TWI639362B - 電漿處理系統內之離子能量分布控制 - Google Patents

Abstract

茲提供一種以電漿處理至少一基板的電漿處理系統。該電漿處理室能夠控制離子能量分布。該電漿處理系統可包括第一電極。該電漿處理系統也包括異於該第一電極且用以支持基板的第二電極。該電漿處理系統也可包括與該第一電極結合的訊號源。該訊號源可經第一電極提供非正弦訊號，以在該電漿處理系統中處理基板時，控制該基板處的離子能量分布，其中該非正弦訊號係週期性的。

Description

電漿處理系統內之離子能量分布控制

本發明係關於基板（或晶圓）的電漿處理。特別是，本發明係關於在電漿處理系統中處理基板時控制離子能量分布。

控制離子能量分布在處理基板上可提供很多好處。例如，控制離子能量分布可控制不同材料間的蝕刻選擇性、降低特徵部邊緣（如溝渠或介層孔的邊緣）處的表面縐化及控制高深寬比接點的輪廓。在現代的電漿處理應用中，控制離子能量的分布對於實現理想的處理結果係很重要的。例如，控制離子能量分布的方法已被揭露在「Method And Apparatus For Plasma Processing With Control Of Ion Energy Distribution At The Substrates」的美國專利案第6201208號（西元2001年3月13日公告）中。

先前技藝之控制離子能量分布的技術往往涉及對支撐基板的基板支持用電極提供非正弦射頻（RF）訊號/功率。例如，此非正弦訊號可藉由吸引離子而控制離子能量分布。先前技藝之控制離子能量分布的技術也往往需要在非正弦RF訊號源與該基板支持用電極之間使用外在的DC阻隔電容器。

因有很多與先前技藝之方法相關的缺點及鑑於半導體加工領域中的不斷進步，需要有在電漿處理室中控制離子能量分布的改善技術及設備。

本發明的實施例係關於以電漿處理至少一基板的電漿處理系統。該電漿處理室能夠控制離子能量分布。該電漿處理系統可包括第一電極。該電漿處理系統也包括異於該第一電極且用以支持基板的第二電極。該電漿處理系統也可包括與該第一電極結合的訊號源。該訊號源可經第一電極提供非正弦訊號，以在該電漿處理系統中處理基板時，控制該基板處的離子能量分布，其中該非正弦訊號係週期性的。

上述概要僅關於本文所揭露之本發明許多實施例中的一者，且不意在限制本發明的範疇，該範疇係由本文的請求項所闡明。下文在本發明的詳細描述及伴隨的附圖中，將更詳盡地描述本發明的這些及其它特徵。

現在將參照如附圖所說明的一些實施例而詳盡地描述本發明。在接下來的描述中，為提供本發明之徹底了解而闡明眾多的具體細節。然而，對於熟悉本技藝者，明顯的是，不用這些具體細節的部分或全部即可實行本發明。在其它例子中，為了避免非必要地搞混本發明而沒有詳盡地描述眾所皆知的處理步驟及/或結構。

本發明的一或多個實施例係關於電漿處理系統，其在以電漿處理至少一基板期間能夠控制離子能量分布。該電漿處理系統（其可為二極管組態或三極管組態）包括至少一非基板支持用（non-substrate bearing，NSB）電極，其不與基板實體接觸及/或不用以支持基板。

在實施例中，電漿處理系統可包括與該NSB電極結合的離子能量分布控制訊號源。該離子能量分布控制訊號源可對該NSB電極提供非正弦射頻（RF）訊號/功率，用以在電漿處理系統中處理基板時控制該基板處的離子能量分布。

作為一個例子，該NSB電極可為上電極，設置於支撐基板之基板支持用下電極的對面。或者或此外，例如，該NSB電極可為圍繞電漿的圓柱形電極（如環形電極）。

為了保持且產生處理用電漿，可依據本發明之各種實施例對上電極、環形電極及/或下電極提供產生且保持電漿用的高頻正弦訊號/功率。

有了對該NSB電極所傳送的非正弦訊號/功率，電漿處理系統可具有簡化的電氣路徑，用以傳送離子能量分布控制訊號/功率，且因此較先前技藝的技術更具有至少數個優點。

例如，與基板支持用電極相比，該NSB電極通常具有最低或無絕緣和夾持需求；因此，本發明的實施例在非正弦供電的電極上可具有更少的設計限制。

此外，由於NSB電極的尺寸不需符合基板的尺寸，故可降低該NSB電極的尺寸。發明人觀察到，在若干情況中，似乎在NSB電極相對於腔室中整個電極面積的面積比，及在任何既定的RF正弦訊號工作週期（duty cycle）（其有關於抵達基板且帶有高能之離子的百分比）中的製程容許度之間存有可能的折衷。在若干情況中，較高的工作週期似乎需要較大之（NSB電極相對於整個電極面積的）面積比，以確保在基板處形成高電壓鞘（sheath）。相反地，較低的工作週期可產生利用較少面積比同時在基板處維持高電壓鞘的能力。如果對於高工作週期的電漿產生RF訊號而言該面積比過小，則非正弦電壓不會在整個基板鞘上壓降，如此便不會產生高能離子。

不過，本發明的實施例能夠降低或消除與先前技藝之技術相關的寄生電容問題。NSB較基板支持用電極具有更少的設計限制，且可因此被設計成對於接地端帶有更小的雜散電容。此轉而引起更少的RF電流，且對階型電壓之變化具有更快的響應。可有利地改善控制離子能量分布的精確性，且可有利地降低與控制離子能量分布相關之RF元件的成本。

在一或多個實施例中，當對NSB電極提供用以控制離子能量分布的非正弦訊號時，可能對該NSB電極提供如此的非正弦訊號，而不需在非正弦訊號源與該NSB電極之間使用外在、分隔的DC阻隔電容器。在非正弦訊號源與該NSB電極之間不插入DC阻隔電容器的此情形中，其它電極表面最好與DC接地端絕緣，譬如藉由在接地電極處使用石英材料層（或相似的合適材料）。

在另一實施例中，當對NSB電極提供用以控制離子能量分布的非正弦訊號時，可能經在非正弦訊號源與該NSB電極間之外在、分隔的DC阻隔電容器，而對NSB電極提供如此的非正弦訊號。在非正弦訊號源與該NSB電極之間利用DC阻隔電容器的此情形中，其它電極表面不需與DC接地端絕緣，譬如藉由在接地電極處使用石英材料層（或相似的合適材料）。

在另一實施例中，可對基板支持用電極提供用以控制離子能量分布的非正弦訊號。在此情形中，可對相同的基板支持用電極，或可對非該基板支持用電極之電極提供用於電漿生成的正弦訊號。在此實施例中，只要其它電極表面與DC接地端絕緣，例如經由介電質覆蓋（如石英層或相似的合適材料）的使用；或基板支持用電極具有固有的串聯電容，如內部介電層（例如若干基板支持用卡盤內的陶瓷層），亦可消除在非正弦訊號源（其用於離子能量分布控制）與該基板支持用電極間利用外在、分隔的DC阻隔電容器之需求。

在一或多個實施例中，本發明係關於在電漿處理系統中所用之控制基板處離子能量分布的方法。

參照底下的圖示及討論可更好了解本發明的特徵及優點。

圖1依據本發明之一或多個實施例顯示電漿處理系統100之組件的示意圖，電漿處理系統100於以電漿120處理基板108的期間能夠控制離子能量分布。電漿處理系統100可包括基板支持用電極106、非基板支持用（NSB）電極104、電漿產生用訊號源112及離子能量分布控制用訊號源102。

基板支持用電極106（如下電極）可支撐基板108。基板支持用電極106可使用靜電力夾持（或吸引）基板108，且可與基板108實體接觸。

NSB電極104（如上電極）可被設於基板支持用電極106的對面，且可包括面對著基板108之表面158的表面154。然而，NSB電極通常可為任何非基板支持用電極。

在一或多個實施例中，表面154的面積可實質小於表面158的面積，且可實質小於接地面116及114。取決於上述面積比/工作週期的折衷，NSB電極104的小尺寸能夠降低若干情形中的寄生及串聯電容問題，且能夠改善若干情形中之控制離子能量分布的效率。

在實施例中，電漿產生用訊號源112可與基板支持用電極106結合。電漿產生用訊號源112可提供電漿產生用訊號（如高頻正弦訊號），用於建立電漿120並保持電漿120的密度。該電漿產生用訊號可輸至基板支持用電極106與基板108。在一或多個實施例中，電漿產生用訊號源112可與NSB電極104結合，且可對NSB電極104提供電漿產生用訊號。

離子能量分布控制用訊號源102可提供離子能量分布控制用訊號（如非正弦RF訊號），用於控制基板108處的離子能量分布。離子能量分布控制用訊號源102可經DC阻隔電容器110與NSB電極104結合。在一有利的實施例中，如果其它電極表面與DC接地端隔絕，則可消除DC阻隔電容器110，例如當接地電極如許多現代電漿室設計般塗以石英層（或相似的合適材料）時。如果在離子能量分布控制用訊號源102與NSB電極104間使用外在的DC阻隔電容器，其它電極表面則不需與DC接地端隔絕。

在其它實施例中，離子能量分布控制用訊號源102可與基板支持用電極106結合，且為了控制離子能量分布之目的可提供非正弦訊號，而不需在之間使用外在、分隔的DC阻隔電容器。在此組態中，最好其它電極表面係與DC接地端隔絕，例如當電極表面如許多現代電漿室設計般塗以石英層（或相似的合適材料）時；或基板電極具有固有、內部的串聯電容，如內部介電層（例如若干基板支持用卡盤內的陶瓷層）。

底下參照圖6A-7B的例子討論離子能量分布控制訊號的特徵及優點。

圖2依據本發明之一或多個實施例顯示電漿處理系統200之組件的示意圖，電漿處理系統200於以電漿220處理基板208的期間能夠控制離子能量分布。電漿處理系統200可包括基板支持用電極206、NSB電極204、電漿產生用訊號源212及離子能量分布控制用訊號源202（其可經DC阻隔電容器210與NSB電極204提供非正弦訊號）。電漿處理系統200的組件與裝置可與圖1之例中的電漿處理系統100之元件與裝置相似。此外，電漿處理系統200可包括對稱組態，俾使基板支持用電極206與NSB電極204可實質具有相同的尺寸及/或相同表面積；相關的接地面214與216可實質具有相同的尺寸及/或相同表面積。

考量到於圖1之例中所討論之消除DC阻隔電容器的情況相似，在一或多個實施例中消除DC阻隔電容器210。

圖3依據本發明之一或多個實施例顯示電漿處理系統300之組件的示意圖，電漿處理系統300於以電漿320處理基板308的期間能夠控制離子能量分布。電漿處理系統300可包括用以支撐基板308的基板支持用電極306、可圍繞電漿320的圓柱狀（如環形）NSB電極304、電漿產生用訊號源312及離子能量分布控制用訊號源302。

電漿產生用訊號源312可與基板支持用電極306結合。電漿產生用訊號源312可對基板支持用電極306與基板308提供電漿產生用訊號，用於建立電漿320。或者或此外，電漿產生用訊號源312可對圓柱狀NSB電極304與/或NSB電極316提供電漿產生用訊號。

離子能量分布控制用訊號源302可經DC阻隔電容器310與圓柱狀NSB電極304結合。離子能量分布控制用訊號源302可經DC阻隔電容器310與圓柱狀NSB電極304提供非正弦訊號，其中NSB電極316可為接地。圍繞電漿320的圓柱狀NSB電極304可在控制離子能量分布上提昇均質性及/或有效性。

或者或此外，離子能量分布控制用訊號源302可對NSB電極316提供非正弦訊號。

考量到於圖1之例中所討論之消除DC阻隔電容器的情況相似，在一或多個實施例中消除DC阻隔電容器310。

圖4顯示電路模型500的示意圖，電路模型500代表能夠控制離子能量分布之先前技藝的電漿處理系統。電路模型500可包括NSB電極部分530及基板支持用電極部分520。NSB電極部分530可包括代表著NSB電極處之電漿鞘的二極體518、電容516及電流源514。二極體518可模擬該電漿鞘的整流特性，其起因於該鞘的週期性崩陷。電容516可模擬經鞘之電漿與電極表面間的RF耦合。電流源514可模擬流經該電漿鞘的DC離子電流。基板支持用電極部分520可包括二極體508、電容506與電流源504，個別相似於NSB電極部分530的二極體518、電容516與電流源514。

在電路模型500中，離子能量分布控制用訊號源526可經DC阻隔電容器528與基板支持用電極部分520提供離子能量分布控制用訊號。

圖5依據本發明之實施例顯示電路模型550的示意圖，電路模型550代表能夠控制離子能量分布的電漿處理系統，其中離子能量分布控制用訊號源576係與NSB電極結合，而非與基板支持用電極結合（如圖4的情況般）。電路模型550可包括NSB電極部分580與基板支持用電極部分570。NSB電極部分580可包括代表著NSB電極處之電漿鞘的二極體568、電容566及電流源564。二極體568可模擬該電漿鞘的整流特性，其起因於該鞘的週期性崩陷。電容566可模擬經鞘之電漿與電極表面間的RF耦合。電流源564可模擬流經該電漿鞘的DC離子電流。基板支持用電極部分570可包括二極體558、電容556與電流源554，個別相似於NSB電極部分580的二極體568、電容566與電流源564。

在電路模型550中，離子能量分布控制用訊號源576可對NSB電極部分580提供離子能量分布控制用訊號。

圖6A顯示基板所施加之依據先前技藝用以控制該基板處之離子能量分布的非正弦訊號400（此後為「訊號400」）示意圖。非正弦訊號400可為隨時間推移所提供的電壓訊號，將其優化以在基板電極處產生窄範圍的高能離子。圖6B顯示該模型所預測之在基板處產生的IEDF，其於低及高能極值有二主峰。

對於典型的電漿處理（如介電質蝕刻），大多或全部抵達基板的離子係帶正電的。因此，訊號400可包括一或多個負的非正弦電壓部分，如t1與t2間的部份412，用以使基板電極相對於電漿電位帶有負電位而汲取離子，以在含有高能離子之基板處提供受控的離子能量分布。在相當長的時間後，該基板電極的負電位應實質維持不變（而非正弦的），用以吸引所需且實質恆定能量的離子。

然而，基板通常可相對於DC接地端而為電氣浮動的（即起因於內部或外在的串聯電容），且無法自入射離子中釋放累積的電荷。因此，訊號400可能不時地（如週期性）需要包括正的脈衝（如脈衝402），以自電漿中吸引電子而中和基板電極上所累積的電荷。作為例子，可週期地（以2.5ms的週期時間）施加400KHz之頻率的脈衝。

如果在負電壓部分（如部分412）期間於基板電極上累積正電荷，則於NSB電極處所施加之波形的正電壓部分期間，在該基板電極處將形成漸增的正電位。此將導致基板處逐漸減少的離子能量，實質上降低及擴大基板處之時均IEDF中的高能峰。此可藉由塑造圖6A所示之波形而解決。

圖7A依據本發明之一或多個實施例顯示驅動器對NSB電極所施加的非正弦訊號450（此後為「訊號450」），其產生相似於施加至基板之訊號400的訊號。作為例子，該驅動器可為圖1之例中所示的成型波形產生器。訊號450可包括傾斜的正電壓部分（如傾斜部分462），對應著訊號400的負電壓部分（如部分412）。訊號450也可包括脈衝（如脈衝452），對應著訊號400的脈衝（如脈衝402）。在所示的例中，訊號450恰為訊號400的反轉，其帶著因RF功率施加之位置變化所需的外施電壓的極性變化。

為了解決基板電極之逐漸充電的問題，訊號450中，週期脈衝間之每一正部分（如部分462）的值可隨著時間的推移而增加，以抵消基板電極處之正離子的增加，用以形成訊號400中實質恆定部分412。因此，離子可高效率且高效益地以實質恆定能量被吸引到基板。

為了確保在電路500或550中，外施電壓波形主要在整個基板電極而非在NSB電極上降壓，脈衝402的最佳寬度406（對應著訊號450中脈衝452的寬度456）可取決於NSB電極相對於總電極面積的尺寸。

圖6B顯示依據第一先前技藝的裝置（其帶有提供至基板支持用電極的非正弦訊號）所計算之離子能量分布710的示意圖，該裝置如圖4之例中所說明之電路模型500中的裝置。離子能量分布710可包括低離子能量峰712與高離子能量峰714。

圖7B依據實施例顯示離子能量分布730的示意圖，離子能量分布730係基於本發明之一或多個實施例之帶有提供至NSB電極（非基板支持用電極）之非正弦訊號的裝置，該裝置如圖5之例中所說明之電路模型550中的裝置。離子能量分布730（帶有低離子能量峰732與高離子能量峰734）可實質等於離子能量分布710，且可適合特定的應用。

可自利用圖5之例所說明的電路模型550中獲得離子能量分布730，其中將用於產生離子能量分布710的RF波形反轉並施加於NSB電極部分580。離子能量分布730可適合任何用以產生離子能量分布710的控制應用。

如參照圖1-7B之一或多者所討論的，經NSB電極部分580提供離子能量分布控制訊號的裝置可提供很大的好處，例如改進的控制效率，能源效率和成本效益。

圖8依據本發明之實施例顯示電路模型800的示意圖，電路模型800代表能夠控制離子能量分布的電漿處理系統，其中離子能量分布控制用訊號源804經阻隔電容器802與NSB電極結合。除阻隔電容器802之外，圖8之電路的其餘部分與圖5之電路相似，且將不會在這裡闡述。

當圖8的離子能量分布控制用訊號源804經DC阻隔電容器802對NSB電極提供與圖5所用之離子能量分布控制用訊號（參看圖7A）相似的離子能量分布控制用訊號（參看圖9A）時，圖9B所示的離子能量分布實質相似於圖7B所得者（其與圖5之電路相關）。嚴格地說，圖9A的離子能量分布控制用訊號已針對圖8的電路而優化。無論如何，結果表明在離子能量分布控制用訊號源與NSB電極間增加外在的DC阻隔電容器（如阻隔電容器802）不會顯著地改變離子能量分布（比較圖9B與圖7B）。

如可自前文所理解的，有了對NSB電極傳送的離子能量分布控制訊號/功率（如非正弦功率），本發明的實施例可較先前技藝的技術具有相當的優勢。

例如，由於該NSB電極可具有最低或無絕緣及夾持需求，故本發明的實施例在非正弦供電的電極上具有更少的設計限制。

因為該NSB電極較基板支持用電極具有較少的設計限制，本發明的實施例能夠使先前技藝之技術相關的寄生電容問題最小化或消除之。以先前所討論的面積比與工作週期之間存有可能的折衷為準，由於NSB電極的尺寸不需符合基板的尺寸，故可降低該NSB電極的尺寸，因此，可進一步降低雜散電容。越低的雜散電容對應著對脈衝步（pulse step）的更快響應及所需之RF電流的降低。可有利地改善控制離子能量分佈的精確性，且可有利地使與控制離子能量分佈相關的RF元件成本最小化。

雖然已按照數個較佳實施例敘述本發明，在不離開本發明之範疇內，當可做替換、交換及等價動作。也應注意到，有許多替換方法可執行本發明之方法與設備。此外，本發明的實施例可運用於其它應用。為了便利性在本文提供了摘要部分，且因字數限制，故為了閱讀方便而寫下該摘要部分，並不應用以限制本發明的範疇。因此有意將底下所附之請求項解釋為在不離開本發明之真實精神與範疇內，包括所有替換、交換及等價動作。

100‧‧‧電漿處理系統

102‧‧‧離子能量分布控制用訊號源

104‧‧‧非基板支持用（NSB）電極

106‧‧‧基板支持用電極

108‧‧‧基板

110‧‧‧DC阻隔電容器

112‧‧‧電漿產生用訊號源

114‧‧‧接地面

116‧‧‧接地面

120‧‧‧電漿

154‧‧‧表面

158‧‧‧表面

200‧‧‧電漿處理系統

202‧‧‧離子能量分布控制用訊號源

204‧‧‧NSB電極

206‧‧‧基板支持用電極

208‧‧‧基板

210‧‧‧DC阻隔電容器

212‧‧‧電漿產生用訊號源

214‧‧‧接地面

216‧‧‧接地面

220‧‧‧電漿

300‧‧‧電漿處理系統

302‧‧‧離子能量分布控制用訊號源

304‧‧‧圓柱狀NSB電極

306‧‧‧基板支持用電極

308‧‧‧基板

310‧‧‧DC阻隔電容器

312‧‧‧電漿產生用訊號源

316‧‧‧NSB電極

320‧‧‧電漿

400‧‧‧非正弦訊號

402‧‧‧脈衝

406‧‧‧最佳寬度

412‧‧‧部份

450‧‧‧非正弦訊號

452‧‧‧脈衝

456‧‧‧寬度

462‧‧‧傾斜部分

500‧‧‧電路模型

504‧‧‧電流源

506‧‧‧電容

508‧‧‧二極體

514‧‧‧電流源

516‧‧‧電容

518‧‧‧二極體

520‧‧‧基板支持用電極部分

526‧‧‧離子能量分布控制用訊號源

528‧‧‧DC阻隔電容器

530‧‧‧NSB電極部分

550‧‧‧電路模型

554‧‧‧電流源

556‧‧‧電容

558‧‧‧二極體

564‧‧‧電流源

566‧‧‧電容

568‧‧‧二極體

570‧‧‧基板支持用電極部分

576‧‧‧離子能量分布控制用訊號源

580‧‧‧NSB電極部分

710‧‧‧離子能量分布

712‧‧‧低離子能量峰

714‧‧‧高離子能量峰

730‧‧‧離子能量分布

732‧‧‧低離子能量峰

734‧‧‧高離子能量峰

800‧‧‧電路模型

802‧‧‧阻隔電容器

804‧‧‧離子能量分布控制用訊號源

本發明係藉由隨附圖式之圖表中的例子說明且不限於此，而圖中同樣的參照數字代表相似的元件，其中圖式為：

圖1依據本發明之一或多個實施例顯示電漿處理系統之組件的示意圖，該電漿處理系統於電漿處理期間能夠控制離子能量分布。

圖2依據本發明之一或多個實施例顯示電漿處理系統之組件的示意圖，該電漿處理系統於電漿處理期間能夠控制離子能量分布。

圖3依據本發明之一或多個實施例顯示電漿處理系統之組件的示意圖，該電漿處理系統於電漿處理期間能夠控制離子能量分布。

圖4顯示電路模型的示意圖，該電路模型代表能夠控制離子能量分布之先前技藝的電漿處理系統。

圖5顯示電路模型的示意圖，該電路模型代表能夠依據本發明之一或多個實施例控制離子能量分布的電漿處理系統。

圖6A顯示基板所施加的非正弦訊號示意圖，用以控制先前技藝之能夠控制離子能量分布之電漿系統中的離子能量分布。

圖6B顯示依據先前技藝之裝置所計算的離子能量分布示意圖。

圖7A依據本發明之一或多個實施例顯示能夠控制離子能量分布之驅動器所提供的非正弦訊號示意圖。

圖7B顯示基於依據本發明之一或多個實施例之裝置所計算的離子能量分布示意圖。

圖8依據本發明之一或多個實施例顯示電路模型的示意圖，該電路模型代表能夠控制離子能量分布的電漿處理系統。

圖9A依據本發明之一或多個實施例顯示能夠控制離子能量分布之驅動器所提供的非正弦訊號示意圖。

圖9B顯示基於依據本發明之一或多個實施例之裝置所計算的離子能量分布示意圖。

Claims (16)

1. 一種以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，該電漿處理系統包括：第一電極；接地構件，圍繞該第一電極，使得該第一電極設置在該接地構件之至少兩部分之間；介電層，設置在該接地構件與該第一電極之至少一部分之間，以使該第一電極與該接地構件電氣絕緣；第二電極，該第二電極不同於該第一電極，該第二電極用以支撐該基板；及第一訊號源，與該第一電極結合且用以經由該第一電極提供一非正弦訊號，以在該電漿處理系統中處理該第二電極上的基板時，控制該基板處的離子能量分布，該非正弦訊號為週期性，其中該第一訊號源配置成對該第一電極提供一週期性訊號以供施加該非正弦訊號至該基板，該週期性訊號由至少一第一組週期性傾斜部分及至少一第一組週期性脈衝所組成，其中該第一組週期性傾斜部分之每一傾斜部分具有一正斜率，以抵銷增加的正離子，且該第一組週期性脈衝之每一週期性脈衝包含具有一負斜率的傾斜部分。
2. 如申請專利範圍第1項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第二電極係設置在該第一電極對面，俾使該基板被置於該第二電極與該第一電極之間。
3. 如申請專利範圍第1項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第一電極大致為圓柱形，且配置成圍繞該電漿之至少一部分。
4. 如申請專利範圍第1項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，更包含第二訊號源，其與該第一電極結合並用以經由該第一電極提供一正弦訊號，俾產生該電漿以處理該基板。
5. 如申請專利範圍第1項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，更包含第二訊號源，其與該第二電極結合並用以經由該第二電極提供一正弦訊號，俾產生該電漿以處理該基板。
6. 如申請專利範圍第1項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，更包含：第三電極；及第二訊號源，與該第三電極結合並用以經由該第三電極提供一正弦訊號，俾產生該電漿以處理該基板，其中該第二電極係電氣接地。
7. 如申請專利範圍第6項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第三電極大致為圓柱形，且配置成圍繞該電漿之至少一部分。
8. 如申請專利範圍第6項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第三電極係設置在該第二電極對面。
9. 如申請專利範圍第1項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第一電極之表面係配置成面對該基板之表面，該第一電極之該表面的面積小於該基板之該表面的面積。
10. 一種以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，該電漿處理系統包括：第一電極；第二電極，該第二電極不同於該第一電極，該第二電極用以支撐該基板； 接地構件，圍繞該第二電極，使得該第二電極設置在該接地構件之至少兩部分之間；介電層，設置在該接地構件與該第二電極之至少一部分之間，以使該第二電極與該接地構件電氣絕緣；及第一訊號源，與該第一電極結合且用以經由該第一電極提供一非正弦訊號，以在該電漿處理系統中處理該第二電極上的基板時，控制該基板處的離子能量分布，該非正弦訊號為週期性，其中該第一訊號源配置成對該第一電極提供一週期性訊號以供施加該非正弦訊號至該基板，該週期性訊號由至少一第一組週期性傾斜部分及至少一第一組週期性脈衝所組成，其中該第一組週期性傾斜部分之每一傾斜部分具有一正斜率，以抵銷增加的正離子，且該第一組週期性脈衝之每一週期性脈衝包含具有一負斜率的傾斜部分。
11. 一種以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，該電漿處理系統包括：第一電極；第二電極，該第二電極不同於該第一電極，該第二電極用以支撐該基板；第一訊號源，與該第一電極及該第二電極之至少一者結合，該第一訊號源用以經由該第一電極及該第二電極之該至少一者提供一非正弦訊號，以在該電漿處理系統中處理該基板時，控制該基板處的離子能量分布，該非正弦訊號為週期性，其中該第一訊號源配置成對該第一電極提供一週期性訊號以供施加該非正弦訊號至該基板，該週期性訊號由至少一第一組週期性傾斜部分及至少一第一組週期性脈衝所組成，其中該第一組週期性傾斜部 分之每一傾斜部分具有一正斜率，以抵銷增加的正離子，且該第一組週期性脈衝之每一週期性脈衝包含具有一負斜率的傾斜部分；接地構件，圍繞該第一電極及該第二電極之該至少一者，使得該第一電極及該第二電極之至少一者設置在該接地構件之至少兩部分之間；及第一介電層，設置在該接地構件與該第一電極及該第二電極之該至少一者的至少一部分之間，該介電層用以使該第一電極及該第二電極之該至少一者與該接地構件電氣絕緣。
12. 如申請專利範圍第11項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第一電極及該第二電極之該至少一者代表該第二電極。
13. 如申請專利範圍第12項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，更包含：第二接地構件，圍繞該第一電極，使得該第一電極設置在該第二接地構件的至少兩部分之間；及第二介電層，設置在該第二接地構件與該第一電極之至少一部分之間，以使該第一電極與該第二接地構件電氣絕緣。
14. 如申請專利範圍第11項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第一電極及該第二電極之該至少一者代表該第一電極。
15. 如申請專利範圍第14項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，更包含：第二接地構件，圍繞該第二電極，使得該第二電極設置在該第二接地構件的至少兩部分之間；及第二介電層，設置在該第二接地構件與該第二電極之至少一部分之間，以使該第二電極與該第二接地構件電氣絕緣。
16. 如申請專利範圍第14項之以電漿處理至少一基板的電漿處理系統，其中該第一電極大致為圓柱形，且配置成圍繞該電漿之至少一部分。