可如圖10所示，於各支持樑101之側面進而配置積存物捕集部件20d。 再者，於圖9及圖10所示之例中，各積存物捕集部件20a～20d亦能以Z軸穿過複數個積存物捕集部件20a～20d之配置中心之方式配置。又，於圖9及圖10所示之例中，冷卻裝置18配置於台座100內之底面，但冷卻裝置18亦可分別配置於與積存物捕集部件20a～20d之位置相對應之台座100或支持樑101之內側之位置。 又，積存物捕集部件20亦可進而還配置於台座100或支持樑101以外之構件。圖11係表示積存物捕集部件20之配置之進而另一例之模式圖。例如，亦可如圖11所示，於腔室1之內側壁之、較載置半導體晶圓W之靜電吸盤6之上表面6b更下方之區域，進而配置積存物捕集部件20e。又，例如，亦可如圖11所示，於載置台2之外側壁之、較載置半導體晶圓W之靜電吸盤6之上表面6b更下方之區域，進而配置積存物捕集部件20f。 又，於上述實施例所示之基板處理裝置10中，由腔室1之內側壁所形成之大致圓筒形狀之空間之中心軸、載置台2之中心軸、排氣口83之中心軸、及穿過複數個支持樑101之配置中心之線與Z軸一致，但揭示之技術並不限於此。例如，於另一例之基板處理裝置10中，亦可為由腔室1之內側壁所形成之大致圓筒形狀之空間之中心軸、載置台2之中心軸、排氣口83之中心軸、及穿過複數個支持樑101之配置中心之線中至少任一者或者全部與Z軸不一致。即使為此類基板處理裝置10，藉由於供氣體流通之排氣空間85配置積存物捕集部件20，並藉由冷卻裝置18來冷卻積存物捕集部件20，亦能夠使經由排氣空間85而被排氣之氣體中所含之更多粒子附著於積存物捕集部件20，能夠減少附著於腔室1之內側壁或排氣裝置84之內部之積存物之量。 又，於上述實施例中，藉由冷卻裝置18而冷卻了積存物捕集部件20，但揭示之技術並不限於此。例如，亦可藉由對積存物捕集部件20施加特定之直流電壓，而使積存物捕集部件20之表面帶有特定極性之電荷，藉由表面所帶有之電荷產生之靜電力，而使氣體中所含之粒子吸附於積存物捕集部件20。又，亦可將積存物捕集部件20之冷卻與帶電組合而進行實施。藉此，能夠使腔室1內之氣體中所含之粒子更有效率地附著於積存物捕集部件20，能夠減少附著於其他構件之積存物之量。 又，於上述實施例中，作為基板處理裝置10，以電容耦合型平行板電漿蝕刻裝置為例進行了說明，但揭示之技術並不限於此。就使用電漿對半導體晶圓W進行特定之處理之裝置而言，即使於使用ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)等其他方式之蝕刻裝置中亦能夠應用揭示之技術。又，就使用氣體對半導體晶圓W進行特定之處理之裝置而言，即使於蝕刻裝置以外之進行成膜或改質等處理之裝置中亦能夠應用揭示之技術。
1‧‧‧腔室2‧‧‧載置台2a‧‧‧下部電極2b‧‧‧冷媒室2c‧‧‧配管2d‧‧‧配管3‧‧‧絕緣板3a‧‧‧內壁構件4‧‧‧基材5‧‧‧聚焦環6‧‧‧靜電吸盤6a‧‧‧電極6b‧‧‧上表面10‧‧‧基板處理裝置11a‧‧‧整合器11b‧‧‧整合器12a‧‧‧高頻電源12b‧‧‧高頻電源13‧‧‧直流電源15‧‧‧氣體供給源15a‧‧‧質量流量控制器15b‧‧‧配管16‧‧‧上部電極16a‧‧‧頂板支持部16b‧‧‧上部頂板16c‧‧‧氣體擴散室16e‧‧‧氣體流通口16f‧‧‧氣體流通口16g‧‧‧氣體導入口17‧‧‧配管18‧‧‧冷卻裝置18a‧‧‧配管18b‧‧‧配管20‧‧‧積存物捕集部件20a‧‧‧積存物捕集部件20b‧‧‧積存物捕集部件20c‧‧‧積存物捕集部件20d‧‧‧積存物捕集部件20e‧‧‧積存物捕集部件20f‧‧‧積存物捕集部件40‧‧‧低通濾波器41‧‧‧開關42‧‧‧可變直流電源45‧‧‧絕緣性構件60‧‧‧控制部61‧‧‧製程控制器62‧‧‧使用者介面63‧‧‧記憶部72‧‧‧隔板74‧‧‧開口部76‧‧‧積存物遮罩77‧‧‧積存物遮罩79‧‧‧GND組塊80‧‧‧自動壓力控制器81‧‧‧蓋體82‧‧‧支持棒83‧‧‧排氣口84‧‧‧排氣裝置85‧‧‧排氣空間86‧‧‧排氣通路87‧‧‧窗口90‧‧‧環狀磁鐵100‧‧‧台座101‧‧‧支持樑102‧‧‧空間G‧‧‧閘閥S‧‧‧處理空間V‧‧‧閥W‧‧‧半導體晶圓
圖1係表示基板處理裝置之一例之剖視圖。 圖2係模式性表示腔室與載置台之位置關係之一例之圖。 圖3係模式性表示圖2所示之腔室之A-A截面之一例之圖。 圖4係模式性表示圖2所示之腔室之B-B截面之一例之圖。 圖5係表示絕緣性構件之下表面上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。 圖6係表示積存物遮罩上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。 圖7係表示隔板上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。 圖8係表示設於載置台之外側壁之積存物遮罩上之積存物之附著量與溫度之關係的實驗結果之一例之圖。 圖9係表示積存物捕集部件之配置之另一例之模式圖。 圖10係模式性表示圖9所示之腔室之B-B截面之一例之圖。 圖11係表示積存物捕集部件之配置之進而另一例之模式圖。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧載置台
2a‧‧‧下部電極
2b‧‧‧冷媒室
2c‧‧‧配管
2d‧‧‧配管
3‧‧‧絕緣板
3a‧‧‧內壁構件
4‧‧‧基材
5‧‧‧聚焦環
6‧‧‧靜電吸盤
6a‧‧‧電極
6b‧‧‧上表面
10‧‧‧基板處理裝置
11a‧‧‧整合器
11b‧‧‧整合器
12a‧‧‧高頻電源
12b‧‧‧高頻電源
13‧‧‧直流電源
15‧‧‧氣體供給源
15a‧‧‧質量流量控制器
15b‧‧‧配管
16‧‧‧上部電極
16a‧‧‧頂板支持部
16b‧‧‧上部頂板
16c‧‧‧氣體擴散室
16e‧‧‧氣體流通口
16f‧‧‧氣體流通口
16g‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧配管
18‧‧‧冷卻裝置
18a‧‧‧配管
18b‧‧‧配管
20‧‧‧積存物捕集部件
40‧‧‧低通濾波器
41‧‧‧開關
42‧‧‧可變直流電源
45‧‧‧絕緣性構件
60‧‧‧控制部
61‧‧‧製程控制器
62‧‧‧使用者介面
63‧‧‧記憶部
72‧‧‧隔板
74‧‧‧開口部
76‧‧‧積存物遮罩
77‧‧‧積存物遮罩
79‧‧‧GND組塊
80‧‧‧自動壓力控制器
81‧‧‧蓋體
82‧‧‧支持棒
83‧‧‧排氣口
84‧‧‧排氣裝置
85‧‧‧排氣空間
86‧‧‧排氣通路
87‧‧‧窗口
90‧‧‧環狀磁鐵
100‧‧‧台座
101‧‧‧支持樑
102‧‧‧空間
G‧‧‧閘閥
S‧‧‧處理空間
V‧‧‧閥
W‧‧‧半導體晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備：腔室；載置台，其設於上述腔室內，載置被處理基板；台座，其自下方支持上述載置台；排氣口，其配置於上述台座之下方；收集構件，其收集上述腔室內之積存物；及排氣裝置，其連接於上述排氣口；且上述收集構件設於上述台座之下表面。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述腔室之內側壁為大致圓筒形狀，且上述台座係由自上述腔室之內側壁朝靠近上述內側壁之中心軸之方向延伸之複數個支持樑予以支持。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述收集構件進而配置於上述台座之側面、以及上述支持樑之上表面、側面、及下表面中之至少任一面。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中上述載置台具有大致圓筒形狀之外側壁，上述排氣口為大致圓筒形狀，上述腔室、上述載置台、及上述排氣口係以載置於上述載置台之上 述被處理基板之中心軸與上述腔室之內側壁之中心軸、上述載置台之外側壁之中心軸、及上述排氣口之中心軸一致之方式配置，上述複數個支持樑以載置於上述載置台之上述被處理基板之中心軸穿過上述複數個支持樑之配置中心之方式配置。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中於較上述台座更下方之上述腔室之側壁，形成有於搬入或搬出上述收集構件時打開之窗口。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中於上述台座之內部設有冷卻上述台座之下表面之冷卻裝置。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述冷卻裝置使用水、空氣、或鹽水之任一者作為冷媒而冷卻上述下表面。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述收集構件進而配置於上述腔室之內側壁及上述載置台之外側壁中、較上述載置台之載置面更下方之位置。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述收集構件之表面之粗糙度為6.3μm至25μm之範圍內。
  10. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述收集構件之材質為金屬。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105431924B (zh) * 2014-04-09 2020-11-17 应用材料公司 用于解决具有改良的流动均匀性/气体传导性的可变的处理容积的对称腔室主体设计架构
JP6423706B2 (ja) * 2014-12-16 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN107808838A (zh) * 2017-11-13 2018-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 干刻蚀装置及干刻蚀方法
JP6903040B2 (ja) 2018-09-21 2021-07-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6921796B2 (ja) * 2018-09-28 2021-08-18 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
CN112103166A (zh) * 2019-06-18 2020-12-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2021042409A (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び温度制御方法
CN114256046A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其工作方法
CN115341198B (zh) * 2022-07-05 2023-08-04 湖南红太阳光电科技有限公司 一种平板式pecvd设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040035530A1 (en) * 2001-01-09 2004-02-26 Iizuka Hachishiro Sheet-fed treating device
US20040040662A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Manabu Edamura Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4929139A (en) * 1989-07-26 1990-05-29 The Perkin-Elmer Corporation Passive electrostatic vacuum particle collector
JP3172627B2 (ja) * 1992-09-03 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空形成方法および真空形成装置
US6863835B1 (en) * 2000-04-25 2005-03-08 James D. Carducci Magnetic barrier for plasma in chamber exhaust
JP3971603B2 (ja) * 2001-12-04 2007-09-05 キヤノンアネルバ株式会社 絶縁膜エッチング装置及び絶縁膜エッチング方法
JP2004079557A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN100449708C (zh) * 2004-05-27 2009-01-07 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
KR100621660B1 (ko) * 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치
JP2007242777A (ja) 2006-03-07 2007-09-20 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP2007250967A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング
US20080156266A1 (en) * 2006-12-07 2008-07-03 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
JP5154124B2 (ja) * 2007-03-29 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5135856B2 (ja) * 2007-03-31 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置、排気系及びこれを用いた処理システム
JP2010171286A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5558035B2 (ja) 2009-06-18 2014-07-23 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及び方法
KR101097738B1 (ko) * 2009-10-09 2011-12-22 에스엔유 프리시젼 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US8450701B2 (en) * 2011-04-19 2013-05-28 Axcelis Technologies, Inc. Vacuum system cold trap filter
TWI638587B (zh) 2011-10-05 2018-10-11 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
JP6293499B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR20160066340A (ko) * 2014-12-02 2016-06-10 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040035530A1 (en) * 2001-01-09 2004-02-26 Iizuka Hachishiro Sheet-fed treating device
US20040040662A1 (en) * 2002-08-28 2004-03-04 Manabu Edamura Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material

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