JP2007162081A - 高圧処理装置及び高圧処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】耐圧容器内にヒータを備えた基板の載置台を設け、前記耐圧容器内において、この載置台から見える部分に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の大きい材質例えばアルミニウムや銅などの材質からなる熱的シールド層を積層する。この場合、熱的シールド層内に加熱手段等の温度調整部を設けることが好ましく、また熱的シールド層と耐圧容器の内壁との間に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の小さい石英などの断熱層を設けることが好ましい。
【選択図】図1
Description
基板を載置するための載置部がその中に設けられ、超臨界流体を維持する圧力に耐えることのできる耐圧容器と、
この耐圧容器内に処理流体を供給するための処理流体供給部と、
前記耐圧容器の内側に積層され、当該耐圧容器の材質の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材質からなる熱的シールド層と、を備えたことを特徴とする。前記熱的シールド層は、例えばアルミニウム、銅、窒化アルミニウム及び炭化ケイ素から選ばれる材料により構成されている。また前記熱的シールド層に温度調整部を設けてもよく、この温度調整部には温度検知手段と、この温度検知手段の検知結果に基づいて温度調整される加熱手段及び冷却手段の少なくとも一方と、が含まれている。
耐圧容器の内側に積層された、当該耐圧容器の材質の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材質からなる熱的シールド層により囲まれる処理空間に被処理基板を搬入する工程と、
次いで処理空間に処理流体を供給して被処理基板に成膜を行う工程と、を含むことを特徴とする。
ウエハW上にCu膜が形成された後、バルブV2、V3、導入バルブV7及び導入バルブV12を閉じて処理流体の供給を停止する。金属原料については、バルブV8を閉じると共に、金属原料加圧器96を停止することにより、処理流体への混合を停止させる。同様に還元剤についても、バルブV9、V11を閉じて処理媒体への混合を停止させる(ステップS4)。
W ウエハ
2 耐圧容器
20 耐圧枠材
21 上蓋
25 断熱材
3 載置台
31 台座
4 シールプレート
51 ピストン本体
6 熱的シールド層
61 シースヒータ
62 熱電対
79 ガス供給部
80 加熱器
81 加圧器
82 プリカーサ供給部
83 還元剤供給部
Claims (11)
- 超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を基板に供給して成膜を行う高圧処理装置において、
基板を載置するための載置部がその中に設けられ、超臨界流体を維持する圧力に耐えることのできる耐圧容器と、
この耐圧容器内に処理流体を供給するための処理流体供給部と、
前記耐圧容器の内側に積層され、当該耐圧容器の材質の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材質からなる熱的シールド層と、を備えたことを特徴とする高圧処理装置。 - 前記熱的シールド層は、アルミニウム、銅、窒化アルミニウム及び炭化ケイ素から選ばれる材料により構成されていることを特徴とする請求項1記載の高圧処理装置。
- 前記熱的シールド層に温度調整部を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の高圧処理装置。
- 前記温度調整部は、温度検知手段と、この温度検知手段の検知結果に基づいて温度調整される加熱手段及び冷却手段の少なくとも一方と、を含むことを特徴とする請求項3記載の高圧処理装置。
- 前記熱的シールド層と耐圧容器の内壁との間に、耐圧容器の材質の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する材質からなる断熱層を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の高圧処理装置。
- 断熱層と耐圧容器の内壁との間に冷却手段を設けたことを特徴とする請求項5記載の高圧処理装置。
- 前記載置部は、加熱手段を備えたステージからなり、熱的シールド層は、前記ステージ、処理流体の導入口及び排出口を除いた耐圧容器の内面を全て覆うように設けられていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の高圧処理装置。
- 耐圧容器内の側面及び上面により区画される空間に嵌合して設けられると共に載置部に載置される基板に対向する面に処理流体の導入口をなす噴出孔が形成された熱的シールド層を兼用する処理流体供給部を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の高圧処理装置。
- 超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を被処理基板に供給して成膜を行う高圧処理方法において、
耐圧容器の内側に積層された、当該耐圧容器の材質の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材質からなる熱的シールド層により囲まれる処理空間に被処理基板を搬入する工程と、
次いで処理空間に処理流体を供給して被処理基板に成膜を行う工程と、を含むことを特徴とする高圧処理方法。 - 熱的シールド層に設けられた温度検出部と温度調整部とにより、熱的シールド層を設定温度に調整する工程を含むことを特徴とする請求項9記載の高圧処理方法。
- 耐圧容器内の側面及び上面により区画される空間に嵌合して設けられると共に載置部に載置される被処理基板に対向する面に処理流体の導入口をなす多数の噴出孔が形成された熱的シールド層を兼用する処理流体供給部を用い、前記噴出孔を介して処理流体を被処理基板に供給することを特徴とする請求項8または9記載の高圧処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005360794A JP5066336B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 高圧処理装置及び高圧処理方法 |
US11/610,131 US20070134602A1 (en) | 2005-12-14 | 2006-12-13 | High-pressure processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005360794A JP5066336B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 高圧処理装置及び高圧処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007162081A true JP2007162081A (ja) | 2007-06-28 |
JP5066336B2 JP5066336B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=38139788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005360794A Expired - Fee Related JP5066336B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | 高圧処理装置及び高圧処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070134602A1 (ja) |
JP (1) | JP5066336B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5066336B2 (ja) | 2012-11-07 |
US20070134602A1 (en) | 2007-06-14 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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