KR102418643B1 - 웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼(wafer)의 파티클(particle)을 에미터(emitter) 금속층으로부터 방출되는 광전자들로 대전하는 파티클 대전부, 및 대전된 파티클에 전기장을 인가하여 제거하는 파티클 제거부를 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치, 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비 및 이를 이용한 노광 방법을 제시한다.

Description

웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법{Apparatus of removing particles on a wafer, wafer processing equipment with the same, exposure method using the same}
본 출원은 반도체 기술에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼(wafer)로부터 파티클(particle)을 제거하는 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법에 관한 것이다.
반도체 가공 기술은 웨이퍼에 전자 회로를 집적하기 위해서 웨이퍼 또는 기판 상에 상에 패턴(pattern)을 형성하는 과정을 포함할 수 있다. 웨이퍼 상에 패턴을 의도하는 형상(feature)을 가지며 다수의 패턴들이 웨이퍼 전체 영역에 걸쳐 균일하게 형성하도록 유도하기 위해서, 웨이퍼 표면에 존재할 수 있는 파티클(particle)과 같은 오염물 또는 결함 요인들을 제거하는 기술이 요구되고 있다.
웨이퍼 표면 상에 파티클이 존재할 경우, 파티클은 결함(defect)을 유발하는 요인으로 작용할 수 있어, 파티클을 웨이퍼로부터 제거하는 기술이 중요하게 인식되고 있다. 웨이퍼의 후면(backside)에 흡착된 파티클은 웨이퍼 가공 기술이 수행될 후면에 반대되는 전면(frontside)의 표면 높이를 불균일하게 하는 요인으로 작용할 수 있다. 웨이퍼 가공 공정이 수행될 웨이퍼가 웨이퍼 공정 장비 내에 설치된 척(chuck)과 같은 웨이퍼 장착 부재 상에 올려질 때, 웨이퍼 후면에 존재하는 파티클에 의해 웨이퍼 전면의 표면 높이가 영역에 따라 달라질 수 있다. 이러한 경우 웨이퍼 전면의 영역별로 서로 다른 공정 환경이 발생되어 각 영역에 형성될 패턴들이 서로 미세하게 달라지는 균일도 결함(uniformity problem)이 유발될 수 있다.
웨이퍼 상에 포토마스크(photo mask)에 구현된 마스크 패턴(mask pattern)의 형상 이미지(image)를 전사하는 리소그래피 노광(exposure of lithography)에서, 웨이퍼 후면에 파티클이 존재할 경우 파티클에 의해 웨이퍼 전면의 표면 높이가 불균일해 질 경우 영역 별로 초점 심도(DoF: degree of focus)가 변화되는 디포커스(defocus) 현상이 심화될 수 있다. 이러한 디포커스 현상의 심화는 웨이퍼 영역에 따라 전사되는 패턴의 이미지 형상이 달라지는 노광 불균일 현상을 유발할 수 있다. 이에 따라, 노광 과정을 수행하기 이전에 노광 스테이지(stage)에 장착될 웨이퍼의 후면으로부터 파티클(particle)을 유효하게 제거하고자 하는 시도들이 모색되고 있다.
본 출원은 웨이퍼 표면으로부터 파티클(particle)을 제거하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 제시하고자 한다.
본 출원은 웨이퍼 표면으로부터 파티클(particle)을 제거하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 구비한 웨이퍼 공정 장비를 제시하고자 한다.
본 출원은 웨이퍼 표면으로부터 파티클(particle)을 제거하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 이용하여 노광 과정을 수행하기 이전에 노광 스테이지(stage)에 장착될 웨이퍼의 후면(backside)으로부터 파티클을 제거하여 디포커스(defocus)를 예방할 수 있는 웨이퍼 노광 방법을 제시하고자 한다.
본 출원의 일 관점은, 웨이퍼(wafer)를 지지하는 제1지지부, 상기 웨이퍼의 파티클(particle)이 흡착된 일 표면에 대향되도록 배치되어 상기 파티클에 대전될 광전자(photoelectron)들을 광전 효과로 방출하는 에미터(emitter) 금속층, 및 상기 금속층에 광전 효과를 유도하는 광을 제공하는 광원부를 포함하는 파티클 대전부; 및 상기 파티클 대전부로부터 상기 웨이퍼를 전달받아 지지하는 제2지지부, 상기 웨이퍼로부터 상기 대전된 파티클이 이탈되도록 상기 웨이퍼에 전기장을 제공하는 전극 플레이트(plate), 및 상기 전극 플레이트에 연결된 전원부를 포함하는 파티클 제거부;를 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 제시한다.
본 출원의 일 관점은, 웨이퍼(wafer)를 지지하는 제1지지부, 상기 웨이퍼의 파티클(particle)이 흡착된 일 표면에 대향되도록 배치되어 상기 파티클에 대전될 광전자(photoelectron)들을 광전 효과로 방출하는 에미터(emitter) 금속층, 및 상기 금속층에 광전 효과를 유도하는 광을 제공하는 제1광원부를 포함하는 파티클 대전부; 상기 파티클 대전부로부터 상기 웨이퍼를 전달받아 지지하는 제2지지부, 상기 웨이퍼로부터 상기 대전된 파티클이 이탈되도록 상기 웨이퍼에 전기장을 제공하는 전극 플레이트(plate), 및 상기 전극 플레이트에 연결된 전원부를 포함하는 파티클 제거부; 및 상기 파티클이 제거된 웨이퍼를 전달받아 지지하는 웨이퍼 스테이지(wafer stage)를 포함하여 상기 웨이퍼에 웨이퍼 가공 공정을 수행하는 웨이퍼 공정부;를 포함하는 웨이퍼 공정 장비를 제시한다.
본 출원의 일 관점은, 웨이퍼(wafer)의 후면(backside)이 에미터 금속층에 대향되도록 상기 에미터 금속층 상에 상기 웨이퍼를 도입하는 단계; 상기 에미터 금속층에 광전 효과를 유도할 제1광을 제공하여 광전자들을 방출시켜 상기 웨이퍼의 후면 상에 존재하는 파티클들에 상기 광전자들을 대전시키는 단계; 상기 대전된 파티클들을 이탈시키는 전기장을 상기 웨이퍼에 인가하여 상기 파티클들을 제거하는 단계; 상기 파티클들이 제거된 상기 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 상에 안착시키는 단계; 및 상기 웨이퍼 스테이지 상에 안착된 상기 웨이퍼를 노광시키는 단계를 포함하는 웨이퍼 노광 방법을 제시한다.
본 출원의 예에 따르면, 웨이퍼 표면으로부터 파티클(particle)을 제거하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 제시할 수 있다. 또한, 웨이퍼 표면으로부터 파티클(particle)을 제거하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 구비한 웨이퍼 공정 장비를 제시할 수 있다. 또한, 웨이퍼 표면으로부터 파티클(particle)을 제거하는 웨이퍼 파티클 제거 장치를 이용하여 노광 과정을 수행하기 이전에 노광 스테이지(stage)에 장착될 웨이퍼의 후면(backside)으로부터 파티클을 제거하여 디포커스(defocus)를 예방할 수 있는 웨이퍼 노광 방법을 제시할 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 예에 따른 웨이퍼 파티클(particle) 제거 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 파티클(particle) 제거 장치를 구성하는 파티클 대전부를 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 파티클(particle) 대전부의 동작을 보여주는 도면들이다.
도 6은 도 1의 웨이퍼 파티클(particle) 제거 장치를 구성하는 파티클 제거부를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 출원의 일 예에 따른 웨이퍼 공정 장비를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 웨이퍼 공정부를 구성하는 노광기를 보여주는 도면이다.
도 9는 본 출원의 일 예에 따른 웨이퍼 노광 방법을 보여주는 공정 흐름도이다.
본 출원의 예의 기재에서 사용하는 용어들은 제시된 실시예에서의 기능을 고려하여 선택된 용어들로서, 그 용어의 의미는 기술 분야에서의 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 사용된 용어의 의미는 본 명세서에 구체적으로 정의된 경우 정의된 정의에 따르며, 구체적인 정의가 없는 경우 당업자들이 일반적으로 인식하는 의미로 해석될 수 있다. 본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 예에 따른 웨이퍼 파티클(particle) 제거 장치를 보여준다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 파티클 제거 장치(10)는 웨이퍼(200) 표면에 흡착되어 존재할 수 있는 파티클(particle)과 같은 오염물을 화학제나 강제적인 물리력을 실질적으로 배제하면서 제거하도록 구성될 수 있다. 웨이퍼 파티클 제거 장치(10)는 광전 효과(photoelectron effect)를 이용하여 광전자(photoelectron)를 방출하고, 방출된 광전자가 파티클에 제공되어 파티클을 (-) 전하를 가지도록 대전하는 파티클 대전부(11)를 구비할 수 있다. 웨이퍼 파티클 제거 장치(10)는 대전된 파티클을 전기장의 인가로 웨이퍼 표면으로부터 이탈되도록 유도하여 파티클을 제거하는 파티클 제거부(15)를 구비할 수 있다. 전기적인 파티클의 대전 및 전기장에 의한 파티클의 제거가 가능하므로, 스크러버(scrubber)와 같은 물리적인 접촉이나 화학제에 의한 화학적인 작용을 배제할 수 있다. 이에 따라, 물리적인 접촉이나 화학제에 의한 작용에 따른 2차 오염이나 환경 오염 등을 유효하게 배제시킬 수 있다.
파티클 제거부(15)는 파티클 대전부(11)에 나란히 배치될 수 있으며, 파티클 대전부(11)에서 파티클이 대전된 웨이퍼(200)는 대전된 파티클이 표면에 흡착된 상태에서 이웃하게 배치된 파티클 제거부(15)에 전달될 수 있다. 파티클 대전부(11)와 파티클 제거부(15)는 웨이퍼 파티클 제거 장치(10)의 하우징(housing: 도시되지 않음) 내에 서로 구분되는 부분으로 함께 나란히 배치되고 될 수 있다. 파티클 대전부(11)와 파티클 제거부(15)가 별도의 부분으로 구성되므로, 제거된 파티클에 의해서 파티클 대전부(11)가 2차 오염되거나 또는 웨이퍼가 2차 오염되는 것을 유효하게 배제시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 파티클 제거 장치를 구성하는 파티클 대전부를 보여주고, 도 3 내지 도 5는 도 2의 파티클 대전부의 동작을 보여준다.
도 2를 도 1과 함께 참조하면, 파티클 대전부(11)는 광전 효과를 이용하여 웨이퍼(200) 쪽으로 광전자를 방출하는 부재들을 포함하여 구성될 수 있다. 파티클 대전부(11)는 제1하우징(100, 460) 내에 웨이퍼(200)를 지지하는 제1지지부(300)를 구비할 수 있다. 제1하우징(100, 460)은 파티클 대전부(11)를 구성하는 부품들이 설치되는 공간을 제공할 수 있다. 제1하우징(100, 460)은 바닥 부재(460)와 측벽 부재(100)들로 구비될 수 있으며, 바닥 부재(460)와 측벽 부재(100)들로 이루어지는 내부 공간에 웨이퍼(200)를 지지하는 제1지지부(300) 등의 부품들이 구비될 수 있다.
제1지지부(300)는 웨이퍼 공정 과정이 수행될 웨이퍼 전면(front side: 201)에 반대되는 후면(back side: 203) 부분에 끝단이 접촉하는 부재로 구비될 수 있다. 제1지지부(300)는 웨이퍼(200)의 후면(203) 가장자리 부분에 접촉하여 지지하는 핀(pin) 형태 또는 림(rim) 형태의 부재일 수 있다.
웨이퍼(200)의 후면(203)에 대향되도록 배치된 에미터 금속층(emitter metal layer: 420)을 포함하는 광전자 에미터부(440)가 웨이퍼(200) 아래에 배치될 수 있다. 에미터 금속층(420)과 웨이퍼(200)의 후면(203) 사이에는 이격 공간(301)이 유도될 수 있다. 이격 공간(301)을 유도하도록 제1지지부(300)는 에미터 금속층(420)으로부터 웨이퍼(200)가 일정 간격 이격되도록 지지할 수 있다.
광전자 에미터부(440)는 에미터 금속층(420)이 표면부에 적층된 투명 부재(410)와, 에미터 금속층(420)의 아래에 배치된 투명 전극(430)들의 배열을 포함하여 구성될 수 있다. 광전자 에미터부(440)의 하부에는 광전자 에미터부(440)로 광전자 효과를 유도할 광을 조사할 제1광원부(450)가 구비될 수 있다. 제1광원부(450)는 에미터 금속층(420)에 광을 제공하여 에미터 금속층(420)으로부터 광전 효과에 의한 광전자가 방출되도록 유도할 수 있다. 제1광원부(450)는 자외선 램프(UV lamp)와 같이 광전 효과에 상대적으로 유효한 자외선 광을 제공하는 부재로 구비될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 자외선 램프에 전원을 제공하는 제1전원부가 자외선 램프에 연결되도록 더 구비될 수 있다.
제1광원부(450)에 의해 제공되는 광이 투과되도록 투명 부재(410)는 유리(glass)층과 같은 투명한 부재로 구비될 수 있다. 투명 부재(410)는 에미터 금속층(420)을 지지하는 베이스(base) 부재로 구비될 수 있다. 투명 부재(410)의 표면 부분에 접착되거나 증착된 에미터 금속층(420)은 광전 효과에 의해 광전자를 방출하는 층으로, 광전 효과에 상대적으로 유효한 금(Au)층을 포함하여 구비될 수 있다.
에미터 금속층(420)의 배후에 투명 전극(430)의 배열이 투명 부재(410)의 표면 부분에 부착되거나 또는 매몰된 형상으로 도입될 수 있다. 투명 전극(430)은 ITO(Indium doped Tin Oxide)의 층과 같은 실질적으로 투명한 도전층을 포함하여 구비될 수 있다. 투명 전극(430)의 배열은 후방에서 입사되는 광을 에미터 금속층(420)으로 집속시켜 광전 효과를 가중 또는 증가시키는 역할을 할 수 있다. 투명 전극(430)들은 슬릿(slit) 형태를 이루도록 배열될 수 있다. 투명 전극(430)의 배열은 에미터 금속층(420)에서 광전 효과에 의해서 방출되는 광전자들 중 후방으로 방출되는 광전자들을 실질적으로 포획하여 대전되도록 구비될 수 있다.
방출된 광전자들이 투명 전극(430)을 (-) 전하로 대전시킴으로써, 광전자의 방출에 의해 유도되는 (+) 전하들이 에미터 금속층(420)의 투명 전극(430)에 인근하는 부분에 모이도록 유도하여, 에미터 금속층(420)으로부터 광전자가 광전 효과에 의해 웨이퍼(200) 방향으로 방출되는 것을 촉진하는 효과를 유도할 수 있다. 투명 전극(430)의 배열은 실질적으로 유전 물질을 포함하는 투명 부재(410)의 표면 부분에 매몰되어 에미터 금속층(420)가 이격되도록 배치되어 (-) 전하로 대전되는 효과를 유도할 수 있다.
도 3을 도 4 및 도 5와 함께 참조하면, 제1광원부(450)에 의해서 제1광(451)이 발광되면, 제1광(451)은 투명 부재(410)을 투과하여 에미터 금속층(420)에 입사될 수 있다. 에미터 금속층(420)에 입사된 제1광(451)은 광전 효과를 유도하여 에미터 금속층(420)의 표면으로부터 광전자(e)들이 방출될 수 있다. 에미터 금속층(420)으로부터 방출된 광전자(e)들은 대향되는 웨이퍼(200)의 후면(203) 쪽으로 이동되어 입사될 수 있으며, 웨이퍼(200)의 후면(203) 표면 상에 흡착되어 존재할 수 있는 파티클(도 4의 205)을 대전시켜 대전된 파티클(도 5의 205e)을 유도할 수 있다.
웨이퍼(200)의 후면(203)에는 스크러버 과정이나 세정 과정을 거치더라도 미세한 파티클(205)들이 존재할 수 있다. 웨이퍼 전면(201)에 웨이퍼 공정을 수행할 웨이퍼 공정부로 웨이퍼(200)를 이송시키기 이전에, 스크러버 장비나 세정 장비를 사용하여 웨이퍼(200)의 후면(203)으로부터 파티클과 같은 오염물을 1차 제거할 수 있으나, 웨이퍼(200)를 웨이퍼 공정부로 이동하는 과정에서 새로운 오염물로서의 파티클(205)이 발생될 수 있으며, 이전 세정 과정에서 미처 제거되지 못한 파티클 또한 잔류될 수 있다. 이러한 파티클(205)에 광전자(e)들을 대전시킨다.
대전된 파티클(205e)이 웨이퍼(200)의 후면(203) 상에 흡착된 상태에서 웨이퍼(200)를 도 1의 파티클 제거부(15)로 이송하여 대전된 파티클(205e)를 제거할 수 있다. 이러한 웨이퍼(200)의 이송을 위한 이송 부재(도시되지 않음)가 로봇 암(robot arm) 형태로 파티클 제거 장치(도 1의 10) 내에 설치될 수 있다.
도 6은 도 1의 웨이퍼 파티클 제거 장치를 구성하는 파티클 제거부를 보여준다.
도 6을 참조하면, 도 3에 제시된 바와 같이 후면(203)에 파티클(205e)이 대전된 상태로 존재하는 웨이퍼(200)가 파티클 대전부(도 1의 11)로부터 이송되는 파티클 제거부(15)가 파티클 대전부(11)의 인근에 구분되는 위치에 위치할 수 있다. 파티클 제거부(15)는 이송된 웨이퍼(200)를 지지하는 제2지지부(530)가 내부에 설치된 제2하우징(510)을 포함하여 구비될 수 있다. 제2하우징(510)은 웨이퍼 파티클 제거 장치(도 1의 10) 내에 위치하는 파티클 대전부(도 1의 11)와 구분되는 내부 공간을 제공하도록 도입될 수 있다.
제2지지부(530)는 웨이퍼 후면(203) 부분에 끝단이 접촉하는 부재로 구비될 수 있다. 제2지지부(530)는 웨이퍼(200)의 후면(203) 가장자리 부분에 접촉하여 지지하는 핀(pin) 형태 또는 림(rim) 형태의 부재일 수 있다.
제2지지부(530)에 안착된 웨이퍼(200)의 후면(203)에 대향되도록 전극 플레이트(plate: 521)이 배치되고, 전극 플레이트(521)에 연결된 제2전원부(550)이 더 구비될 수 있다. 전극 플레이트(521) 상에는 유전층(525)가 구비될 수 있다. 제2전원부(550)은 전극 플레이트(521)이 (+) 전극으로 작용하도록 (+) 전압을 인가하는 직류 전압(DC voltage)를 제공하는 전원으로 도입될 수 있다. 제2전원부(550)에 의해 전극 플레이트(521)이 (+) 방향인 전기장(E)가 웨이퍼(200)에 인가될 수 있다. 전기장(E)에 의해 대전된 파티클(205e)들은 (+) 전극인 전극 플레이트(521) 방향으로 이끌리게 된다. 전기장(E)에 의해 제공되는 전기적인 인력에 의해서 대전된 파티클(205e)들은 웨이퍼(200)의 후면(203)으로부터 이탈되어 아래로 이동되므로, 웨이퍼(200)의 후면(203)으로부터 파티클(205e)들은 실질적으로 제거되게 된다.
웨이퍼 파티클 제거 장치(도 1의 10)는 파티클(도 4의 205)을 대전시키고, 대전된 파티클(도 6의 205e)를 전기장(E)의 인가를 이용하여 제거할 수 있다. 웨이퍼 파티클 제거 장치(도 1의 10)는 광전자 방출에 의한 대전 현상 및 전기장에 의한 대전 파티클(205e)의 제거를 수행하므로, 스크러버 장비나 세정 장비와 같은 물리적인 접촉이나 화학적 작용을 배제하고서도 파티클의 제거가 가능하다. 물리적인 접촉이나 화학제의 사용이 없어 파티클 제거에 수반되는 2차적인 오염이나 다른 장치 구성에의 오염이 실질적으로 배제되므로, 웨이퍼 공정이 수행되는 웨이퍼 공정부에 웨이퍼 파티클 제거 장치(도 1의 10)를 연결하여, 웨이퍼 공정부로 웨이퍼가 이송되기 직전에 파티클을 제거하는 데 유효할 수 있다. 대전에 의한 파티클의 제거가 가능하므로, 파티클의 크기가 매우 작은 경우 예컨대, 1㎛나 그 이하의 0.1㎛의 초미세한 크기의 파티클의 제거에 유용할 수 있다.
7은 본 출원의 일 예에 따른 웨이퍼 공정 장비를 보여주고, 도 8은 도 7의 웨이퍼 공정부를 구성하는 노광기를 보여준다.
도 7을 참조하면, 웨이퍼 공정 장비(20)는 웨이퍼 공정이 수행되는 웨이퍼 공정부(23)의 앞단 또는 웨이퍼 공정부(23)로 웨이퍼(200)가 전달되는 트랙(track) 부분에 웨이퍼 파티클 제거 장치(21)를 연결하여 구비될 수 있다. 웨이퍼 공정부(23)로 웨이퍼(200)가 이송되기 직전에 웨이퍼(200)에 존재할 수 있는 파티클을 제거할 수 있어, 파티클에 의한 공정 결함 또는 불량이 유발되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.
파티클 제거 장치(21)는 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 파티클 대전부(도 1의 11) 및 파티클 제거부(도의 15)를 구비할 수 있다. 파티클 대전부(11)는 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 웨이퍼(200)를 지지하는 제1지지부(도 2의 300), 웨이퍼(200)의 파티클(도 4의 205)이 흡착된 후면(도 2의 203) 표면에 대향되도록 배치되어 파티클(205)에 대전될 광전자(도 3의 e)들을 광전 효과로 방출하는 에미터 금속층(도 2의 420)을 포함하여 구비될 수 있다. 파티클 대전부(11)는 에미터 금속층(420)에 광전 효과를 유도하는 제1광을 제공하는 제1광원부(450)를 구비할 수 있다.
파티클 제거부(도 1의 15)는 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 파티클 대전부(11)로부터 웨이퍼(200)를 전달받아 지지하는 제2지지부(530), 웨이퍼(200)로부터 대전된 파티클(205e)이 이탈되도록 웨이퍼(200)에 전기장을 제공하는 전극 플레이트(521), 및 전극 플레이트(521)에 연결된 제2전원부(550)를 구비할 수 있다.
파티클 대전부(도 1의 11) 및 파티클 제거부(도 1의 15)를 구비하는 파티클 제거 장치(21)는 웨이퍼 공정부(23)에 연결되도록 구비될 수 있어, 웨이퍼 공정부(23)로 웨이퍼(200)가 이송되기 실질적으로 직전에 웨이퍼(200)로부터 파티클을 제거하는 것이 가능하다. 웨이퍼 공정부(23)는 파티클이 제거된 웨이퍼(200)를 전달받아 웨이퍼 가공 공정을 수행하도록 구성될 수 있다. 웨이퍼 공정부(23)는 노광기, 증착기 또는 식각기 등과 같은 웨이퍼 상에 패턴을 실질적으로 형성하는 웨이퍼 공정 과정이 수행되는 장비 구성을 가질 수 있다.
도 8을 도 7과 함께 참조하면, 웨이퍼 공정부(도 7의 23)는 리소그래피(lithography) 기술의 노광 과정을 수행하는 노광부(도 8의 30)로 구성될 수 있다. 노광부(30)는 웨이퍼(34, 도 7의 200)가 장착되는 웨이퍼 스테이지(wafer stage: 36)를 구비할 수 있다. 웨이퍼(34)는 파티클이 제거되어 전달되므로, 웨이퍼(34)와 웨이퍼 스테이지(36) 사이에 파티클이 존재할 가능성이 매우 작아질 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(34)와 웨이퍼 스테이지(36) 사이에 파티클이 존재하여, 웨이퍼(34) 전면의 레지스트층(resist layer: 35)의 표면 높이가 영역별로 달리 변동되는 현상이 유효하게 방지될 수 있다. 따라서, 이미지(image) 광(37)이 영역별로 포커스 정도가 달라지는 디포커스(defocus) 현상이 유효하게 방지될 수 있다.
노광부(30)는 노광 제2광(39)을 제공하는 노광 제2광원부(31)를 포함할 수 있다. 또한, 노광 제2광(39)에 의해 이미지 광(37)에 담기는 패턴 이미지를 제공할 마스크 패턴(33)을 구비한 포토 마스크(32)를 구비할 수 있다. 포토 마스크(32)는 반사형 마스크나 또는 투과형 마스크로 도입될 수 있다. 반사형 마스크의 경우, 노광 제2광원부(31)는 극자외선(EUV)와 같은 광원을 제공하는 광원으로 구비될 수 있고, 투과형 마스크의 경우, 노광 제2광원부(31)는 ArF 광원으로 구비될 수 있다.
도 9는 본 출원의 일 예에 따른 웨이퍼 노광 방법을 보여주는 공정 흐름도이다.
도 9를 참조하면, 웨이퍼 노광 방법은 광전자 방출(610)에 의한 파티클 대전(620) 후 전기장의 인가(630)에 따른 대전된 파티클의 제거 과정을 수행한 후, 노광(640)하는 과정으로 수행될 수 있다. 노광할 웨이퍼(도 2의 200)를 파티클 제거 장치(도 1의 10)의 파티클 대전부(도 1의 11)에 장착한다. 웨이퍼(200)는 에미터 금속층(도 2의 420) 상에 후면(도 1의 203)이 대향되도록 도입될 수 있다.
제1광원부(도 3의 450)를 이용하여 광전 효과를 유도할 제1광(도 3의 451)을 에미터 금속층(도 3의 420)에 조사하여, 에미터 금속층(420)으로부터 광전자(도 3의 e)들이 웨이퍼(200)로 방출되도록 하여(도 9의 610), 광전자(e)들에 의해 대전된 파티클(도 3의 205e)을 유도할 수 있다(도 9의 620). 웨이퍼(200)를 파티클 제거부(도 1의 15)에 장착하고, 전극 플레이트(도 6의 521)에 (+) 극이 유도되도록 전기장(도 6의 E)을 인가한다(도 9의 630). 전가장(E)에 이끌려 대전된 파티클(도 6의 205e)가 이탈되어 제거된 후, 웨이퍼(200)를 노광부(도 8의 30)의 웨이퍼 스테이지(도 8의 36) 상에 안착시키고 노광 과정을 수행한다. 이러한 노광 과정은 파티클에 의한 디포커스 현상을 억제할 수 있어, 노광 불량을 유효하게 억제할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다. 본 출원에서 제시한 기술적 사상이 반영되는 한 다양한 다른 변형예들이 가능할 것이다.
200: 웨이퍼,
420: 에미터 금속층,
450: 제1광원부,
521: 전극 플레이트.

Claims (20)

  1. 웨이퍼(wafer)를 지지하는 제1지지부,
    상기 웨이퍼의 파티클(particle)이 흡착된 일 표면에 대향되도록 배치되어 상기 파티클에 대전될 광전자(photoelectron)들을 광전 효과로 방출하는 에미터(emitter) 금속층, 및
    상기 에미터 금속층에 광전 효과를 유도하는 광을 제공하는 광원부를 포함하는 파티클 대전부; 및
    상기 파티클 대전부로부터 상기 웨이퍼를 전달받아 지지하는 제2지지부,
    상기 웨이퍼로부터 상기 대전된 파티클이 이탈되도록 상기 웨이퍼에 전기장을 제공하는 전극 플레이트(plate), 및
    상기 전극 플레이트에 연결된 전원부를 포함하는 파티클 제거부;를 포함하고,
    상기 파티클 대전부는
    상기 에미터 금속층의 표면이 상기 웨이퍼의 후면(backside)이 대향되도록 상기 에미터 금속층을 지지하고
    상기 광이 투과되어 상기 에미터 금속층에 도달하도록 상기 광원부와 상기 에미터 금속층 사이에 도입된 투명 부재를 더 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  2. ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 제1지지부는
    상기 웨이퍼의 후면(backside)이 상기 에미터 금속층의 표면에 일정 간격 이격되어 대향되도록 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  3. 삭제
  4. ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 파티클 대전부는
    상기 에미터 금속층과 상기 투명 부재 사이 부분에 배치된 투명 전극들의 배열을 더 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  5. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제4항에 있어서,
    상기 투명 전극들은
    상기 에미터 금속층으로부터 상기 광원부로 향해 방출되는 상기 광전자들의 일부를 포집하고 상기 에미터 금속층으로 상기 광을 집속시키는 슬릿(slit) 형태를 이루도록 배열되는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  6. ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 투명 부재는
    유리층을 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 에미터 금속층은
    금(Au)층을 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 광원부는
    자외선 램프(lamp)를 포함하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 전원부는
    상기 전극 플레이트가 (+) 전극을 제공하도록 직류 전압(DC voltage)를 제공하는 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 파티클 제거부는
    상기 파티클이 대전된 상기 웨이퍼를 전달받기 위해 상기 파티클 대전부에 나란히 배치된 웨이퍼 파티클 제거 장치.
  11. 웨이퍼(wafer)를 지지하는 제1지지부,
    상기 웨이퍼의 파티클(particle)이 흡착된 일 표면에 대향되도록 배치되어 상기 파티클에 대전될 광전자(photoelectron)들을 광전 효과로 방출하는 에미터(emitter) 금속층, 및
    상기 에미터 금속층에 광전 효과를 유도하는 광을 제공하는 제1광원부를 포함하는 파티클 대전부;
    상기 파티클 대전부로부터 상기 웨이퍼를 전달받아 지지하는 제2지지부,
    상기 웨이퍼로부터 상기 대전된 파티클이 이탈되도록 상기 웨이퍼에 전기장을 제공하는 전극 플레이트(plate), 및
    상기 전극 플레이트에 연결된 전원부를 포함하는 파티클 제거부; 및
    상기 파티클이 제거된 웨이퍼를 전달받아 지지하는 웨이퍼 스테이지(wafer stage)를 포함하여 상기 웨이퍼에 웨이퍼 가공 공정을 수행하는 웨이퍼 공정부;를 포함하고,
    상기 파티클 대전부는
    상기 에미터 금속층의 표면이 상기 웨이퍼의 후면(backside)이 대향되도록 상기 에미터 금속층을 지지하고
    상기 광이 투과되어 상기 에미터 금속층에 도달하도록 상기 제1광원부와 상기 에미터 금속층 사이에 도입된 투명 부재를 더 포함하는 웨이퍼 공정 장비.
  12. ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 제1지지부는
    상기 웨이퍼의 후면(backside)이 상기 에미터 금속층의 표면에 일정 간격 이격되어 대향되도록 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 공정 장비.
  13. 삭제
  14. ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 파티클 대전부는
    상기 에미터 금속층과 상기 투명 부재 사이 부분에 배치된 투명 전극들의 배열을 더 포함하는 웨이퍼 공정 장비.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제14항에 있어서,
    상기 투명 전극들은
    상기 에미터 금속층으로부터 상기 제1광원부로 향해 방출되는 상기 광전자들의 일부를 포집하고 상기 에미터 금속층으로 상기 광을 집속시키는 슬릿(slit) 형태를 이루도록 배열되는 웨이퍼 공정 장비.
  16. ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 제1광원부는
    자외선 램프(lamp)를 포함하는 웨이퍼 공정 장비.
  17. ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 전원부는
    상기 전극 플레이트가 (+) 전극을 제공하도록 직류 전압(DC voltage)를 제공하는 웨이퍼 공정 장비.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 파티클 제거부는
    상기 파티클이 대전된 상기 웨이퍼를 전달받기 위해 상기 파티클 대전부에 나란히 배치되고,
    상기 웨이퍼 공정부는
    상기 파티클이 제거된 상기 웨이퍼를 전달받기 위해서 상기 파티클 제거부에 나란히 배치된 웨이퍼 공정 장비.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제11항에 있어서,
    상기 웨이퍼 공정부는
    상기 웨이퍼 스테이지 상에 도입되어 상기 웨이퍼 상으로 전달될 패턴 이미지(image)를 제공할 포토 마스크(photo mask); 및
    상기 포토 마스크에 노광 광을 제공할 노광 제2광원부를 포함하는 웨이퍼 공정 장비.
  20. 에미터(emitter) 금속층, 및 상기 에미터 금속층에 광전 효과를 유도하는 제1광을 제공하는 광원부를 포함하는 파티클 대전부의 상기 에미터 금속층 상에 웨이퍼를 도입하되, 상기 웨이퍼의 후면이 상기 에미터 금속층에 대향되도록 상기 웨이퍼를 도입하는 단계;
    상기 에미터 금속층에 광전 효과를 유도할 상기 제1광을 제공하여 광전자들을 방출시켜 상기 웨이퍼의 후면 상에 존재하는 파티클들에 상기 광전자들을 대전시키는 단계;
    상기 대전된 파티클들을 이탈시키는 전기장을 상기 웨이퍼에 인가하여 상기 파티클들을 제거하는 단계;
    상기 파티클들이 제거된 상기 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 상에 안착시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼 스테이지 상에 안착된 상기 웨이퍼를 노광시키는 단계를 포함하고,
    상기 파티클 대전부는
    상기 에미터 금속층을 지지하고
    상기 제1광이 투과되어 상기 에미터 금속층에 도달하도록 상기 광원부와 상기 에미터 금속층 사이에 도입된 투명 부재를 더 포함하는 웨이퍼 노광 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11376640B2 (en) * 2018-10-01 2022-07-05 Tokyo Electron Limited Apparatus and method to electrostatically remove foreign matter from substrate surfaces
US11256181B2 (en) * 2019-07-31 2022-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for removing particles in semiconductor manufacturing

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016422A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Nikon Corp クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08211B2 (ja) * 1990-11-02 1996-01-10 株式会社荏原総合研究所 密閉空間の清浄方法及び装置
US5162969A (en) * 1991-09-26 1992-11-10 California Institute Of Technology Dielectric particle injector for material processing
JP3405439B2 (ja) * 1996-11-05 2003-05-12 株式会社荏原製作所 固体表面の清浄化方法
JP4833512B2 (ja) * 2003-06-24 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法
KR20070079696A (ko) 2006-02-03 2007-08-08 삼성전자주식회사 노광 설비 및 그의 웨이퍼 스테이지 척 상의 파티클 제거방법
KR101423611B1 (ko) 2008-01-16 2014-07-30 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 노광 장치 및 클리닝 툴의 세정 방법
KR20110054393A (ko) * 2009-11-17 2011-05-25 삼성전자주식회사 포토리소그래피 장비의 초점 변화 측정 방법 및 그것을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10515833B2 (en) * 2014-01-24 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Wafer cleaning system and method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009016422A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Nikon Corp クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法

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