CN108227400B - 光刻装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光刻装置。该光刻装置包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；在容纳掩模版和掩模版台的腔室内的保护导体；以及电源，用于供给电压到保护导体。

Description

光刻装置
技术领域
本公开涉及光刻装置，更具体而言，涉及利用极紫外(EUV)光的光刻装置。
背景技术
EUV光刻，其提供比通过利用光学光刻能获得的图案分辩率更精细的图案分辩率，是下一代光刻的杰出候选者。利用EUV光刻提高分辩率是由于EUV光刻利用在11nm-15nm波长范围内的波长进行的事实，而光学光刻利用在150nm-250nm范围内的波长进行。通常，随着以光刻来图案化图像中所使用的光的波长减小，所得分辩率增大。
EUV光在穿过空气传输时衰减，并且目前没有已知的材料具有适合于被用作EUV透镜的EUV光的透射率和折射率。结果，EUV光刻利用反射光学反射镜在高真空下进行以照射EUV光到掩模版(reticle)上并且将被照射的图案从掩模版投射到基板上。因此，用于EUV光刻的掩模版是反射掩模版，而不是在光学微光刻中使用的透明掩模版。
在光学微光刻中使用蒙版(pellicle)来保护掩模版免受颗粒污染。蒙版是在覆盖掩模版的图案化表面的框上的透明薄膜。然而，在EUV光刻中，蒙版可以不与掩模版一起使用，因为蒙版吸收EUV光，导致基本上没有EUV光剩余以将图案图像投射到基板上。因此，EUV光刻的掩模版应该在没有蒙版的情况下使用。
发明内容
根据本公开的一方面，光刻装置包括：掩模版，包括彼此相反的第一表面和第二表面以及在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面并且配置为夹住掩模版；以及电源，用于提供负电压到掩模版的第一表面以便防止颗粒吸附在掩模版上。
根据本公开的另一方面，光刻装置包括：掩模版，包括彼此相反的第一表面和第二表面以及在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面并且配置为夹住掩模版；以及电场帘，布置为调节在掩模版的第一表面上或者在掩模版的周边上的颗粒的移动方向并且包括至少一个导体。
根据本公开的再一方面，光刻装置包括：第一子腔室，包括设置在其中的至少一个照射系统反射镜以反射曝光光；掩模版台模块，包括反射从所述第一子腔室输出的曝光光的掩模版；第二子腔室，包括在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射被反射的曝光光到晶片上；以及晶片台，晶片将被夹到晶片台，其中掩模版包括曝光光入射在其上的第一表面以及在第一表面上的图案区域，并且负电压被施加到掩模版的第一表面以便阻挡颗粒吸附在掩模版上。
根据本公开的再一方面，光刻装置包括：源，配置为提供曝光光；第一子腔室，包括设置在其中的至少一个照射系统反射镜以反射曝光光；掩模版台模块，包括掩模版以反射被照射系统反射镜反射到其上的曝光光；第二子腔室，包括设置在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射被反射的曝光光到晶片上；以及晶片台，晶片将被夹到晶片台，晶片台在包括第一子腔室和第二子腔室的主腔室中，其中主腔室、第一子腔室和第二子腔室中的至少一个包括颗粒捕获电极，颗粒捕获电极被施加有正电压。
根据本公开的又一方面，光刻装置可以包括：掩模版，具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域；掩模版台，面对掩模版的第二表面，掩模版台用于夹住掩模版；保护导体，在容纳掩模版和掩模版台的腔室内；以及电源，用于供给电压到保护导体。
附图说明
通过参考附图详细描述示范实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：
图1示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。
图2示出被提供来说明图1的掩模版被夹到掩模版台的视图。
图3示出被提供来说明图1的掩模版台模块的视图。
图4A至4C示出被提供来说明图1的掩模版的形状的示范性视图。
图5示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图6示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图7示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图8示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图9示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图10示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图11示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图12示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图13示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图14示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。
图15示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。
图16A和16B示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的反射镜的形状的视图。
图17示出被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻方法的视图。
具体实施方式
在下面的描述中，光刻装置涉及通过利用电力阻挡颗粒接近掩模版的表面。此外，将在下文描述的光刻装置涉及通过利用电力捕获光刻装置内的颗粒。
虽然描述了光刻装置包括被夹到掩模版台200的掩模版210，但示范实施方式可以不被限制于此。也就是，贯穿以下说明，本领域技术人员将能区分掩模版与从其去除了掩模版的光刻装置。
图1是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。图2是被提供来说明图1的掩模版被夹到掩模版台的视图。图3是被提供来说明图1的掩模版台模块的视图。图4A至4C是被提供来说明图1的掩模版的形状的视图。
首先，参考图1至4C，根据一些示范实施方式的光刻装置可以包括主腔室100和源400。主腔室100可以包括第一子腔室110、第二子腔室120、掩模版台模块130、掩模版台电源300、照射系统反射镜501、502、投影光学系统反射镜601、602、603、604和晶片台700。
第一子腔室110可以位于主腔室100内。至少一个或更多个照射系统反射镜501、502可以设置在第一子腔室110内。
来自源400的曝光光入射在照射系统反射镜501、502上并被其反射，并且穿过第一子腔室110以入射在被夹到掩模版台200的掩模版210上。为了提高曝光光的反射效率，第一子腔室110的内部区域可以保持在真空状态。
第二子腔室120可以位于主腔室100内。至少一个或更多个投影光学系统反射镜601、602、603、604可以设置在第二子腔室120内。
从掩模版210的表面反射的曝光光可以入射在投影光学系统反射镜601、602、603、604上并被其反射，并且发射到晶片台700上的晶片。为了提高曝光光的反射效率，第二子腔室120的内部区域可以保持在真空状态。因此，掩模版210可以把曝光光从第一子腔室110反射到第二子腔室120。
掩模版台模块130可以位于主腔室100内，与第一子腔室110和第二子腔室120光学连通。掩模版台模块130可以包括掩模版台200、掩模版210、掩模版遮挡片205等等，如在图3中可以看见的。
掩模版台200可以位于主腔室100的上部分上，例如，可以被固定到主腔室100的上部内表面。掩模版210可以被夹到掩模版台200。掩模版台200可以执行扫描。
在图1至3中，掩模版210可以包括彼此相反的第一表面210a和第二表面210b。掩模版210可以包括形成在掩模版的第一表面210a上的图案区域215。
从第一子腔室110输出的曝光光可以入射在掩模版的在该处形成图案区域215的第一表面210a上。图案区域215可以包括用于吸收从源400产生的曝光光的材料。因此，进入掩模版210的第一表面210a的曝光光当中的剩余曝光光，例如不被图案区域215吸收的曝光光，被反射到第二子腔室120内的投影光学系统反射镜601。
如图4A至4C中所示，掩模版210可以包括在掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211和在掩模版的第二表面210b上的第二掩模版导电膜212。掩模版的第一表面210a可以由第一掩模版导电膜211限定并且掩模版的第二表面210b可以由第二掩模版导电膜212限定。例如，第一掩模版导电膜211可以包括钌(Ru)并且第二掩模版导电膜212可以包括铬氮化物(CrN)，但并不限于此。
如图3中所示，掩模版遮挡片205可以位于第一和第二子腔室110和120与掩模版台200之间。掩模版遮挡片205可以连接到第一子腔室110和/或第二子腔室120的外部，但并不限于此。掩模版遮挡片205可以调节进入掩模版的第一表面210a的曝光光的尺寸等等。
掩模版台电源300可以电连接到掩模版210和掩模版台200。在图2中，掩模版台电源300可以施加第一电压到掩模版台200并且施加具有与第一电压不同的正负号的第二电压到掩模版210。
由于掩模版台电源300连接到掩模版台200和掩模版210，所以静电力可以在掩模版台200和掩模版210之间产生。也就是，掩模版210可以用静电力被夹到掩模版台200。
掩模版的第二表面210b可以被设置为面对掩模版台200。接着，通过将掩模版台电源300连接到掩模版台200以及掩模版的第二表面210b，具有彼此不同的正负号或者极性的电压可以被施加到掩模版台200和掩模版的第二表面210b。利用静电力，掩模版的第二表面210b可以被夹到掩模版台200。
例如，在执行光刻工艺时，掩模版台电源300可以连续地提供正电压到掩模版台200并且连续地提供负电压到掩模版的第二表面210b。相反地，掩模版台电源300可以连续地提供负电压到掩模版台200并且连续地提供正电压到掩模版的第二表面210b。也就是，施加到掩模版台200的电压的极性以及施加到掩模版210的第二表面的电压的极性可以保持不变。
对于另一示例，在执行光刻工艺时，掩模版台电源300可以交替地提供正电压和负电压到掩模版台200，并且交替地提供负电压和正电压到掩模版的第二表面210b。也就是，施加到掩模版台200的电压的极性和施加到掩模版210的第二表面的电压的极性可以周期性地改变。
源400可以位于主腔室100外部。源400可以提供曝光光以在光刻中使用。源400可以发射曝光光到第一子腔室110内的照射系统反射镜501、502。源400可以例如是放电产生的等离子体(DPP)EUV光源、激光产生的等离子体(LPP)EUV光源、混合EUV光源、同步加速器EUV光源等等，但并不限于此。
反射镜501、502、601、602、603、604可以被定位在第一子腔室110和第二子腔室120内。反射镜501、502、601、602、603、604可以是从源400发射的曝光光以倾斜角入射在其上的反射镜，并且可以具有多层膜作为其反射表面。
为了转印精细图案到晶片上，投影光学系统反射镜601、602、603、604可以具有高分辨率。反射镜501、502、601、602、603、604的数目可以是例如六个，但并不限于此。
晶片台700可以位于主腔室100内的下部分。晶片可以被夹到晶片台700。晶片台700可以是可移动的，用于精确对准。此外，晶片台700可以在特定方向上移动用于光刻工艺。
参考图3至4C，将描述用于通过阻挡颗粒50被吸附在掩模版210的表面上而保护掩模版210的方法。在根据一些示范实施方式的光刻装置中，负电压可以被施加到掩模版的在该处形成图案区域215的第一表面210a。在施加负电压到掩模版的第一表面210时，颗粒可以被阻挡而不被吸附在掩模版210上。
例如，当负电压被施加到形成在掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211时，掩模版的第一表面210a可以具有负电压。第一掩模版导电膜211可以连接到能够提供负电压的负电压源1。
负电压源1可以是掩模版台电源300或者另一单独的电压源。参考图4A至4C，假设负电压源1是掩模版台电源300。
在图4A中，掩模版210可以包括电连接第一掩模版导电膜211与第二掩模版导电膜212的掩模版通路213。掩模版通路213可以通过延伸穿过掩模版210而形成。
当掩模版台电源300施加负电压到第二掩模版导电膜212时，通过掩模版通路213连接到第二掩模版导电膜212的第一掩模版导电膜211可以具有负电压。也就是，负电压可以被施加到掩模版的第一表面210a。
在图4B中，掩模版210可以包括电连接第一掩模版导电膜211与第二掩模版导电膜212的侧壁导电膜214。侧壁导电膜214可以沿着连接掩模版的第一表面210a与掩模版的第二表面210b的侧壁形成。
当掩模版台电源300施加负电压到第二掩模版导电膜212时，通过侧壁导电膜214连接到第二掩模版导电膜212的第一掩模版导电膜211可以具有负电压。也就是，负电压可以被施加到掩模版的第一表面210a。
在图4C中，掩模版210可以包括形成在图案区域215的周边上的连接垫216。连接垫216可以形成在掩模版210的边缘的周边上。连接垫216可以形成在第一掩模版导电膜上并且电连接到第一掩模版导电膜。
掩模版台电源300可以连接到连接垫216以施加负电压到第一掩模版导电膜211。也就是，负电压可以被施加到掩模版的第一表面210a。
在图4A和4B中，第一掩模版导电膜211可以通过第二掩模版导电膜212连接到提供负电压的掩模版台电源300。同时，在图4C中，第一掩模版导电膜211可以连接到掩模版台电源300而不经过第二掩模版导电膜212。
在执行光刻工艺时，当掩模版台电源300连续地提供负电压到第二掩模版导电膜212时，可以使用图4A至4C中例示的掩模版。
同时，在执行光刻工艺时，当掩模版台电源300交替地提供负电压和正电压到第二掩模版导电膜212时，在图4A和4B中说明的掩模版的第一表面210a可以被交替地施加有负电压和正电压。
因此，当掩模版台电源300交替地提供负电压和正电压到第二掩模版导电膜212时，第二掩模版导电膜212的形状等等可以被调节以便连续地施加负电压到掩模版的第一表面210a。
施加到图4C中描述的掩模版的第一表面210a的电压可以与施加到掩模版的第二表面210b的电压不相关。第一掩模版导电膜211可以连接到掩模版台电源300而不经过(例如不电连接)第二掩模版导电膜212。
接着，在下面将说明存在于光刻装置内的颗粒50的电荷。在源400内，存在氢气流以传送EUV光并且防止集电极(collector)的污染。此外，产生EUV光的工艺可以使用例如在大功率脉冲激光器撞击锡(Sn)颗粒时产生的等离子体。
因此，在以上工艺期间，源400和主腔室100内的氢很可能以电离状态存在。结果，大量与氢分离的电子可以存在于主腔室100内。
因此，当主腔室100内的电子附着在颗粒50上时，颗粒50可以是带负电的。在掩模版210的周边上和掩模版的第一表面210a上的颗粒50也很可能是带负电的。
结果，当负电压被施加到掩模版的第一表面210a时，排斥力会施加在掩模版210与在掩模版210的周边上和掩模版的第一表面210a上的具有负电荷的颗粒50之间。因此，在掩模版210的周边上和掩模版的第一表面210a上的具有负电荷的颗粒50会在远离掩模版的第一表面210a的方向上移动。通过阻挡颗粒50被吸附在掩模版210的表面上，可以保护掩模版210的表面不受主腔室100内的颗粒50影响。
图5是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。为了说明的方便，下面将主要说明图5与图1至4C之间的差异。
参考图5，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，掩模版台模块130可以还包括电子供给源220。电子供给源220可以布置为向掩模版的第一表面210a上或者掩模版210的周边上的颗粒50供给电子221。
在氢等离子体的影响下，在主腔室100内的颗粒50可以具有带负电的颗粒、中性颗粒、和带正电的颗粒的混合物。在这种情况下，在施加到掩模版的第一表面210a的负电压的电力的影响下，带负电的颗粒可以在远离掩模版210的方向上移动。然而，中性颗粒或者带正电的颗粒可以不在远离掩模版210的方向上移动。
因此，由于电子221通过利用电子供给源220被提供到在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的颗粒50，所以在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的颗粒50可以是带负电的。通过利用电子供给源220，在掩模版210的周边上和掩模版的第一表面210a上的带负电的颗粒50也可以在远离掩模版的第一表面210a的方向上移动。
电子供给源220可以电连接到电压源1。电压源1可以是掩模版台电源300或者另一单独的电压源。
虽然图5示出电子供给源220在掩模版台200与掩模版遮挡片205之间，但这仅是为了说明的方便，示范实施方式不限于此。
图6是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图7是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图8是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。为了说明的方便，下面将主要说明图6至8与图1至4C之间的差异。
参考图6和8，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，掩模版台模块130可以还包括连接到掩模版210的电场帘(electric field curtain)230。
电场帘230可以被布置为调节在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的颗粒50的移动方向。例如，电场帘230可以包括突出超过掩模版的第一表面210a(例如，可以从第一表面210a朝向腔室100的底表面延伸)的至少一个或更多个导体231、232。
虽然图6至8示出电场帘230包括第一帘导体231和第二帘导体232，但这仅仅是为了说明的方便，示范实施方式不限于此。
在图6中，电场帘230可以连接到负电压源2。例如，第一帘导体231和第二帘导体232可以分别连接到负电压源2。
由于负电压被施加到第一帘导体231和第二帘导体232，所以电场帘230可以施加排斥力到在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的具有负电荷的颗粒50。也就是，电场帘230可以允许在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的具有负电荷的颗粒50远离掩模版210移动。结果，在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的具有负电荷的颗粒50可以远离掩模版的第一表面210a移动。
负电压源2可以是掩模版台电源300或者另一单独的电压源。此外，负电压源2可以是或者可以不是连接到掩模版的第一表面210a的负电压源1。当负电压源2是负电压源1时，第一帘导体231和第二帘导体232可以电连接到在掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211。当负电压源2是掩模版台电源300或者单独的电压源时，第一帘导体231和第二帘导体232可以电连接到在掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211或者与该第一掩模版导电膜211电分离。
在图7中，电场帘230可以连接到正电压源1。例如，第一帘导体231和第二帘导体232可以分别连接到正电压源1。
由于正电压被施加到第一帘导体231和第二帘导体232，所以电场帘230可以施加吸引力到在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的具有负电荷的颗粒50。
在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的具有负电荷的颗粒50到达或者接近掩模版210之前，电场帘230可以吸引在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的具有负电荷的颗粒50。
在带负电的颗粒50到达掩模版的第一表面210a之前，电场帘230可以捕获在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的带负电的颗粒50。结果，可以保护掩模版210的表面不受主腔室100内的颗粒50影响。
正电压源1可以是掩模版台电源300或者单独的电压源。因为正电压被施加到电场帘230，所以第一帘导体231和第二帘导体232可以与掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211电分离。
在图8中，电场帘230可以连接到正电压源2和负电压源3。例如，第一帘导体231可以连接到正电压源2并且第二帘导体232可以连接到负电压源3。
由于具有不同正负号的电压被施加到第一帘导体231和第二帘导体232，所以电场帘230可以在从第二帘导体232到第一帘导体231的方向上移动具有负电荷的颗粒50。也就是，由于具有负电荷的颗粒50在平行于具有电场帘230的掩模版的第一表面210a的方向上移动，所以可以保护掩模版210的表面不受主腔室100内的颗粒50影响。
正电压源2和负电压源3可以是来自一个电压源的正端子和负端子，虽然示范实施方式可以不限于此。正电压源2和负电压源3可以被包括在掩模版台电源300或者单独的电压源中。
被施加有正电压的第一帘导体231可以与形成在掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211电分离。然而，被施加有负电压的第二帘导体232可以电连接到第一掩模版导电膜211或者与第一掩模版导电膜211电分离。
图9是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。为了说明的方便，下面将主要说明图9与图1至4C之间的差异。
参考图9，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，掩模版台模块130可以还包括连接到掩模版台200的电场帘230。电场帘230可以被布置为调节在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的颗粒50的移动方向。
例如，电场帘230可以包括突出得比掩模版台200的第一表面210a更远(例如，可以从掩模版台200的上表面经过掩模版210朝向主腔室200的底表面延伸)的至少一个或更多个导体231、232。如图9所示，电场帘230可以包括第一帘导体231和第二帘导体232，但是这仅是为了说明的方便并且示范实施方式不限于此。
电场帘230可以连接到电压源2和电压源3。例如，第一帘导体231可以连接到电压源2并且第二帘导体232可以连接到电压源3。
例如，电压源2和电压源3两者可以是负电压源，如以上结合图6说明的。对于另一示例，电压源2和电压源3两者可以是正电压源，如以上结合图7说明的。对于又一示例，电压源2可以是正电压源并且电压源3可以是负电压源，如以上结合图8说明的。
图10是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图11是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图12是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。图13是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。为了说明的方便，下面将主要说明图10至13与图1至4C之间的差异。
参考图10至13，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，负电压可以不被施加到掩模版的在该处形成图案区域215的第一表面210a。此外，掩模版台模块130可以还包括例如在掩模版210自身上或者在掩模版台200上的电场帘230。
也就是，形成在掩模版的第一表面210a上的第一掩模版导电膜211可以不连接到电压源。因此，掩模版的第一表面210a可以被保持在不被施加电压的状态。
在图10至12中，电场帘230可以连接到掩模版210，并且可以包括向上突出得高于掩模版的第一表面210a的一个或更多个导体231、232。
在图10中，电场帘230可以连接到负电压源2。例如，第一帘导体231和第二帘导体232可以分别连接到负电压源，如以上结合图6说明的。
在图11中，电场帘230可以连接到正电压源1。例如，第一帘导体231和第二帘导体232可以分别连接到正电压源1，如以上结合图7说明的。
在图12中，电场帘230可以连接到正电压源2和负电压源3。例如，第一帘导体231可以连接到正电压源2并且第二帘导体232可以连接到负电压源3，如以上结合图8说明的。
在图13中，电场帘230可以连接到掩模版台200。电场帘230可以包括突出得超过掩模版台200的第一表面210a(例如，可以从掩模版台200的上表面经过掩模版210朝向主腔室200的底表面延伸)的至少一个或更多个导体231、232。
电场帘230可以连接到电压源2和电压源3。例如，第一帘导体231可以连接到电压源2并且第二帘导体232可以连接到电压源3。
例如，电压源2和电压源3两者可以是负电压源，如以上结合图6说明的。对于另一示例，电压源2和电压源3两者可以是正电压源，如以上结合图7说明的。对于又一示例，电压源2可以是正电压源并且电压源3可以是负电压源，如以上结合图8说明的。
图14是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的掩模版台模块的视图。为了说明的方便，下面将主要说明图14与图10之间的差异。
在根据一些示范实施方式的光刻装置中，掩模版台模块130可以还包括电子供给源220。电子供给源220可以布置为向掩模版的第一表面210a上或者掩模版210的周边上的颗粒50供给电子221。更具体而言，电子供给源220可以布置为在颗粒50进入电场帘230之前提供电子221到颗粒50。
通过利用电子供给源220，电子221可以被提供到在掩模版的第一表面210a上或者在掩模版210的周边上的颗粒50，使得颗粒50可以在进入电场帘230之前带负电。电场帘23可以调节带负电的颗粒50的移动方向。
虽然图14示出电子供给源220在电场帘230与掩模版遮挡片205之间，但这仅是为了说明的方便，示范实施方式不限于此。
图15是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的示意图。为了说明的方便，下面将主要说明图15与图1至4C之间的差异。
参考图15，根据一些示范实施方式的光刻装置可以还包括第一颗粒捕获电极101、第二颗粒捕获电极111和第三颗粒捕获电极121。
主腔室100可以包括第一颗粒捕获电极101。第一颗粒捕获电极101可以被施加有正电压。第一颗粒捕获电极101可以捕获主腔室100内的漂浮颗粒当中的具有负电荷的颗粒。例如，第一颗粒捕获电极101可以包括在掩模版台模块130的相反侧上彼此面对的一对电极，例如，可以从主腔室100的内侧表面延伸。
第一子腔室110可以包括第二颗粒捕获电极111。第二颗粒捕获电极111可以被施加有正电压。第二颗粒捕获电极111可以捕获在第一子腔室110内的漂浮颗粒当中的具有负电荷的颗粒。例如，第二颗粒捕获电极111可以包括一对电极，例如第一电极和第二电极，第一电极从第一子腔室110的外侧壁向内延伸，例如在第一子腔室110中的最高的反射镜501之上，第二电极从第一子腔室110的底表面向上延伸。
第二子腔室120可以包括第三颗粒捕获电极121。第三颗粒捕获电极121可以被施加有正电压。第三颗粒捕获电极121可以捕获在第二子腔室120内的漂浮颗粒当中的具有负电荷的颗粒。例如，第三颗粒捕获电极121可以包括一对电极，例如第一电极和第二电极，第一电极从第二子腔室120的外侧壁向内延伸，例如，在第二子腔室120中的反射镜之间并且低于第二颗粒捕获电极111的第一电极，第二电极从第二子腔室120的底表面向上延伸。
第一至第三颗粒捕获电极101、111、121可以通过捕获主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120内的颗粒而防止主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120内的漂浮颗粒移动。
虽然图15示出第一至第三颗粒捕获电极101、111、121分别形成在主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120中，但示范实施方式可以不限于此。也就是，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120中的至少一个中可以包括施加有正电压的颗粒捕获电极。
图15示出第一至第三颗粒捕获电极101、111、121分别成对地形成在主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120内，但这仅是为了说明的方便，示范实施方式不限于此。虽然图15示出第一至第三颗粒捕获电极101、111、121具有从腔室壁伸出的条形形状，但示范实施方式可以不限于此。
另外，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，当主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120中的至少一个包括在腔室内的颗粒捕获电极并且颗粒捕获电极被施加有正电压时，掩模版的图3的第一表面210a可以不被施加负电压。此外，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，当主腔室100、第一子腔室110和第二子腔室120中的至少一个包括在腔室内的颗粒捕获电极并且颗粒捕获电极被施加有正电压时，掩模版台模块130可以不包括电子供给源220、电场帘230等等。
图16A和16B是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻装置的反射镜的形状的视图。作为参考，图16A例示了照射系统反射镜之一以及图16B例示了投影光学系统反射镜之一。
参考图16A，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，照射系统反射镜501可以包括第一反射金属膜501a、第一反射镜电极501c以及在第一反射金属膜501a与第一反射镜电极501c之间的第一反射镜绝缘膜501b。
第一反射金属膜501a可以反射进入照射系统反射镜501的曝光光。第一反射镜电极501c可以形成在第一反射金属膜501a周围，例如可以围绕第一反射金属膜501a的周边。第一反射镜电极501c可以与第一反射金属膜501a电分离，例如，第一反射镜绝缘膜501b可以电分离第一反射镜电极501c与第一反射金属膜501a。
第一反射镜电极501c和第一反射金属膜501a可以连接到彼此极性不同的电压。也就是，当第一反射金属膜501a连接到正电压时，第一反射镜电极501c可以连接到负电压。当然，以上可以相反地实现。
因为照射系统反射镜501是消耗品，所以照射系统反射镜501的第一反射金属膜501a的一部分可能在光刻装置的操作期间被刮掉。当被刮掉的金属膜存在于照射系统反射镜501的第一反射金属膜501a上时，畸变会发生在反射的曝光光中。然而，当第一反射镜电极501c和第一反射金属膜501a连接到彼此不同极性的电压时，被刮掉的第一反射金属膜501a的一部分可以向第一反射镜电极501c的方向移动。结果，发生在反射的曝光光中的畸变可以被减轻。
参考图16B，在根据一些示范实施方式的光刻装置中，投影光学系统反射镜601可以包括第二反射金属膜601a、第二反射镜电极601c以及在第二反射金属膜601a与第二反射镜电极601c之间的第二反射镜绝缘膜601b。
第二反射金属膜601a可以反射进入投影光学系统反射镜601的曝光光。第二反射镜电极601c可以形成在第二反射金属膜601a周围，例如，第一反射镜绝缘膜601b可以电分离第一反射镜电极601c与第一反射金属膜601a。第二反射镜电极601c可以与第二反射金属膜601a电分离，例如，第二反射镜绝缘膜601b可以电分离第二反射镜电极601c与第二反射金属膜601a。
第二反射镜电极601c和第二反射金属膜601a可以连接到不同极性的电压。也就是，当第二反射金属膜601a连接到正电压时，第二反射镜电极601c可以连接到负电压。当然，以上可以相反地实现。
因为投影光学系统反射镜601是消耗品，所以投影光学系统反射镜601的第二反射金属膜601a的一部分可能在光刻装置的操作期间被刮掉。当被刮掉的金属膜存在于投影光学系统反射镜601上时，反射的曝光光会具有畸变的发生。然而，当第二反射镜电极601c和第二反射金属膜601a连接到不同极性的电压时，被刮掉的第二反射金属膜601a的一部分可以向第二反射镜电极601c的方向移动。结果，发生在反射的曝光光中的畸变可以被减轻。
包括在参考图1至15描述的光刻装置中的照射系统反射镜501、502和投影光学系统反射镜601、602、603、604可以具有或者可以不具有在图16A和16B中描述的形状。
当具有在图16A和16B中描述的形状以外的形状时，在参考图1至15描述的光刻装置中包括的照射系统反射镜501、502和投影光学系统反射镜601、602、603、604可以不包括第一反射镜电极501c和第二反射镜电极601c。也就是，电压源可以不连接到照射系统反射镜501、502和投影光学系统反射镜601、602、603、604。
此外，照射系统反射镜501、502和投影光学系统反射镜601、602、603、604可以不包括第一反射镜绝缘膜501b和第二反射镜绝缘膜601b。
图17是被提供来说明根据一些示范实施方式的光刻方法的视图。参考图17，掩模版210可以被掩模版搬运器800移动，穿过机器人腔室900、并且到达掩模版台200。掩模版210可以被夹到掩模版台200。掩模版搬运器腔室810和机器人腔室900可以保持在真空状态。
当掩模版210被夹到掩模版台200时，负电压可以被施加到掩模版的第一表面210a。此外，在掩模版210被夹到掩模版台200之后，负电压可以被施加到掩模版的第一表面210a。
源400可以发射曝光光到第一子腔室110内的反射镜501。源400可以是例如DPPEUV光源、LPP EUV光源、混合EUV光源、同步加速器EUV光源等等。
曝光光可以被第一子腔室110内的多个照射系统反射镜501、502反射以到达掩模版210的表面，即，掩模版的第一表面210a。被掩模版210的表面反射的曝光光可以被第二子腔室120内的多个投影光学系统反射镜601、602、603、604反射以被发射到晶片。
通过总结和回顾，一个或更多个实施方式可以提供能通过利用电力保护掩模版的表面免受颗粒污染的光刻装置和方法。例如，保护导体例如可以被提供在掩模版台模块中和/或在腔室中，以保护掩模版免受颗粒污染。例如，当保护导体覆盖掩模版的在其上具有图案区域的表面时，负电压可以被施加到其以排斥颗粒。当保护导体在掩模版台模块中但是不覆盖掩模版的在其上具有图案区域的表面时，负电压或者正电压可以被施加到其以排斥或者吸引颗粒。当保护导体在掩模版台模块外部的腔室中时，正电压可以被施加到其以吸引颗粒。电场帘可以被提供以保证所有颗粒都带负电从而进一步增强吸引或者推斥。
在此已经公开了示例实施方式，虽然采用了特定术语，但它们应该仅以一般的和描述的意义上来使用和被理解而不是为了限制的目的。在一些情况下，如对于提交本申请时起，对于本领域普通技术人员来说明显的是，结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用，或者可以与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非明确地另外指示。因此，本领域技术人员将理解，可以在形式和细节方面进行各种变化而不背离如在权利要求中阐述的本发明的精神和范围。
2016年12月12日在韩国知识产权局提交的发明名称为“Lithography Apparatus(光刻装置)”的韩国专利申请第10-2016-0168635号通过引用被整体合并于此。

Claims (14)

1.一种光刻装置，包括：
掩模版，具有沿第一方向彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的图案区域；
掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版并且包括面对所述掩模版的第三表面；
电场帘，连接到所述掩模版的所述第一表面或者所述掩模版台的所述第三表面的被所述掩模版露出的部分，布置为调节在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的颗粒的移动方向，并且所述电场帘包括至少一个导体，所述电场帘在所述第一方向上延伸而远离所述掩模版台和所述掩模版的所述第一表面；
第一电源，用于提供负电压到所述掩模版的所述第一表面以便防止颗粒吸附在所述掩模版上；以及
第二电源，提供电压至所述至少一个导体。
2.如权利要求1所述的光刻装置，还包括电子供给源以提供电子到在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的所述颗粒。
3.如权利要求1所述的光刻装置，其中：
所述至少一个导体被施加有负电压，并且
所述电场帘通过施加排斥力到所述颗粒而引起所述颗粒远离所述掩模版移动。
4.如权利要求1所述的光刻装置，其中：
所述至少一个导体被施加有正电压，并且
所述电场帘通过在所述颗粒到达所述掩模版之前向所述颗粒施加吸引力而捕获所述颗粒。
5.如权利要求1所述的光刻装置，其中：
所述电场帘包括将被提供有负电压的第一导体和将被提供有正电压的第二导体，并且
所述电场帘在从所述第一导体到所述第二导体的方向上移动所述颗粒。
6.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述掩模版用静电力被夹到所述掩模版台。
7.一种光刻装置，包括：
源，用于提供曝光光；
第一子腔室，包括设置在其中以反射所述曝光光的至少一个照射系统反射镜；
掩模版台模块，包括反射从所述第一子腔室输出的所述曝光光的掩模版，其中所述掩模版包括所述曝光光入射在其上的第一表面、沿第一方向与所述第一表面相反的第二表面以及在所述第一表面上的图案区域；
第二子腔室，包括在其中的至少一个投影光学系统反射镜以投射从所述掩模版反射的所述曝光光到晶片上；以及
晶片台，所述晶片将被夹到所述晶片台，
其中所述掩模版台模块还包括：
掩模版台，面对所述掩模版的所述第二表面，所述掩模版台用于夹住所述掩模版并且包括面对所述掩模版的第三表面；
电场帘，连接到所述掩模版的所述第一表面或者所述掩模版台的所述第三表面的被所述掩模版露出的部分，布置为调节在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的颗粒的移动方向，并且所述电场帘包括至少一个导体，所述电场帘在所述第一方向上延伸而远离所述掩模版台和所述掩模版的所述第一表面；
第一电源，用于提供负电压到所述掩模版的所述第一表面以便阻挡颗粒吸附在所述掩模版上；以及
第二电源，提供电压至所述至少一个导体。
8.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述掩模版台模块还包括电子供给源以提供电子到在所述掩模版的所述第一表面上或者在所述掩模版的周边上的所述颗粒。
9.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述第二子腔室还包括在所述第二子腔室内的颗粒捕获电极，所述颗粒捕获电极被施加有正电压。
10.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述曝光光是极紫外光。
11.如权利要求7所述的光刻装置，其中：
所述至少一个导体被施加有负电压，并且
所述电场帘通过施加排斥力到所述颗粒而引起所述颗粒远离所述掩模版移动。
12.如权利要求7所述的光刻装置，其中：
所述至少一个导体被施加有正电压，并且
所述电场帘通过在所述颗粒到达所述掩模版之前向所述颗粒施加吸引力而捕获所述颗粒。
13.如权利要求7所述的光刻装置，其中：
所述电场帘包括将被提供有负电压的第一导体和将被提供有正电压的第二导体，并且
所述电场帘在从所述第一导体到所述第二导体的方向上移动所述颗粒。
14.如权利要求7所述的光刻装置，其中所述掩模版用静电力被夹到所述掩模版台。
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