JPH05190654A - 静電吸着方法 - Google Patents

静電吸着方法

Info

Publication number
JPH05190654A
JPH05190654A JP216892A JP216892A JPH05190654A JP H05190654 A JPH05190654 A JP H05190654A JP 216892 A JP216892 A JP 216892A JP 216892 A JP216892 A JP 216892A JP H05190654 A JPH05190654 A JP H05190654A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
electrostatic chuck
electrode
electrostatic
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP216892A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Hasegawa
明広 長谷川
Masaya Kobayashi
雅哉 小林
Toshimasa Kisa
俊正 木佐
Shozo Noda
省三 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP216892A priority Critical patent/JPH05190654A/ja
Publication of JPH05190654A publication Critical patent/JPH05190654A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、静電吸着方法に関し、プラズマ中
のウェハ温度の上昇を小さくすることができ、エッチン
グマスクとなるレジストを変形し難くして理想的なエッ
チング形状を得ることができ、しかも、プラズマ中のウ
ェハ上の温度分布を小さくすることができ、エッチング
レートの一様性及びウェハ面内でのエッチング形状を良
好にすることができる静電吸着方法を提供することを目
的とする。 【構成】 ウェハを静電チャックに固定する方法におい
て、該静電チャック電極の少なくとも1つの電極を該ウ
ェハ外周に配置し、該ウェハ外周に配置された電極にプ
ラス電圧を印加することにより該ウェハを該静電チャッ
クに固定するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、静電吸着方法に係り、
詳しくは、ウェハ基板の処理過程におけるウェハ基板と
静電チャックとの静電吸着方法に適用することができ、
特に、ウェハ温度の上昇を少なくすることができるとと
もに、ウェハ温度の分布を均一にすることができる静電
吸着方法に関する。
【0002】従来、半導体製造プロセスにおいてウェハ
基板を固定する方法には、裏面排気を施してウェハ基板
を固定する方法あるいは静電チャックを用いてウェハ基
板を電気的に固定する方法若しくはウェハ基板を機械的
に固定する方法等が挙げられる。この中で近年、静電チ
ャックを用いてウェハ基板を電気的に固定する方法は、
デバイス製造面に非接触で、真空中においても適応する
ことができることから広範囲に利用されている。
【0003】
【従来の技術】図6は従来の単極式静電チャックと2極
式静電チャックの場合の静電吸着方法を説明する図であ
る。図6において、31、32、33は各々絶縁体、電極、ウ
ェハである。ここでの静電チャックは図6(a)、
(b)に示す如く、絶縁体31中に単数又は複数の電極32
を埋め込み、電極32とウェハ33又は電極32間に直流電圧
を印加して、ウェハ33と電極32間に働くクーロン力によ
りウェハ33を吸着するものである。そして、プラズマの
放電開始直後、ウェハ33には電子が到達して負に帯電す
るため、電極32にプラスの電圧またはプラスとマイナス
の電圧を適宜印加することにより、プラズマ中でも吸着
力を働かせることができる。このように、電極32にプラ
スとマイナスの両極性の電圧を適宜印加することによ
り、プラズマ放電開始前からウェハ33を静電チャックに
吸着させることができるという利点を有する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の静電吸着方法では、エッチング中、プラズマか
らの電子、イオン等の衝突等の影響でウェハ33温度が上
昇し、ウェハ33温度が上昇し過ぎると、エッチングマス
クとなるレジストが変形して、理想的なエッチング形状
を得ることができないという問題があった。
【0005】また、プラズマからの電子、イオン等の衝
突等の影響でウェハ上の温度分布差が大きくなると、エ
ッチングレートの一様性が悪くなったり、ウェハ面内で
エッチング形状が異なってしまうという問題があった。
このように、プラズマ中のウェハは温度上昇が少なく、
温度分布が一様であることが望まれる。しかしながら、
公知の半導体製造装置には、このようなウェハ温度の上
昇及びウェハ内の温度分布の不均一性という問題を解決
するために、水、ガス等で冷却する方法が用いられてい
るが、上記したウェハ温度の上昇及びウェハ内の温度分
布の不均一性という問題を解決するには不十分であり、
現実にはプラズマ中のウェハ温度はかなり上昇し、温度
分布は同心円状に現れてしまっていた。
【0006】そこで、本発明では、プラズマ中のウェハ
温度の上昇を小さくすることができ、エッチングマスク
となるレジストを変形し難くして理想的なエッチング形
状を得ることができ、しかも、プラズマ中のウェハ上の
温度分布を小さくすることができ、エッチングレートの
一様性及びウェハ面内でのエッチング形状を良好にする
ことができる静電吸着方法を提供することを目的として
いる。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による静電吸着方
法は上記目的達成のため、ウェハを静電チャックに固定
する方法において、該静電チャック電極の少なくとも1
つの電極を該ウェハ外周に配置し、該ウェハ外周に配置
された電極にプラス電圧を印加することにより該ウェハ
を該静電チャックに固定するものである。
【0008】本発明においては、前記静電チャック電極
はリング形状である場合が好ましく、この場合、ウェハ
外周におけるウェハと静電チャックとの吸着力を働かせ
ることができ、ウェハ外周での温度上昇を効率良く抑え
ることができる。また、前記静電チャック電極を少なく
とも2つ以上設け、ウェハ外周に配置される電極にプラ
ス電圧、該ウェハ外周に配置される該電極以外の電極に
プラスまたはマイナスの電圧を印加する場合が好まし
く、この場合、2極式に限らず3極式以上の静電チャッ
クにも適用させることができる。
【0009】更に、少なくとも2つ以上の前記静電チャ
ック電極をリング形状にするとともに、同心円状に配置
する場合が好ましく、この場合、ウェハ外周での温度上
昇を効率良く抑えることができる。
【0010】
【作用】本発明者等は、各種実験の結果、静電チャック
の電極に印加する極性とその静電チャックの電極の位置
に着目することにより、プラズマ中においてもウェハの
温度上昇が少なく、しかも、温度分布が一様な静電吸着
を行うことができることを見出した。
【0011】具体的に本発明では、プラズマ中で温度上
昇し易いウェハの円周付近を静電チャックに密着させて
ウェハと静電チャック間の熱伝導を良くし、ウェハの円
周付近の温度上昇を抑制するというものである。このよ
うに、ウェハの局部的な温度上昇を防ぐことができるた
め、ウェハ全体の温度上昇を防ぐことができるととも
に、温度分布も小さくすることができる。そして、静電
チャックの電極形状、電圧の印加方法は各種考えられる
が、本発明では、ウェハの円周付近に配置された静電チ
ャック電極にプラス電圧を印加するとともに、プラズマ
中のウェハを負に帯電させるため、ウェハ円周付近をプ
ラズマ中でも静電チャックに強く吸着させることができ
る。
【0012】更に詳細に説明する。プラズマ中、ウェハ
は負に帯電するため、負の電圧を印加しているチャック
電極部分は、ウェハに誘起された負電荷とチャック電圧
に誘起された負電荷の間で斥力が働いてしまう。逆に、
プラス電圧が印加されている電極部分は吸着力が働く。
このため、プラス電極部は静電チャック面とウェハ面が
密着して冷却性が良いが、マイナス電極部は静電チャッ
ク面とウェハ面が密着しないため、冷却性が悪くてウェ
ハ温度が上昇し易い。特に、外周部にマイナス電極が配
置されると、斥力が働くとウェハが反って、チャック面
から浮き易い。このため、温度上昇が著しく、温度分布
が極めて悪くなる。
【0013】そして、少なくともウェハ外周部にプラス
電極が配置されると、たとえ中心部にマイナス電極が配
置されて中心部に斥力が働いても、ウェハ外周を静電チ
ャックと良く密着させることができる。このため、ウェ
ハを反らせないようにすることができ、全体的なウェハ
の密着を良好にすることができる。従って、ウェハの温
度上昇を少なくすることができるとともに、温度分布も
極めて良好にすることができる。なお、電極形状はウェ
ハの形状を考慮してウェハ外周の温度上昇を抑えること
ができる点でリング形状が望ましい。
【0014】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。こ
こでは、本発明の実施例に則した静電吸着方法をウェハ
ステージに採用し、プラズマ中のウェハの温度分布がど
のように変化するかを後述する比較例の静電吸着方法と
対比しながら確かめて見た。図1は本発明と比較例の静
電吸着方法における実験装置の構成を示す概略図であ
る。図1において、1は静電チャック2に固定されたウ
ェハであり、このウェハ1表面には黒色塗料3が形成さ
れており、4は静電チャック2上のウェハ1と対向する
ように配置されたチャンバー5のZnS窓4ある。そし
て、6はこのZnS窓4上に配置された赤外線カメラで
あり、この赤外線カメラ6には、赤外線サーモグラフィ
7及びビデオ8が接続されており、一方、静電チャック
2にはrf電源9が接続されている。その後、ウェハ1
温度を赤外線サーモグラフィ7(商品名インフラアイ56
0 富士通社製)を用いて測定した。この方法を用いれ
ば、ウェハ全体の温度を測定することができる。使用し
た赤外線の波長領域は約10μmでSiウェハを透過する
が、石英やサファイアに吸収される。そこでサーモグラ
フィは、ZnS窓4を介して観察することにより行っ
た。
【0015】まず、比較例1の単極式静電チャックを用
いた場合の静電吸着方法について説明する。 (比較例1)図2(a)は比較例1の則した単極式静電
チャックを用いた場合の静電吸着方法を説明する図であ
る。図2(a)において、11、12幅は15cmの静電チャッ
ク2を構成する各々電極、絶縁体である。なお、電極幅
は 7cmである。ここではウェハ1中心部に吸着力が働く
ように電極11が配置されている。そして、静電チャック
2上のウェハ1温度は図3(a)に示す如く、48.8〜8
2.0℃の範囲で分布しており、ウェハ全体の温度上昇及
び温度分布の不均一は大きいものであった。
【0016】これに対し、本発明の単極式静電チャック
を用いた場合の静電吸着方法では、以下の実施例1の如
く良好な結果を得ることができた。 (実施例1)図2(b)は本発明の実施例1に則した単
極式静電チャックを用いた場合の静電吸着方法を説明す
る図である。図2(b)において、図2(a)と同一符
号は同一または相当部分を示す。なお、静電チャック2
幅は15cm、電極11幅は 3.5cmである。ここではウェハ1
円周付近に吸着力が働くように電極11が配置されてお
り、静電チャック2の絶縁体12にセラミックが使用され
ている。そして、これらの電極に+300 Vを印加し、上
記条件で温度測定を行った結果、静電チャック2上のウ
ェハ1温度は図3(b)に示す如く、45.6〜61.6℃の範
囲の分布であった。以上より、ウェハ1の円周付近に吸
着力を及ぼす電極11にプラス電圧を印加することによ
り、ウェハ全体の温度上昇及び温度分布の不均一がかな
り少ないことが判った。
【0017】次に、比較例2の2極式静電チャックを用
いた場合の静電吸着方法について説明する。 (比較例2)図4は比較例2の2極式静電チャックを用
いた場合の静電吸着方法を説明する図である。なお、中
心部の電極11幅は 7cm、外周部の電極幅は 3.5cmであ
る。ここでは、外周電極11に−300 V、中心部電極11に
+300 Vを印加し上記条件で温度測定を行った。この結
果、図5(a)に示す如く、ウェハ温度は48.8〜80.8℃
の範囲で分布しており、ウェハ全体の温度上昇及び温度
分布の不均一は大きいものであった。
【0018】これに対し、本発明の2極式静電チャック
を用いた場合の静電吸着方法では、以下の実施例2の如
く良好な結果が得られた。 (実施例2)図4は本発明の実施例2に則した2極式静
電チャックを用いた場合の静電吸着方法を説明する図で
ある。ここでは静電チャック2の絶縁体12はセラミック
が使用されている。そして、静電チャック2内に配置さ
れた同心円状の2つの電極11の外周電極11に+300 V、
中心部電極11に−300 Vを印加して上記条件で温度測定
を行った。第5図(b)に示す如く、ウェハ温度は42.4
〜58.4℃の範囲の分布であった。以上より、ウェハの外
周付近に吸着力を発生させる電極11にプラス電圧を印加
することにより、ウェハ全体の温度上昇及び温度分布の
不均一がかなり軽減されていることが判った。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ中のウェハ温
度の上昇を小さくすることができ、エッチングマスクと
なるレジストを変形し難くして理想的なエッチング形状
を得ることができ、しかも、プラズマの中のウェハ上の
温度分布を小さくすることができ、エッチングレートの
一様性及びウェハ面内でのエッチング形状を良好にする
ことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明と比較例の静電吸着方法における実験装
置の構成を示す概略図である。
【図2】比較例1と実施例1に則した単極式静電チャッ
クを用いた場合の静電吸着方法を説明する図である。
【図3】比較例1と実施例1に則したウェハの温度分布
を示す図である。
【図4】比較例2と実施例2に則した2極式静電チャッ
クを用いた場合の静電吸着方法を説明する図である。
【図5】比較例2と実施例2に則したウェハの温度分布
を示す図である。
【図6】従来例の単極式静電チャックと2極式静電チャ
ックの場合の静電吸着方法を説明する図である。
【符号の説明】
1 ウェハ 2 静電チャック 3 黒色塗料 4 ZnS窓 5 チャンバー 6 赤外線カメラ 7 赤外線サーモグラフィ 8 ビデオ 9 rf電源 11 電極 12 絶縁体
フロントページの続き (72)発明者 野田 省三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハを静電チャックに固定する方法に
    おいて、該静電チャック電極の少なくとも1つの電極を
    該ウェハ外周に配置し、該ウェハ外周に配置された電極
    にプラス電圧を印加することにより該ウェハを該静電チ
    ャックに固定することを特徴とする静電吸着方法。
  2. 【請求項2】 前記静電チャック電極はリング形状であ
    ることを特徴とする請求項1記載の静電吸着方法。
  3. 【請求項3】 前記静電チャック電極を少なくとも2つ
    以上設け、ウェハ外周に配置される電極にプラス電圧、
    該ウェハ外周に配置される該電極以外の電極にプラスま
    たはマイナスの電圧を印加することを特徴とする請求項
    1記載の静電吸着方法。
  4. 【請求項4】 少なくとも2つ以上の前記静電チャック
    電極をリング形状にするとともに、同心円状に配置する
    ことを特徴とする請求項3記載の静電吸着方法。
JP216892A 1992-01-09 1992-01-09 静電吸着方法 Pending JPH05190654A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP216892A JPH05190654A (ja) 1992-01-09 1992-01-09 静電吸着方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP216892A JPH05190654A (ja) 1992-01-09 1992-01-09 静電吸着方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05190654A true JPH05190654A (ja) 1993-07-30

Family

ID=11521840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP216892A Pending JPH05190654A (ja) 1992-01-09 1992-01-09 静電吸着方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05190654A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008527753A (ja) * 2005-01-18 2008-07-24 ポイント 35 マイクロストラクチャーズ リミテッド 微細構造物のエッチング加工をモニタするための改良された方法と装置
US7815492B2 (en) 2006-03-20 2010-10-19 Tokyo Electron Limited Surface treatment method
CN102856243A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 细美事有限公司 静电卡盘、包括它的基材处理设备和基材处理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008527753A (ja) * 2005-01-18 2008-07-24 ポイント 35 マイクロストラクチャーズ リミテッド 微細構造物のエッチング加工をモニタするための改良された方法と装置
US7815492B2 (en) 2006-03-20 2010-10-19 Tokyo Electron Limited Surface treatment method
CN102856243A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 细美事有限公司 静电卡盘、包括它的基材处理设备和基材处理方法
JP2013016804A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Semes Co Ltd 静電チャック、これを含む基板処理装置及び基板処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4968374A (en) Plasma etching apparatus with dielectrically isolated electrodes
US3993509A (en) Semiconductor device manufacture
JP5219479B2 (ja) 弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム
JP3292270B2 (ja) 静電吸着装置
JPH06103683B2 (ja) 静電吸着方法
KR19990063844A (ko) 진공처리기 내의 유전성 피처리물의 정전기식유지방법 및 장치
JP3847363B2 (ja) 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法
JPH0652758B2 (ja) 静電チヤツク
JPH05160076A (ja) ドライエッチング装置
JPH04237148A (ja) 静電チャック
JPH04279044A (ja) 試料保持装置
JPH05175318A (ja) 静電チャックの基板脱着方法
JPH10270539A (ja) 静電チャックの使用方法
JPH05190654A (ja) 静電吸着方法
JPH1027780A (ja) プラズマ処理方法
JP2001035354A (ja) 電界放射型電子源およびその製造方法
JPH09252047A (ja) 静電吸着電極
JP2503364B2 (ja) ウエハの静電吸着装置、ウエハの静電吸着方法、ウエハの離脱方法及びドライエッチング方法
JPS6325706B2 (ja)
JPH074718B2 (ja) 静電吸着装置
JPH0982787A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH05291384A (ja) 静電吸着方法
JPH0766271A (ja) 静電吸着装置
JPH04100257A (ja) 静電吸着機構を備えた処理装置および該静電吸着機構の残留電荷除去方法
JPH09129716A (ja) 静電吸着装置とその製造方法、ウエハ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010227