KR20210070924A - 마이크로 전자 소재의 공정을 위한 다극 척 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

공정 장비 내에서 마이크로 전자 소재의 개선된 체결을 제공하는 다극 정전 척(ESC)에 대한 방법 및 시스템이 개시된다. 개시된 다극 ESC는, 큰 휨을 갖는 마이크로 전자 소재를 포함하는 마이크로 전자 소재를 효과적으로 체결한다. 다극 ESC 실시형태는, 유전체 본체, 및 유전체 본체 내에 형성된 다수의 전극 세트를 포함한다. 또한, 마이크로 전자 소재의 공정을 원활하게 하기 위해, 다수의 전극 세트 사이에 다수의 전기장이 발생된다. 예를 들어, 다수의 전극 세트에 전압을 인가하여 다수의 전기장을 발생시키기 위한 전압 발생기가 사용될 수 있다. 이러한 전기장은 마이크로 전자 소재의 에지로 전하를 이동시킬 수 있으며, 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 하거나/원활하게 하고, 마이크로 전자 소재의 휨을 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 또한, 다극 ESC의 작동을 제어 및 개선하도록 돕기 위해 센서가 사용될 수 있다.

Description

마이크로 전자 소재의 공정을 위한 다극 척{MULTI-POLAR CHUCK FOR PROCESSING OF MICROELECTRONIC WORKPIECES}
관련 특허 및 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2019년 12월 5일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/944,078호의 출원일에 대한 우선권 및 이익을 주장하며, 이 출원은 그 전체가 본원에 참조로 포함된다.
본 개시물은 마이크로 전자 소재(microelectronic workpiece)의 제조를 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
전형적으로, 마이크로 전자 소재 내에서의 소자 형성은, 기판 상의 다수의 재료층의 형성, 패터닝, 및 제거와 관련된 일련의 제조 기술을 포함한다. 현재 및 차세대 반도체 소자의 물리적 및 전기적 사양을 충족시키기 위해, 다양한 패터닝 공정에 대한 구조 무결성을 유지하면서 형상부(feature) 크기를 감소시키도록, 공정 흐름이 요구되고 있다.
다수의 공정 동안, 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재가 공정 장비 내에서 제자리에 계속 체결(clamp)되어 있는 것이 중요하다. 그러나, 웨이퍼의 휨(bowing)은 이러한 체결 상태를 유지하는 데 큰 문제를 유발할 수 있다. 예를 들어, 플래시 메모리용 수직형 낸드(NAND)(V-낸드) 소자를 형성하기 위한 공정 동안, 웨이퍼에서 많은 양의 휨(예를 들어, 0.5 밀리미터 초과)이 발생할 수 있다. 이러한 휨으로 인해, 통상적인 단극(monopolar) 정전 척 및 양극(bipolar) 정전 척은 웨이퍼를 적절하게 체결하지 못할 수 있다. 특히, 많은 휨은 웨이퍼 표면과 척 표면 사이의 충분한 거리를 야기할 수 있으므로, 이러한 통상적인 기술에 의해 발생된 정전기력은 휨으로 인해 유발된 거리를 극복하기에 충분하지 않다. 단극 또는 양극 정전 척에 의해 제공되는 체결의 이러한 결함은, 제조 후에 결과적인 마이크로 전자 소재의 소자 결함을 유발한다.
도 1a(종래기술)는 양극 정전 척(ESC)(110)이 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재(112)를 체결하도록 작동되는 예시적인 실시형태(100)의 단면도이다. 양극 ESC(110)는, 2개의 동심 전극(104 및 106)이 내장된 유전체 본체(102)를 포함한다. 도시된 예시적인 실시형태에서, 마이크로 전자 소재(112)는 원반인 것으로 가정된다. 제1 전극(104)은 원형이며, 양극 ESC(110)의 중앙 내에 위치된다. 제2 전극(106)은 제1 전극(104)의 둘레에 동심으로 위치된 링이다. 전극들(104/106) 사이에 전기장(115)을 발생시키기 위해, 양의 전압(V+)(105)이 제1 전극(104)에 인가되고, 음의 전압(V-)(107)이 제2 전극(106)에 인가된다. 이러한 극성은 반전될 수 있으며, 교류(AC) 신호가 또한 인가되어 전기장을 형성할 수 있다. 전기장(115)으로 인해, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면 상에 전하가 축적된다. 전기장(115)과 결합된 이러한 전하로 인해, 마이크로 전자 소재(112) 상에 정전기력(108)이 가해진다. 이러한 정전기력(108)은, 양극 ESC(110)와 마이크로 전자 소재(112) 사이의 거리에 부분적으로 좌우된다. 마이크로 전자 소재(112)가 크게 휘어진 경우, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면과 양극 ESC(110)의 상부 표면 사이의 거리(114)는, 양극 ESC(110)가 마이크로 전자 소재(112)를 체결할 수 없을 정도로 정전기력(108)을 감소시키기에 충분히 커질 수 있다.
도 1b(종래기술)는 단극 정전 척(ESC)(160)이 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재(112)를 체결하도록 작동되는 예시적인 실시형태(150)의 단면도이다. 단극 ESC(160)는, 전극(154)이 내장된 유전체 본체(152)를 포함한다. 도시된 예시적인 실시형태에서, 마이크로 전자 소재(112)는 원반인 것으로 가정된다. 전극(154)은 원형이며, 단극 ESC(160)의 중앙 내에 위치된다. 전극(154)과 마이크로 전자 소재(112) 사이에 전기장(165)을 발생시키기 위해, 양의 전압(V+)(155)이 전극(154)에 인가된다. 이러한 극성은 반전될 수 있다. 인가된 전압으로 인해, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면 상에 반대 전하가 축적된다. 이러한 반대 전하는 전기장(165)을 형성하며, 정전기력(158)이 마이크로 전자 소재(112) 상에 가해지게 한다. 이러한 정전기력(158)은, 단극 ESC(160)와 마이크로 전자 소재(112) 사이의 거리에 부분적으로 좌우된다. 마이크로 전자 소재(112)가 크게 휘어진 경우, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면과 단극 ESC(160)의 상부 표면 사이의 거리(114)는, 단극 ESC(160)가 마이크로 전자 소재(112)를 체결할 수 없을 정도로 작용력(158)을 감소시키기에 충분히 커질 수 있다.
공정 장비 내에서 마이크로 전자 소재의 제조를 원활하게 하는 다극(multipolar) 정전 척(ESC)에 대한 실시형태가 본원에서 설명된다. 또한, 상이한 또는 추가적인 특징, 변형, 및 실시형태가 구현될 수 있으며, 관련 시스템 및 방법도 사용될 수 있다.
일 실시형태에서, 다극 ESC 및 전압 발생기를 포함하는 시스템이 개시된다. 다극 ESC는, 유전체 본체, 및 유전체 본체 내에 형성된 다수의 전극 세트를 포함한다. 전압 발생기는 다극 ESC를 위한 다수의 전극 세트에 연결되며, 전압 발생기는, 다수의 전극 세트에 전압을 인가하여 다수의 전극 세트 사이에 다수의 전기장을 발생시키도록 구성된다.
추가적인 실시형태에서, 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 에지로 전하를 이동시키도록 구성된다. 추가적인 실시형태에서, 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 하도록 구성된다. 추가적인 실시형태에서, 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 휨을 감소시키도록 구성된다. 또 다른 실시형태에서, 다수의 전극 세트는 적어도 3개의 전극 세트를 포함한다.
추가적인 실시형태에서, 다수의 전기장은, 유전체 본체의 중심으로부터 유전체 본체의 외측 에지로 순차적으로 펄싱(pulsing)된다. 추가적인 실시형태에서, 다수의 전기장에 대한 펄싱은 서로 중첩된다. 또 다른 추가적인 실시형태에서, 하나 이상의 가변 전압이 다수의 전극 세트에 인가된다.
추가적인 실시형태에서, 시스템은, 마이크로 전자 소재와 관련된 하나 이상의 센서를 더 포함한다. 추가적인 실시형태에서, 전압 발생기는, 하나 이상의 센서에 의해 검출된 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 다수의 전극 세트에 인가되는 전압을 조정하도록 추가로 구성된다. 또 다른 실시형태에서, 하나 이상의 파라미터는 마이크로 전자 소재의 휨을 포함한다.
일 실시형태에서, 방법이 개시되고, 방법은, 다극 ESC 상에 마이크로 전자 소재를 위치시키는 단계로서, 다극 ESC는, 유전체 본체, 및 유전체 본체 내에 형성된 다수의 전극 세트를 포함하는, 단계; 및 다수의 전극 세트에 전압을 인가함으로써, 다수의 전극 세트 사이에 다수의 전기장을 발생시키는 단계를 포함한다.
추가적인 실시형태에서, 방법은, 다수의 전기장을 사용하여, 마이크로 전자 소재의 에지로 전하를 이동시키는 단계를 포함한다. 추가적인 실시형태에서, 방법은, 다수의 전기장을 사용하여, 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 하는 단계를 포함한다. 또 다른 실시형태에서, 방법은, 다수의 전기장을 사용하여, 마이크로 전자 소재의 휨을 감소시키는 단계를 포함한다.
추가적인 실시형태에서, 발생시키는 단계는, 유전체 본체의 중심으로부터 유전체 본체의 외측 에지로 다수의 전기장을 순차적으로 펄싱하는 단계를 포함한다. 추가적인 실시형태에서, 발생시키는 단계는, 다수의 전기장에 대한 펄싱을 중첩시키는 단계를 더 포함한다.
추가적인 실시형태에서, 발생시키는 단계는, 하나 이상의 가변 전압을 다수의 전극 세트에 인가하는 단계를 포함한다. 추가적인 실시형태에서, 방법은, 마이크로 전자 소재와 관련된 하나 이상의 센서에 의해 검출된 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 다수의 전극 세트에 인가되는 전압을 조정하는 단계를 더 포함한다. 또 다른 실시형태에서, 하나 이상의 파라미터는 마이크로 전자 소재의 휨을 포함한다.
또한, 상이한 또는 추가적인 특징, 변형, 및 실시형태가 구현될 수 있으며, 관련 시스템 및 방법도 사용될 수 있다.
첨부된 도면과 함께 고려되는 이하의 설명을 참조함으로써 본 발명 및 이의 이점을 더 완전히 이해할 수 있으며, 첨부된 도면에서 유사한 참조 번호는 유사한 특징부를 나타낸다. 그러나, 첨부된 도면은 개시된 개념의 예시적인 실시형태만을 도시하므로 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안되며, 개시된 개념에 대해 동일하게 효과적인 다른 실시형태가 허용될 수 있음을 유의해야 한다.
도 1a(종래기술)는 양극 정전 척(ESC)이 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재를 체결하도록 작동되는 예시적인 실시형태의 단면도이다.
도 1b(종래기술)는 단극 정전 척(ESC)이 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재를 체결하도록 작동되는 예시적인 실시형태의 단면도이다.
도 2a는 예시적인 실시형태의 단면도로서, 개시된 실시형태에 따른 다극 정전 척(ESC)은 다수의 전극 세트를 포함하며, 이러한 전극들 사이에 발생된 다수의 전기장은 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재(112)의 공정을 원활하게 한다.
도 2b는 도 2a의 다극 ESC에 형성된 전극의 평면도이다.
도 2c는 마이크로 전자 소재의 공정을 원활하게 하기 위해, 다극 ESC의 전극들 사이에 발생된 다수의 전기장이 사용되는 예시적인 실시형태의 공정 흐름도이다.
도 3a는 도 2a 및 도 2b의 다극 ESC에 형성된 전극들에 대해 순차적으로 전기장을 발생시키기 위한 하나 이상의 알고리즘이 적용되는 예시적인 실시형태의 타이밍도이다.
도 3b는 마이크로 전자 소재 상에 축적된 전하가 도 3a의 전기장의 순차적인 펄싱에 기초하여 마이크로 전자 소재의 에지로 이동된 일 실시형태의 도면이다.
도 4는 개시된 다극 ESC 실시형태를 사용할 수 있는 플라즈마 공정 시스템에 대한 예시적인 일 실시형태를 제공하며, 단지 예시적인 목적으로만 제공된다.
마이크로 전자 소재의 공정을 원활하게 하고, 공정 장비 내에서 마이크로 전자 소재에 대한 개선된 체결을 제공하는, 다극 ESC에 대한 방법 및 시스템이 개시된다. 개시된 다극 ESC는, 큰 휨(예를 들어, 0.5 밀리미터보다 더 큰 휨)을 갖는 마이크로 전자 소재를 포함하는, 마이크로 전자 소재(예를 들어, 반도체 웨이퍼)를 효과적으로 체결한다. 본원에 설명된 공정 기술을 이용하면서, 다양한 장점 및 구현이 달성될 수 있다.
일 실시형태에서, 다극 ESC를 위한 다수의 상이한 전극 세트가 유전체 본체 내에 포함된다. 이러한 전극 세트에 인가되는 전압은, 다수의 상이한 전기장을 형성하도록 제어된다. 일 실시형태에서, 다극 ESC 내에서 전하를 이동시키기 위해 상이한 전기장이 발생됨으로써, 마이크로 전자 소재의 체결을 개선한다. 또한, 센서를 사용하여, 휨 상태 및/또는 다른 상태를 검출할 수 있으며, 하나 이상의 전압 제어 알고리즘을 적용하여, 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 할 수 있다. 상이한 전극 세트에 대해 동심 링 실시형태가 도시되고 아래에 설명되지만, 개시된 기술은 다른 전극 구성에도 적용될 수 있다. 또한, 개시된 다극 ESC는, 에칭 공정, 리소그래피 공정, 증착 공정, 고온 증착 공정(예를 들어, 질화알루미늄 증착), 및/또는 다른 공정을 포함하는, 마이크로 전자 소재의 제조를 위한 다양한 상이한 공정에 사용될 수 있다. 또한, 다극 ESC는, 마이크로 전자 소재의 제조를 위한 다양한 상이한 공정 장비에 사용될 수 있다. 예를 들어, 다극 ESC는, 다단(multi-stage) 히터, 전단 웨이퍼 공정 장비, V-낸드 메모리를 제조하기 위해 사용되는 공정 장비, 및/또는 마이크로 전자 소재의 제조에 사용되는 다른 공정 장비에 사용될 수 있다. 또한, 본원에서 설명된 기술을 여전히 이용하면서, 다른 적용예가 구현될 수 있다.
도 2a는 다수의 전극 세트를 포함하는 개시된 실시형태에 따른 다극 정전 척(ESC)(209)에 대한 예시적인 실시형태(200)의 단면도로서, 이러한 전극들 사이에 발생된 다수의 전기장은, 반도체 웨이퍼와 같은 마이크로 전자 소재(112)의 공정을 원활하게 한다. 다극 ESC(209)는 유전체 본체(202)를 포함하며, 다수의 전극 세트가 유전체 본체(202) 내에 형성되거나 내장된다. 도시된 예시적인 실시형태에서, 제1 전극 세트는 전극들(204 및 210)을 포함하고; 제2 전극 세트는 전극들(206 및 212)을 포함하며; 제3 전극 세트는 전극들(208 및 214)을 포함하고; 제4 전극 세트는 전극들(210 및 216)을 포함한다. 이러한 예시적인 실시형태에서, 마이크로 전자 소재(112)는 원반인 것으로 가정된다. 전극(204)은 원형이며, 다극 ESC(209)의 중앙 내에 위치된다. 다른 전극(206, 208, 210, 212, 214, 및 216)은 전극(204)의 둘레에 동심으로 위치된 링이다. 이러한 실시형태에서 동심 링이 사용되지만, 추가적인 및/또는 상이한 구성도 사용될 수 있음을 또 다시 유의한다.
상이한 전극 세트들 사이에 전기장을 발생시키기 위해, 전압차가 전극들 사이에 인가된다. 예를 들어, 양의 전압(V+)이 전극 세트 내의 하나의 전극에 인가될 수 있고, 음의 전압(V-)이 전극 세트 내의 제2 전극에 인가될 수 있다. 이러한 극성은 반전될 수도 있으며, 교류(AC) 신호 및/또는 다른 가변 전압 신호가 또한 전극에 인가되어 전기장을 발생시킬 수 있다. 예시적인 일 실시형태에서, 제1 극성을 갖는 전압(V1A)(224)을 전극(204)에 인가하고, 반대 극성을 갖는 전압(V1B)(230)을 전극(210)에 인가함으로써, 전극들(204 및 210) 사이에 전기장이 발생된다. 제1 극성을 갖는 전압(V1B)(230)을 전극(210)에 인가하고, 반대 극성을 갖는 전압(V1C)(236)을 전극(216)에 인가함으로써, 전극들(210 및 216) 사이에 전기장이 발생된다. 제1 극성을 갖는 전압(V2A)(226)을 전극(206)에 인가하고, 반대 극성을 갖는 전압(V2B)(232)을 전극(212)에 인가함으로써, 전극들(206 및 212) 사이에 전기장이 발생된다. 제1 극성을 갖는 전압(V3A)(228)을 전극(208)에 인가하고, 반대 극성을 갖는 전압(V3B)(234)을 전극(214)에 인가함으로써, 전극들(208 및 214) 사이에 전기장이 발생된다.
전기장이 발생되면, 전기장으로 인해 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면 상에 전하가 축적된다. 전기장과 결합된 이러한 전하로 인해, 마이크로 전자 소재(112) 상에 작용력이 가해진다. 이러한 작용력은, 다극 ESC(209)와 마이크로 전자 소재(112) 사이의 거리에 부분적으로 좌우된다. 마이크로 전자 소재(112)가 크게 휘어진 경우, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면과 다극 ESC(209)의 상부 표면 사이의 거리(114)가 커질 수 있다. 그러나, 종래의 단극 ESC 및 양극 ESC 솔루션과 대조적으로, 본원에 설명된 다극 ESC 실시형태는, 많은 양의 휨(예를 들어, 0.5 밀리미터 초과)을 갖는 마이크로 전자 소재를 여전히 효과적으로 체결할 수 있다. 이러한 결과는 부분적으로, 다극 ESC(209)에 대한 다수의 상이한 전기장의 타이밍 및 크기를 제어함으로써 달성된다. 따라서, 마이크로 전자 소재(112)의 에지에 형성된 정전기력(240)은, 예를 들어, 마이크로 전자 소재(112)의 중심에 더 가깝게 형성된 정전기력(242)에 비해 더 강하게 형성될 수 있다. 마이크로 전자 소재(112)의 에지의 이러한 증대된 작용력은 마이크로 전자 소재(112)를 다극 ESC(209)에 체결하는 것을 원활하게 한다. 또한, 이러한 증대된 작용력은 마이크로 전자 소재(112)의 휨을 감소시키도록 도울 수 있다. 다른 장점도 달성될 수 있다.
도 2b는 도 2a의 다극 ESC(209) 내에 형성된 전극(204, 206, 208, 210, 212, 214, 및 216)의 평면도이다. 도 2a의 단면도에 더 상세히 도시된 바와 같이, 유전체 본체의 일부는 각각의 전극(204, 206, 208, 210, 212, 214, 및 216) 사이에 위치됨을 유의한다.
도 2a 및 도 2b의 다극 ESC(209)의 작동 동안, 전극(204, 206, 208, 210, 212, 214, 및 216)에 인가되는 전압은, 체결을 개선하기 위해, 휨을 감소시키기 위해, 및/또는 다른 결과를 달성하기 위해 제어된다. 예시적인 일 실시형태에서, 전극(204, 206, 208, 210, 212, 214, 및 216)에 전압을 인가하기 위한 하나 이상의 알고리즘이 사용됨으로써, 다극 ESC(209)에 의해 제공되는 체결을 원활하게 하기 위한 순서 및 강도로 상이한 전기장이 발생된다. 예시적인 일 실시형태에서, 마이크로 전자 소재(112)의 휨을 감소시키도록, 전기장이 발생되어 인가된다. 각각의 이러한 예시적인 실시형태에서, 마이크로 전자 소재와 다극 ESC(209) 사이의 정전기력은, 마이크로 전자 소재(112)의 체결 및/또는 평탄화를 원활하게 하기 위해, 다극 ESC(209)의 중앙 부분으로부터 다극 ESC(209)의 외측 에지로 변위될 수 있다.
추가적인 실시형태에서, 하나 이상의 센서를 사용하여, 마이크로 전자 소재(112)의 휨, 다극 ESC(209) 내의 전극에 공급되는 전류, 및/또는 다극 ESC(209) 및/또는 마이크로 전자 소재(112)와 관련된 다른 상태를 검출할 수 있다. 그 다음, 이러한 센서에 의해 검출된 파라미터에 기초하여, 전압 공급 알고리즘이 적용 및/또는 조정될 수 있다. 다른 변형예가 구현될 수도 있다.
도 2c는 마이크로 전자 소재의 공정을 원활하게 하기 위해, 다극 ESC의 전극들 사이에 발생된 다수의 전기장이 사용되는 예시적인 실시형태(270)의 공정 흐름도이다. 블록(272)에서, 마이크로 전자 소재가 다극 정전 척(ESC) 상에 위치된다. 전술한 바와 같이, 다극 ESC는, 유전체 본체, 및 유전체 본체 내에 형성된 다수의 전극 세트를 포함할 수 있다. 블록(274)에서, 다극 ESC 내의 다수의 전극 세트에 전압이 인가되어 다수의 전극 세트 사이에 다수의 전기장을 발생시킨다. 블록(276)에서, 다수의 전기장을 사용하여, 마이크로 전자 소재의 공정을 원활하게 한다. 본원에 설명된 바와 같이, 예를 들어, 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 에지로 전하를 이동시킬 수 있거나/이동시킬 수 있고, 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 할 수 있거나/원활하게 할 수 있으며, 마이크로 전자 소재의 휨을 감소시킬 수 있거나/감소시킬 수 있고, 다른 장점을 달성할 수 있다. 또한, 본원에 설명된 기술을 여전히 이용하면서, 추가적인 또는 상이한 공정 단계도 사용될 수 있음을 유의한다.
도 3a는 도 2a 및 도 2b의 전극(204, 206, 208, 210, 212, 214, 및 216)에 대해 순차적으로 전기장을 발생시키기 위한 하나 이상의 알고리즘이 적용되는 예시적인 실시형태(300)의 타이밍도이다. 이러한 순차적인 타이밍은, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면 상에 형성된 전하를 마이크로 전자 소재(112)의 에지로 효과적으로 이동시킨다. 이러한 이동은 예를 들어, 마이크로 전자 소재(112)에 휨이 발생했거나 발생한 것으로 검출된 경우, 유용할 수 있다.
도시된 예시적인 실시형태에서, 전압(V1A)(224) 및 전압(V1B)(230)을 사용하여, 전극들(204 및 210) 사이에 전압차를 인가함으로써, 전극들(204 및 210) 사이에 제1 전기장(302)이 발생되어 유지된다. 이러한 제1 전기장(302)으로 인해, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 중앙 표면 상에 전하가 축적된다. 그 다음, 전압(V2A)(226) 및 전압(V2B)(232)을 사용하여, 전극들(206 및 212) 사이에 가변 전압차를 인가함으로써, 전극들(206 및 212) 사이에 제2 전기장(304)이 온 및 오프로 펄싱된다. 그 다음, 전압(V3A)(228) 및 전압(V3B)(234)을 사용하여, 전극들(208 및 214) 사이에 가변 전압차를 인가함으로써, 전극들(208 및 214) 사이에 제3 전기장(306)이 온 및 오프로 펄싱된다. 그 다음, 전압(V1B)(230) 및 전압(V1C)(236)을 사용하여, 전극들(210 및 216) 사이에 가변 전압차를 인가함으로써, 전극들(210 및 216) 사이에 제4 전기장(308)이 온 및 오프로 펄싱된다. 또한, 도시된 예시적인 실시형태에서, 펄싱된 전기장(304, 306, 및 308)은 서로 중첩된다. 예를 들어, 제3 전기장(306)은 제2 전기장(304)이 온인 동안 시작되고, 제2 전기장(304)이 이미 턴 오프된 후에 턴 오프된다. 유사하게, 제4 전기장(308)은 제3 전기장(306)이 온인 동안 시작되고, 제3 전기장(306)이 이미 턴 오프된 후에 턴 오프된다. 점진적으로 마이크로 전자 소재(112)의 에지를 향하는 전기장(304, 306, 및 308)의 이러한 순차적인 펄싱으로 인해, 마이크로 전자 소재(112)의 바닥 표면 상에 축적된 전하가 마이크로 전자 소재(112)의 에지를 향해 이동한다.
도 3b는 마이크로 전자 소재(112) 상에 축적된 전하가 도 3a에 도시된 바와 같은 전기장(304, 306, 및 308)의 순차적인 펄싱에 기초하여 마이크로 전자 소재의 에지로 이동된 일 실시형태(350)의 도면이다. 화살표(352)로 표시된 바와 같이, 점진적으로 마이크로 전자 소재(112)의 에지를 향하는 전기장(304, 306, 및 308)의 이러한 순차적인 펄싱으로 인해, 축적된 전하가 마이크로 전자 소재(112)의 에지를 향해 이동한다. 따라서, 마이크로 전자 소재(112)의 에지에 발생된 정전기력(240)은, 예를 들어, 마이크로 전자 소재(112)의 중심에 더 가깝게 발생된 정전기력(242)에 비해 더 강하다. 에지의 이러한 증대된 작용력은, 특히 마이크로 전자 소재(112)가 휘어진 경우, 마이크로 전자 소재(112)를 다극 ESC(209)에 체결하는 것을 원활하게 한다. 또한, 에지의 이러한 증대된 작용력은 마이크로 전자 소재(112)의 휨을 감소시키도록 돕는다. 다른 장점도 달성될 수 있다.
본원에 설명된 다극 ESC 실시형태는 플라즈마 공정 시스템을 포함하는 다양한 공정 장비 내에 사용될 수 있음을 유의한다. 예를 들어, 플라즈마 에칭 공정 시스템, 플라즈마 증착 공정 시스템, 다른 플라즈마 공정 시스템, 및/또는 다른 유형의 공정 시스템에 기술이 사용될 수 있다.
도 4는 개시된 다극 ESC 실시형태를 사용할 수 있는 플라즈마 공정 시스템(400)에 대한 예시적인 일 실시형태를 제공하며, 단지 예시적인 목적으로만 제공된다. 플라즈마 공정 시스템(400)은, 용량성 결합 플라즈마 공정 장치, 유도성 결합 플라즈마 공정 장치, 마이크로파 플라즈마 공정 장치, 방사형 라인 슬롯 안테나(RLSATM) 마이크로파 플라즈마 공정 장치, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 공정 장치, 또는 다른 유형의 공정 시스템 또는 시스템들의 조합일 수 있다. 따라서, 본원에 설명된 기술은 다양한 플라즈마 공정 시스템 중 어느 하나에 사용될 수 있음을 당업자라면 인식할 것이다. 플라즈마 공정 시스템(400)은, 에칭, 증착, 세척, 플라즈마 중합, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 원자층 에칭(ALE) 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는, 다양한 작업을 위해 사용될 수 있다. 본원에 설명된 기술을 여전히 이용하면서, 상이한 및/또는 추가적인 플라즈마 공정 시스템이 구현될 수 있음을 인식할 것이다.
도 4를 더 자세히 살펴보면, 플라즈마 공정 시스템(400)은 공정 챔버(405)를 포함할 수 있으며, 공정 챔버(405)는 압력 제어식 챔버일 수 있다. 도시된 바와 같이, 상부 전극(420) 및 하부 전극(425)이 제공될 수 있다. 상부 전극(420)은 상부 정합망(455)을 통해 상부 무선 주파수(RF) 소스(430)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상부 RF 소스(430)는 상부 주파수(fU)의 상부 주파수 전압(435)을 제공할 수 있다. 하부 전극(425)은 하부 정합망(457)을 통해 하부 RF 소스(440)에 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 RF 소스(440)는 하부 주파수(fL)의 하부 주파수 전압(445)을 제공할 수 있다.
전술한 바와 같이, 마이크로 전자 소재(112)(일 실시예에서, 반도체 웨이퍼)는 다극 ESC(209)에 의해 제자리에 체결될 수 있다. 본원에 추가로 설명되는 바와 같이, 다극 ESC(209) 내의 상이한 전극 세트에 전압이 인가됨으로써, 마이크로 전자 소재(112)를 체결하는 상이한 전기장을 발생시킨다. 예를 들어, 전압 발생기(450)는, 다극 ESC(209) 내의 전극에 가변 전압을 인가하기 위한 하나 이상의 알고리즘을 사용하여 구성될 수 있다. 전압 발생기(450)는 하나 이상의 알고리즘을 구현하는 제어 회로를 포함할 수 있으며, 저장 매체가 또한 하나 이상의 알고리즘을 저장하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 하나 이상의 센서(452)가 또한 마이크로 전자 소재(112) 및/또는 다극 ESC(209)와 관련될 수 있다. 센서(452)는 마이크로 전자 소재(112) 및/또는 다극 ESC(209)와 관련된 하나 이상의 파라미터를 검출하며, 센서(452)는 이러한 파라미터를 전압 발생기(450) 및/또는 제어기(470)에 출력한다. 또한 다른 변형예가 구현될 수도 있다.
제어기(470)는 구성 요소로부터 입력을 수신하고 구성 요소에 출력을 제공하기 위해, 플라즈마 공정 시스템(400)의 다양한 구성 요소에 연결될 수 있음을 유의한다. 따라서, 전압 발생기(450), 다극 ESC(209), 및 센서(452)를 포함하는 플라즈마 공정 시스템(400)의 구성 요소는 제어기(470)에 연결되어 제어기(470)에 의해 제어될 수 있다. 제어기(470)는 해당 메모리 저장 장치 및 사용자 인터페이스(도시되지 않음)에 차례로 연결될 수 있다. 다양한 공정 작업이 사용자 인터페이스를 통해 실행될 수 있으며, 다양한 플라즈마 공정 방식 및 작업은 저장 장치에 저장될 수 있다. 따라서, 주어진 마이크로 전자 소재는 다양한 미세 가공 기술로 플라즈마 공정 챔버 내에서 처리될 수 있다.
제어기(470), 및/또는 전압 발생기(450) 내의 제어 회로는 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제어기(470) 및 전압 발생기(450)는, 본원에 설명된 기능을 제공하도록 프로그래밍된 하나 이상의 프로그래밍 가능 집적 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 중앙 처리 장치 등), 프로그래밍 가능 논리 소자(예를 들어, 복합 프로그래밍 가능 논리 소자(CPLD), 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이(FPGA) 등), 및/또는 다른 프로그래밍 가능 집적 회로는, 규정된 플라즈마 공정 방식의 기능을 구현하기 위한 소프트웨어 또는 다른 프로그래밍 명령으로 프로그래밍될 수 있다. 소프트웨어 또는 다른 프로그래밍 명령은, 하나 이상의 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(예를 들어, 메모리 저장 장치, 플래시 메모리, DRAM 메모리, 재프로그래밍 가능 저장 장치, 하드 드라이브, 플로피 디스크, DVD, CD-ROM 등)에 저장될 수 있으며, 소프트웨어 또는 다른 프로그래밍 명령은 프로그래밍 가능 집적 회로에 의해 실행될 때, 프로그래밍 가능 집적 회로로 하여금, 본원에 설명된 공정, 기능, 및/또는 성능을 수행하게 한다는 점을 추가로 유의한다. 다른 변형예가 구현될 수도 있다.
작동 시에, 플라즈마 공정 장치는, 상부 RF 소스(430) 및 하부 RF 소스(440)로부터 시스템에 전력을 인가하는 경우, 상부 및 하부 전극을 사용하여 공정 챔버(405)에서 플라즈마(460)를 발생시킨다. 또한, 플라즈마(460)에 발생된 이온은, 마이크로 전자 소재(112)를 위한 기판에 흡인될 수 있다. 발생된 플라즈마는, 이에 제한됨이 없이, 플라즈마 에칭, 화학 기상 증착, 반도체 재료, 유리 재료, 및 박막 태양 전지, 다른 광전지, 및 평판 디스플레이를 위한 유기/무기 플레이트와 같은 대형 패널, 및/또는 다른 적용예, 소자, 또는 시스템의 처리와 같은, 다양한 유형의 처리 시에, 타겟 기판(또는 처리될 임의의 재료)을 처리하기 위해 사용될 수 있다.
전력을 인가함으로써, 상부 전극(420)과 하부 전극(425) 사이에 고주파 전기장이 발생된다. 그 다음, 공정 챔버(405)로 이송된 공정 가스가 해리되어 플라즈마로 변환될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 설명된 예시적인 시스템은 상부 및 하부 RF 소스 둘 모두를 사용한다. 또한 다른 변형예가 구현될 수도 있다. 하나의 예시적인 시스템에서, 소스들이 뒤바뀔 수 있다(하부 전극에서 고주파, 그리고 상부 전극에서 저주파). 또한, 이중 소스 시스템은 단지 예시적인 시스템으로 도시된 것일 뿐이며, 본원에 설명된 기술은, 주파수 전원이 하나의 전극에만 제공되거나, 직류(DC) 바이어스 소스가 사용되거나, 다른 시스템 구성 요소가 사용되는, 다른 시스템에 사용될 수 있음을 인식할 것이다.
본 명세서 전반에 걸쳐서 "일 실시형태" 또는 "실시형태"라는 언급은 실시형태와 관련하여 설명된 구체적인 특징, 구조, 재료, 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시형태에 포함됨을 의미하지만, 이들이 모든 실시형태에 존재한다는 것을 의미하지 않음을 유의한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸친 다양한 곳에서 "일 실시형태에서" 또는 "실시형태에서"라는 문구의 출현은 반드시 본 발명의 동일한 실시형태를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 구체적인 특징, 구조, 재료, 또는 특성은 하나 이상의 실시형태에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다. 다양한 추가적인 층 및/또는 구조물이 다른 실시형태에 포함될 수 있거나/포함될 수 있고, 설명된 특징이 다른 실시형태에서 생략될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같은 "마이크로 전자 소재"는 일반적으로 본 발명에 따라 처리되는 대상물을 지칭한다. 마이크로 전자 소재는 소자, 특히 반도체 또는 다른 전자 소자의 임의의 재료 부분 또는 구조물을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 반도체 기판과 같은 베이스 기판 구조물, 또는 박막과 같은 베이스 기판 구조물 위에 있거나 위에 놓이는 층일 수 있다. 따라서, 소재는, 패터닝된 또는 패터닝되지 않은 임의의 특정 베이스 구조물, 하부층 또는 상부층으로 제한되는 것으로 의도되는 것이 아니라, 오히려 임의의 그러한 층 또는 베이스 구조물, 그리고 층 및/또는 베이스 구조물의 임의의 조합물을 포함하는 것으로 고려된다. 아래의 설명은 특정 유형의 기판을 언급할 수 있지만, 이는 단지 예시적인 목적을 위한 것이며 제한 사항이 아니다.
본원에 사용된 바와 같은 "기판"이라는 용어는 재료가 그 위에 형성된 기재 또는 구조물을 의미하고 포함한다. 기판은 단일 재료, 상이한 재료의 복수의 층, 그 안에 상이한 구조물 또는 상이한 재료의 영역을 갖는 층 또는 층들 등을 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 이러한 재료는 반도체, 절연체, 전도체, 또는 이들의 조합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판은 반도체 기판, 지지 구조물 상의 베이스 반도체 층, 하나 이상의 층, 구조물 또는 영역이 그 위에 형성된 반도체 기판 또는 금속 전극일 수 있다. 기판은 통상적인 실리콘 기판, 또는 반도체 재료의 층을 포함하는 다른 벌크 기판일 수 있다. 본원에서 사용된 바와 같은 "벌크 기판"이라는 용어는 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라, 실리콘-온-글래스(“SOG”) 기판 및 실리콘-온-사파이어("SOS") 기판과 같은, 실리콘-온-절연체("SOI") 기판, 베이스 반도체 토대 상의 실리콘의 에피택셜 층, 그리고 실리콘-게르마늄, 게르마늄, 갈륨 비소, 질화 갈륨, 및 인화 인듐과 같은 다른 반도체 또는 광전자 재료를 의미하고 포함한다. 기판은 도핑될 수 있거나 도핑되지 않을 수 있다.
마이크로 전자 소재를 처리하기 위한 시스템 및 방법은 다양한 실시형태로 설명된다. 관련 기술 분야의 당업자는 다양한 실시형태가 하나 이상의 구체적인 세부 사항 없이 실시될 수 있거나, 다른 대체 및/또는 추가적인 방법, 재료, 또는 구성 요소와 함께 실시될 수 있음을 인식할 것이다. 다른 경우에, 널리 알려진 구조, 재료, 또는 작업은 본 발명의 다양한 실시형태의 양태를 불명료하게 하는 것을 방지하기 위해 상세히 도시되거나 설명되지 않는다. 유사하게, 설명의 목적으로, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 구체적인 수, 재료, 및 구성이 상술된다. 그럼에도 불구하고, 본 발명은 구체적인 세부 사항 없이 실시될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시형태는 예시적인 표현이며, 반드시 일정한 비율로 도시된 것은 아니라는 점을 이해한다.
설명된 시스템 및 방법의 추가적인 변형예 및 대안적인 실시형태는 본 설명을 고려하는 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 설명된 시스템 및 방법은 이러한 예시적인 방식으로 제한되지 않음을 인식할 것이다. 본원에서 도시되고 설명된 시스템 및 방법의 형태는 예시적인 실시형태로 간주되어야 함을 이해해야 한다. 구현예에서 다양한 변경이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 구체적인 실시형태를 참조하여 본원에 설명되지만, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 의미로 간주되어야 하며, 이러한 변형은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다. 또한, 구체적인 실시형태와 관련하여 본원에서 설명된 문제에 대한 임의의 이점, 장점, 또는 솔루션은, 임의의 또는 모든 청구항의 중요한, 필요한 또는 필수적인 특징 또는 요소로 해석되도록 의도되지 않는다.

Claims (20)

  1. 시스템으로서,
    다극 정전 척(ESC)으로서,
    유전체 본체, 및
    상기 유전체 본체 내에 형성된 다수의 전극 세트를 포함하는, 다극 정전 척(ESC); 및
    상기 다극 ESC를 위한 상기 다수의 전극 세트에 연결된 전압 발생기를 포함하며,
    상기 전압 발생기는, 상기 다수의 전극 세트에 전압을 인가하여 상기 다수의 전극 세트 사이에 다수의 전기장을 발생시키도록 구성되는,
    시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 에지로 전하를 이동시키도록 구성되는, 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 하도록 구성되는, 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전기장은, 마이크로 전자 소재의 휨을 감소시키도록 구성되는, 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전극 세트는 적어도 3개의 전극 세트를 포함하는, 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 전기장은, 상기 유전체 본체의 중심으로부터 상기 유전체 본체의 외측 에지로 순차적으로 펄싱되는, 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 전기장에 대한 펄싱은 서로 중첩되는, 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 가변 전압이 상기 다수의 전극 세트에 인가되는, 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    마이크로 전자 소재와 관련된 하나 이상의 센서를 더 포함하는, 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전압 발생기는, 상기 하나 이상의 센서에 의해 검출된 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 다수의 전극 세트에 인가되는 전압을 조정하도록 추가로 구성되는, 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 하나 이상의 파라미터는 상기 마이크로 전자 소재의 휨을 포함하는, 시스템.
  12. 방법으로서,
    다극 정전 척(ESC) 상에 마이크로 전자 소재를 위치시키는 단계로서,
    상기 다극 ESC는,
    유전체 본체, 및
    상기 유전체 본체 내에 형성된 다수의 전극 세트를 포함하는, 단계; 및
    상기 다수의 전극 세트에 전압을 인가함으로써, 상기 다수의 전극 세트 사이에 다수의 전기장을 발생시키는 단계를 포함하는,
    방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 다수의 전기장을 사용하여, 상기 마이크로 전자 소재의 에지로 전하를 이동시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 다수의 전기장을 사용하여, 상기 마이크로 전자 소재의 체결을 원활하게 하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 다수의 전기장을 사용하여, 상기 마이크로 전자 소재의 휨을 감소시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 발생시키는 단계는, 상기 유전체 본체의 중심으로부터 상기 유전체 본체의 외측 에지로 상기 다수의 전기장을 순차적으로 펄싱하는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 발생시키는 단계는, 상기 다수의 전기장에 대한 상기 펄싱을 중첩시키는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 발생시키는 단계는, 하나 이상의 가변 전압을 상기 다수의 전극 세트에 인가하는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 마이크로 전자 소재와 관련된 하나 이상의 센서에 의해 검출된 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 다수의 전극 세트에 인가되는 전압을 조정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 하나 이상의 파라미터는 상기 마이크로 전자 소재의 휨을 포함하는, 방법.
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CN106575634A (zh) * 2014-08-15 2017-04-19 应用材料公司 在等离子体增强化学气相沉积系统中于高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置
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