JP2751981B2 - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JP2751981B2 JP2751981B2 JP19513992A JP19513992A JP2751981B2 JP 2751981 B2 JP2751981 B2 JP 2751981B2 JP 19513992 A JP19513992 A JP 19513992A JP 19513992 A JP19513992 A JP 19513992A JP 2751981 B2 JP2751981 B2 JP 2751981B2
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- stage
- mask substrate
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置に係り、
とくに露光用マスク基板やレチクル等の保持方法を改善
した電子線描画装置とそのマスク基板に関する。
とくに露光用マスク基板やレチクル等の保持方法を改善
した電子線描画装置とそのマスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の電子線描画装置におけるマ
スク基板の保持方法を説明する斜視図である。まず、マ
スク基板１をカセット２に入れ、押しバネＡ３でブロッ
クＡ４に押しつけてカセット２に保持したのち、カセッ
ト２をステ−ジ７に送って押しバネ９によりステ−ジ７
に固定されたブロック８にカセット２を押しつけ保持す
る。このようにしてカセット２に保持したマスク基板１
に電子線５を照射してマスク基板１に半導体回路パタ−
ンを描画する。偏向器６の電子線偏向領域は高々３ｍｍ
程度と小さいため、ステ−ジを移動させてマスク基板１
の全面に描画していた。また、従来の電子線描画装置に
おけるマスク基板の保持方法には、上記の機械的な方式
の他に、ステ−ジに静電チャツクを設け、前記静電チャ
ツクの電流検出し、当該静電チャツクによる吸着の密着
度を調整するものも提案されていた。これに関連するも
のとしては、特開平４−１８１１１７号記載の技術があ
る。さらに、ステ−ジに静電チャツクを設け、前記静電
チャツクの周囲を導電カバーで覆うものも提案されてい
た。これに関連するものとしては、特開平１−２９６６
３９号記載の技術がある。
スク基板の保持方法を説明する斜視図である。まず、マ
スク基板１をカセット２に入れ、押しバネＡ３でブロッ
クＡ４に押しつけてカセット２に保持したのち、カセッ
ト２をステ−ジ７に送って押しバネ９によりステ−ジ７
に固定されたブロック８にカセット２を押しつけ保持す
る。このようにしてカセット２に保持したマスク基板１
に電子線５を照射してマスク基板１に半導体回路パタ−
ンを描画する。偏向器６の電子線偏向領域は高々３ｍｍ
程度と小さいため、ステ−ジを移動させてマスク基板１
の全面に描画していた。また、従来の電子線描画装置に
おけるマスク基板の保持方法には、上記の機械的な方式
の他に、ステ−ジに静電チャツクを設け、前記静電チャ
ツクの電流検出し、当該静電チャツクによる吸着の密着
度を調整するものも提案されていた。これに関連するも
のとしては、特開平４−１８１１１７号記載の技術があ
る。さらに、ステ−ジに静電チャツクを設け、前記静電
チャツクの周囲を導電カバーで覆うものも提案されてい
た。これに関連するものとしては、特開平１−２９６６
３９号記載の技術がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置において
は、カセット２とマスク基板１間、およびカセット２と
ステ−ジ７間の保持力が不足するとステ−ジ７の移動に
よりマスク基板がずれ、保持力を大きくするとマスク基
板が歪み描画位置精度が劣化するという問題があった。
図９は上記保持力を大きくした場合のマスク基板１の歪
を示す図である。描画位置精度を上げるためには、カセ
ット２の平坦度を確保して上記歪みを低減する必要があ
るが製作費や製作時間等が膨大になるという問題があっ
た。さらに、描画中の温度変動による伸縮を押さえる必
要上、カセット２をセラッミクスのような低膨張係数材
料などで製作していたので高価であることも問題であっ
た。さらに、上記静電チャックを用いる方式は、機械式
に比べ、マスク基板１を直接、かつ均一に吸着保持でき
るが、印加電圧の電界が電子線へ影響を及ぼすという問
題があつた。本発明の目的は、マスク基板１をステ−ジ
７上に直接保持することによりカセット２を省略して装
置を低価格化し、さらにマスク基板１を十分平坦に保持
し、誘起する電荷による電子線へ影響をなくし、電子線
描画精度を向上させた電子線描画装置を提供することに
ある。
は、カセット２とマスク基板１間、およびカセット２と
ステ−ジ７間の保持力が不足するとステ−ジ７の移動に
よりマスク基板がずれ、保持力を大きくするとマスク基
板が歪み描画位置精度が劣化するという問題があった。
図９は上記保持力を大きくした場合のマスク基板１の歪
を示す図である。描画位置精度を上げるためには、カセ
ット２の平坦度を確保して上記歪みを低減する必要があ
るが製作費や製作時間等が膨大になるという問題があっ
た。さらに、描画中の温度変動による伸縮を押さえる必
要上、カセット２をセラッミクスのような低膨張係数材
料などで製作していたので高価であることも問題であっ
た。さらに、上記静電チャックを用いる方式は、機械式
に比べ、マスク基板１を直接、かつ均一に吸着保持でき
るが、印加電圧の電界が電子線へ影響を及ぼすという問
題があつた。本発明の目的は、マスク基板１をステ−ジ
７上に直接保持することによりカセット２を省略して装
置を低価格化し、さらにマスク基板１を十分平坦に保持
し、誘起する電荷による電子線へ影響をなくし、電子線
描画精度を向上させた電子線描画装置を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る電子線描画装置の構成は、ステ−ジ上
に被描画試料を載置し電子線を照射して描画する電子線
描画装置において、該ステ−ジの表面部に絶縁層と電極
層と誘電層を順次設け、該誘電層上に該被描画試料を載
置し、該被描画試料の表面には透光性の導電層、該被描
画試料の載置側には導電層をそれぞれ設け、前記透光性
の導電層と前記ステ−ジ間を電気的に接続し、且つ前記
電極層に電圧を印加すると共に、前記被描画試料の載置
側の導電層および前記ステ−ジを接地するようにしたこ
とを特徴とするものである。
に、本発明に係る電子線描画装置の構成は、ステ−ジ上
に被描画試料を載置し電子線を照射して描画する電子線
描画装置において、該ステ−ジの表面部に絶縁層と電極
層と誘電層を順次設け、該誘電層上に該被描画試料を載
置し、該被描画試料の表面には透光性の導電層、該被描
画試料の載置側には導電層をそれぞれ設け、前記透光性
の導電層と前記ステ−ジ間を電気的に接続し、且つ前記
電極層に電圧を印加すると共に、前記被描画試料の載置
側の導電層および前記ステ−ジを接地するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【０００５】また、前項記載の電子線描画装置におい
て、前記電極層を前記被描画試料の載置側の導電層より
小にし、当該前記被描画試料の描画領域内に設けるよう
にしたことを特徴とするものである。
て、前記電極層を前記被描画試料の載置側の導電層より
小にし、当該前記被描画試料の描画領域内に設けるよう
にしたことを特徴とするものである。
【０００６】また、前項記載の電子線描画装置におい
て、前記電極層を上記被描画試料の描画領域内に部分的
に設けたことを特徴とするものである。
て、前記電極層を上記被描画試料の描画領域内に部分的
に設けたことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】マスク基板や半導体ウエハ等の被描画試料は誘
電体層を介して上記電圧によりステ−ジ上に静電吸着さ
れる。また、上記被描画試料を接地することにより、電
子線は上記電圧により形成される電界の影響を受けなく
なる。
電体層を介して上記電圧によりステ−ジ上に静電吸着さ
れる。また、上記被描画試料を接地することにより、電
子線は上記電圧により形成される電界の影響を受けなく
なる。
【０００８】また、上記被描画試料のステ−ジ面側に設
けた導電層は上記電圧により誘起される電荷をステ−ジ
面側に分布して上記静電吸着力を高める。また、上記被
描画試料の導電層を上記被描画試料の描画領域内に設け
たり、同領域内に部分的に設けることにより、上記電圧
により形成される電界の電子線照射側への漏洩が防止さ
れる。
けた導電層は上記電圧により誘起される電荷をステ−ジ
面側に分布して上記静電吸着力を高める。また、上記被
描画試料の導電層を上記被描画試料の描画領域内に設け
たり、同領域内に部分的に設けることにより、上記電圧
により形成される電界の電子線照射側への漏洩が防止さ
れる。
【０００９】
【実施例】〔実施例 １〕 図１は本発明によるマスク基板とステ−ジ部の断面図で
ある。図１においては従来装置におけるカセット２が省
略されている。本発明においては、マスク基板１の裏面
に導電層１０を設け、これを誘電層１０を挟んでステ−
ジ７上に載置し、電源３０により導電層１０とステ−ジ
７間に電圧を印加してマスク基板１をステ−ジ７上に静
電吸着して固定するようにする。
ある。図１においては従来装置におけるカセット２が省
略されている。本発明においては、マスク基板１の裏面
に導電層１０を設け、これを誘電層１０を挟んでステ−
ジ７上に載置し、電源３０により導電層１０とステ−ジ
７間に電圧を印加してマスク基板１をステ−ジ７上に静
電吸着して固定するようにする。
【００１０】ステ−ジ７の表面は例えば２μｍ／１０×
１０ｍｍ2以下の平坦度に加工されているので、上記静
電吸着によりマスク基板１はステ−ジ７の平坦度と同程
度に平坦に吸着され、さらに均一に吸着力を与えること
ができ、また、電圧により静電吸着力を任意に制御する
ことができる。また、図２に示すように、導電層１０を
マスク基板１の裏面周辺部に設けるようにすることもで
きる。
１０ｍｍ2以下の平坦度に加工されているので、上記静
電吸着によりマスク基板１はステ−ジ７の平坦度と同程
度に平坦に吸着され、さらに均一に吸着力を与えること
ができ、また、電圧により静電吸着力を任意に制御する
ことができる。また、図２に示すように、導電層１０を
マスク基板１の裏面周辺部に設けるようにすることもで
きる。
【００１１】１２はマスク基板１の上面に形成された透
光性のクロ−ム膜であり、電子線５を透過すると同時に
電子線５電流を接地回路１３を通してバイパスし、マス
ク基板１の帯電を防止する。また、ステ−ジ７は電子線
描画装置本体と導電的に接触し、通常接地電位に保たれ
るので、電源３０のステ−ジ７側端子を接地電位とし、
マスク基板１の導電層１０を接地電位から浮いた電位に
する。
光性のクロ−ム膜であり、電子線５を透過すると同時に
電子線５電流を接地回路１３を通してバイパスし、マス
ク基板１の帯電を防止する。また、ステ−ジ７は電子線
描画装置本体と導電的に接触し、通常接地電位に保たれ
るので、電源３０のステ−ジ７側端子を接地電位とし、
マスク基板１の導電層１０を接地電位から浮いた電位に
する。
【００１２】〔実施例 ２〕 電子線描画装置の描画精細度が向上すると、上記マスク
基板１の導電層１０の電位により電子線５の照射位置が
ずれることが懸念される。上記電子線５の位置ずれを防
止するためには上記導電層１０を接地電位とする必要が
ある。そこで図３に示すように、ステ−ジ７側に絶縁層
１５を介して平坦な電極層１６を設けて電極層１６に電
源３０を接続し、誘電層１１を挟んでステ−ジ７上に載
置したマスク基板１の導電層１０を接地するようにす
る。
基板１の導電層１０の電位により電子線５の照射位置が
ずれることが懸念される。上記電子線５の位置ずれを防
止するためには上記導電層１０を接地電位とする必要が
ある。そこで図３に示すように、ステ−ジ７側に絶縁層
１５を介して平坦な電極層１６を設けて電極層１６に電
源３０を接続し、誘電層１１を挟んでステ−ジ７上に載
置したマスク基板１の導電層１０を接地するようにす
る。
【００１３】なお、１６１は電極層１６の端子部であ
り、その面積は狭いのでこの部分の電位が電子線に与え
る影響は無視できる程度に小さい。また、上記端子部を
ステ−ジ７の下側から取り出すようにして上記電位の影
響を完全に無くすることができる。また、上記電位の洩
れを少なくするためには、電極層１６がマスク基板１の
導電層１０の下に隠れる程度に小さくする必要がある。
り、その面積は狭いのでこの部分の電位が電子線に与え
る影響は無視できる程度に小さい。また、上記端子部を
ステ−ジ７の下側から取り出すようにして上記電位の影
響を完全に無くすることができる。また、上記電位の洩
れを少なくするためには、電極層１６がマスク基板１の
導電層１０の下に隠れる程度に小さくする必要がある。
【００１４】図４はマスク基板１の上面図の一例であ
る。一辺が１２７ｍｍのマスク基板１の内部の１１５ｍ
ｍの部分が電子線５の描画領域である。このように描画
領域はマスク基板のサイズより小さいので、マスク基板
１の裏面全面に導電層１０を設け、電極層１６を上記描
画領域と同程度にすることにより電極層１６が導電層１
０の下に隠れるようにすることができる。また、電極層
１６を図４の点線のようにしてマスク基板１を部分的に
吸着するようにしてもよい。
る。一辺が１２７ｍｍのマスク基板１の内部の１１５ｍ
ｍの部分が電子線５の描画領域である。このように描画
領域はマスク基板のサイズより小さいので、マスク基板
１の裏面全面に導電層１０を設け、電極層１６を上記描
画領域と同程度にすることにより電極層１６が導電層１
０の下に隠れるようにすることができる。また、電極層
１６を図４の点線のようにしてマスク基板１を部分的に
吸着するようにしてもよい。
【００１５】〔実施例 ３〕 図３の方法においては、マスク基板１のサイズが変わる
とステ−ジ７の電極層１６がマスク基板１の導電層１０
からはみ出したり、導電層１０に対して電極層１６の面
積が極端に不足したりする場合が生じる。図５は上記面
積の過不足を解消する本発明実施例の断面図である。
とステ−ジ７の電極層１６がマスク基板１の導電層１０
からはみ出したり、導電層１０に対して電極層１６の面
積が極端に不足したりする場合が生じる。図５は上記面
積の過不足を解消する本発明実施例の断面図である。
【００１６】図５においては、誘電層１１１の中間に導
電層１７を挾んだサンドウイッチ構造のシ−ト１１２の
上にマスク基板１を載置する。マスク基板１の導電層１
０とステ−ジ７を接地し、導電層１７に電源３０を接続
するようにする。なお、図示を明快にするため誘電層１
１１を厚み方向に誇張して示した。
電層１７を挾んだサンドウイッチ構造のシ−ト１１２の
上にマスク基板１を載置する。マスク基板１の導電層１
０とステ−ジ７を接地し、導電層１７に電源３０を接続
するようにする。なお、図示を明快にするため誘電層１
１１を厚み方向に誇張して示した。
【００１７】導電層１７とマスク基板１の導電層１０及
びステ−ジ７間にはそれぞれ静電吸引力が作用するの
で、マスク基板１をステ−ジ７に吸着することができ
る。また、マスク基板１のサイズに合わせた誘電層１１
１を複数用意して適宜選定して使用することにより、誘
電層１１１の導電層１７を導電層１０の下に隠れるよう
にすることができる。
びステ−ジ７間にはそれぞれ静電吸引力が作用するの
で、マスク基板１をステ−ジ７に吸着することができ
る。また、マスク基板１のサイズに合わせた誘電層１１
１を複数用意して適宜選定して使用することにより、誘
電層１１１の導電層１７を導電層１０の下に隠れるよう
にすることができる。
【００１８】〔実施例 ４〕 本発明はウエハ上に直接電子線描画する場合にも適用す
ることができる。図６は上記直接電子線描画における本
発明実施例の断面図である。図６において、ステ−ジ７
上には図５に示したシ−ト１１２を介して導電層１０１
を有するウエハ１０２を載置する。ウエハ１０２の導電
層１０１とステ−ジ７を接地しシ−ト１１２の導電層１
７に電源３０を接続すると、図５の場合と同様にウエハ
１０２がステ−ジ７に静電吸着される。
ることができる。図６は上記直接電子線描画における本
発明実施例の断面図である。図６において、ステ−ジ７
上には図５に示したシ−ト１１２を介して導電層１０１
を有するウエハ１０２を載置する。ウエハ１０２の導電
層１０１とステ−ジ７を接地しシ−ト１１２の導電層１
７に電源３０を接続すると、図５の場合と同様にウエハ
１０２がステ−ジ７に静電吸着される。
【００１９】なお、導電層１０１を省略してウエハ１０
２を直接接地するようにしても、ウエハ１０２を同様に
ステ−ジ７に静電吸着することができる。
２を直接接地するようにしても、ウエハ１０２を同様に
ステ−ジ７に静電吸着することができる。
【００２０】〔実施例 ５〕 図７は上記本発明によりマスク基板１やウエハ１０２等
をステ−ジ７に搭載する電子線描画装置実施例のブロッ
ク図である。電子銃４１からの電子線５は電子レンズ４
４、４７と絞り４３、４６によって所望の形状と電流密
度に制御されてマスク基板１上に照射される。
をステ−ジ７に搭載する電子線描画装置実施例のブロッ
ク図である。電子銃４１からの電子線５は電子レンズ４
４、４７と絞り４３、４６によって所望の形状と電流密
度に制御されてマスク基板１上に照射される。
【００２１】磁気ディスクなどの外部メモリ−に格納さ
れている描画デ−タはコンピュ−タ２３によりパタ−ン
発生装置２４に転送され、偏向器６の偏向位置信号やブ
ランカ−２５の電子線５オン、オフ信号等に変換され
る。マスク基板１は３ｍｍ程度のフィ−ルド毎に順次電
子線５により描画される。フィ−ルド間の移動はステ−
ジ７の移動により行なわれる。
れている描画デ−タはコンピュ−タ２３によりパタ−ン
発生装置２４に転送され、偏向器６の偏向位置信号やブ
ランカ−２５の電子線５オン、オフ信号等に変換され
る。マスク基板１は３ｍｍ程度のフィ−ルド毎に順次電
子線５により描画される。フィ−ルド間の移動はステ−
ジ７の移動により行なわれる。
【００２２】上記フィ−ルドの位置はレ−ザ干渉測長系
２７によりステ−ジ７の位置を計測して行なわれる。レ
−ザ１６の光ビ−ムはハ−フミラ−１７によって基準光
と計測光に分けられ、基準光は基準ミラ−１９に入射す
る。計測光は計測ミラ−２０により反射されハ−フミラ
−１８を介してレシ−バ２１に受光され、基準光と比較
されて位置デ−タ化されコンピュ−タ２３に読み込まれ
る。
２７によりステ−ジ７の位置を計測して行なわれる。レ
−ザ１６の光ビ−ムはハ−フミラ−１７によって基準光
と計測光に分けられ、基準光は基準ミラ−１９に入射す
る。計測光は計測ミラ−２０により反射されハ−フミラ
−１８を介してレシ−バ２１に受光され、基準光と比較
されて位置デ−タ化されコンピュ−タ２３に読み込まれ
る。
【００２３】レ−ザ干渉測長系２７はステ−ジ駆動系２
８に目標位置を与えてモ−タ１５を起動し、レ−ザ干渉
測長系２７はステ−ジ７が目標位置に達したことを検出
してステ−ジ駆動系２８を停止する。コンピュ−タ２３
はレ−ザ干渉測長系２７からステ−ジ７の停止誤差を読
み取ってパタ−ン発生装置２４に位置補正デ−タを送り
電子ビ−ムの一を補正する。
８に目標位置を与えてモ−タ１５を起動し、レ−ザ干渉
測長系２７はステ−ジ７が目標位置に達したことを検出
してステ−ジ駆動系２８を停止する。コンピュ−タ２３
はレ−ザ干渉測長系２７からステ−ジ７の停止誤差を読
み取ってパタ−ン発生装置２４に位置補正デ−タを送り
電子ビ−ムの一を補正する。
【００２４】上記ビ−ム偏向とステ−ジ移動をステップ
アンドリピ−トで実行してマスク基板１の全面にパタ−
ン描画を行う。描画が完了すると電源３０の電圧を解除
してステ−ジ７上のマスク基板１を交換し、電源３０の
電圧を印加して新しいマスク基板１をステ−ジ７上に保
持して次の描画を行なう。
アンドリピ−トで実行してマスク基板１の全面にパタ−
ン描画を行う。描画が完了すると電源３０の電圧を解除
してステ−ジ７上のマスク基板１を交換し、電源３０の
電圧を印加して新しいマスク基板１をステ−ジ７上に保
持して次の描画を行なう。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、マスク基板１を直接ステ
−ジに固定してこれを保持する高価なカセットを省略す
ることができる。また、マスク基板は薄い誘電層を介し
て十分な平坦度を有するステ−ジ上に均一に吸着され、
またカセットによるマスク基板の歪みもなくなり、電界
の影響を除き、描画位置精度を向上することができる。
−ジに固定してこれを保持する高価なカセットを省略す
ることができる。また、マスク基板は薄い誘電層を介し
て十分な平坦度を有するステ−ジ上に均一に吸着され、
またカセットによるマスク基板の歪みもなくなり、電界
の影響を除き、描画位置精度を向上することができる。
【図１】本発明の実施例１の部分断面図である。
【図２】本発明によるマスク基板の断面図である。
【図３】本発明の実施例２の部分断面図である。
【図４】本発明によるマスク基板実施例の平面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施例３の部分断面図である。
【図６】本発明の実施例４の部分断面図である。
【図７】本発明による電子線描画装置のブロック図であ
る。
る。
【図８】従来装置におけるマスク基板の保持方法を説明
する斜視図である。
する斜視図である。
【図９】従来装置におけるマスク基板の曲がりを説明す
る断面図である。
る断面図である。
１…マスク基板、２…カセット、３、９…押しバネ、
４、８…ブロック、５…電子線、６…偏向器、７…ステ
−ジ、１０…導電層、１１、１１１…誘電層、１２…ク
ロム膜、３０…電源、１５…絶縁層、１６…電極層、１
７、１０１…導電層、４１…電子銃、４４，４７…電子
レンズ、４３，４６…絞り、２３…コンピュ−タ、２４
…パタ−ン発生装置、２５…ブランカ、２７…レ−ザ干
渉測長系、１６…レ−ザ、１７，１８…ハ−フミラ−、
１９…基準ミラ−、２０…計測ミラ−、２１…レシ−
バ、２８…ステ−ジ駆動系、１１２…シ−ト、１０２…
ウエハ
４、８…ブロック、５…電子線、６…偏向器、７…ステ
−ジ、１０…導電層、１１、１１１…誘電層、１２…ク
ロム膜、３０…電源、１５…絶縁層、１６…電極層、１
７、１０１…導電層、４１…電子銃、４４，４７…電子
レンズ、４３，４６…絞り、２３…コンピュ−タ、２４
…パタ−ン発生装置、２５…ブランカ、２７…レ−ザ干
渉測長系、１６…レ−ザ、１７，１８…ハ−フミラ−、
１９…基準ミラ−、２０…計測ミラ−、２１…レシ−
バ、２８…ステ−ジ駆動系、１１２…シ−ト、１０２…
ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 利彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (56)参考文献 特開 平３−181117（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−296639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−79545（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259048（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/68
Claims (3)
- 【請求項１】 ステ−ジ上に被描画試料を載置し電子線
を照射して描画する電子線描画装置において、該ステ−ジの表面部に絶縁層と電極層と誘電層を順次設
け、該誘電層上に該被描画試料を載置し、該被描画試料
の表面には透光性の導電層、該被描画試料の載置側には
導電層をそれぞれ設け、前記透光性の導電層と前記ステ
−ジ間を電気的に接続し、且つ前記電極層に電圧を印加
すると共に、前記被描画試料の載置側の導電層および前
記ステ−ジを接地するようにしたことを特徴とすること
を電子線描画装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子線描画装置におい
て、 前記電極層を前記被描画試料の載置側の導電層より小に
し、当該前記被描画試料の描画領域内に設けるようにし
たことを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子線描画装置におい
て、 前記電極層を上記被描画試料の描画領域内に部分的に設
けたことを特徴とする電子線描画装置 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19513992A JP2751981B2 (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19513992A JP2751981B2 (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645238A JPH0645238A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2751981B2 true JP2751981B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16336103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19513992A Expired - Fee Related JP2751981B2 (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 電子線描画装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751981B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20200128270A (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-12 | 삼성전자주식회사 | Euv 노광 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH03181117A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法 |
-
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