JP2018029119A - 誘導結合型プラズマ処理装置 - Google Patents
誘導結合型プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018029119A JP2018029119A JP2016160099A JP2016160099A JP2018029119A JP 2018029119 A JP2018029119 A JP 2018029119A JP 2016160099 A JP2016160099 A JP 2016160099A JP 2016160099 A JP2016160099 A JP 2016160099A JP 2018029119 A JP2018029119 A JP 2018029119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- frequency power
- high frequency
- front plate
- induction coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
a) 誘導コイルとプラズマ処理空間を隔てる誘電体窓の前記誘導コイル側に設けられたクリーニング電極と、
b) 前記クリーニング電極に高周波電力を供給するクリーニング高周波電源と、
c) 前記誘電体窓の前記プラズマ処理空間側に設けられた交換可能な前置板と
を備えることを特徴とする。
実施形態に係る誘導結合型プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)処理装置(以下、「ICP処理装置」ともいう)の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、ICP処理装置1の構成を示す概略図である。
誘電体窓15は、例えば、窓枠151(図2参照)を介して上壁面111に対して固定されている。すなわち、窓枠151は、リング状の側壁とその下端から内方に張り出す掛止部とから成る断面L字形状の部材であり、掛止部上に誘電体窓15が支持され、側壁が上壁面111の開口の縁に沿って固定される。
前置板2について、図1に加え、図2、図3を参照しながら説明する。図2は、ICP処理装置1における誘電体窓15の付近の様子を拡大して示す断面図である。図3は、前置板2をプラズマ処理空間V側から見た平面図である。
クリーニング電極3について、図1、図2に加え、図4を参照しながら説明する。図4は、クリーニング電極3の形状例を示す平面図である。
具体的には例えば、図4(a)に示されるクリーニング電極3aのように、平面視にて放射状のパターンを形成するものであってもよい。また例えば、放射状のパターンにおいて、放射状に伸びる各直線部分の先端が枝分かれしたパターンを形成するものであってもよい(図4(b)に示されるクリーニング電極3b)。また例えば、放射状のパターンにおいて、放射状に伸びる各直線部分から複数の枝部分がさらに伸びるパターン(雪の結晶状のパターン)を形成するものであってもよい(図4(c)に示されるクリーニング電極3c)。
第2の高周波電源162がクリーニング電極3に高周波電力を供給することによって、プラズマ処理空間V内に存在している金属パーティクル等が、前置板2に付着することが阻止される、あるいは、前置板2に付着している付着物が除去される。
ICP処理装置1において処理対象物9をプラズマ処理する態様について、図1および図2を参照しながら説明する。
ここでは、前置板2が存在するために、クリーニング電極3に供給される高周波電力が比較的大きくても、誘電体窓15のエッチングが進行しにくい。したがって、誘電体窓15がエッチングされないように、クリーニング電極3に供給される高周波電力を小さく抑える必要がない。クリーニング電極3に供給される高周波電力が大きくなると、前置板2に対する上記の阻止(あるいは、除去)の強さ(クリーニング力)が大きくなる。
上記の通り、クリーニング電極3に供給される高周波電力が大きくなると、クリーニング力が大きくなるという利点がある反面、前置板2のエッチングが進行する可能性がある。しかしながら、上述したとおり、前置板2においては、その形成材料として、処理対象物9に付着したとしても、それに対して影響を与えることが少ない物質を選択することが可能であり、そのような物質を前置板2の形成材料として選択しておけば、前置板2がエッチングされても問題が生じない。また、ここでは、前置板2が交換可能に設けられているので、エッチングによって前置板2が薄肉化した場合は、これを難なく交換することができる。
上記の実施形態において、前置板2には、スリットが形成されてもよい。このスリットは、誘電体窓15の内側に形成される付着膜のパターンが誘導コイル16による該付着膜内での誘導電流の生成(渦電流の生成)を阻止するようなパターンを有するものとしておくことが好ましい。このようなパターンの具体例が、図5に示されている。
図5(a)に示される前置板2aに形成されるパターンにおいては、相対的に短いスリット(例えば、前置板2aの直径の約1/7の長さを有する直線状のスリット)41と、相対的に長いスリット(例えば、前置板2aの直径の約1/3の長さを有する直線状のスリット)42が、前置板2の周方向に沿って交互に配置される。このとき、短いスリット41は前置板2の外周側に寄せて配置し、長いスリット42は前置板2の中心と外周縁との中間部分に配置する。また、長いスリット42のうちの一部(図の例では、90度おきに現れる長いスリット42)を、残りの長いスリット42よりもさらに長い寸法として、当該一部の長いスリット42の各端部が残りの長いスリット42の端部よりも前置板2の中心側に配置されるようにすることも好ましい。
図5(b)に示される前置板2bに形成されるパターンにおいては、相対的に短いスリット43と、相対的に長いスリット44が、前置板2bの周方向に沿って交互に配置され、さらに、各スリット43,44が、前置板2bの径方向に対して同じ方向に一定の角度(例えば、約10°)だけ傾けて、全体として放射渦巻状に配置される。
図5(a)および図5(b)に示されるパターンにおいて、例えば、短いスリット41,43を形成せずに、長いスリット42,44のみを形成してもよい。
スリット41,42,43,44を設けた前置板2a,2bによると、誘電体窓15の内側に付着膜が形成されたとしても、該付着膜内での誘導電流が生成されることがない。したがって、クリーニング電極3によるクリーニング力を弱くしても(つまりは、誘電体窓15の内側への付着物が付着することを許すような強さにしても)、問題が生じない。クリーニング力を弱くすると、前置板2a,2bがエッチングされることが十分に回避されるので、汚染に特に弱い処理対象物9に対するプラズマ処理も可能となる。
この場合、第2の高周波電源162が供給する高周波の周波数は13.56MHzとし、第3の高周波電源32が供給する高周波の周波数はこれよりも低周波(例えば、100kHz〜1MHz程度、特に好ましくは400kHz)とすることが好ましい。この構成によると、前置板2や誘電体窓15のクリーニングと、処理対象物9に対して行われる本来のプラズマ処理とが干渉しにくい。
別々の高周波電源162,32から誘導コイル16およびクリーニング電極3の各々に高周波電力を供給する場合、誘導コイル16とクリーニング電極3の間に、石英板18を設けることも好ましい。石英板18を設けることによって、誘導コイル16とクリーニング電極3の間の放電を抑制することができる。
このような石英板18は、図1、図6に示される構成(すなわち、共通の高周波電源162から誘導コイル16およびクリーニング電極3に高周波電力を供給する構成)においても設けることができる。
11…処理チャンバー
111…上壁面
12…処理ガス供給部
13…圧力制御機構
14…下部電極
141…第1の整合回路
142…第1の高周波電源
15…誘電体窓
151…窓枠
16…誘導コイル
161…第2の整合回路
162…第2の高周波電源(クリーニング高周波電源)
17…可変コンデンサ
18…石英板
2…前置板
21…支持枠
22…ネジ
3…クリーニング電極
31…第3の整合回路
32…第3の高周波電源(クリーニング高周波電源)
41,42,43,44…スリット
9…処理対象物
V…プラズマ処理空間
Claims (4)
- a) 誘導コイルとプラズマ処理空間を隔てる誘電体窓の前記誘導コイル側に設けられたクリーニング電極と、
b) 前記クリーニング電極に高周波電力を供給するクリーニング高周波電源と、
c) 前記誘電体窓の前記プラズマ処理空間側に設けられた交換可能な前置板と、
を備えることを特徴とする、誘導結合型プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載の誘導結合型プラズマ処理装置であって、
前記クリーニング高周波電源が、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と共用されている、
誘導結合型プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載の誘導結合型プラズマ処理装置であって、
前記クリーニング高周波電源が、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とは別に設けられており、
前記クリーニング高周波電源の周波数が、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源の周波数よりも低周波である、
誘導結合型プラズマ処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の誘導結合型プラズマ処理装置であって、
前記前置板に、スリットが形成されている、
誘導結合型プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016160099A JP6762026B2 (ja) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016160099A JP6762026B2 (ja) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018029119A true JP2018029119A (ja) | 2018-02-22 |
JP6762026B2 JP6762026B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=61249231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016160099A Active JP6762026B2 (ja) | 2016-08-17 | 2016-08-17 | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6762026B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020068049A (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-30 | サムコ株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316210A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2000068252A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2001254188A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Samco International Inc | 誘導結合形プラズマ処理装置 |
JP2006253599A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
WO2008129844A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマエッチング装置 |
JP2012033960A (ja) * | 2011-10-27 | 2012-02-16 | Panasonic Corp | プラズマエッチング装置 |
-
2016
- 2016-08-17 JP JP2016160099A patent/JP6762026B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316210A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2000068252A (ja) * | 1998-08-21 | 2000-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2001254188A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Samco International Inc | 誘導結合形プラズマ処理装置 |
JP2006253599A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
WO2008129844A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-30 | Panasonic Corporation | プラズマエッチング装置 |
JP2012033960A (ja) * | 2011-10-27 | 2012-02-16 | Panasonic Corp | プラズマエッチング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020068049A (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-30 | サムコ株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 |
JP7224621B2 (ja) | 2018-10-19 | 2023-02-20 | サムコ株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6762026B2 (ja) | 2020-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101061673B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치와 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP4418193B2 (ja) | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 | |
US20080236750A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP7236477B2 (ja) | Pvd装置 | |
JP2006245510A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
TW201643932A (zh) | 電漿產生設備 | |
US9653317B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
WO2019244631A1 (ja) | 載置台及び基板処理装置 | |
TWI719958B (zh) | 電漿蝕刻方法 | |
JP2007324154A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20220157573A1 (en) | Edge ring and substrate processing apparatus | |
JP6762026B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置 | |
TW202117913A (zh) | 載置台及電漿處理裝置 | |
TW201943014A (zh) | 被處理體的載置裝置及處理裝置 | |
JP5302813B2 (ja) | 堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置 | |
CN111755312B (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP7224621B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 | |
JP7398909B2 (ja) | 静電吸着方法及びプラズマ処理装置 | |
JP7346044B2 (ja) | 真空処理装置 | |
KR102332902B1 (ko) | 성막 방법 | |
JP2004200337A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5618884B2 (ja) | 基板のプラズマ処理方法 | |
JP2021125656A (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法 | |
JP2001148300A (ja) | 放電プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6762026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |