JP7348454B2 - 基板表面から異物を静電的に除去するための装置及び方法 - Google Patents
基板表面から異物を静電的に除去するための装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7348454B2 JP7348454B2 JP2021543110A JP2021543110A JP7348454B2 JP 7348454 B2 JP7348454 B2 JP 7348454B2 JP 2021543110 A JP2021543110 A JP 2021543110A JP 2021543110 A JP2021543110 A JP 2021543110A JP 7348454 B2 JP7348454 B2 JP 7348454B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- substrate
- phase
- voltages
- shifted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/335—Cleaning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electrostatic Separation (AREA)
Description
本出願は、「Apparatus and Method to Electrostatically Remove Foreign Matter from Substrate Surfaces」という名称のRotondaroらによる米国特許出願第62/739,482号明細書に関し、且つそれからの優先権を主張するものであり、この特許出願の開示は、その全体が参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
Claims (17)
- 基板の表面から粒子を除去するように構成された基板処理システムであって、
チャックであって、その上に前記基板を配置するように構成されたチャックと、
前記チャック内の誘電体材料内に埋設された複数の電極であって、前記チャックにわたり、繰り返す離間されたパターンで提供される複数の電極と、
前記複数の電極に結合された複数の電圧であって、交流電圧であり、複数の異なる電圧信号を含み、前記複数の異なる電圧信号は、互いから位相シフトされている、複数の電圧と、
を含み、
前記複数の電極と前記複数の電圧との前記結合は、前記複数の異なる電圧信号の異なるものが、隣接する電極に提供されるように提供され、前記複数の異なる電圧信号の前記異なるものは、互いから位相シフトされており、前記複数の電極及び前記複数の電圧の配置は、前記基板の前記表面に交流電位場が生成されるようなものであり、
前記複数の電極は、前記電極の上部と前記基板の上部表面との間の高さの±20%以内に等しい幅を有し、
前記複数の電極の隣接する電極同士は、前記誘電体材料の領域によってのみ離間され、
前記複数の電極の一つの幅は、前記誘電体材料の領域の幅とほぼ等しい、基板処理システム。 - 前記基板は、半導体ウェハである、請求項1に記載のシステム。
- 前記異なる電圧信号は、120度の位相シフトを有する3つの異なる電圧信号から構成される、請求項1に記載のシステム。
- 前記基板は、半導体ウェハである、請求項1に記載のシステム。
- プラズマ処理システムである、請求項1に記載のシステム。
- 前記電極は、前記チャック内に正方形の形状の電極パターン又は同心のらせん状のパターンで配置される、請求項1に記載のシステム。
- 前記電極は、前記チャック内に平行なラインとして配置される、請求項1に記載のシステム。
- 前記電極は、前記チャック内に同心円として配置される、請求項1に記載のシステム。
- 基板の表面から粒子を除去する方法であって、
基板処理ツールを提供することと、
前記基板処理ツール内にチャックを提供することと、
前記チャック内に誘電体材料内に埋設された複数の電極を提供することと、
前記チャック上に前記基板を提供することと、
前記複数の電極に複数の位相シフトされた交流電圧を提供することであって、前記位相シフトされた交流電圧の前記複数の電極への結合は、隣接する電極が、位相シフトされている電圧を有するようなパターンにおけるものである、提供することと、
前記複数の電極及び複数の位相シフトされた交流電圧の使用を通して前記基板の表面に電位を生成することと、
前記基板の前記表面の前記電位を利用して、前記基板の前記表面にわたって粒子を移動させることにより、前記基板から前記粒子を除去することと、
を有し、
前記複数の電極は、前記電極の上部と前記基板の上部表面との間の高さの±20%以内に等しい幅を有し、
前記複数の電極の隣接する電極同士は、前記誘電体材料の領域によってのみ離間され、
前記複数の電極の一つの幅は、前記誘電体材料の領域の幅とほぼ等しい、方法。 - 前記複数の位相シフトされた交流電圧は、少なくとも3つの位相シフトされた電圧を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記複数の位相シフトされた交流電圧は、120度の位相シフトを有する3つの位相シフトされた電圧を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記基板の前記表面の前記電位は、前記複数の位相シフトされた交流電圧における位相シフトに起因して、前記基板にわたって交番する、請求項9に記載の方法。
- 前記複数の位相シフトされた交流電圧は、120度の位相シフトを有する3つの位相シフトされた電圧を含む、請求項9に記載の方法。
- 半導体ウェハの表面から粒子を除去する方法であって、
半導体処理ツールを提供することと、
前記半導体処理ツール内において、前記半導体ウェハを保持するためのチャックを提供することと、
前記チャック内に誘電体材料内に埋設された複数の電極を提供することと、
前記複数の電極に少なくとも3つの位相シフトされた交流電圧を提供することであって、前記少なくとも3つの位相シフトされた交流電圧の前記複数の電極への結合は、隣接する電極が、位相シフトされている電圧を有するようなパターンにおけるものである、提供することと、
前記複数の電極及び前記少なくとも3つの位相シフトされた交流電圧の使用を通して前記半導体ウェハの表面に電位を生成することと、
前記半導体ウェハの前記表面の前記電位を利用して、前記半導体ウェハの前記表面にわたって粒子を移動させることにより、前記表面から前記粒子を除去することであって、前記半導体ウェハの前記表面の前記電位は、前記少なくとも3つの位相シフトされた交流電圧における位相シフトに起因して、前記半導体ウェハにわたって交番する、除去することと、
を有し、
前記複数の電極は、前記電極の上部と前記半導体ウェハの上部表面との間の高さの±20%以内に等しい幅を有し、
前記複数の電極の隣接する電極同士は、前記誘電体材料の領域によってのみ離間され、
前記複数の電極の一つの幅は、前記誘電体材料の領域の幅とほぼ等しい、方法。 - 前記少なくとも3つの位相シフトされた交流電圧は、120度の位相シフトを有する3つの位相シフトされた電圧を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記複数の電極の少なくとも1つの形状特性は、前記半導体ウェハの高さに依存する、請求項15に記載の方法。
- 前記電極の幅は、前記半導体ウェハの前記高さに依存する、請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862739482P | 2018-10-01 | 2018-10-01 | |
US62/739,482 | 2018-10-01 | ||
PCT/US2019/051548 WO2020072195A2 (en) | 2018-10-01 | 2019-09-17 | Apparatus and method to electrostatically remove foreign matter from substrate surfaces |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022501840A JP2022501840A (ja) | 2022-01-06 |
JP7348454B2 true JP7348454B2 (ja) | 2023-09-21 |
Family
ID=69946922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021543110A Active JP7348454B2 (ja) | 2018-10-01 | 2019-09-17 | 基板表面から異物を静電的に除去するための装置及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11376640B2 (ja) |
JP (1) | JP7348454B2 (ja) |
KR (1) | KR20210054017A (ja) |
CN (1) | CN112789718A (ja) |
TW (1) | TWI815975B (ja) |
WO (1) | WO2020072195A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11256181B2 (en) * | 2019-07-31 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing |
WO2022146667A1 (en) | 2020-12-29 | 2022-07-07 | Mattson Technology, Inc. | Electrostatic chuck assembly for plasma processing apparatus |
JP7434669B2 (ja) * | 2021-06-21 | 2024-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259832A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置およびダスト除去方法 |
JP2005072175A (ja) | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Tokyo Electron Ltd | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 |
JP2013197465A (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 静電チャック装置および露光装置 |
US20160236245A1 (en) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning substrate contact surfaces |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5179498A (en) * | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
DE19544127C1 (de) | 1995-11-27 | 1997-03-20 | Gimsa Jan Dr | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Resonanzerscheinungen in Partikelsuspensionen und ihre Verwendung |
US5858192A (en) | 1996-10-18 | 1999-01-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for manipulation using spiral electrodes |
US7674695B1 (en) * | 2000-01-22 | 2010-03-09 | Loxley Ted A | Wafer cleaning system |
WO2001096024A2 (en) | 2000-06-14 | 2001-12-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for fluid injection |
US6526997B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-03-04 | Francois J. Henley | Dry cleaning method for the manufacture of integrated circuits |
US20050032204A1 (en) | 2001-04-10 | 2005-02-10 | Bioprocessors Corp. | Microreactor architecture and methods |
KR100421171B1 (ko) | 2001-05-30 | 2004-03-03 | 주식회사 코미코 | 기판 표면의 입자성 오염물 제거 방법 및 그 제거장치 |
AU2003234323A1 (en) | 2002-05-03 | 2003-11-17 | The Regents Of The University Of California | Fast electrical lysis of cells and rapid collection of the contents thereof using capillary electrophoresis |
US6911132B2 (en) | 2002-09-24 | 2005-06-28 | Duke University | Apparatus for manipulating droplets by electrowetting-based techniques |
JP2006524914A (ja) | 2003-03-31 | 2006-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム及び方法 |
JP4754196B2 (ja) | 2003-08-25 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
US7628864B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-12-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus and method |
DE602004030678D1 (de) | 2004-07-19 | 2011-02-03 | St Microelectronics Srl | Vorrichtung zur Detektion von biologischen Molekülen mit erhöhter Detektionsgeschwindigkeit und Verfahren zur schnellen Detektion von Biomolekülen |
DE102004060377A1 (de) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Betrieb einer Plasmaeinrichtung |
DE102005038121B3 (de) | 2005-08-11 | 2007-04-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Integration funktioneller Nanostrukturen in mikro- und nanoelektrische Schaltkreise |
EP1764418B1 (en) | 2005-09-14 | 2012-08-22 | STMicroelectronics Srl | Method and device for the treatment of biological samples using dielectrophoresis |
WO2007102839A2 (en) | 2005-10-27 | 2007-09-13 | Applera Corporation | Optoelectronic separation of biomolecules |
KR100745966B1 (ko) | 2005-12-29 | 2007-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 이의 세정 방법 |
JP4590368B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2010-12-01 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
US20090314644A1 (en) | 2006-04-10 | 2009-12-24 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Method and Device for Electrokinetic Manipulation |
DE102006023238A1 (de) | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Universität Tübingen | Vorrichtung und Verfahren zur kontaktlosen Fixierung, Positionierung, Freigabe und Entnahme von Partikeln |
US20090325256A1 (en) | 2006-08-10 | 2009-12-31 | Tohoku University | Method for cell patterning |
US20080132046A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Doping With Electronically Controllable Implant Angle |
US7867409B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-01-11 | Tokyo Electron Limited | Control of ion angular distribution function at wafer surface |
DE102007020302B4 (de) | 2007-04-20 | 2012-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verbesserte dreidimensionale biokompatible Gerüststruktur, die Nanopartikel beinhaltet |
US7744737B1 (en) | 2007-07-26 | 2010-06-29 | Sandia Corporation | Microfluidic device for the assembly and transport of microparticles |
US8091167B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-01-10 | Dell Products L.P. | Systems and methods for contactless automatic dust removal from a glass surface |
US20110076734A1 (en) | 2008-03-07 | 2011-03-31 | Drexel University | Electrowetting Microarray Printing System and Methods for Bioactive Tissue Construct Manufacturing |
DE102008018170B4 (de) | 2008-04-03 | 2010-05-12 | NMI Naturwissenschaftliches und Medizinisches Institut an der Universität Tübingen | Mikrofluidisches System und Verfahren zum Aufbau und zur anschließenden Kultivierung sowie nachfolgender Untersuchung von komplexen Zellanordnungen |
JP4940184B2 (ja) | 2008-05-22 | 2012-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置および真空処理方法 |
JP5540304B2 (ja) | 2008-07-17 | 2014-07-02 | 独立行政法人理化学研究所 | 静電インクジェット現象を利用した三次元構造を有する細胞組織の作製 |
GB0818403D0 (en) | 2008-10-08 | 2008-11-12 | Univ Leuven Kath | Aqueous electrophoretic deposition |
JP2012528020A (ja) | 2009-05-26 | 2012-11-12 | ナノシス・インク. | ナノワイヤおよび他のデバイスの電場沈着のための方法およびシステム |
US20170214359A1 (en) * | 2011-01-31 | 2017-07-27 | George Mckarris | Self-Cleaning System For a Light-Receiving Substrate |
EP2739719A2 (en) | 2011-08-02 | 2014-06-11 | Tokyo Electron Limited | System and method for tissue construction using an electric field applicator |
JP5976377B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 |
SE536628C2 (sv) * | 2012-07-19 | 2014-04-08 | Reinhold Karl Rutks | Metod, substrat och arrangemang för en partikeluppsamling och en efterföljande partikelrengöring |
US9993853B2 (en) * | 2014-11-28 | 2018-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for backside cleaning of substrates |
KR102418643B1 (ko) * | 2015-05-14 | 2022-07-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법 |
WO2017143268A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | Qatar Foundation For Education, Science And Community Development | Flexible dust shield |
JP6643135B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-02-12 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置および物品製造方法 |
US10413913B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-09-17 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems for dielectrophoresis (DEP) separation |
US11110493B2 (en) * | 2018-08-21 | 2021-09-07 | Eastman Kodak Company | Double-sided electrodynamic screen films |
-
2019
- 2019-09-17 JP JP2021543110A patent/JP7348454B2/ja active Active
- 2019-09-17 WO PCT/US2019/051548 patent/WO2020072195A2/en active Application Filing
- 2019-09-17 KR KR1020217012971A patent/KR20210054017A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-17 CN CN201980064790.0A patent/CN112789718A/zh active Pending
- 2019-09-17 US US16/573,744 patent/US11376640B2/en active Active
- 2019-09-24 TW TW108134367A patent/TWI815975B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259832A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置およびダスト除去方法 |
JP2005072175A (ja) | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Tokyo Electron Ltd | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 |
JP2013197465A (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 静電チャック装置および露光装置 |
US20160236245A1 (en) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning substrate contact surfaces |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200101500A1 (en) | 2020-04-02 |
WO2020072195A2 (en) | 2020-04-09 |
TWI815975B (zh) | 2023-09-21 |
CN112789718A (zh) | 2021-05-11 |
US11376640B2 (en) | 2022-07-05 |
WO2020072195A3 (en) | 2020-05-14 |
KR20210054017A (ko) | 2021-05-12 |
JP2022501840A (ja) | 2022-01-06 |
TW202027197A (zh) | 2020-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7348454B2 (ja) | 基板表面から異物を静電的に除去するための装置及び方法 | |
JP6173313B2 (ja) | ウエハ背面のプラズマ支援デチャックを備えた静電チャック | |
TWI665710B (zh) | 在基板的電漿處理期間控制離子的方法及系統 | |
TWI576890B (zh) | Power supply system, plasma processing device and plasma processing method | |
TWI516174B (zh) | 電漿處理系統內之離子能量分布控制 | |
US10410902B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
TWI606482B (zh) | 用於電漿蝕刻腔室之變壓器耦合電容調諧匹配電路 | |
CN101405857A (zh) | 承载基片的装置和方法 | |
TWI571930B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
JP3949186B2 (ja) | 基板載置台、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPH08236602A (ja) | 静電吸着装置 | |
TW202249540A (zh) | 脈衝dc電漿腔室中的電漿均勻性控制 | |
TWI595557B (zh) | 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置、電漿處理方法以及電漿處理裝置 | |
JP2007208302A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
WO2012090430A1 (ja) | 静電吸着装置 | |
TWI643260B (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP6727068B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
TWI515761B (zh) | 具有變壓器耦合型電漿線圈區域間的電漿密度去耦合結構之法拉第屏蔽 | |
JP7519768B2 (ja) | 吸着方法、載置台及びプラズマ処理装置 | |
TWI725011B (zh) | 用於移除在基板製造處理期間累積在基板接觸表面上的粒子的裝置、基板支撐件、及方法 | |
JP2021090056A (ja) | 超小型電子ワークピースの処理のための多極チャック | |
JP2016115818A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2004253403A (ja) | 静電チャック装置 | |
TW202309975A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230718 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7348454 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |