KR20200128270A - Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200128270A
KR20200128270A KR1020190051619A KR20190051619A KR20200128270A KR 20200128270 A KR20200128270 A KR 20200128270A KR 1020190051619 A KR1020190051619 A KR 1020190051619A KR 20190051619 A KR20190051619 A KR 20190051619A KR 20200128270 A KR20200128270 A KR 20200128270A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
euv
exposure apparatus
source
disposed
Prior art date
Application number
KR1020190051619A
Other languages
English (en)
Inventor
배근희
박진홍
허진석
고희영
홍성철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020190051619A priority Critical patent/KR20200128270A/ko
Priority to US16/678,274 priority patent/US10754254B1/en
Priority to CN201911345549.3A priority patent/CN111880374B/zh
Publication of KR20200128270A publication Critical patent/KR20200128270A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 EUV 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 그의 장치는 챔버와, 상기 챔버의 일측 내에 배치되어 EUV 빔을 생성하는 EUV 소스와, 상기 EUV 소스 상에 배치되어 상기 EUV 빔을 기판에 제공하는 광학계와, 상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 수납하는 기판 스테이지와, 상기 챔버 내에 배치되어 상기 EUV 빔을 상기 기판에 투영시키는 레티클을 고정하는 레티클 스테이지와, 상기 레티클에 플라즈마를 제공하여 상기 EUV 빔에 의해 대전되는 상기 레티클을 전기적으로 중성화시키는 플라즈마 소스를 포함한다.

Description

EUV 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법{apparatus for exposing Extreme Ultraviolet light and manufacturing method of semiconductor device using the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조 시스템 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 EUV 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
정보 기술이 발달함에 따라 고집적 반도체 소자들의 연구 개발이 활발히 이루어지고 있다. 반도체 소자들의 집적도는 리소그래피 공정의 광원의 파장에 의해 거의 결정될 수 있다. 광원은 I-line, G-line, KrF, 및 ArF와 같은 엑시머 레이저 광원과 상기 엑시머 레이저 광원보다 짧은 파장의 EUV 광원(Extreme Ultraviolet light source)을 포함할 수 있다. 그 중에 EUV 광원은 엑시머 레이저 광원보다 에너지가 훨씬 크다. EUV 광원은 레티클의 파티클 오염을 발생시킬 수 있다. 오염된 레티클은 교체되어 사용되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 파티클의 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있는 EUV 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 EUV 노광 장치를 개시한다. 그의 장치는, 챔버; 상기 챔버의 일측 내에 배치되고, EUV 빔을 생성하는 EUV 소스; 상기 EUV 소스 상에 배치되고, 상기 EUV 빔을 기판에 제공하는 광학계; 상기 챔버 내에 배치되고, 상기 기판을 수납하는 기판 스테이지; 상기 챔버 내에 배치되고, 상기 EUV 빔을 상기 기판에 투영시키는 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 및 상기 레티클에 플라즈마를 제공하여 상기 EUV 빔에 의해 대전되는 상기 레티클을 전기적으로 중성화시키는 플라즈마 소스를 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 EUV 노광 장치는 챔버; 상기 챔버의 일측 내에 배치되어 EUV 빔을 생성하는 EUV 소스; 상기 EUV 소스 상에 배치되어 상기 EUV 빔을 기판에 제공하는 광학계; 상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 수납하는 기판 스테이지; 상기 챔버 내에 배치되어 상기 EUV 빔을 상기 기판에 투영시키는 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 상기 레티클 스테이지 상에 배치되어 상기 레티클을 고정하는 레티클 척; 및 상기 레티클 척 및 상기 EUV 소스를 제어하는 제어부를 포함한다. 여기서, 상기 제어부는 상기 레티클 척에 제공되는 정전압을 계단식으로 증가시키거나 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 노광 장치를 이용한 반도체 소자의 제조 방법은 노광 장치의 레티클을 이용하여 기판의 노광 공정을 수행하는 단계; 및 상기 레티클을 교환하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 레티클을 교환하는 단계는: 상기 레티클 상에 플라즈마를 국부적으로 생성시키는 단계; 및 상기 노광 장치의 레티클 척에 제공되는 정전압을 계단식으로 감소하는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 EUV 노광 장치는 레티클 상에 플라즈마를 국부적으로 생성하는 플라즈마 소스를 이용하여 상기 레티클의 파티클 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 노광 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 플라즈마 소스들의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 고속 교환 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 I-I'선상을 절취하여 보여주는 단면도들이다.
도 6은 도 2의 플라즈마 소스의 다른 예를 보여주는 도면이다
도 7은 도 2의 플라즈마 소스의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 2의 레티클 척에 제공되는 정전압의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 9는 도 2의 레이저에 제공되는 파워와, EUV 빔의 펄스 세기를 보여주는 그래프들이다.
도 10은 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 11은 도 10의 노광 공정을 수행하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 12는 도 2의 레티클을 교환하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조 시스템(100)의 일 예를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조 시스템(100)은 포토리소그래피 시스템일 수 있다. 반도체 소자의 제조 시스템(100)은 기판(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 일 예에 따르면, 반도체 소자의 제조 시스템(100)은 스피너 장치(10), 노광 장치(20) 및 레티클 저장 장치(30)를 포함할 수 있다. 스피너 장치(10) 및 노광 장치(20)는 기판(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 기판(W)은 스피너 장치(10) 및 노광 장치(20) 사이에 전달될 수 있다. 스피너 장치(10)는 포토레지스트의 도포 공정, 및 현상 공정을 수행할 수 있다. 노광 장치(20)는 포토레지스트의 노광 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 노광 장치(20)는 EUV 노광 장치일 수 있다. 레티클 저장 장치(30)는 레티클(R)을 일시적 및/또는 영구적으로 저장할 수 있다. 레티클(R)은 그들의 교환 때마다, 노광 장치(20)와 레티클 저장 장치(30) 사이에 전달될 수 있다. 레티클(R)은 기판(W)보다 크거나 같을 수 있다. 레티클(R)은 레티클 포드(reticle pod) 내에 탑재되어 노광 장치(20)와 레티클 저장 장치(30) 사이에 이동될 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 가능할 수 있다.
도 2는 도 1의 노광 장치(20)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 노광 장치(20)는 챔버(210), EUV 소스(220), 광학계(230), 레티클 스테이지(240), 기판 스테이지(250), 고속 교환 장치(rapid exchange device, 260), 플라즈마 소스(270), 및 제어부(280)를 포함할 수 있다.
챔버(210)는 기판(W) 및 레티클(R)에 대하여 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 챔버(210)는 진공 상태를 가질 수 있다.
EUV 소스(220)는 챔버(210)의 일측 내에 배치될 수 있다. EUV 소스(220)는 EUV 빔(22)을 생성할 수 있다. EUV 빔(22)은 플라즈마 빔일 수 있다. 일 예로, EUV 소스(220)는 소스 방울 생성기(222), 레이저(224) 및 콜렉터 미러(226)를 포함할 수 있다. 소스 방울 생성기(222)는 소스 방울(221)을 생성할 수 있다. 소스 방울(221)은 주석(Sn), 제논(Xe) 가스, 티타늄(Ti), 또는 리튬(Li)의 금속 액체 방울을 포함할 수 있다. 레이저(224)는 소스 방울(221)에 레이저 빔(223)을 제공하여 EUV 빔(22)을 생성시킬 수 있다. 레이저 빔(223)은 EUV 빔(22)의 펌프 광일 수 있다. EUV 빔(22)의 세기는 레이저 빔(223)의 세기 또는 파워에 비례할 수 있다. 콜렉터 미러(226)는 EUV 빔(22)을 광학계(230)에 집속(focus)시킬 수 있다. 예를 들어, 콜렉터 미러(226)는 오목 미러(concave mirror)를 포함할 수 있다.
광학계(230)는 레티클 스테이지(240)와 기판 스테이지(250) 사이에 배치될 수 있다. 광학계(230)는 EUV 빔(22)을 레티클(R)과 기판(W)에 순차적으로 제공할 수 있다. 일 예로, 광학계(230)는 필드 패싯 미러(232), 퓨필 패싯 미러(234), 그레이징 미러(236) 및 투영 미러들(238)을 포함할 수 있다. 필드 패싯 미러(232), 퓨필 패싯 미러(234) 및 그레이징 미러(236)는 EUV 빔(22)을 레티클(R)에 제공하는 조명 시스템(illumination system)으로 사용될 수 있다. 필드 패싯 미러(232)는 EUV 빔(22)을 퓨필 패싯 미러(234)에 반사할 수 있다. 퓨필 패싯 미러(234)는 EUV 빔(22)을 레티클(R)에 반사할 수 있다. 필드 패싯 미러(232) 및 퓨필 패싯 미러(234)는 EUV 빔(22)을 시준(collimate)할 수 있다. 그레이징 미러(236)는 퓨필 패싯 미러(234)와 레티클(R) 사이에 배치될 수 있다. 그레이징 미러(236)는 EUV 빔(22)의 스침 입사 각(grazing incident angle)을 조절할 수 있다. 투영 미러들(238)은 EUV 빔(22)을 기판(W)에 제공하는 대물렌즈(projection objective)로 사용될 수 있다. 투영 미러들(238)은 기판(W)에 EUV 빔(22)을 제공할 수 있다.
레티클 스테이지(240)는 챔버(210)의 상부에 배치될 수 있다. 레티클 스테이지(240)는 레티클 척(242)을 가질 수 있다. 레티클 척(242)은 정전압(도 8의 244)을 이용하여 레티클(R)을 정전기적으로 고정(hold)할 수 있다. 예를 들어, 레티클(R)은 반사형 마스크일 수 있다. 레티클(R)은 EUV 빔(22)의 일부를 투영 미러들(238)에 반사하고, 상기 EUV 빔(22)의 다른 일부를 흡수할 수 있다. 투영 미러들(238)은 반사된 EUV 빔(22)의 일부를 기판(W)에 다시 반사할 수 있다.
기판 스테이지(250)는 챔버(210)의 하부에 배치될 수 있다. 기판 스테이지(250)는 기판 척(252)을 가질 수 있다. 기판 척(252)은 기판(W)을 수납할 수 있다. 기판 척(252)은 기판(W)을 정전기적으로 고정할 수 있다. 기판(W) 은 EUV 빔(22)에 노출될 수 있다. 기판(W) 상의 포토레지스트는 레티클(R)의 패턴에 따라 부분적으로 감광될 수 있다.
한편, 챔버(210)의 타측에 보조 챔버(212)가 제공될 수 있다. 레티클(R)이 교체될 때마다, 보조 챔버(212)는 레티클(R)을 일시적으로 저장할 수 있다. 보조 챔버(212) 내의 레티클(R)은 반송 장치(ex, OHT(Overhead Hoisting Transfer)에 의해 도 1의 레티클 저장 장치(30)로 이송될 수 있다.
고속 교환 장치(260)는 레티클 스테이지(240)와 보조 챔버(212) 사이에 배치될 수 있다. 고속 교환 장치(260)는 레티클 척(242) 상의 레티클(R)을 교체할 수 있다. 고속 교환 장치(260)는 레티클(R)을 레티클 척(252)과 보조 챔버(212) 사이에 전달할 수 있다.
플라즈마 소스들(270)은 레티클(R)에 인접하여 배치될 수 있다. 플라즈마 소스들(270)은 레티클(R) 외곽의 레티클 스테이지(240)의 양측들에 각각 배치될 수 있다. 플라즈마 소스들(270)은 레티클 스테이지(250)와 광학계(230) 사이에 배치될 수 있다.
도 3은 도 2의 플라즈마 소스들(270)의 일 예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 플라즈마 소스들(270)은 플라즈마(274)를 생성하여 레티클(R)을 전기적으로 중성화시킬 수 있다. 일 예로, 플라즈마 소스들(270)은 필라멘트 전극일 수 있다.
레티클(R)은 레티클 척(242)의 정전압(도 8의 244) 또는 EUV 빔(22)에 의해 음의 전하 또는 양의 전하로 대전될 수 있다. 플라즈마 소스들(270)은 플라즈마 전극으로 사용되어, 레티클(R) 상에 플라즈마(274)를 생성할 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R)을 전기적으로 처리(treat)하여 상기 레티클(R)을 중성화할 수 있다. EUV 빔(22)이 레티클(R)에 제공되지 않을 경우, 플라즈마(274)는 레티클(R) 상에 국부적으로 생성될 수 있다. 전원들(272)이 플라즈마 소스들(270)에 제 1 전압(V1)을 제공하면, 플라즈마 소스들(270)은 제 1 전압(V1)을 이용하여 플라즈마(274)를 생성할 수 있다. 제 1 전압(V1)은 직류 또는 교류의 고주파 파워(radiofrequency power)일 수 있다. 이와 달리, 플라즈마(274)는 레티클(R)을 건식 방법으로 세정시킬 수 있다. 따라서, 플라즈마 소스(270)는 플라즈마(274)를 이용하여 레티클(R) 상의 파티클(290)의 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 제어부(280)는 레이저(224) 및 레티클 척(242)에 연결될 수 있다. 나아가, 제어부(280)는 기판 척(252)에 연결될 수 있다. 제어부(280)는 레이저(224)에 파워를 제공하여 EUV 빔(22)의 세기를 증가시키거나 감소시킬 수 있다. 제어부(280)는 레티클 척(242) 및 기판 척(252)에 정전압을 제공하여 상기 레티클 척(242) 및 상기 기판 척(252) 상에 레티클(R) 및 기판(W)을 각각 고정시킬 수 있다. 또한, 제어부(280)는 레티클 척(242) 및 기판 척(252)을 제어하여 EUV 빔(22)을 기판(W)에 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 기판(W) 상의 포토레지스트는 레티클 척(242) 및 기판 척(252)의 이동에 따라, EUV 빔(22)에 점진적으로 스캐닝될 수 있다.
도 4는 도 2의 고속 교환 장치(260)의 일 예를 보여준다. 도 5a 및 도 5b는 도 4의 I-I'선상을 절취하여 보여준다.
도 4, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 고속 교환 장치(260)는 플라즈마 소스(270)일 수 있다. 전원(272)은 레티클 스테이지(240)와 고속 교환 장치(260)에 연결되고, 상기 레티클 스테이지(240)와 상기 고속 교환 장치(260) 사이에 제 1 전압(V1)을 제공할 수 있다. 고속 교환 장치(260)는 제 1 전압(V1)을 이용하여 레티클(R) 상에 플라즈마(274)를 생성할 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R)을 중성화시킬 수 있다.
이와 달리, 레티클 스테이지(240)는 플라즈마 소스(270)일 수 있다. 예를 들어, 레티클 스테이지(240)는 제 1 전압(V1)을 이용하여 레티클(R) 상에 플라즈마(274)를 생성할 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R)을 세정할 수 있다. 제 1 전압(V1)은 제어부(280)의 제어신호에 의해 제어될 수 있다. 레티클(R) 상의 파티클(290)의 오염은 제거되거나 감소할 수 있다.
도 4를 참조하면, 고속 교환 장치(260)는 샤프트(261) 및 로봇 암들(262)을 포함할 수 있다. 샤프트(261)는 보조 챔버(212)와 레티클 스테이지(240) 사이에 배치될 수 있다. 로봇 암들(262)은 샤프트(261)에 연결될 수 있다. 로봇 암들(262)은 샤프트(261)를 중심축으로 회전할 수 있다. 로봇 암들(262)과 샤프트(261)는 레티클(R)을 레티클 스테이지(240)와 보조 챔버(212) 사이에 이송할 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 로봇 암들(262)의 각각은 슬리브들(264), 서포터들(266) 및 베이스 플레이트(268)를 가질 수 있다. 슬리브들(264)은 로봇 암(262) 상에 배치될 수 있다. 서포터들(266)은 슬리브들(264) 상에 배치될 수 있다. 서포터들(266)은 레티클(R)의 교환 시에 상기 레티클(R) 외곽의 레티클 스테이지(240) 가장자리에 제공될 수 있다. 베이스 플레이트(268)는 슬리브들(264) 내에 배치될 수 있다. 베이스 플레이트(268)는 레티클(R)을 수납할 수 있다.
일 예로, 레티클(R)은 레티클 기판(32), 반사 층(34), 및 흡수 패턴들(36)을 포함할 수 있다. 레티클 기판(32)은 유리 또는 금속의 플레이트를 포함할 수 있다. 반사 층(34)은 레티클 기판(32) 상에 배치될 수 있다. 반사 층(34)은 EUV 빔(22)을 반사할 수 있다. 예를 들어, 반사 층(34)은 실리콘 층과 몰리브덴 층의 다중 적층 구조를 가질 수 있다. 흡수 패턴들(36)은 반사 층(34) 상에 배치될 수 있다. 흡수 패턴들(36)은 EUV 빔(22)을 흡수할 수 있다. EUV 빔(22)은 흡수 패턴들(36)에 의해 노출된 반사 층(34)에 반사되어 흡수 패턴들(36)의 이미지를 가질 수 있다. EUV 빔(22)은 흡수 패턴들(36)의 이미지를 기판(W)의 포토레지스트에 전사(project)할 수 있다.
도 5a를 참조하면, 레티클(R)이 대전되면, 전자들(e-)은 흡수 패턴들(36) 사이에 주로 제공될 수 있다. 흡수 패턴들(36) 사이의 전자들(e-)은 레티클(R)을 음의 전하로 대전시킬 수 있다. 플라즈마(274) 내의 양극 이온들(+)은 레티클(R)에 인접하여 집중될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 흡수 패턴들(36)이 플라즈마(274) 내에 제공되면, 플라즈마(274)는 흡수 패턴들(36) 사이의 전자들(e-)을 제거하여 레티클(R)을 중성화시킬 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R)을 아크 불량(arc defects) 없이 중성화시킬 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R) 상의 파티클(290)을 제거할 수 있다.
도 6은 도 2의 플라즈마 소스(270)의 다른 예를 보여준다.
도 6을 참조하면, 플라즈마 소스(270)는 고속 교환 장치(260)의 로봇 암(262)의 팁에 배치될 수 있다. 플라즈마 소스(270)는 슬리브들(264), 서포터들(266) 및 베이스 플레이트(268)의 외곽에 배치될 수 있다. 전원(272)은 제 1 전압(V1)을 플라즈마 소스(270)에 제공할 수 있다. 플라즈마 소스(270)는 제 1 전압(V1)을 이용하여 슬리브들(264), 서포터들(266) 및 베이스 플레이트(268) 상에 플라즈마(274)를 생성할 수 있다.
도 7은 도 2의 플라즈마 소스(270)의 다른 예를 보여준다.
도 7을 참조하면, 플라즈마 소스(270)는 고속 교환 장치(260) 및 레티클 스테이지(240)로부터 분리되어 독립적으로 배치될 수 있다. 플라즈마 소스(270)는 고속 교환 장치(260)의 로봇 암(262)에 인접하여 배치되어 슬리브들(264), 서포터들(266) 및 베이스 플레이트(268) 상에 플라즈마(274)를 유도할 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R)을 중성화시켜 파티클(290) 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있다.
도 8은 도 2의 레티클 척(242)에 제공되는 정전압(244)의 일 예를 보여준다.
도 8을 참조하면, 제어부(280)는 정전압(244)을 레티클 척(242)에 제공할 수 있다. 정전압(244)은 계단식(stepwise)으로 증가할 수 있다. 계단식의 정전압(244)은 순간 상승 구간(instant rising segment, 246)과, 순간 포화 구간(instant saturation segment, 248))을 가질 수 있다. 순간 상승 구간(246)과 순간 포화 구간(248)은 정전압(244)의 최대 값(ex, 20V 내지 200V)까지 반복될 수 있다. 순간 상승 구간(246)은 정전압(244)이 상승되는 구간일 수 있다. 순간 상승 구간(246) 동안에 정전압(244)은 약 5V 내지 약 10V정도 상승할 수 있다. 예를 들어, 순간 상승 구간(246)은 약 0.1초 내지 약 1초의 제 1 시간 간격(t1)을 가질 수 있다. 순간 포화 구간(248)은 정전압(244)의 상승이 정지된 구간일 수 있다. 순간 포화 구간(248)은 순간 상승 구간(246)과 동일하거나 길 수 있다. 순간 포화 구간(248)은 약 0.1초 내지 약 1초의 제 2 시간 간격(t2)을 가질 수 있다.
EUV 빔(22)이 레티클(R)에 제공되면, 레티클(R)의 상부 면 상에 유도 플라즈마와 시스(seath)가 형성될 수 있다. 시스는 레티클(R)의 상부면과 유도 플라즈마 사이에 생성될 수 있다. 예를 들어, 시스는 음의 전압을 가질 수 있다. 일반적인 급 상승 정전압(rapidly rising electrostatic voltage)은 시스를 제거시켜 레티클(R) 상에 파티클(290)의 오염을 유발시킬 수 있다. 반면, 계단식의 정전압(244)은 제 2 시간 간격(t2) 동안에 유도 플라즈마를 안정화시켜 시스의 제거를 방지할 수 있다. 결과적으로, 계단식의 정전압(244)은 계단식의 정전압(244)은 시스을 보호하여 파티클(290)의 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있다. 이와 달리, 정전압(244)은 계단식으로 감소할 수 있다.
도 9는 도 2의 레이저(224)에 제공되는 파워(255)와, EUV 빔(22)의 펄스 세기(227)를 보여준다.
도 9를 참조하면, 제어부(280)는 파워(225)를 레이저(224)에 계단식으로 제공할 수 있다. 계단식의 파워(225)는 레이저(224)의 레이저 빔(223)을 생성하여 계단식의 펄스 세기(227)의 EUV 빔(22)을 출력시킬 수 있다. EUV 빔(22)의 계단식의 펄스 세기(227)는 파워(225)를 따라 감소되거나 증가할 수 있다. 일 예로, 파워(225) 및 펄스 세기(227)는 하강 구간(228)과 포화 구간(229)을 가질 수 있다. 하강 구간(228)과 포화 구간(229)은 반복될 수 있다. 하강 구간(228)은 약 1초 내지 약 10초의 제 3 시간 간격(t3)을 가질 수 있다. 포화 구간(229)은 제 3 시간 간격(t3)과 동일한 제 4 시간 간격(t4)을 가질 수 있다. 파워(225)와 펄스 세기(227)는 제 4 시간 간격(t4) 동안에 유도 플라즈마를 안정화시켜 시스의 제거를 방지할 수 있다. 따라서, 계단식의 파워(225)와 계단식의 펄스 세기(227)는 유도 플라즈마 및 시스를 보호하여 파티클(290)의 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 소자의 제조 시스템(100)을 이용한 반도체 소자의 제조방법 설명하면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법을 보여준다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 노광 공정을 수행하는 단계(S10) 및 레티클(R)을 교환하는 단계(S20)를 포함할 수 있다.
스피너 장치(10)의 포토레지스트의 도포 공정이 완료되면, 노광 장치(20)는 레티클(R)을 이용하여 기판(W)의 포토레지스트의 노광 공정을 수행한다(S10).
도 11은 도 10의 노광 공정을 수행하는 단계(S10)의 일 예를 보여준다.
도 11을 참조하면, 노광 공정을 수행하는 단계(S10)는 파워(225)를 계단식으로 증가하는 단계(S12), 기판(W) 상의 포토레지스트에 EUV 빔(22)을 제공하는 단계(S14) 및 EUV 빔(22)의 유휴시간(idle time)마다, 레티클(R)에 플라즈마(274)를 제공하는 단계(S16)를 포함할 수 있다.
제어부(280)는 파워(225)를 계단식으로 증가시켜 레이저 빔(223)을 생성시킨다(S12). 레이저 빔(223)은 EUV 빔(22)의 펄스 세기(227)를 계단식으로 증가시킬 수 있다.
펄스 세기(227)가 정전압(244)의 최대 값에 도달하면, 제어부(280)는 기판(W)과 레티클(R)을 이동시켜 EUV 빔(22)을 상기 기판(W) 상의 포토레지스트에 제공한다(S14). 포토레지스트는 레티클(R)의 흡수 패턴들(36)의 모양에 따라 감광될 수 있다. 이후, 스피너 장치(10)는 상기 감광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
다음, 플라즈마 소스(270)는 EUV 빔(22)의 유휴 시간(idle time)마다, 레티클(R)에 플라즈마(274)를 제공한다(S16). 플라즈마(274)는 상기 레티클(R)을 전기적으로 중성화시킬 수 있다. 이와 달이, 플라즈마(274)는 레티클(R)을 건식으로 세정할 수 있다. 레티클(R)의 파티클(290) 오염은 제거되거나 감소할 수 있다.
다시 도 10을 참조하면, 노광 장치(20) 또는 레티클(R)의 예방정비가 수행될 때, 고속 교환 장치(260)는 레티클(R)을 교환한다(S20). 레티클(R)은 일정 사용 시간을 주기로 교환될 수 있다. 또한, 레티클(R)은 기판(W)의 공정 전환 시에 교환될 수 있다.
도 12는 도 2의 레티클(R)을 교환하는 단계(S20)의 일 예를 보여준다.
도 12를 참조하면, 레티클(R)을 교환하는 단계(S20)는 파워(225)를 계단식으로 감소하는 단계(S22), 레티클(R) 상에 플라즈마(274)을 생성하는 단계(S24), 레티클(R)을 베이스 플레이트(268)에 수납하는 단계(S26), 정전압(244)을 계단식으로 감소하는 단계(S28), 레티클(R)을 보조 챔버(212) 내에 반송하는 단계(S30), 다른 레티클(R)을 레티클 척(242)에 제공하는 단계(S32), 및 정전압(244)을 계단식으로 증가하는 단계(S34)를 포함할 수 있다.
제어부(280)는 레이저(224)의 파워(225)를 계단식으로 감소시켜 EUV 빔(22)을 제거한다(S22).
플라즈마 소스(270)는 레티클(R) 상에 플라즈마(274)를 생성한다(S24). 플라즈마(274)는 레티클(R)을 중성화시켜 파티클(290)의 오염을 제거하거나 감소시킬 수 있다. 플라즈마(274)는 상기 레티클(R)과 고속 교환 장치(260) 사이의 아크 불량을 제거하거나 감소시킬 수 있다.
다음, 고속 교환 장치(260)는 레티클(R)의 아래에 로봇 암(262)을 이동시켜 상기 레티클(R)을 베이스 플레이트(268) 내에 수납한다(S26).
제어부(280)는 정전압(244)을 계단식으로 감소시켜 레티클(R)을 레티클 척(242)으로부터 분리시킨다(S28).
고속 교환 장치(260)는 레티클(R)을 보조 챔버(212)로 반송한다(S30). 레티클(R)은 보조 챔버(212) 내에 일시적으로 저장될 수 있다. 플라즈마(274)는 레티클(R)의 분리 및 반송 과정 중에 연속적으로 제공될 수 있다.
고속 교환 장치(260)는 다른 레티클(R)을 레티클 척(242) 상에 제공한다(S32). 레티클(R)은 레티클 척(242) 상에 정렬될 수 있다.
제어부(280)는 정전압(244)을 계단식으로 증가시켜 레티클(R)을 레티클 척(242)에 고정한다(S34). 레티클(R)은 파티클(290)의 오염 없이 레티클 척(242)에 고정될 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 일측 내에 배치되고, EUV 빔을 생성하는 EUV 소스;
    상기 EUV 소스 상에 배치되고, 상기 EUV 빔을 기판에 제공하는 광학계;
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 기판을 수납하는 기판 스테이지;
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 EUV 빔을 상기 기판에 투영시키는 레티클을 고정하는 레티클 스테이지; 및
    상기 레티클에 플라즈마를 제공하여 상기 EUV 빔에 의해 대전되는 상기 레티클을 전기적으로 중성화시키는 플라즈마 소스를 포함하는 EUV 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 상기 레티클에 인접하는 상기 레티클 스테이지 상에 배치되는 EUV 노광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지 상의 레티클 척을 더 포함하되,
    상기 플라즈마 소스는 상기 레티클 척의 외곽에 배치되는 EUV 노광 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 EUV 소스를 제어하는 제어부를 더 포함하되
    상기 제어부는 상기 EUV 소스의 계단식의 파워를 제공하는 EUV 노광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 레티클 척을 제어하고, 상기 레티클 척에 계단식의 정전압를 제공하는 EUV 노광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 타측에 배치되고, 상기 레티클을 저장하는 보조 챔버; 및
    상기 레티클 스테이지와 상기 보조 챔버 사이에 레티클을 이동시키는 고속 교환 장치를 더 포함하는 EUV 노광 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 상기 고속 교환 장치인 EUV 노광 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 고속 교환 장치는:
    샤프트; 및
    상기 샤프트 상의 로봇 암을 포함하되,
    상기 로봇 암은 상기 레티클을 수납하는 베이스 플레이트를 갖는 EUV 노광 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 상기 베이스 플레이트 외곽의 상기 로봇 암의 팁 상에 배치되는 EUV 노광 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 상기 로봇 암 및 상기 레티클 스테이지에 인접하여 제공되는 EUV 노광 장치.
  11. 챔버;
    상기 챔버의 일측 내에 배치되어 EUV 빔을 생성하는 EUV 소스;
    상기 EUV 소스 상에 배치되어 상기 EUV 빔을 기판에 제공하는 광학계;
    상기 챔버 내에 배치되어 상기 기판을 수납하는 기판 스테이지;
    상기 챔버 내에 배치되어 상기 EUV 빔을 상기 기판에 투영시키는 레티클을 고정하는 레티클 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 상에 배치되어 상기 레티클을 고정하는 레티클 척; 및
    상기 레티클 척 및 상기 EUV 소스를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 제어부는 상기 레티클 척에 제공되는 정전압을 계단식으로 증가시키거나 감소시키는 EUV 노광 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 EUV 소스는:
    소스 방울을 생성하는 소스 방울 생성기; 및
    상기 소스 방울에 레이저 빔을 제공하여 상기 EUV 빔을 생성시키는 레이저를 포함하되,
    상기 제어부는 상기 레이저에 제공되는 파워를 계단식으로 증가시키거나 감소시키는 EUV 노광 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 레티클에 플라즈마를 제공하는 플라즈마 소스를 더 포함하는 EUV 노광 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 상기 레티클 스테이지에 배치되는 EUV 노광 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 레티클 스테이지 상의 레티클을 교체하는 고속 교체 장치를 더 포함하되,
    상기 고속 교체 장치는:
    샤프트; 및
    상기 샤프트에 연결되는 로봇 암을 포함하되,
    상기 플라즈마 소스는 상기 로봇 암의 팁에 배치되는 EUV 노광 장치.
  16. 노광 장치의 레티클을 이용하여 기판의 노광 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 레티클을 교환하는 단계를 포함하되,
    상기 레티클을 교환하는 단계는:
    상기 레티클 상에 플라즈마를 국부적으로 생성시키는 단계; 및
    상기 노광 장치의 레티클 척에 제공되는 정전압을 계단식으로 감소하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 노광 공정을 수행하는 단계는:
    상기 노광 장치의 레이저에 제공되는 파워를 계단식으로 증가시켜 EUV 빔을 생성하는 단계; 및
    상기 기판에 상기 EUV 빔을 제공하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 노광 공정을 수행하는 단계는 상기 EUV 빔의 유휴 시간마다 상기 레티클 상에 상기 플라즈마를 제공하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 레티클을 교환하는 단계는:
    상기 레이저에 제공되는 파워를 계단식으로 감소시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  20. 제 16 항에 있어서
    상기 레티클을 교환하는 단계는:
    상기 레티클을 베이스 플레이트에 수납하는 단계;
    상기 레티클을 보조 챔버 내에 반송하는 단계;
    상기 레티클 척에 다른 레티클을 제공하는 단계; 및
    상기 정전압을 계단식으로 증가시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
KR1020190051619A 2019-05-02 2019-05-02 Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 KR20200128270A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190051619A KR20200128270A (ko) 2019-05-02 2019-05-02 Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US16/678,274 US10754254B1 (en) 2019-05-02 2019-11-08 Extreme ultraviolet (EUV) exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same
CN201911345549.3A CN111880374B (zh) 2019-05-02 2019-12-24 极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190051619A KR20200128270A (ko) 2019-05-02 2019-05-02 Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200128270A true KR20200128270A (ko) 2020-11-12

Family

ID=72141070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190051619A KR20200128270A (ko) 2019-05-02 2019-05-02 Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10754254B1 (ko)
KR (1) KR20200128270A (ko)
CN (1) CN111880374B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4016187A1 (en) * 2020-12-16 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Lithography apparatus component and method
KR20230113300A (ko) * 2020-12-08 2023-07-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 구성 요소 및 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS628939A (ja) 1985-07-04 1987-01-16 Hitachi Cable Ltd 紙類搬送用平ベルト
JP3137682B2 (ja) 1991-08-12 2001-02-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2751981B2 (ja) * 1992-07-22 1998-05-18 株式会社日立製作所 電子線描画装置
US6707528B1 (en) * 1994-03-02 2004-03-16 Nikon Corporation Exposure apparatus having independent chambers and methods of making the same
JP3628939B2 (ja) 2000-06-27 2005-03-16 松下電器産業株式会社 露光方法及び露光装置
DE60118669T2 (de) * 2000-08-25 2007-01-11 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat
US6972420B2 (en) 2004-04-28 2005-12-06 Intel Corporation Atomic beam to protect a reticle
JP4593413B2 (ja) 2005-09-15 2010-12-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法及び処理装置
US8343305B2 (en) 2007-09-04 2013-01-01 Lam Research Corporation Method and apparatus for diagnosing status of parts in real time in plasma processing equipment
JP2009185362A (ja) 2008-02-08 2009-08-20 Seiko Epson Corp 蒸着装置およびマスクのクリーニング方法
US8138487B2 (en) 2009-04-09 2012-03-20 Cymer, Inc. System, method and apparatus for droplet catcher for prevention of backsplash in a EUV generation chamber
JP2012068579A (ja) 2010-09-27 2012-04-05 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクのクリーニング方法及びフォトマスクのクリーニング装置
JP2012238645A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、及び、反射型露光マスク
GB2499816A (en) 2012-02-29 2013-09-04 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd Controlling deposition and etching in a chamber with fine time control of parameters and gas flow
JP2013197465A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Toshiba Corp 静電チャック装置および露光装置
US20130255717A1 (en) 2012-04-03 2013-10-03 Kla-Tencor Corporation System and method for cleaning surfaces and components of mask and wafer inspection systems based on the positive column of a glow discharge plasma
WO2014051121A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2013093588A (ja) 2012-12-06 2013-05-16 Renesas Electronics Corp 反射型マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
JP6099970B2 (ja) 2012-12-27 2017-03-22 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US20140253887A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Contamination prevention for photomask in extreme ultraviolet lithography application
US10459352B2 (en) 2015-08-31 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask cleaning
KR102612028B1 (ko) * 2016-12-12 2023-12-07 삼성전자주식회사 리소그래피 장치
JP6473525B2 (ja) 2018-01-15 2019-02-20 芝浦メカトロニクス株式会社 有機物除去装置、および有機物除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10754254B1 (en) 2020-08-25
CN111880374A (zh) 2020-11-03
CN111880374B (zh) 2023-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108227400B (zh) 光刻装置
KR20200128275A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US10520823B2 (en) EUV lithography system and method with optimized throughput and stability
WO2005048326A1 (ja) 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
US11333984B2 (en) Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus
JP5979693B2 (ja) Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学ユニット及び光学系
KR20070117488A (ko) 리소그래피용 거울 어레이
US20100068659A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
KR20200128270A (ko) Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2008263173A (ja) 露光装置
US20240094647A1 (en) Patterning device conditioning system and method
US10871713B2 (en) Method of controlling reticle masking blade positioning to minimize impact on critical dimension uniformity and device for controlling reticle masking blade positioning
JP4319642B2 (ja) デバイス製造方法
KR20170054630A (ko) 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치
JP2023519552A (ja) 導管システム、放射源、リソグラフィ装置、及びそれらの方法
CN114503034A (zh) 清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制造方法
KR100998679B1 (ko) 아크 램프의 일부분을 차폐하는 커버
JP7411089B2 (ja) 独立した電圧及びタイミング制御並びに電力消費削減を伴う、デュアルパルスパワーシステム
US11360392B2 (en) Photolithography device having illuminator and method for adjusting intensity uniformity
WO2024132381A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4005075B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006173340A (ja) 露光装置、及び露光方法