TWI815975B - 自基板表面靜電移除異物的設備和方法 - Google Patents
自基板表面靜電移除異物的設備和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI815975B TWI815975B TW108134367A TW108134367A TWI815975B TW I815975 B TWI815975 B TW I815975B TW 108134367 A TW108134367 A TW 108134367A TW 108134367 A TW108134367 A TW 108134367A TW I815975 B TWI815975 B TW I815975B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- electrodes
- voltages
- phase
- chuck
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 73
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/335—Cleaning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electrostatic Separation (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
在一例示性實施例中，本文描述減小粒子與基板表面之間的吸引力以協助自基板表面移除粒子的創新技術。更具體而言，多電極夾頭係用以協助清潔基板。多電極夾頭係用以減小粒子與基板之間的吸引力，並用以移動存在於基板表面上的鬆動粒子。利用交流(AC)電壓對夾頭之電極施加偏壓，且在電極偏壓波之間具有相位偏移。在基板表面上所產生之電場波透過將粒子極化而使粒子鬆動，並使鬆動的粒子在基板上各處移動。
Description
[相關申請案的交互參照]本申請案係關於Rotondaro等人的案名為「Apparatus and Method to Electrostatically Remove Foreign Matter from Substrate Surfaces」之美國專利申請案第62/739,482號並主張其優先權，在此將其揭示內容全文明確地引入以供參照。
本發明係關於基板之處理。尤其，其提供自基板表面移除異物的設備及方法。
在基板之處理期間，在各種處理步驟期間基板上的不樂見之異物(例如不樂見之粒子)可能導致在基板上所形成之各種結構中形成缺陷。例如，在基板上形成半導體結構之期間，在各種處理步驟(例如(但不限於)沉積、蝕刻、植入、氧化等處理步驟)期間基板上之粒子的存在可能導致在半導體結構中形成缺陷。因此，期望自基板移除粒子以作為基板處理流程的一部分。
已知各種形式的物理及化學技術被用於自基板表面移除粒子。然而，該等技術中的許多技術有其限制，因為在試圖移除粒子的期間可能損害底下的膜層及圖案。因此，需要用於粒子移除之改良技術。
在一例示性實施例中，本文描述減小粒子與基板表面之間的吸引力以協助自基板表面移除粒子的創新技術。更具體而言，多電極夾頭係用以協助清潔基板。多電極夾頭係用以減小粒子與基板之間的吸引力，並用以移動存在於基板表面上的鬆動粒子。利用交流(AC)電壓對夾頭之電極施加偏壓，且在電極偏壓波之間具有相位偏移。在基板表面上所產生之電場波透過將粒子極化而使粒子鬆動，並使鬆動的粒子在基板上各處移動。
在一例示性實施例中，提供一種基板處理系統。該基板處理系統係配置以自基板之表面移除粒子。該基板處理系統包含配置以將該基板置放於其上的一夾頭、及位在該夾頭內的複數電極，該等電極係在該夾頭各處以重複間隔的型態設置。該基板處理系統更包含複數電壓，其係耦合至該複數電極，該複數電壓為交流電壓，該複數電壓包含複數不同電壓信號，該複數不同電壓信號係彼此相位偏移。該複數電極與該複數電壓之耦合係提供以使得該複數不同電壓信號之不同電壓信號被提供至相鄰的電極，該複數不同電壓信號之不同電壓信號係彼此相位偏移，該複數電極與該複數電壓之配置使得交流電位場在該基板之該表面處產生。此外，該複數電極具有一寬度，該寬度等於該等電極之頂部與該基板之上表面之間的高度、或在該高度之+
20%的範圍內。
在另一例示性實施例中，揭示一種自基板之表面移除粒子的方法。該方法可包含：提供一基板處理工具；在該基板處理工具內設置一夾頭；在該夾頭內設置複數電極；以及在該夾頭上提供該基板。該方法更包含：將複數相移交流電壓提供至該複數電極，該等相移交流電壓與該複數電極之耦合係處於使得相鄰電極具有相位偏移之電壓的型態。該方法亦包含：透過使用該複數電極及該複數相移交流電壓而在該基板之表面處產生一電位；以及利用該基板之該表面處的該電位，以透過使粒子在該基板之該表面各處移動而自該表面移除該等粒子。
在又另一例示性實施例中，揭示一種自半導體晶圓之表面移除粒子的方法。該方法包含：提供一半導體處理工具；在該半導體處理工具內設置用以固持該半導體晶圓的一夾頭；以及在該夾頭內設置複數電極。該方法更包含：將至少三個相移交流電壓提供至該複數電極，該至少三個相移交流電壓與該複數電極之耦合係處於使得相鄰電極具有相位偏移之電壓的型態。該方法亦包含：透過使用該複數電極及該至少三個相移交流電壓而在該半導體晶圓之表面處產生一電位。該方法更包含：利用該半導體晶圓之該表面處的該電位，以透過使粒子在該半導體晶圓之該表面各處移動而自該表面移除該等粒子，其中該半導體晶圓之該表面處的該電位在該半導體晶圓各處交變，其係歸因於該至少三個相移交流電壓中之相移。
在一例示性實施例中，本文描述減小粒子與基板表面之間的吸引力以協助自基板表面移除粒子的創新技術。更具體而言，多電極夾頭係用以協助清潔基板。多電極夾頭係用以減小粒子與基板之間的吸引力，並用以移動存在於基板表面上的鬆動粒子。利用交流(AC)電壓對夾頭之電極施加偏壓，且在電極偏壓波之間具有相位偏移。在基板表面上產生之電場波透過將粒子極化而使粒子鬆動，並使鬆動的粒子在基板上各處移動。
多電極夾頭可用作獨立清潔處理之一部份，或者可與各種濕式或乾式處理結合使用。在一實施例中，電極可配置為在該等電極之間具有三個相移，每個相移120度。然而，應理解，可利用更多或更少的相移。各個電極可與其他鄰接的相移電極絕緣，且與可駐留於多電極夾頭上的基板絕緣。使用靜電力以使粒子在基板上移動係由相移電極所引起，如以下更加詳細說明。此外，此等技術容許移除粒子而不會導致圖案損壞或影響基板的圖案完整性。
透過利用電荷調制，可在各種製程點之任一者時自基板移除粒子。因此，所述之多電極夾頭及靜電移動技術可用作各種電漿設備(包含蝕刻及沉積)、化學氣相沉積設備、清潔設備、植入設備等之一部份。如所提及的，設備可包含濕式或乾式處理設備。此外，本文所述技術並不限於基板處理流程的特定處理步驟。在一實施例中，基板可為具有一或更多半導體處理層形成於其上的半導體基板。在另一實施例中，半導體基板為一半導體晶圓。如所提及的，所述之清潔設備可用以在基板處理流程的各種點之任一者時移除異物。例如，本文所述技術可在前段製程之處理步驟時使用，或者可在後段製程之處理步驟時使用。
圖1A顯示系統100，其顯示至少一些本文所述技術。如圖1A所示，將基板105設置於夾頭110上。基板105具有一基板表面107。基板表面107為欲自其上移除粒子或異物的表面。可將複數電極115嵌入於夾頭110的介電體中。將電極115連接至電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130。電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130之各者可為AC電壓。此外，各個電壓的相位可與其他電壓偏移。例如，V1
(t) 120可自V2
(t) 125相移120度、V2
(t) 125可自V3
(t) 130相移120度、且V3
(t) 130可自V1
(t) 120相移120度。圖1B顯示隨電壓及時間而變化之電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130的例示性圖形。因此，在一實施例中，可如圖中所示而提供至少三個相移電壓。應理解，三個不同相移電壓之使用僅為例示性的，且本文所述技術可與其他數目的相移電壓一起使用。此外，該等電壓之間的相移量可為多於或少於120度之相移。在圖1A中，為了易於說明，僅顯示基板105及夾頭110的一部份。因此，應理解，基板105及夾頭110可相較於圖中所示者而具有延伸的邊界，且可設置比所示者更多的電極115以延伸至此等邊界。夾頭110可由廣泛的材料所構成，因為本文所述技術不限於特定類型的夾頭。在一範例中，夾頭110可由陽極氧化鋁所構成，且電極115係嵌入於一介電體中。在另一實施例中，夾頭110可由燒結陶瓷所構成，且電極115係嵌入於一介電體中。可利用廣泛類型的佈線以將電極115連接至電壓源。在一實施例中，可使用包覆於聚醯亞胺薄膜中的銅佈線。
供至電極115的電壓會在夾頭110、基板105中、及基板表面107處產生電壓電位。該等電壓可用以抵銷可將粒子吸引至表面的力(例如凡得瓦力及毛細管力)。更具體地，在基板表面107處的電壓電位可在粒子200上提供一力，例如圖2中所示之垂直於基板表面107的力205。此外，電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130的交變特性及該等電壓之間的相移亦會產生平行於基板表面107的力，例如圖2中所示之力210。力205與力210可由庫侖力及介電泳力所產生。力205與力210可致使粒子200在基板表面107上移動，因此可將粒子200自基板105移除。粒子之電動與靜電運動係因表面處之電壓電位的「電簾(electric curtain)」效應而造成。帶電粒子之此等運動已在下列文獻中詳細描述：1967年6月的NASA Technical Report No. TR-792-7-207A之Tatom等人的「Lunar Dust Degradation Effects and Removal/Prevention Concepts」、1973年的Electrical Engineering in Japan, Vol. 93, No. 1之Masuda等人的「Theoretical Characteristics Of Standing-Wave Electric Curtains」、以及2009年的Nasa Electrostatics And Surface Physics Laboratory之Calle等人的「Particle Removal By Electostatic And Dielectrohoretic Forces For Dust Control During Lunar Exploration Missions」。
圖3顯示基板表面處之電壓電位，其係疊加在圖1A之結構上。如圖3中所示，電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130之相移會在一給定時間產生電壓電位，如電壓電位圖300所示。如圖3所示，顯示在特定時刻下的電壓電位。當電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130進行交變時，圖300中所示之基板表面電壓電位同樣地會進行交變，從而產生橫跨基板表面移動的電壓波(例如在箭頭310所示之方向上)。此電壓電位變化有助於驅動粒子橫跨基板表面，如上文中提及之力所描述。
使位於基板表面上之粒子移動的能力會取決於基板105、夾頭110、及電極115之各種幾何的關係，因為此等幾何會影響力的絕對值及橫跨表面之力的梯度。如圖4所示，電極可具有寬度w及間距g。基板105可具有厚度h2
，且電極可被嵌入於介電體中，該介電體具有由電極115至夾頭表面的一介電體厚度，如厚度h1
所示。因此由電極115至基板表面107的總厚度為h=h1
+ h2
。
當電極寬度及電極間距變得顯著小於總厚度(w>h且g>h)時，使得基板表面處之電場的梯度變緩且係過小以致於無法充分地移動粒子。相反地，若電極寬度或電極間距變得顯著大於總厚度(w>h或g>h)，則在對應於電極邊緣位置的基板表面上可能存在強電場梯度，然而可能有些區域存在微小的介電泳力。此外，當間距g變得過為狹窄時，在電極之間的電弧可能會成為問題。因此使得w與g兩者皆接近厚度h的幾何係有利的。此外，提供大致相等的電極間距與寬度會在整個基板表面上產生足以移動粒子的庫侖力。在一實施例中，將寬度w及間距g的尺寸定在厚度h的+
20%之範圍內，在另一實施例中定在厚度h的+
15%之範圍內，而在一較佳實施例中定在厚度h的+
5%之範圍內。因此，在一例示性實施例中，電極的至少一幾何特性可取決於基板的尺寸。在一實施例中，電極寬度及電極間距可在0.3 mm至3 mm之範圍內。
在一實施例中，基板可為一半導體晶圓，其中晶圓厚度及夾頭中之電極上方的介電體厚度為大約1000微米(大約1 mm)。在此情況下，可設置具有1 mm之寬度及1 mm之間距的電極。在此等範例中，可提供三個相移電壓(相移120度)。該等電壓可具有1至500 kHz的頻率，且較佳範圍為1至100 Hz。該等電壓可在2000至8000 V之範圍內。在一實施例中，該等電壓可為100 Hz、4000 V之電壓。應理解，可使用其他電壓頻率及數值，且可使用其他幾何。因此，根據特定應用，可改變本文所提供之變數。
可以各種形式實現夾頭中之電極的特定型態。例如，如圖5所示，顯示夾頭110(例如用於圓形半導體晶圓的夾頭)之俯視圖。夾頭110可具有一系列的平行電極515，其係按如圖示之平行電極之型態而嵌入於夾頭中，該等平行電極在整個夾頭110上延伸(為了易於說明和理解，未顯示所有電極)。應理解，如上所述，可將平行電極515嵌入夾頭內，且俯視圖中之電極顯示僅係為說明之目的而提供。可將每隔兩個的平行電極515電氣連接在一起(如圖1A中所示)，且為平行電極515提供三個相移電壓(例如，各個相位偏移120度)。在此等實施例中，平行電極515與相移電壓之使用致使粒子橫跨基板而移動(例如，對於圖5所示之電極型態而言，從左至右或從右至左移動)。再次地，如上所述，本文所述概念不限於使用三個電壓及三個相移，因為可利用更多或更少的電壓。
在另一實施例中，電極可由排列成同心圓的一系列電極所組成。例如，圖6顯示電極615的子集，可在整個夾頭110上以圓形的方式設置該等電極615。在圖6之此等實施例中，電極615與相移電壓之使用致使粒子在由中心至邊緣之方向上橫跨基板而移動。應理解，圖5及6之型態僅為例示性的，且係結合例示性圓形夾頭而顯示。可使用其他夾頭及其他電極型態。型態可包含(但不限於)方形電極型態、螺旋形電極型態等。
本文所述技術可用作獨立基板清潔處理之一部份，或可用作另一基板處理步驟之一部份。因此，例如，一處理工具可設置有如本文所述配置為僅用於自基板移除粒子之獨立處理工具的夾頭及電壓源。或者，本文所述之夾頭配置可與標準基板處理工具結合使用。例如，電漿處理工具可具有經修改以提供本文所述之粒子移除電壓及配置之夾頭。因此，電漿蝕刻或電漿沉積工具可在電漿處理之前、電漿處理期間、或電漿處理之後合併使用本文所述之粒子移除電壓。如熟習本技藝者所理解，某些電漿工具可將高或低頻率電壓(例如在0.2 MHz至150 MHz之範圍內)提供至上及/或下電極，以協助進行電漿處理。除了施加至上及/或下電極以在電漿系統中產生電漿的其他電壓之外，還可提供本文所述之嵌入於多電極夾頭中的電極之使用。在其他實施例中，本文所述之夾頭配置可與濕式處理工具(包含濕式清潔工具)一起使用，以協助自基板移除粒子。在此等情況下，濕式處理工具的夾頭可配置為如本文所述之多電極夾頭。本文所述之力可與濕式處理工具中所產生的流體力結合使用，以自基板移除粒子。此外，吹過基板的空氣噴射可協助使粒子在基板上移動。因此，如本文所述，透過夾頭而提供的電動與靜電力不需為作用於粒子上以自基板移除粒子之唯一的力。應理解，許多其他處理工具亦可利用本文所述概念。
可使用各種技術中之任一者以產生本文所述之相移電壓(例如，圖1A及1B之三個不同的電壓信號，電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130)。應注意，交流電壓可具有若干不同形式。例如，可使用正弦電壓、方波電壓、鋸齒形電壓、或其他電壓波形。此等交流電壓之電壓產生器為基板處理領域中所公知的。此外，各個電壓可由個別的電壓產生器產生，或者共同的電壓產生器可與相移電路一起使用俾供應相移電壓。亦可使用其他技術，因為本文所述技術並不限於特定的電壓產生器技術。
如上所述，可將具有複數相移電極的夾頭使用於各種處理工具中。在圖7中顯示一例示性處理工具。應理解，圖7之實施例顯示電漿處理工具，但電漿處理工具之顯示僅為例示性的，且本文所述技術不限於此等工具。如圖7之例示性系統中所示，提供電漿處理系統700。電漿處理系統之例示性類型為一電容耦合式電漿(CCP)系統，然而亦可使用其他電漿系統。電漿處理系統700可包含處理腔室705。如熟習本技藝者所理解，處理腔室705可為壓力受控之腔室。可將基板105(在一範例中為半導體晶圓)固持於載置台或夾頭110上。可如圖示而設置上電極720及下電極725。可使上電極720電氣耦合至上部射頻(RF)源730。上部RF源730可提供在一上部頻率fU
下的上部頻率電壓。可使下電極725電氣耦合至下部RF源740。下部RF源740可在一下部頻率fL
下提供一下部頻率電壓。熟習本技藝者將理解，許多其他元件(未圖示)可包含於電漿處理系統700中，或者所示元件可被去除，其取決於所使用之電漿處理系統700的類型。
提供夾頭電壓源702，俾產生相移電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130，其係如上述地耦合至夾頭110中之電極(未圖示)，例如圖1A中所示。雖然顯示為一個電壓源，但夾頭電壓源702可為複數的分離電壓源。或者，可從系統中的其他來源提供電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130，例如各種RF源亦可配置以提供相移電壓V1
(t) 120、V2
(t) 125、及V3
(t) 130(甚至包括提供下部非RF電壓)。
可將電漿處理系統700的元件連接至控制單元770並受其所控制，控制單元770可進而連接至相應的記憶體儲存單元與使用者介面(皆未圖示)。可經由使用者介面而執行各種電漿處理操作，且可將各種電漿處理配方及操作儲存於儲存單元中。因此，可在電漿處理腔室內利用各種微加工技術以處理既定之基板。控制單元770可被耦接至電漿處理系統700之各種元件，以自其他元件接收輸入及提供輸出至該等其他元件。可以各種方式實施控制單元770。例如，控制單元770可為一電腦。在另一範例中，控制單元可由一或更多可程式化積體電路所組成，將該一或更多可程式化積體電路程式化以提供本文所述之功能性。例如，可利用軟體或其他程式化指令將下列各者程式化：一或更多處理器(例如微處理器、微控制器、中央處理單元等)、可程式化邏輯裝置(例如複雜可程式化邏輯裝置(CPLD)、現場可程式化閘陣列(FPGA)等)、及/或其他可程式化積體電路，以實現指定的電漿處理配方之功能。應進一步注意，可將該軟體或其他程式化指令儲存在一或更多非暫態電腦可讀取媒體(例如記憶體儲存裝置、flash記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)記憶體、可再程式化儲存裝置、硬碟、軟碟、DVDs、CD-ROMs等)中，且該軟體或其他程式化指令在藉由可程式化積體電路執行時使可程式化積體電路執行本文所述之處理、功能、及/或性能。亦可實現其他的變化。
在操作中，電漿處理設備使用上與下電極，以在將功率從上部RF源730及/或下部RF源740施加至系統時於處理腔室705中產生電漿760。此外，如所屬技術領域中所公知，電漿760中所產生之離子可被吸引至基板105。所產生之電漿可用於處理在例如(但不限於)電漿蝕刻、化學氣相沉積、半導體材料、玻璃材料及大型面板(例如薄膜太陽能電池、其他光伏電池、及用於平面顯示器之有機/無機板)之處理等的各種類型處理中的目標基板(例如基板105或任何待處理之材料)。
功率之施加導致在上電極720與下電極725之間產生的高頻電場。接著，輸送至處理腔室705的處理氣體可解離並轉化為電漿。如圖7所示，所述例示性系統使用上部及下部RF源兩者。例如，針對一例示性電容耦合式電漿系統，可從上部RF源730施加在約3 MHz至150 MHz之範圍內的高頻電功率，且可從下部RF源施加在約0.2 MHz至40 MHz之範圍內的低頻電功率。應理解，可將本文所述技術使用於各種其他電漿系統中。在一例示性系統中，可對來源進行切換(在下電極處為較高頻率而在上電極處為較低頻率)。此外，雙源系統僅係顯示作為一範例系統，且應理解，本文所述技術可與下列的其他系統一同使用：頻率功率源僅提供至一電極、使用直流(DC)偏壓源、或使用其他系統元件等之系統。如上所述，本文所述技術可在其他類型的電漿系統中實施，且亦可在非電漿處理工具中實施。
應理解，上述應用僅為例示性的，且許多其他的處理及應用可有利地利用本文所揭示之技術。圖8-9顯示使用本文所述處理技術之例示性方法。應理解，圖8-9之實施例僅為例示性的，且另外的方法可利用本文所述技術。再者，可將額外的處理步驟加入圖8-9所示之方法中，因為所述步驟不應被視為專屬的。此外，步驟的順序並不限於圖中所示順序，因為不同的順序可能發生、及/或可同時或以組合的方式執行各種步驟。
如圖8所示，揭示一種自基板之表面移除粒子的方法。該方法包含步驟805，其提供一基板處理工具、在該基板處理工具內設置一夾頭、在該夾頭內設置複數電極、以及在該夾頭上提供該基板。該方法更包含步驟810，其將複數相移交流電壓提供至該複數電極，該等相移交流電壓與該複數電極之耦合係處於使得相鄰電極具有相位偏移之電壓的型態。該方法更包含步驟815，其透過使用該複數電極及該複數相移交流電壓而在該基板之表面處產生一電位。該方法亦包含步驟820，其利用該基板之該表面處的該電位，以透過使粒子在該基板之該表面各處移動而自該表面移除該等粒子。
如圖9所示，揭示一種自半導體晶圓之表面移除粒子的方法。該方法包含步驟905，其提供一半導體處理工具、在該半導體處理工具內設置用以固持該半導體晶圓的一夾頭、以及在該夾頭內設置複數電極。該方法更包含步驟910，其將至少三個相移交流電壓提供至該複數電極，該至少三個相移交流電壓與該複數電極之耦合係處於使得相鄰電極具有相位偏移之電壓的型態。該方法亦包含步驟915，其透過使用該複數電極及該至少三個相移交流電壓而在該半導體晶圓之表面處產生一電位。該方法更包含步驟920，其利用該半導體晶圓之該表面處的該電位，以透過使粒子在該半導體晶圓之該表面各處移動而自該表面移除該等粒子，其中該半導體晶圓之該表面處的該電位在該半導體晶圓各處交變，其係歸因於該至少三個相移交流電壓中之相移。
基於此說明，本發明之進一步修改及替代性實施例對於熟習本技藝者係顯而易見的。因此，此說明應理解成僅為說明性的，且係為了教示熟習本技藝者實施本發明之方式。應理解，本文所顯示及描述之發明形式及方法係視為當前較佳實施例。等效技術可代替本文所顯示及描述的技術，且可獨立於其他特徵之使用而利用本發明的某些特徵，以上對於擁有本發明實施方式之優點後之熟習本技藝者係顯而易見的。
100:系統
105:基板
107:基板表面
110:夾頭
115:電極
120:電壓V1(t)
125:電壓V2(t)
130:電壓V3(t)
200:粒子
205:力
210:力
300:電壓電位圖
310:箭頭
515:平行電極
615:電極
700:電漿處理系統
702:夾頭電壓源
705:處理腔室
720:上電極
725:下電極
730:上部射頻(RF)源
740:下部射頻(RF)源
760:電漿
770:控制單元
805:步驟
810:步驟
815:步驟
820:步驟
905:步驟
910:步驟
915:步驟
920:步驟
h1:厚度
h2:厚度
w:寬度
g:間距
透過結合附圖而參照以下說明，可獲得本發明及其優點之更完整理解，在附圖中相似的參考符號表示相似的特徵。然而，應注意，附圖僅顯示所揭示之概念的例示性實施例，且因此並非視為對範圍的限制，所揭示之概念可允許其他的等效實施例。
圖1A顯示使用多電極夾頭及相移電壓之範例的例示性系統。
圖1B顯示相移電壓之圖形。
圖2顯示可自基板移除粒子的力。
圖3顯示使用多電極夾頭及相移電壓之範例而在基板表面處產生的例示性電位。
圖4顯示多電極夾頭及基板的例示性尺寸。
圖5顯示夾頭中之複數電極的例示性型態。
圖6顯示夾頭中之複數電極的另一例示性型態。
圖7顯示使用多電極夾頭之例示性基板處理工具。
圖8-9顯示使用本文所述粒子移除技術之例示性方法。
805:步驟
810:步驟
815:步驟
820:步驟
Claims (15)
- 一種基板處理系統，該基板處理系統係配置以自基板之表面移除粒子，該基板處理系統包含：一夾頭，該夾頭係配置以將該基板置放於其上；複數電極，其位在該夾頭內，該等電極係在該夾頭各處以重複間隔的型態設置；以及複數電壓，其係耦合至該複數電極，該複數電壓為交流電壓，該複數電壓包含複數不同電壓信號，該複數不同電壓信號係彼此相位偏移，其中，該複數電極與該複數電壓之耦合係提供以使得該複數不同電壓信號之不同者被提供至相鄰的電極，該複數不同電壓信號之不同者係彼此相位偏移，該複數電極與該複數電壓之配置使得交流電位場在該基板之該表面處產生，以及其中，該複數電極具有一寬度，該寬度係在該等電極之頂部與該基板之上表面之間的高度之±20%的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該複數電極係間隔開以使得相鄰電極在相鄰電極之間具有一間距，該間距係在該等電極之頂部與該基板之上表面之間的該高度之±20%的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該基板為一半導體晶圓。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該等不同電壓信號係由具有120度之相移的三個不同電壓信號所組成。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中該複數電極係間隔開以使得相鄰電極在相鄰電極之間具有一間距，該間距係在該等電極之頂部與該基板之上表面之間的該高度之±20%的範圍內。
- 如申請專利範圍第5項之基板處理系統，其中該基板為一半導體晶圓。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該基板處理系統為一電漿處理系統。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該等電極係在該夾頭內以方形電極型態或同心螺旋形型態設置。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該等電極係在該夾頭內排列成平行線。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該等電極係在該夾頭內排列成同心圓。
- 一種自基板之表面移除粒子的方法，包含：提供一基板處理工具；在該基板處理工具內設置一夾頭；在該夾頭內設置複數電極；在該夾頭上提供該基板；將複數相移交流電壓提供至該複數電極，該等相移交流電壓與該複數電極之耦合係處於使得相鄰電極具有相位偏移之電壓的型態；透過使用該複數電極及該複數相移交流電壓而在該基板之表面處產生一電位；以及 利用該基板之該表面處的該電位，以透過使粒子移動橫越該基板之該表面而自該表面移除該等粒子，其中該複數電極具有一寬度，該寬度係在該等電極之頂部與該基板之上表面之間的高度之±20%的範圍內。
- 如申請專利範圍第11項之自基板之表面移除粒子的方法，其中該複數相移交流電壓包含至少三個相移電壓。
- 如申請專利範圍第11項之自基板之表面移除粒子的方法，其中該複數相移交流電壓包含具有120度之相移的三個相移電壓。
- 如申請專利範圍第11項之自基板之表面移除粒子的方法，其中該基板之該表面處的該電位在該基板各處交變，其係歸因於該複數相移交流電壓中之相移。
- 如申請專利範圍第11項之自基板之表面移除粒子的方法，其中該複數相移交流電壓包含具有120度之相移的三個相移電壓。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862739482P | 2018-10-01 | 2018-10-01 | |
| US62/739,482 | 2018-10-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202027197A TW202027197A (zh) | 2020-07-16 |
| TWI815975B true TWI815975B (zh) | 2023-09-21 |
Family
ID=69946922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108134367A TWI815975B (zh) | 2018-10-01 | 2019-09-24 | 自基板表面靜電移除異物的設備和方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11376640B2 (zh) |
| JP (1) | JP7348454B2 (zh) |
| KR (1) | KR20210054017A (zh) |
| CN (1) | CN112789718A (zh) |
| TW (1) | TWI815975B (zh) |
| WO (1) | WO2020072195A2 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11256181B2 (en) * | 2019-07-31 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing |
| TW202314780A (zh) * | 2021-06-21 | 2023-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004259832A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置およびダスト除去方法 |
Family Cites Families (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5179498A (en) * | 1990-05-17 | 1993-01-12 | Tokyo Electron Limited | Electrostatic chuck device |
| DE19544127C1 (de) | 1995-11-27 | 1997-03-20 | Gimsa Jan Dr | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Resonanzerscheinungen in Partikelsuspensionen und ihre Verwendung |
| US5858192A (en) | 1996-10-18 | 1999-01-12 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for manipulation using spiral electrodes |
| US7674695B1 (en) * | 2000-01-22 | 2010-03-09 | Loxley Ted A | Wafer cleaning system |
| ATE325657T1 (de) | 2000-06-14 | 2006-06-15 | Univ Texas | Vorrichtung und verfahren zum einspritzen von flüssigkeiten |
| US6526997B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-03-04 | Francois J. Henley | Dry cleaning method for the manufacture of integrated circuits |
| US20050032204A1 (en) | 2001-04-10 | 2005-02-10 | Bioprocessors Corp. | Microreactor architecture and methods |
| KR100421171B1 (ko) | 2001-05-30 | 2004-03-03 | 주식회사 코미코 | 기판 표면의 입자성 오염물 제거 방법 및 그 제거장치 |
| WO2003093791A2 (en) | 2002-05-03 | 2003-11-13 | The Regents Of The University Of California | Fast electrical lysis of cells and rapid collection of the contents thereof using capillary electrophoresis |
| US6911132B2 (en) | 2002-09-24 | 2005-06-28 | Duke University | Apparatus for manipulating droplets by electrowetting-based techniques |
| WO2004095502A2 (en) | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and method |
| JP4418193B2 (ja) | 2003-08-22 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル除去装置及びパーティクル除去方法及びプラズマ処理装置 |
| JP4754196B2 (ja) | 2003-08-25 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置 |
| US7628864B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-12-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus and method |
| EP1618955B1 (en) | 2004-07-19 | 2010-12-22 | STMicroelectronics Srl | Biological molecules detection device having increased detection rate, and method for quick detection of biological molecules |
| DE102004060377A1 (de) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Betrieb einer Plasmaeinrichtung |
| DE102005038121B3 (de) | 2005-08-11 | 2007-04-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Integration funktioneller Nanostrukturen in mikro- und nanoelektrische Schaltkreise |
| EP1764418B1 (en) | 2005-09-14 | 2012-08-22 | STMicroelectronics Srl | Method and device for the treatment of biological samples using dielectrophoresis |
| US20070095667A1 (en) | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Applera Corporation | Optoelectronic Separation of Biomolecules |
| KR100745966B1 (ko) | 2005-12-29 | 2007-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 이의 세정 방법 |
| JP4590368B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2010-12-01 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
| WO2007116406A1 (en) | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Method and device for electrokinetic manipulation |
| DE102006023238A1 (de) | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Universität Tübingen | Vorrichtung und Verfahren zur kontaktlosen Fixierung, Positionierung, Freigabe und Entnahme von Partikeln |
| US20090325256A1 (en) | 2006-08-10 | 2009-12-31 | Tohoku University | Method for cell patterning |
| US20080132046A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma Doping With Electronically Controllable Implant Angle |
| US7867409B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-01-11 | Tokyo Electron Limited | Control of ion angular distribution function at wafer surface |
| DE102007020302B4 (de) | 2007-04-20 | 2012-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verbesserte dreidimensionale biokompatible Gerüststruktur, die Nanopartikel beinhaltet |
| US7744737B1 (en) | 2007-07-26 | 2010-06-29 | Sandia Corporation | Microfluidic device for the assembly and transport of microparticles |
| US8091167B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-01-10 | Dell Products L.P. | Systems and methods for contactless automatic dust removal from a glass surface |
| WO2009111723A1 (en) | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Drexel University | Electrowetting microarray printing system and methods for bioactive tissue construct manufacturing |
| DE102008018170B4 (de) | 2008-04-03 | 2010-05-12 | NMI Naturwissenschaftliches und Medizinisches Institut an der Universität Tübingen | Mikrofluidisches System und Verfahren zum Aufbau und zur anschließenden Kultivierung sowie nachfolgender Untersuchung von komplexen Zellanordnungen |
| JP4940184B2 (ja) | 2008-05-22 | 2012-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置および真空処理方法 |
| JP5540304B2 (ja) | 2008-07-17 | 2014-07-02 | 独立行政法人理化学研究所 | 静電インクジェット現象を利用した三次元構造を有する細胞組織の作製 |
| GB0818403D0 (en) | 2008-10-08 | 2008-11-12 | Univ Leuven Kath | Aqueous electrophoretic deposition |
| US20120135158A1 (en) | 2009-05-26 | 2012-05-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Methods and systems for electric field deposition of nanowires and other devices |
| US20170214359A1 (en) * | 2011-01-31 | 2017-07-27 | George Mckarris | Self-Cleaning System For a Light-Receiving Substrate |
| JP6047159B2 (ja) | 2011-08-02 | 2016-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 電場印加装置を用いて組織を構築するシステム及び方法 |
| JP2013197465A (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 静電チャック装置および露光装置 |
| JP5976377B2 (ja) * | 2012-04-25 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 |
| SE536628C2 (sv) * | 2012-07-19 | 2014-04-08 | Reinhold Karl Rutks | Metod, substrat och arrangemang för en partikeluppsamling och en efterföljande partikelrengöring |
| US9993853B2 (en) * | 2014-11-28 | 2018-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for backside cleaning of substrates |
| US20160236245A1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Applied Materials, Inc. | Self-cleaning substrate contact surfaces |
| KR102418643B1 (ko) * | 2015-05-14 | 2022-07-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법 |
| WO2017143268A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | Qatar Foundation For Education, Science And Community Development | Flexible dust shield |
| JP6643135B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-02-12 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置および物品製造方法 |
| US10413913B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-09-17 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems for dielectrophoresis (DEP) separation |
| US11110493B2 (en) * | 2018-08-21 | 2021-09-07 | Eastman Kodak Company | Double-sided electrodynamic screen films |
-
2019
- 2019-09-17 US US16/573,744 patent/US11376640B2/en active Active
- 2019-09-17 JP JP2021543110A patent/JP7348454B2/ja active Active
- 2019-09-17 CN CN201980064790.0A patent/CN112789718A/zh active Pending
- 2019-09-17 KR KR1020217012971A patent/KR20210054017A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-17 WO PCT/US2019/051548 patent/WO2020072195A2/en active Application Filing
- 2019-09-24 TW TW108134367A patent/TWI815975B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004259832A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置およびダスト除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020072195A3 (en) | 2020-05-14 |
| US20200101500A1 (en) | 2020-04-02 |
| JP2022501840A (ja) | 2022-01-06 |
| WO2020072195A2 (en) | 2020-04-09 |
| US11376640B2 (en) | 2022-07-05 |
| JP7348454B2 (ja) | 2023-09-21 |
| CN112789718A (zh) | 2021-05-11 |
| TW202027197A (zh) | 2020-07-16 |
| KR20210054017A (ko) | 2021-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI639362B (zh) | 電漿處理系統內之離子能量分布控制 | |
| TWI815975B (zh) | 自基板表面靜電移除異物的設備和方法 | |
| US10410902B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP5021198B2 (ja) | ガスイオナイザ用カーバイド材料から形成されるかまたはその材料でコーティングされるエミッタ電極 | |
| KR20150032638A (ko) | 기판 에칭 동안 기판 ｄｃ 바이어스 및 이온 에너지 및 각 분포를 제어하는 방법 및 장치 | |
| JPH1074826A (ja) | 静電チャックから被加工物を解放する方法および装置 | |
| JP3191139B2 (ja) | 試料保持装置 | |
| CN108242421B (zh) | 静电卡盘装置和静电吸附方法 | |
| WO2012090430A1 (ja) | 静電吸着装置 | |
| TW202249540A (zh) | 脈衝dc電漿腔室中的電漿均勻性控制 | |
| JP2006269556A (ja) | プラズマ処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| US6362946B1 (en) | Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas | |
| TWI725011B (zh) | 用於移除在基板製造處理期間累積在基板接觸表面上的粒子的裝置、基板支撐件、及方法 | |
| JP6727068B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| TWI595557B (zh) | 電漿蝕刻方法、電漿蝕刻裝置、電漿處理方法以及電漿處理裝置 | |
| JP2016115818A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3974475B2 (ja) | 静電チャック装置及びその装置を用いた基板の処理方法 | |
| JPH09260472A (ja) | 静電チャック | |
| JP2503364B2 (ja) | ウエハの静電吸着装置、ウエハの静電吸着方法、ウエハの離脱方法及びドライエッチング方法 | |
| JP2003031553A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2004253403A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP2021090056A (ja) | 超小型電子ワークピースの処理のための多極チャック | |
| JPH0786380A (ja) | 静電チャック | |
| JP2022544421A (ja) | セラミック給気部に無線周波数を接続した洗浄装置 | |
| KR20070096556A (ko) | 정전척 전압공급장치 및 그 방법 |