JP2005072175A - パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 このパーティクル除去装置は、プラズマエッチング装置のチャンバ10内壁あるいはシャワーヘッド38内壁面に絶縁体70を介して取り付けられた帯電用電極72と帯電用電極72の電位および電圧印加のタイミングを制御する帯電制御部74とを含むパーティクル帯電制御手段を有し、このパーティクル帯電制御手段で形成するイオンシース領域の正イオンでパーティクルを正に帯電させ、正帯電したパーティクルをプラズマ処理装置の排気口24側へと移送してチャンバ10の外(排気装置28側)へ排出する。
【選択図】 図1
Description
12 サセプタ(下部電極)
22 バッフル板
24 排気口
28 排気装置
32 高周波電源
38 シャワーヘッド(上部電極)
40 静電チャック
56 上部電極板
62 処理ガス供給部
66 磁石
68 エッチャー制御部
70 絶縁体
72 帯電用電極
74 帯電制御部
100 絶縁体
102 第1帯電用電極
104 第1制御部
106 第2帯電用電極
108 第2制御部
102A 中央部
102B 周辺部帯電用電極
114 直流電源
Claims (28)
- 排気ポートに接続された減圧可能なチャンバ内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の前記チャンバ内からパーティクルを除去するためのパーティクル除去装置において、
前記被処理基板の近傍を除く領域に形成されるイオンシース領域の正イオンで、前記チャンバ内で発生するパーティクルを正帯電させるパーティクル帯電制御手段を有し、前記正帯電したパーティクルを前記排気ポートを通して前記チャンバの外へ排出するパーティクル除去装置。 - 排気ポートに接続された減圧可能なチャンバ内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の前記チャンバ内からパーティクルを除去するためのパーティクル除去装置において、
前記被処理基板の近傍を除く領域に形成されるイオンシース領域の正イオンで、前記チャンバ内で発生するパーティクルを正帯電させるパーティクル帯電制御手段と、
前記正帯電のパーティクルを前記イオンシース領域を経由して前記排気ポート側へ移送する帯電パーティクル移送手段と
を有するパーティクル除去装置。 - 前記パーティクル帯電制御手段が、前記イオンシース領域を挟んで前記プラズマに対向する側に設けられる制御用電極と、前記制御用電極を負電位にするための電源部とを有する請求項1または請求項2に記載のパーティクル除去装置。
- 前記パーティクル帯電制御手段および前記帯電パーティクル移送手段の少なくとも一方が、前記プラズマ側に面して配置された制御用電極と、前記制御用電極を負電位にするための電源部とを有する請求項1または請求項2に記載のパーティクル除去装置。
- 前記制御用電極が、前記被処理基板を載置する第1の高周波放電用電極と対向して配置される第2の高周波放電用電極の表面上に絶縁膜を介して設けられる請求項3または請求項4に記載のパーティクル除去装置。
- 前記制御用電極が、前記チャンバの内壁面に絶縁膜を介して取り付けられる請求項3〜5のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記パーティクル帯電制御手段において、前記制御用電極が互いに物理的に分離している複数の導体を有し、前記電源部が各々の前記導体を独立的に負電位にする請求項3〜6のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記帯電パーティクル移送手段において、前記制御用電極が互いに物理的に分離している複数の導体を有し、前記電源部が各々の前記導体を独立的に負電位にする請求項4〜7のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記電源部が、前記制御用電極を構成する前記複数の導体に対し、前記排気ポートに近くなるにつれて絶対値の大きな負電位を与える請求項7または請求項8に記載のパーティクル除去装置。
- 前記電源部が、前記制御用電極を構成する前記複数の導体に対し、前記正帯電のパーティクルを排気ポート側へ順次転送するように所定の位相関係で負電位のパルスを印加する請求項7〜9のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記電源部が、前記制御用電極に直流回路を介して電気的に接続される直流電源を有する請求項3〜10のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記電源部が、前記制御用電極に結合容量を介して電気的に接続される高周波電源を有する請求項3〜6のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記制御用電極の表面が絶縁膜で被覆されている請求項3〜12のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 前記プラズマ処理装置には、前記チャンバ内で生成されるプラズマを前記被処理基板の近傍に偏在させるための磁場を形成する手段が備えられている請求項1〜13のいずれか一項に記載のパーティクル除去装置。
- 排気ポートに接続された減圧可能なチャンバ内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の前記チャンバ内からパーティクルを除去するためのパーティクル除去方法において、
前記被処理基板の近傍を除く領域に形成されるイオンシース領域の正イオンの付着により、前記チャンバ内で発生するパーティクルを正に帯電させ、前記正帯電のパーティクルを前記イオンシース領域を経由して前記排気ポート側へ導き、前記排気ポートから前記チャンバの外へ排出するパーティクル除去方法。 - 前記正イオンおよび前記正帯電のパーティクルを前記イオンシース領域と接する近隣の物体表面側に引き寄せるための負の電位を前記物体表面に与える請求項15に記載のパーティクル除去方法。
- 前記イオンシース領域と接する物体を前記排気ポートからの距離に応じて複数の領域に電気的に分離し、各領域毎に独立した負電位を与える請求項16に記載のパーティクル除去方法。
- 前記複数の領域の中で前記排気ポートに近い領域ほど絶対値の大きい負電位を与える請求項17に記載のパーティクル除去方法。
- 前記複数の領域に、互いに位相のずれた複数の負電圧パルスをそれぞれ印加し、前記正帯電のパーティクルを排気ポート側へ転送する請求項17または請求項18に記載のパーティクル除去方法。
- 排気ポートに接続された真空可能なチャンバ内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の前記チャンバ内からパーティクルを除去するためのパーティクル除去方法において、
前記チャンバ内壁に沿って形成されるイオンシースの領域の正イオンの付着によりパーティクルを正に帯電させ、前記正帯電のパーティクルを前記チャンバ内壁に沿って前記排気ポート側へ導いて、前記排気ポートから前記チャンバの外へ排出するパーティクル除去方法。 - 前記チャンバの内壁に両面を絶縁体に挟まれた制御用電極を設け、前記正イオンおよび前記正帯電のパーティクルを前記チャンバ内壁側に引き寄せるための負の電位を前記制御用電極に与える請求項20に記載のパーティクル除去方法。
- 排気ポートに接続された真空可能なチャンバ内で相対向する第1および第2の電極間に高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記第1の電極上の被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の前記チャンバ内からパーティクルを除去するためのパーティクル除去方法において、
前記第2の電極に沿って形成されるイオンシースの領域の正イオンの付着によりパーティクルを正に帯電させ、前記正帯電のパーティクルを前記第2の電極の主面および前記チャンバの内壁に沿って前記排気ポート側へ導いて、前記排気ポートから前記チャンバの外へ排出するパーティクル除去方法。 - 前記第2の電極の主面上に両面を絶縁体に挟まれた制御用電極を設け、前記正イオンおよび前記正帯電のパーティクルを前記第2の電極の主面側に引き寄せるための負の電位を前記制御用電極に与える請求項22記載のパーティクル除去方法。
- 前記排気ポートが前記チャンバ内壁の下部近傍に設けられ、前記正帯電のパーティクルが前記チャンバ内壁に沿って落下しながら前記排気ポート側へ導かれる請求項20〜23に記載のパーティクル除去方法。
- 前記排気ポートの入口付近に低コンダクタンスの排気路を与えるバッフル板が設けられ、前記バッフル板に負の電位が与えられる請求項24に記載のパーティクル除去方法。
- 排気ポートに接続された減圧可能なチャンバ内で処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で被処理基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記被処理基板の近傍を除く領域に形成されるイオンシース領域の正イオンで、前記チャンバ内で発生するパーティクルを正帯電させるパーティクル帯電制御手段を有し、前記正帯電したパーティクルを前記排気ポートを通して前記チャンバの外へ排出するプラズマ処理装置。 - 前記パーティクル帯電制御手段が、前記イオンシース領域を挟んで前記プラズマに対向する側に設けられる制御用電極と、前記制御用電極を負電位にするための電源部とを有する請求項26に記載のプラズマ処理装置。
- 前記パーティクル帯電制御手段が、前記プラズマ側に面して配置された制御用電極と、前記制御用電極を負電位にするための電源部とを有する請求項26または請求項27に記載のプラズマ処理装置。
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