TWI616552B - 製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室 - Google Patents

製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室 Download PDF

Info

Publication number
TWI616552B
TWI616552B TW102114051A TW102114051A TWI616552B TW I616552 B TWI616552 B TW I616552B TW 102114051 A TW102114051 A TW 102114051A TW 102114051 A TW102114051 A TW 102114051A TW I616552 B TWI616552 B TW I616552B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
process tool
etch stop
tool shield
shield
coating
Prior art date
Application number
TW102114051A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201346055A (zh
Inventor
拉許德幕哈瑪德
艾倫阿道夫米勒
王建奇
Original Assignee
應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 應用材料股份有限公司 filed Critical 應用材料股份有限公司
Publication of TW201346055A publication Critical patent/TW201346055A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI616552B publication Critical patent/TWI616552B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本文提供製程工具防護板及合併製程工具防護板的物理氣相沉積(PVD)室的實施例。在一些實施例中，用於在物理氣相沉積製程中沉積第一材料的製程工具防護板可包括環形主體及蝕刻終止塗層，該環形主體界定由該主體圍繞的開口，其中該環形主體由第一材料製造，該蝕刻終止塗層形成在環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於第一材料的第二材料製造，相對於第一材料，該第二材料具有高的蝕刻選擇性。

Description

製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室
本發明的實施例大體上係關於基板處理設備，及更特定而言係關於用於基板處理設備中的製程工具防護板。
製程工具防護板可用於(例如)物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)室中，以將處理容積與非處理容積分離。在經配置用於在基板上沉積鋁的PVD室中，防護板可由不銹鋼(stainless steel；SST)製造。由於在處理期間沉積在防護板上的鋁層可優先地從基底SST防護板材料蝕刻掉，故此允許防護板能夠被多次再循環使用。然而，本發明人一直致力於在基板上沉積極厚的鋁薄膜的工作，相較於習知的鋁沉積製程，此需要顯著增加的製程功率及沉積時間。對於較厚的鋁沉積製程，本發明人已經觀察到製程工具防護板的溫度高到足以導致基板上的晶鬚生長的非所欲的結果，此為沉積薄膜的不良屬性。
因此，本發明人已經提供如本文中所揭示的製程工具防護板的實施例。
本文提供製程工具防護板及合併製程工具防護板的物理氣相沉積(PVD)室的實施例。在一些實施例中，用於在物理氣相沉積製程中沉積第一材料的製程工具防護板可包括環形主體及蝕刻終止塗層，該環形主體界定由該主體圍繞的開口，其中該環形主體由第一材料製造，及該蝕刻終止塗層形成在該環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於第一材料的第二材料製造，相對於第一材料，該第二材料具有高的蝕刻選擇性。
在一些實施例中，用於在基板上沉積第一材料的設備可包括製程室、基板支座、靶材及製程工具防護板，該製程室具有處理容積及非處理容積，該基板支座安置在製程室中，該靶材安置在製程室中與基板支座相對，該靶材包括待沉積在基板上的第一材料，及該製程工具防護板安置在製程室中且分離處理容積及非處理容積，該製程工具防護板包括環形主體及蝕刻終止塗層，該環形主體界定由主體圍繞的開口，其中該環形主體由第一材料製造，該蝕刻終止塗層形成在該環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於第一材料的第二材料製造，相對於第一材料，該第二材料具有高的蝕刻選擇性。
在一些實施例中，用於在物理氣相沉積(PVD)室中使用製程工具防護板處理基板的方法可包括以下步驟：在具有製程工具防護板的PVD室中沉積第一材料在基板上，該製程工具防護板包括環形主體及蝕刻終止塗層，該環形主體 界定由主體圍繞的開口，其中該環形主體由第一材料製造，該蝕刻終止塗層形成在環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於第一材料的第二材料製造，相對於第一材料，該第二材料具有高的蝕刻選擇性；從PVD室中移除製程工具防護板；選擇性地移除由於沉積第一材料在基板上而沉積在蝕刻終止塗層上的第一材料，同時顯著保留主體的表面上的蝕刻終止塗層；從主體的表面移除蝕刻終止塗層；及沉積第二蝕刻終止塗層在主體的表面上，第二蝕刻終止塗層由第三材料製造，相對於第一材料，該第三材料具有高的蝕刻選擇性。
本發明的其他及進一步的實施例描述如下。
100‧‧‧製程室
102‧‧‧基板支撐基座
104‧‧‧基板
106‧‧‧靶材
108‧‧‧側壁
110‧‧‧體電結構
118‧‧‧RF功率源
120‧‧‧DC功率源
122‧‧‧源分配板
124‧‧‧開口
125‧‧‧導電構件
128‧‧‧表面
132‧‧‧表面
134‧‧‧腔
136‧‧‧可旋轉磁控管裝配件
138‧‧‧絕緣板
139‧‧‧絕緣縫隙
140‧‧‧接地防護板
142‧‧‧配接器
142A‧‧‧上部
142B‧‧‧下部
143‧‧‧錨固裝置
144‧‧‧介電絕緣體
146‧‧‧背板
148‧‧‧中央區域
150‧‧‧波紋管
152‧‧‧底部室壁
154‧‧‧氣源
156‧‧‧質量流量控制器
158‧‧‧排氣口
160‧‧‧閥
162‧‧‧RF偏壓功率源
164‧‧‧電容調諧器
166‧‧‧磁鐵
168‧‧‧底板
170‧‧‧旋轉軸
172‧‧‧馬達
174‧‧‧製程工具防護板
176‧‧‧突出部分
178‧‧‧傳熱通道
180‧‧‧傳熱流體供應
184‧‧‧U形部分
186‧‧‧蓋環
188‧‧‧唇部
190‧‧‧磁鐵
202‧‧‧主體
204‧‧‧上部
206‧‧‧下部
208‧‧‧縫隙
210‧‧‧表面
212‧‧‧表面
214‧‧‧唇部裝配件
216‧‧‧下表面
218‧‧‧層
220‧‧‧唇部
222‧‧‧內緣
224‧‧‧內部唇部
226‧‧‧外部唇部
228‧‧‧孔
230‧‧‧孔
232‧‧‧對準特徵結構
300‧‧‧方法
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
308‧‧‧步驟
310‧‧‧步驟
以上簡要概述的及在下文更詳細論述的本發明的實施例可藉由參閱隨附圖式中圖示的本發明的說明性實施例來理解。然而，將注意，隨附圖式僅圖示本發明的典型實施例且因此不被視為對本發明範圍的限制，因為本發明可允許其他同等有效的實施例。
第1圖圖示根據本發明的一些實施例的製程室的示意性橫截面圖。
第2圖圖示根據本發明的一些實施例的製程工具防護板的示意性橫截面圖。
第3圖圖示根據本發明的一些實施例的使用製程工具防護板的方法的流程圖。
為了促進理解，已儘可能使用相同元件符號指定 圖式中共用的相同元件。圖式並非按比例繪製且可出於明確的目的而被簡化。考量到一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他的實施例中，無需進一步的詳述。
本文提供製程工具防護板及合併製程工具防護板的物理氣相沉積(PVD)室的實施例。在一些實施例中，製程工具防護板可包括環形鋁主體上的塗層，該塗層用於在PVD室中沉積鋁且塗層使得製程工具防護板可容易地再循環使用。鋁主體上的塗層用作蝕刻終止，用於容易地移除在PVD製程期間沉積的鋁。
第1圖圖示根據本發明的一些實施例的具有製程工具防護板的說明性物理氣相沉積室(製程室100)的示意性橫截面圖。適合於使用本發明的製程工具防護板的PVD室的實例包括ALPS® Plus、SIP ENCORE®及其他可從加利福尼亞的聖克拉拉的Applied Materials公司購買的PVD處理室。來自Applied Materials公司或其他製造商的其他處理室亦可從本文揭示的發明設備中獲益。
製程室100含有基板支撐基座102、濺射源(諸如靶材106)及製程工具防護板174，基板支撐基座102用於接收在基板支撐基座102上的基板104，製程工具防護板174安置在基板支撐基座102與靶材106之間。基板支撐基座102可位於接地包圍壁108內，接地包圍壁108可為室壁(如圖所示)或接地防護板(圖示接地防護板140覆蓋靶材106上方的製程室100的至少一些部分)。在一些實施例中，接地 防護板140亦可在靶材下方延伸以包圍基座102。
在一些實施例中，製程室100可包括饋電結構110或其他適當的饋電結構，用於耦合RF能量或DC能量或RF能量及DC能量兩者至靶材106。舉例而言，饋電結構為用於耦合RF能量及/或DC能量至靶材或至含有靶材的裝配件的設備，如本文中所描述。
在一些實施例中，饋電結構110的第一端可耦接至DC功率源120，DC功率源120可用於提供DC能量至靶材106。舉例而言，可使用DC功率源120以施加負電壓或偏壓至靶材106。
或者，或組合地，饋電結構110的第一端可耦接至RF功率源118，RF功率源118可用以提供RF能量至靶材106。在一些實施例中，藉由RF功率源118提供的RF能量的頻率範圍可自約2MHz至約60MHz，或(例如)，可使用非限制頻率，諸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz或60MHz。在一些實施例中，可提供複數個RF功率源(亦即，二個或二個以上)以提供複數個上述頻率之RF能量。
在一些實施例中，饋電結構110的第一端可耦接至RF功率源118，RF功率源118可用以提供RF能量至靶材106。組合地，饋電結構110的第一端亦可耦接至DC功率源120，DC功率源120可用以提供DC能量至靶材106。在一些實施例中，藉由RF功率源118供應的RF能量的頻率範圍可自約2MHz至約60MHz，或(例如)，可使用非限制頻率，諸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz或60MHz。在一些實施 例中，可提供複數個RF功率源(亦即，二個或二個以上)以提供複數個上述頻率之RF能量。
饋電結構110可(例如)經由源分配板122及導電構件125耦接至靶材106，導電構件125耦接在源分配板122及靶材106之間。腔134可藉由導電構件125的面對內部的壁、源分配板122的面對靶材的表面128及靶材106的面對源分配板的表面132界定。可使用腔134以至少部分地容納可旋轉磁控管裝配件136的一或更多個部分(以下論述)。在一些實施例中，可冷卻流體(諸如水(H2O)等等)至少部分地填滿腔。
可提供接地防護板140以覆蓋製程室100的蓋的外表面。接地防護板140可(例如)經由室主體的接地連接耦接至地面。接地防護板140可包含任何適當的導電材料，諸如鋁、銅等等。在接地防護板140與分配板122、導電構件125及靶材106(及/或背板146)的外表面之間提供絕緣縫隙139以防止RF及/或DC能量直接發送至地面。可用空氣或一些其他適當的介電材料(諸如陶瓷、塑料等等)填滿絕緣縫隙。
絕緣板138或複數個絕緣特徵結構可安置在源分配板122與接地防護板140之間以防止RF及/或DC能量直接發送至地面。絕緣板138可包含適當的介電材料，諸如陶瓷、塑料等等。或者，可提供氣隙替代絕緣板138。在提供氣隙替代絕緣板的實施例中，接地防護板140可在結構上足夠合理以支撐靜置於接地防護板140上的任何組件。
靶材106可經由介電絕緣體144說明性地支撐在室的接地導電側壁上，在一些實施例中，該接地導電側壁被稱作配接器142。在一些實施例中，室的接地導電側壁(或配接器142)可由鋁製造。靶材106包含在濺射期間沉積在基板104上的材料，諸如金屬或金屬氧化物。在一些實施例中，背板146可耦接至靶材106的面對源分配板的表面132。背板146可包含導電材料，諸如銅-鋅、銅-鉻，或與靶材相同的材料，以使得RF能量及/或DC能量可經由背板146耦合至靶材106。或者，背板146可為非導電的且可包括導電元件，諸如電引線等等，用於將靶材106耦接至導電構件125。可包括背板146(例如)以改良靶材106的結構穩定性。
可旋轉的磁控管裝配件136可定位為最靠近靶材106的背表面(例如，面對源分配板的表面132)。可旋轉磁控管裝配件136包括由底板168支撐的複數個磁鐵166。底板168連接至旋轉軸170，旋轉軸170安置為穿過開口124，與製程室100及基板104的中心軸一致。馬達172可耦接至旋轉軸170的上端以驅動磁控管裝配件136的旋轉。磁鐵166在製程室100內產生磁場，磁場大體上平行及接近於靶材106的表面以捕捉電子及增加局部電漿密度，如此又增加濺射率。磁鐵166產生圍繞製程室100的頂端的電磁場，且旋轉磁鐵166以旋轉電磁場，該電磁場影響製程的電漿密度以更均勻地濺射靶材106。舉例而言，旋轉軸170每分鐘可進行約0至約150次旋轉。
基板支撐基座102具有面對靶材106的主要表面 的材料接收表面且基板支撐基座102支撐基板104以在相對於靶材106的主要表面的平面位置被濺射塗覆。基板支撐基座102可將基板104支撐於製程室100的中央區域148中。在處理期間，中央區域148被界定為基板支撐基座102上方的區域(例如，當在處理位置時介於靶材106與基板支撐基座102之間)。
在一些實施例中，基板支撐基座102可經由波紋管150垂直地移動以允許基板104經由在製程室100的下部分中的負載鎖閥傳送至基板支撐基座102上且隨後上升至沉積或處理位置，波紋管150連接至底部室壁152。一或更多個處理氣體可自氣源154經由質量流量控制器156供應至製程室100的下部分中。可提供排氣口158及將排氣口158經由閥160耦接至泵用於排空製程室100的內部及促進在製程室100的內部維持所欲的壓力。
在一些實施例中，RF偏壓功率源162可耦接至基板支撐基座102，以便感應基板104上的負DC偏壓。此外，在一些實施例中，負DC自偏壓可在處理期間形成在基板104上。舉例而言，藉由RF偏壓功率源162供應的RF能量的頻率範圍可自約2MHz至約60MHz，或者，例如可使用非限制頻率，諸如2MHz、13.56MHz或60MHz。在其他應用中，基板支撐基座102可接地或保留電氣浮動。在一些實施例中，對於可能不要求RF偏壓功率的應用，電容調諧器164可耦接至基板支撐基座用於調整基板104上的電壓。
製程工具防護板174可以任何適當的方式耦接至 製程室100用於保持製程工具防護板174在製程室100內部的所欲位置中。舉例而言，在一些實施例中，製程工具防護板174可連接至配接器142的突出部分176。進而密封配接器142及將配接器142接地至鋁室側壁108。大體上，製程工具防護板174沿著配接器142的壁及室壁108向下延伸至基板支撐基座102的頂表面下方且向上返回直到到達基板支撐基座102的頂表面(例如，在底部形成U形部分184)。或者，製程工具防護板的最底部部分不需要為U形部分184且可具有任何適當的形狀。當基板支撐基座102位於基板支撐基座102的下部裝載位置時，蓋環186可安置於製程工具防護板174的向上延伸的唇部188的頂端上。當基板支撐基座102位於基板支撐基座102的上部沉積位置時，蓋環186安置於基板支撐基座102的外部周邊上以保護基板支撐基座102不被濺射沉積。一或更多個額外沉積環可用於遮蔽基板104的外周不受沉積影響。以下參閱第2圖論述根據本發明的製程工具防護板174的實施例。
在一些實施例中，一或更多個傳熱通道178可提供於配接器142內(如圖所示)或接近配接器142以傳熱至配接器142及/或從配接器142傳熱。一或更多個傳熱通道178可耦接至傳熱流體供應180，傳熱流體供應180可經由一或更多個傳熱通道178循環傳熱流體。在一些實施例中，傳熱流體可為冷卻劑，諸如水或其他適當的冷卻劑。傳熱流體供應180可維持傳熱流體在所欲溫度或接近所欲溫度以促進傳熱至配接器142或從配接器142傳熱。控制配接器142的溫度 有利地促進控制製程工具防護板174的溫度。舉例而言，在處理期間從製程工具防護板174移除熱量減少了室的處理狀態及閒置或關閉狀態之間製程工具防護板174的溫度梯度，此舉減少由於製程工具防護板174及製程工具防護板174上可存在的任何沉積的材料的熱膨脹的熱係數失配而可能出現的粒子產生。
在一些實施例中，磁鐵190可安置在製程室100周圍用於選擇性地在基板支撐基座102及靶材106之間提供磁場。舉例而言，如第1圖所圖示，當位於處理位置時，磁鐵190可安置在室壁108的外部周圍，恰好在基板支撐基座102的上方的區域中。在一些實施例中，磁鐵190可額外地或或者安置在其他位置，諸如接近配接器142。磁鐵190可為電磁鐵且可耦接至功率源(未圖示)用於控制電磁鐵產生的磁場的大小。
製程工具防護板大體上包含環形鋁主體，環形鋁主體具有形成在主體的表面上之塗層，在鋁PVD沉積製程期間在主體的表面上可沉積鋁。由於移除的鋁與蝕刻終止塗層的材料之間的高蝕刻選擇性，故製程工具防護板更容易再循環使用。如本文中所使用，高蝕刻選擇性係關於化學上不同的材料(諸如環形主體材料及蝕刻終止塗層材料)之間的不同的蝕刻速率比，高蝕刻選擇性足以促進沉積材料實質上完全的移除，沉積材料可與環形主體材料相同，無需經由蝕刻終止塗層材料蝕刻。舉例而言，蝕刻終止塗層可包含在鋁主體上方的鈦或其他金屬或氧化物塗層，該鋁主體可用作鋁沉 積移除的蝕刻終止，其中可移除沉積的鋁，無需經由鈦或其他金屬或氧化物塗層(亦即，蝕刻終止塗層)蝕刻。
第2圖圖示根據本發明的一些實施例的製程工具防護板174的示意性橫截面圖。製程工具防護板174包括主體202，主體202具有上部204及下部206。在一些實施例中，主體202可為一體成型主體。假設一體成型主體可有利地除去額外的表面，諸如由多個塊形成的製程工具防護板的彼等表面，其中可出現沉積材料的剝落。在一些實施例中，形成在上部204的面對靶材的表面210、面對靶材的表面212之間的縫隙208可具有適合於防止製程工具防護板174及靶材106之間的電弧之大小。在一些實施例中，縫隙208的距離可在約0.25mm至約4mm或約2mm之間。
在習知的PVD製程中，例如，對於沉積鋁，製程工具防護板可由諸如不銹鋼(SST)的材料製造。然而，本發明人已經探索當沉積厚的鋁層時，此類習知的製程工具防護板的溫度高到足以導致基板上的晶鬚生長的非所欲的結果，此為沉積薄膜的不良屬性。此外，已經發現由於防護板的熱膨脹的相對下降，故材料(諸如SST)上方的鋁的較高導熱性允許較高的操作功率。由於在靶材方向的防護板的熱膨脹可導致非所欲的電弧跨過從防護板到靶材的高電壓縫隙，故減少熱膨脹有利地促進提供較寬的製程窗口(例如，可使用的操作功率的較寬範圍)。
因此，在一些實施例中，製程工具防護板174的主體202可由鋁製造。此外，製程工具防護板174的至少面 對處理容積的表面可塗覆有具有對鋁的高蝕刻選擇性的材料層，諸如鈦、鉭、鎳、氧化鈦等等中的一或更多者。層218可以任何適當的方式沉積，諸如藉由電漿噴塗。在一些實施例中，鈦層218的純度為大於99%。可在惰性或真空(例如，無氧)環境中執行電漿噴塗以提高塗層的純度。亦可在真空環境中執行製程從而提高塗層的純度及密度。塗層218的厚度可在約0.008吋至約0.012吋之間。厚度亦可更大以提高再循環性效能。
進一步地，層218的表面粗糙度的範圍可自約250微吋至約400微吋平均粗糙度(roughness average；Ra)，以使得處理期間在塗層上形成的任何薄膜具有剝落及污染處理的基板的有限潛力。
上部204(例如，上部204可用以替換習知的製程工具防護板的陶瓷部分)藉由縫隙208與靶材106的表面分隔開，以使得將電弧限制在靶材106的表面與上部204的面對靶材的表面210、面對靶材的表面212之間。舉例而言，面對靶材的表面中的一或更多者可經配置以限制粒子形成同時維持適當的縫隙距離以限制電弧。舉例而言，面對靶材的表面210可為波狀面對靶材的表面，表面210具有任何經適當塑形的波狀表面，以限制粒子在面對靶材的表面212上聚集或限制面對靶材的表面212上的材料的低能量沉積。波狀的面對靶材的表面可限制視力的直達線或創造曲折的路徑，由此靶材的粒子或靶材的低能量沉積將不會到達製程工具防護板174的上部的水平面對靶材的表面212。舉例而言，在一 些實施例中，波狀面對靶材的表面可通常向內延伸(例如，朝向靶材106)或通常可向外延伸(例如，遠離靶材106)。亦可使用波狀面對靶材的表面的其他幾何形狀。進一步地，在一些實施例中，接近波狀面對靶材的表面的靶材表面可經塑形以一般地匹配波狀面對靶材的表面的波狀形狀。或者，接近波狀面對靶材的表面的靶材106的表面可不為波狀的，以匹配波狀面對靶材的表面的波狀形狀。
主體202的下部206包括唇部裝配件214，唇部裝配件214與蓋環186交界。舉例而言，唇部裝配件214可包括下表面216，下表面216從主體202的下部206的下邊緣向內延伸。如以上論述的，下表面216可呈現任何適當的形狀，諸如如第1圖中所圖示的U形部分184。唇部裝配件214包括安置在下表面216的內緣222周圍的唇部220，且唇部220自下表面的內緣222朝向主體202的上部204向上延伸。在一些實施例中，唇部220可在蓋環186的接近的及向下延伸的內部唇部224與外部唇部226之間向上延伸。
蓋環186的內部唇部224及外部唇部226的長度及唇部220的長度可取決於製程室100中執行的製程的類型而變化。舉例而言，在高壓力製程中，例如在自約1毫托至約500毫托的範圍的壓力處，可限制基板支座的移動。因此，在高壓力製程中，唇部220可為約1吋長。此外，高壓力製程期間基板支座的移動範圍可為約15mm或更少。內部唇部224及外部唇部226的長度可為任何適當的長度，該長度足以當內部唇部224及外部唇部226與唇部220保持重疊時覆蓋 基板支座的移動範圍。唇部220及至少外部唇部226之間的最小重疊可為約0.25吋。
在一些實施例中，例如在壓力範圍從約1毫托到約500毫托的低壓力製程期間，唇部220及內部唇部224及外部唇部226可比高壓力製程期間更短。舉例而言，在低壓力製程期間，唇部220的長度範圍可從約0吋至約5吋或約2.2吋。此外，在一些實施例中，低壓力製程期間基板支座的移動範圍可為約40mm(約1.57吋)或更少。內部唇部224及外部唇部226的長度可為任何適當的長度，該長度足以當內部唇部224及外部唇部226與唇部220保持重疊時覆蓋基板支座的移動範圍。唇部220與至少外部唇部226之間的最小重疊可為約0吋至約5吋。
在一些實施例中，製程工具防護板174亦可包括複數個對準特徵結構232(第2圖圖示為一個)，對準特徵結構232安置在唇部220的面對內部唇部的表面周圍。對準特徵結構232可對準唇部220以接觸蓋環186的外部唇部226。舉例而言，唇部220可經有利地對準以接觸外部唇部226以形成唇部220與外部唇部226之間的良好密封，從而維持處理容積中的壓力等等。在一些實施例中，對準特徵結構232可有利地提供蓋環186與製程工具防護板174之間的同心性以界定蓋環186與製程工具防護板174之間均勻的縫隙。均勻的縫隙提供所有氣體的更為均勻的流導，該等氣流可從室的下部提供。
在一些實施例中，每一對準特徵結構232可為圓 形的特徵結構，諸如球狀物。對準特徵結構232可包含不銹鋼、鋁等等。對準特徵結構232接觸蓋環186的內部唇部224的表面。接觸內部唇部224的對準特徵結構232的至少一部分可由硬質材料形成，例如，藍寶石、不銹鋼、氧化鋁等等，以防止與內部唇部224接觸期間剝落。或者，對準特徵結構232可接觸蓋環186的外部唇部226的表面。
在一些實施例中，可將製程工具防護板174錨固至配接器142。舉例而言，配接器142可包括上部142A及下部142B(亦被稱為上配接器及下配接器)。主體202的上部204可位於配接器142的上部142A上。上部204可包括複數個孔228，複數個孔228安置在上部204周圍，用於使螺絲、螺釘或類似物穿過孔228而放置，以抵靠配接器142的上部142A而緊固主體202。配接器142的上部142A類似地包括複數個孔230，該複數個孔230接近每一孔228，用於使螺絲、螺釘或類似物穿過孔230而放置。孔228、孔230可能不是螺紋的，例如，以限制氣體導致的實質洩露的可能性，該等氣體可能會陷入在孔及螺絲、螺釘等等的相鄰的螺紋之間。配接器142進一步包括一或更多個錨固裝置143，錨固裝置143位於主體202周圍及每一孔230下方以從配接器142上方接收螺絲、螺釘等等。在一些實施例中，可提供一個錨固裝置及該錨固裝置可為環形板。每一錨固裝置143可包含不銹鋼或適合於接收螺絲、螺釘等等的另一種硬質材料。每一錨固裝置143包括螺紋部分，用於緊固螺絲、螺釘或類似者。在一些實施例中，在製程工具防護板174及製程室之間提供充 分的接觸表面區域以促進來自製程工具防護板174的增加的傳熱從而降低防護板溫度。舉例而言，一些實施例中12個以上的安裝螺釘，或在一些實施例中約36個安裝螺釘或等效物可用於提供更多接觸表面。在一些實施例中，安裝有防護板的配接器142可經水冷卻以促進從製程工具防護板174移除熱量。
本文中描述的製程工具防護板的實施例對於在PVD室(諸如上述的製程室100)中沉積鋁特別有用。根據本發明的製程工具防護板可有利地使得在基板上沉積更厚的鋁薄膜(諸如純鋁)，無需較高的防護板溫度，從而防止沉積薄膜上的非所欲的晶鬚生長。此外，在鋁製程工具防護板上沉積純鋁之後，由於沉積在鋁主體上方的鈦塗層，故可清潔及再循環使用製程工具防護板，該鈦塗層使得來自PVD沉積製程的鋁薄膜從製程工具防護板被優先移除或蝕刻。
舉例而言，第3圖圖示用於在物理氣相沉積(PVD)室中使用製程工具防護板(諸如上述的製程工具防護板174及製程室100)處理基板的方法300。
方法300通常開始於302，在302處，在具有製程工具防護板(例如，174)的PVD室(例如，100)中沉積鋁在基板(例如，104)上，該製程工具防護板包含環形鋁主體，環形鋁主體界定由主體圍繞的開口，且製程工具防護板具有在該主體的面對開口的表面上形成的塗層，塗層包含鈦、鉭、鎳、鈮、鉬或氧化鈦中的至少一者。
執行在基板上沉積鋁的一或更多個製程之後，足夠的鋁可沉積在製程工具防護板174上，以使得需要清潔或 替換製程工具防護板174從而維持製程品質，例如，以避免從製程工具防護板剝落的材料的粒子沉積在基板上。因此，在304處，可從PVD室移除製程工具防護板，且在306處，由於鋁沉積製程而沉積在塗層上的鋁可選擇性地移除同時顯著保留製程工具防護板的主體的表面上的塗層(例如，層218)。沉積的鋁可完全地或實質上完全地自塗層(例如，層218)移除，例如，藉由使用具有對於蝕刻塗層材料(例如，如以上論述的鈦或其他材料)上方的鋁的選擇性的適當蝕刻劑將鋁蝕刻掉。
其次，在308處，可自主體表面移除塗層(例如，層218)。塗層可完全地或實質上完全地自主體移除，例如，藉由使用具有對於蝕刻鋁上方的塗層材料(例如，如以上論述的鈦或其他材料)的選擇性的適當的蝕刻劑蝕刻掉材料或藉由使用適當的磨料噴砂處理塗層。
其次，在310處，可在主體的表面上沉積第二塗層。第二塗層可與第一層218相同，例如，包含鈦、鉭、鈮、鉬、鎳或氧化鈦中的至少一者。在完成310之後，再循環使用的工具防護板174現在又可安裝在製程室100中以在鋁PVD沉積製程期間使用。
雖然前述內容針對本發明的實施例，但是亦可在不脫離本發明的基本範疇的情況下設計本發明的其他及進一步實施例。

Claims (18)

  1. 一種用於在一物理氣相沉積製程中沉積一第一材料的製程工具防護板，該製程工具防護板包含：一環形主體，該環形主體界定該主體圍繞的一開口，其中該環形主體由該第一材料製造；及一蝕刻終止塗層，該蝕刻終止塗層形成在該環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於該第一材料的一第二材料製造，該第二材料相對於該第一材料具有一蝕刻選擇性足以經由一蝕刻清洗處理促進通過一沉積製程在該製程工具防護板上沉積的該第一材料實質上完全的移除，而無需蝕刻通過該第二材料，其中在一惰性或真空環境中將該蝕刻終止塗層電漿噴塗在該環形主體的面對開口的表面上以提高該蝕刻終止塗層的純度，及其中該第二材料係具有大於99%一純度的一鈦塗層。
  2. 如請求項1所述之製程工具防護板，其中該第一材料為鋁。
  3. 如請求項1所述之製程工具防護板，其中該蝕刻終止塗層的一厚度為約0.008吋至約0.012吋。
  4. 如請求項1所述之製程工具防護板，其中該蝕刻終止塗層的一表面粗糙度為約250微吋至約400微吋平均粗糙度(Ra)。
  5. 如請求項1所述之製程工具防護板，該製程工具防護板進一步包含：該主體的一下部，該下部包括一唇部裝配件，其中該唇部裝配件包括一下表面，該下表面從該主體的該下部的一下邊緣向內延伸。
  6. 如請求項5所述之製程工具防護板，其中該唇部裝配件進一步包括一唇部，該唇部安置在該主體的該下表面的一內緣周圍，且該唇部從該下表面的該內緣朝向該主體的一上部向上延伸。
  7. 如請求項1所述之製程工具防護板，其中該蝕刻終止塗層經配置以停止一蝕刻清洗處理蝕刻該第一材料。
  8. 如請求項6所述之製程工具防護板，其中該唇部包括複數個對準特徵結構，該複數個對準特徵結構安置在該唇部的一面對內部的表面周圍。
  9. 一種用於在一基板上沉積一第一材料的設備，該設備包含：一製程室，該製程室具有一處理容積及一非處理容積，一基板支座，該基板支座安置在該製程室中； 一靶材，該靶材安置在該製程室中與該基板支座相對，該靶材包括待沉積在一基板上的一第一材料，其中該第一材料係鋁；及一製程工具防護板，該製程工具防護板安置在該製程室中且將該處理容積與該非處理容積分離，該製程工具防護板包含：一環形主體，該環形主體界定由該主體圍繞的一開口，其中該環形主體由該第一材料製造；及一蝕刻終止塗層，該蝕刻終止塗層形成在該環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於該第一材料的一第二材料製造，該第二材料具有相對於該第一材料具一蝕刻選擇性的材料足以經由一蝕刻清洗處理促進通過一沉積製程在該製程工具防護板上沉積的該第一材料實質上完全的移除，而無需蝕刻通過該第二材料，及其中在一惰性或真空環境中將該蝕刻終止塗層電漿噴塗在該環形主體的面對開口的表面上以提高該蝕刻終止塗層的純度，及其中該第二材料係具有大於99%一純度的一鈦塗層。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該蝕刻終止塗層的一厚度為約0.008吋至約0.012吋。
  11. 如請求項9所述之設備，其中該蝕刻終止塗層的一表面粗糙度為約250毫吋至約400毫吋平均粗糙度(Ra)。
  12. 如請求項9所述之設備，該設備進一步包含：該主體的一下部，該下部包括一唇部裝配件，其中該唇部裝配件包括一下表面，該下表面從該主體的該下部的一下邊緣向內延伸。
  13. 如請求項12所述之設備，其中該唇部裝配件進一步包括一唇部，該唇部安置在該主體的該下表面的一內緣周圍，且該唇部從該下表面的該內緣朝向該主體的一上部向上延伸。
  14. 如請求項9所述之設備，進一步包括：一配接器，該配接器包含一突出部份，其中該製程工具防護板的該環形主體的一上部以約24至約36個安裝螺栓安裝於該突出部份。
  15. 如請求項14所述之設備，其中該配接器經水冷卻以促進從該製程工具防護板移除熱量。
  16. 一種用於在一物理氣相沉積(PVD)室中使用一製程工具防護板處理一基板的方法，該方法包含以下步驟：在具有一製程工具防護板的一PVD室中沉積一第一材料在一基板上，該製程工具防護板包含： 一環形主體，該環形主體界定由該主體圍繞的一開口，其中該環形主體由該第一材料製造，及一蝕刻終止塗層，該蝕刻終止塗層形成在該環形主體的面對開口的表面上，該蝕刻終止塗層由不同於該第一材料的一第二材料製造，該第二材料相對於該第一材料具有一蝕刻選擇性足以經由一蝕刻清洗處理促進通過一沉積製程在該製程工具防護板上沉積的該第一材料實質上完全的移除，而無需蝕刻通過該第二材料，其中在一惰性或真空環境中將該蝕刻終止塗層電漿噴塗在該環形主體的面對開口的表面上以提高該蝕刻終止塗層的純度，及其中該第二材料係具有大於99%一純度的一鈦塗層；從該PVD室移除該製程工具防護板；選擇性地移除由於沉積一第一材料在一基板上而沉積在該蝕刻終止塗層上的該第一材料，同時顯著保留該主體的該等表面上的該蝕刻終止塗層；從該主體的該等表面移除該蝕刻終止塗層；及沉積一第二蝕刻終止塗層在該環形主體的該等表面上，該第二蝕刻終止塗層由一第三材料製造，該第三材料相對於該第一材料具有一蝕刻選擇性足以經由一蝕刻清洗處理促進通過一沉積製程在該製程工具防護板上沉積的該第一材料實質上完全的移除，而無需蝕刻通過該第三材料。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該第一材料為鋁。
  18. 如請求項17所述之方法，其中該第二材料及該第三材料為鈦、鉭、鎳、鈮、鉬或氧化鈦中的至少一者。
TW102114051A 2012-04-24 2013-04-19 製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室 TWI616552B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261637606P 2012-04-24 2012-04-24
US61/637,606 2012-04-24
US13/860,578 2013-04-11
US13/860,578 US20130277203A1 (en) 2012-04-24 2013-04-11 Process kit shield and physical vapor deposition chamber having same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201346055A TW201346055A (zh) 2013-11-16
TWI616552B true TWI616552B (zh) 2018-03-01

Family

ID=49379103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102114051A TWI616552B (zh) 2012-04-24 2013-04-19 製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20130277203A1 (zh)
JP (1) JP6238963B2 (zh)
KR (2) KR20200079576A (zh)
CN (1) CN104246004B (zh)
TW (1) TWI616552B (zh)
WO (1) WO2013162992A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130136864A1 (en) * 2011-11-28 2013-05-30 United Technologies Corporation Passive termperature control of hpc rotor coating
JP5860063B2 (ja) * 2011-12-22 2016-02-16 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
CN105097401B (zh) * 2014-05-13 2017-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室及半导体加工设备
CN105779932B (zh) * 2014-12-26 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 用于处理腔室的工艺内衬和物理气相沉积设备
US10546733B2 (en) 2014-12-31 2020-01-28 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield
CN107109632A (zh) * 2015-03-31 2017-08-29 株式会社爱发科 阴极组件
US10103012B2 (en) 2015-09-11 2018-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece process kit shield for reducing the impact of an electric field near the substrate
US9953812B2 (en) 2015-10-06 2018-04-24 Applied Materials, Inc. Integrated process kit for a substrate processing chamber
JP2018535324A (ja) * 2015-11-24 2018-11-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｖｈｆ−ｒｆ ｐｖｄチャンバで使用するためのプレコートされたシールド
US11017984B2 (en) * 2016-04-28 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Ceramic coated quartz lid for processing chamber
US9773665B1 (en) * 2016-12-06 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Particle reduction in a physical vapor deposition chamber
US10998172B2 (en) 2017-09-22 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber having improved process volume sealing
JP7001448B2 (ja) * 2017-12-05 2022-01-19 東京エレクトロン株式会社 Ｐｖｄ処理方法およびｐｖｄ処理装置
US11935732B2 (en) 2018-01-29 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Process kit geometry for particle reduction in PVD processes
US10818839B2 (en) 2018-03-15 2020-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for and method of fabricating semiconductor devices
US11584985B2 (en) * 2018-08-13 2023-02-21 Honeywell International Inc. Sputter trap having a thin high purity coating layer and method of making the same
TW202340495A (zh) * 2019-02-11 2023-10-16 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積方法
US11289312B2 (en) * 2019-06-12 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020090464A1 (en) * 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US20110278165A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5419029A (en) * 1994-02-18 1995-05-30 Applied Materials, Inc. Temperature clamping method for anti-contamination and collimating devices for thin film processes
US6613442B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-02 Lam Research Corporation Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
KR100427842B1 (ko) * 2001-09-21 2004-04-30 장건 진공증착박막코팅챔버용 실드 및 그 제조방법
US7026009B2 (en) * 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
US20050205415A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Belousov Igor V Multi-component deposition
US7618769B2 (en) * 2004-06-07 2009-11-17 Applied Materials, Inc. Textured chamber surface
JP4623055B2 (ja) * 2007-05-23 2011-02-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法
JP5916384B2 (ja) * 2008-04-16 2016-05-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハ処理堆積物遮蔽構成材
US20100055298A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Applied Materials, Inc. Process kit shields and methods of use thereof
KR20120021642A (ko) * 2010-08-11 2012-03-09 주식회사 에스에프에이 스퍼터 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020090464A1 (en) * 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US20110278165A1 (en) * 2010-05-14 2011-11-17 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150013594A (ko) 2015-02-05
JP6238963B2 (ja) 2017-11-29
TW201346055A (zh) 2013-11-16
US20170088942A1 (en) 2017-03-30
KR20200079576A (ko) 2020-07-03
JP2015515551A (ja) 2015-05-28
CN104246004A (zh) 2014-12-24
WO2013162992A1 (en) 2013-10-31
CN104246004B (zh) 2017-05-03
US20130277203A1 (en) 2013-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI616552B (zh) 製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室
JP5931055B2 (ja) 基板を処理する装置及び当該装置に含まれるプロセスキットシールド
KR101760846B1 (ko) 고 종횡비 피처들에서 금속을 증착하는 방법
US20090308739A1 (en) Wafer processing deposition shielding components
US11289312B2 (en) Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability
WO2016109129A1 (en) One-piece process kit shield
US8563428B2 (en) Methods for depositing metal in high aspect ratio features
US11114289B2 (en) Non-disappearing anode for use with dielectric deposition
TWI682048B (zh) 用於物理氣相沉積介電質沉積的設備
WO2010123680A2 (en) Wafer processing deposition shielding components
KR20130126887A (ko) 상호연결 구조물들을 형성하기 위한 방법들
TWI766904B (zh) 用於在基板處理中減少顆粒的處理套件屏蔽、物理氣相沉積腔室及方法
US8835308B2 (en) Methods for depositing materials in high aspect ratio features
TWI801632B (zh) 用於電漿處理腔室的處理套件、用於ｒｆｐｖｄ腔室的處理套件、及ｐｖｄ腔室
TW202146697A (zh) 用於物理氣相沉積反應室的組件
JP7509790B2 (ja) パルスｐｖｄにおけるプラズマ改質によるウエハからの粒子除去方法